DE748111C - Verfahren zur Herstellung von Ableitkontakten auf Halbleitern - Google Patents

Description

• Verfahren zur Herstellung von Ableitkontakten auf Halbleitern Bekanntlich bietet das Anbringen eines ratischfreien, dauerhaften Kontaktes, insbesondere an Sperrschichtphotozellen, z. B. auf der Sperrelektrode einer Kupferoxydulvorderwandzelle erhebliche Schwierigkeiten. Inkonstanz und Altern der Zellen sind meist nicht auf Veränderungen der Schichten, son-(lern auf Änderungen der Kontakte zurückzuführen. Bei den üblichen Federkontakten wird der dünne Zuleitungsring und die eigentliche Sperrelektrode x. B. durch auftretende thermische Längenänderung leicht durchgescheuert; dadurch treten erhebliche Siebwiderstände auf.
• Man hat zwar schon auf die Halbleiterschicht von Sperrschichtphotozellen Metallfolien, die mit diesem Halbleiter eine Sperrschicht bilden sollen, mit Lack aufgeklebt; jedoch wurde hiermit kein einwandfreier Kontakt erzielt. Auch# hat-man bereits durch Kathodenzerstäubung Kontakte mit Halbleitern hergestellt; diese wurden jedoch durch die aufgepreßten oder festgeklemmten Ableitelektroden leicht zerstört. Außerdem geben diese aufgelegten oder angekleminten Ableitelektroden Anlaß zu unsicherer Kontaktgabe. Die nach dem Spritzverfahren aufgebrachten Metallringe führen zu einem stark rauschenden Kontakt zwischen ihnen und der aufgestäubten Elektrode.
• Aus den gleichen Gründen zeigen die durch Aufspritzen von Metall hergestellten Ableitelektroden infolge der detektoraftigen Wirkung von aufgespritztetn Metall starkes Rauschen. Der ebenfalls bekannte Vorschlag der Kombination von mittels Lackes aufgeklebten Metallfolien mit überdeckend auf 'gespritztem Metall bringt ebenfalls keine Rauschfreiheit, da keine der beiden Kontaktierungen für sich rauschfrei ist. Der bekannte '#'orschlag, Graphit oder Blei auf der Oberfläche des Halbleiters zu verreiben, ergibt auch sehr stark rauschende Kontakte. Ebensowenig führen die bekannten Vorschläge der elektrolytischen Aufbringun- oder da-4' sogenannte f<ontakt- oder Anreibeverfahren zu einer rauschfreien Kontaktanordnunu, Als besonders sicher und einfach hat sieh ein Kontakt für Photozellen und für Hall)-!eiterwiderstände zur störungsfreien Messung von Leitfähigkeiten, Rauschpegelmessungen, Bolometern bewährt. bei dern erfindungsaeilläß auf die dünne aufged-ainpfte oder aufgestäubte'. z. B. bei Photo7ellen. lichtdurchlässige Metallelektrode oder auf die Halbleiterfläche eine Metallfolie z. 13. aus Kupfer, Messing oder Silber von 1/... inin Stärke oder z# weniger in Forin von Streifen, T-Stückeii, Ringed o. dgl. an ihrem Rande init Zaponlack aufgeklebt wird, wonach diese Folien daini mit dem daran anschließenden Teil der Halbleiterfläche oder der aufgedampften oder aufgestäubten Elektrode durch einen den Folienrand überlappenden Metallüberzug, vorzugsweise unter Benutzung einer Schablone, z.B. durch thertnischesAufdampfen oder Kathodenzerstäubung elektrisch verbunden wird. Eine solche Kontaktanordnun- hat -sich sowohl bei Widerständen wie bei Photozellen, deren wesentlicher Teil ans Halbleitern besteht, als ganz besondc#rs störungs-, rauschfrei und repi-Gduzierhar ergeben. Außerdem vereinigt ein derartiger Kontakt mit den erwähnten Eigeni;chaften eine hinreichende Festigkeit und leichte Vci-bindungsmöglichkeit.
• Am besten bewährt haben sich für den -Metallüberzug Edelmetalle, z. B. Silber oder Gold, deren Verwendung für derartige E'lektrodenüberzüge an sich bereits bekamit ist.
• .Außerdem ermö-lichen die auf-eklebten Metallfolien in an sich bekannter Weise ein Anlöten der Anschlüsse. Die Fassung wird daher wesentlich billiger und kleiner als bei den bisherigen Ausführungsfornien. Um die Ableitwiderstände derartiger Kontakte oder der Elektroden, für die sie bestimmt sind, lierabzumindern, Iziintieii mehrere Folien z. 1.3. auch inselförmig angeordnet werden.
• In der Zeichnung ist als Beispiel die Kontaktanordnung nach der U#-i-findung in Verbindung nut einer Kupferoxvdulzelle dargestellt. DieSchichtabinessungen sind derDeutlichkeit wegen ini Maßstab stark übertrieben. Auf der durchsichti-en dünnen. mit dein Halbleiter i die Sperrschicht bildenden Ableitelektrode 2 eine Vorderwandzelle oder dem (Iiinnen Ableitraster einer Hinterwandzelle ist die Folie 3 aus Kupfer mittels des Lackes 4 an ihrem Rande befestigt. Darauf wird die Rand7one des Metallstreifens 3 durch Aufdampfen oder Aufstiäuben von Metall # init der anschließenden Fläche der Ableitelektrode 2 verbunden. Am Metallstreifen 3 kann (lie Ableitung6 atigel;itet -wurden.

Claims (3)

1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Ableitkontakten auf Halbleitern, z. B. von Sperrschicht-oderWiderstands hotozellen. p oder elektrischen Widerständen mit vermittels Lackes aufgeklebter. als'Ableitelektroden #dienender dünner Metallfolie. dadurch gekennzeichnet. (laß auf den Halbleiter bzw. auf eine auf die Halbleiterfl;iche in an sich bekannter Weise aufgebrachte dünne, zweckmäßig lichtdurchliissige, aufgedarnpfte oder aufgestäubte Metallelektrode die dünne Mütallfolie von etwa 1/1(" nim Stärke an ihrem RaiI'(Ic z, B. mit Zaponlack aufzgeklebt und dann init der dünnen auf"edampften oder aufgestäubten Elektrode oder mit cleni Halbleiter durch den Folienrand überlappende-# Aufdainpfen oder Atifstäuben von Metall. insbesondere von Edelmetall. wie Silber oder Gold, verbunden wird.
2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß an die Metallfolie. namentlich an deren freie Enden die Ab- leitungen angelötet werden. 3. Nach dem Verfahren des Anspruchs i her-estellte Anordnun-, dadurch keiiiizeichnet, daß mehrere z. B. inselföriiil«" verteilte Elektroden angebracht sind.
3. Zur Abgrenzung des Annieldunffsg ,egens -tandes voni 5,tand der Technik sind iiii l-rtoilung#verfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen wo.-den: deutsche Patentschriften .... Nr. #26 2o6. ,5','4oog, 629364-. schweizerische Patentschrift 157 167 Physikalische Z. (1931), S. 288-