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Hintergrund der Erfindung
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1. Erfindungsgebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung
zum Ausbilden einer Dünnfilmbeschichtung
aus einem elektrisch isolierenden Material auf einem Substrat.
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2. Beschreibung des Standes
der Technik
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Als
eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung zum Ausbilden einer Dünnfilmbeschichtung
aus einem elektrisch leitfähigen
Material oder einem elektrisch isolierenden Material auf einem Substrat
ist herkömmlicherweise
ein Ionenplattiergerät
wie in der 20 gezeigt und ein Plasma verstärktes CVD-Gerät wie in
der 21 gezeigt bekannt.
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Bei
dem in der 20 gezeigten Ionenplattiergerät wird das
Plasma in einer Vakuumkammer 12 durch eine Plasmakanone
der druckgradierten Bauart (im Nachfolgenden als Plasmakanone bezeichnet) 11 erzeugt,
wodurch auf einem Substrat 13, das in der Vakuumkammer 12 platziert
worden ist, durch Dampfabscheidung eine Dünnfilmbeschichtung ausgebildet
wird.
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Im
einzelnen hat die Plasmakanone 11 eine ringförmige Kathode 15,
die an die negative Seite der Entladungsenergieversorgung 14 angeschlossen
ist, und eine ringförmige
erste Zwischenelektrode 16 und eine zweite Zwischenelektrode 17,
die jeweils über Widerstände an die
Entladungsenergieversorgung 14 angeschlossen sind, und
erhält
die Versorgung mit Entladungsgas von der Seite der Kathode 15 her und
bringt das Entladungsgas in den Plasmazustand, um das Entladungsgas
im Plasmazustand von der zweiten Zwischenelektrode 17 in
Richtung auf das Innere der Vakuumkammer 12 zu bringen.
Die Vakuumkammer 12 ist an eine nicht gezeigte Vakuumpumpe
angeschlossen und wird auf einem vorbestimmten Unterdruckzustand
gehalten. Weiterhin ist außerhalb
eines Kurzrohrteils 12A der Vakuumkammer 12 eine
Konvergenzspule 18 vorgesehen, die sich bis zu der zweiten
Zwischenelektrode 17 erstreckt, so dass sie den Kurzrohrteil 12A umgibt.
An einem unteren Teil in der Vakuumkammer 12 ist ein Herd 19 angeordnet,
der an die positive Seite der Entladungsenergieversorgung 14 angeschlossen
ist und der aus einem elektrisch leitfähigen Material besteht. In
dem Herd 19 ist eine Aussparung ausgebildet, in welcher
ein elektrisch leitfähiges
oder isolierendes Abscheidungsmaterial 20, welches als
das Material der Dünnfilmbeschichtung
verwendet wird, enthalten ist. Zusätzlich ist innerhalb des Herdes 19 ein
Magnet 21 für
den Herd 19 vorgesehen.
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Durch
diese Anordnung wird ein Plasmastrahl 22 so ausgebildet,
dass er von der zweiten Zwischenelektrode 17 auf das Abscheidungsmaterial 20 gerichtet
ist und bewirkt, dass das Abscheidungsmaterial 20 verdampft
wird und auf der unteren Oberfläche
des Substrates 13 abgeschieden wird, wodurch eine Dünnfilmbeschichtung
ausgebildet wird. Die Konvergenzspule 18 dient dabei dazu,
den Querschnitt des Plasmastrahls 22 zu verringern, während der
Magnet 21 für
den Herd 19 dazu dient, den Plasmastrahl 22 auf
den Herd 19 zu leiten.
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Andererseits
sind statt dem Herd 19, dem Abscheidungsmaterial 20 und
dem Magneten 21 des vorstehenden Gerätes in dem in der 21 gezeigten
plasmaverstärkten
CVD-Gerät
eine Anode 31, die an die positive Seite der Entladungsenergieversorgung 14 angeschlossen
ist, ein Magnet 32 für
die Anode 31, der hinter der Anode 31 angeordnet
ist, d.h. an der Seite gegenüber
der Seite der Plasmakanone 11, und eine Materialgaszuführleitung 33 vorgesehen.
Andere Konstruktionen des plasmaverstärkten-CVD-Gerätes sind
im Wesentlichen mit dem vorstehenden Gerät identisch.
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Durch
diese Anordnung werden Materialgas und Reaktionsgas durch die Materialgaszuführleitung 33 der
Vakuumkammer 12 zugeführt,
und diese Gase werden voneinander ge trennt und miteinander durch
Plasma kombiniert, um auf dem Substrat 13 abgeschieden
zu werden, wodurch auf dem Substrat 13 eine Dünnfilmbeschichtung
ausgebildet wird.
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Für den Fall
der Ausbildung einer Dünnfilmbeschichtung
bestehend aus einem elektrisch isolierenden Material unter Verwendung
der in den 20 und 21 gezeigten
herkömmlichen
Geräte
haftet das Isoliermaterial an der äußeren Oberfläche des Herdes 19 oder
der Anode 31 oder der inneren Oberfläche der Vakuumkammer 12 oder
dergleichen, und insbesondere wird die äußere Oberfläche des Herdes 19 oder
der Anode 31 elektrisch isolierend. Als Ergebnis kann das
Fließen
von elektrischem Strom in der Vakuumkammer 12 nicht aufrechterhalten
werden, so dass das Phänomen,
dass die Elektroden an ihren verschiedenen Teilen aufgeladen werden,
mit dem Ablauf der Zeit markant wird. Daher wird es unmöglich eine
kontinuierliche und stabile Steuerung des Plasmastrahls 22 durchzuführen, was
das Problem hervorruft, das die Stabilität der Beschichtungsausbildung
ruiniert wird. Wenn ein derartiges Phänomen auftritt werden Elektronen,
die auf einen Teil auftreffen, bei dem das Fließen von elektrischem Strom nicht
aufrechterhalten werden kann, reflektiert, und die Reflexion der
Elektronen wird solange wiederholt, bis die Elektronen durch die
Kombination mit Ionen elektrisch neutralisiert sind oder bis die
Elektronen schlussendlich an Stellen ankommen, wo die Elektronen
elektrisch zurückkehren
können.
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Da
ferner ein Magnetfeld zur Steuerung des Plasmastrahls 22 in
der Vakuumkammer 12 vorhanden ist, sind die vorstehend
genannten reflektierten Elektronen, d.h. die Bewegung der reflektierten
Elektronen durch dieses Magnetfeld eingeschränkt. Demgemäß ist es zur kontinuierlichen
und stabilen Ausbildung einer Dünnfilmbeschichtung
bestehend aus isolierendem Material unter Verwendung der Plasmakanone 11 notwendig,
eine exakte Rückführelektrode für die reflektierten
Elektronen an einer Position vorzusehen, wo ein optimaler Zustand
der Magnetfeldverteilung erhalten ist und wo es weniger wahrscheinlich
ist, dass eine Isolierbeschichtung abgeschieden wird.
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Sofern
der Rückkehrweg
für die
reflektierten Elektronen nicht zwangsweise geändert ist, haben die meisten
der reflektierten Elektronen die Tendenz, in den Weg des Plasmastrahls 22 entlang
dieses Magnetfeldes unter der Einwirkung des Magnetfeldes, welches
den Plasmastrahl 22 steuert, zurückzufließen. Anders ausgedrückt, der
Plasmastrahl 22 und ein Strahl von reflektierten Elektronen
gehen im allgemeinen im gleichen Weg hin und her, wobei die reflektierten
Elektronen infolge ihrer Reflexion und ihrer Streuung verglichen
mit den Elektronen des Plasmastrahls 22 eine schlechtere
Konvergenz und eine geringere Beschleunigungsspannung haben.
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Daher
muss ein Elektronenstrahl, der auf die Rückkehrelektrode für die reflektierten
Elektronen auftrifft, von dem Plasmastrahl 22, der von
der Plasmakanone 11 geliefert wird, getrennt werden. Ohne diese
Trennung würde
ein Plasmastrahl auftreten, der direkt in die Rückkehrelektrode für die reflektierten
Elektronen fließt,
so dass der Plasmastrahl, welcher die Seite des Abscheidungsmaterials
oder die Anodenseite erreicht, in seiner Größe vermindert wäre, woraus
eine verminderte Effizienz der Beschichtungsbildung resultiert.
Umso mehr, als die direkte Entladung ferner zwischen der Kathode 15 und
der Rückkehrelektrode
für die
reflektierten Elektronen auftreten würde, wird die Entladung selbst
anomal. Vom Standpunkt der Verhinderung des Abscheidens von Isoliermaterial
aus betrachtet ist die Rückkehrelektrode
für die
reflektierten Elektronen vorzugsweise an einer Position soweit wie
möglich
von dem Teil der Vakuumkammer 12, wo das Beschichtungsmaterial erzeugt
wird vorgesehen (Position des Abscheidungsmaterials 20 in 20 oder
Position des Gasauslass von der Materialgasversorgungsleitung in 21)
und vom Standpunkt der Reduzierung der Gerätegröße an einer Position so nah
wie möglich
zu der Konvergenzspule 18 vorgesehen.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung
zu schaffen, die in der Lage ist die vorstehend beschriebenen Probleme
zu lösen.
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Um
diese Aufgabe zu lösen
ist gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung zum Ausbilden einer
Dünnfilmbeschichtung
durch einen Plasmastrahl auf einem Substrat, das in einer Vakuumkammer
angeordnet ist, geschaffen, wobei die Vakuumbeschichtungsvorrichtung
aufweist: Eine Plasmakanone vom Druckgradiententyp zum Erzeugen
eines Plasmastrahls in Richtung auf das Innere einer Vakuumkammer
und eine Konvergierungsspule, die so vorgesehen ist, dass sie ein Kurzrohrteil
der Vakuumkammer umgibt, der in Richtung auf einen Auslass der Plasmakanone
vorsteht und der den Querschnitt des Plasmastrahls vermindert, gekennzeichnet
ferner durch: Ein Isolierrohr, das innerhalb des Kurzrohrteils so
vorgesehen ist, dass es den Plasmastrahl umgibt und in einem elektrischen
Schwebezustand vorsteht, und eine Elektronenrückkehrelektrode, die den Plasmastrahl über das
Isolierrohr innerhalb des Kurzrohrteils umgibt und je ein höheres elektrisches
Potential als der Auslass aufweist.
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Da
die Elektronenrückkehrelektrode
an einer Position im Abstand zu dem Abscheidungsmaterial oder dem
Gasauslass wie vorstehend gezeigt vorgesehen ist, ist es weniger
wahrscheinlich, dass das isolierende Material auf der Elektronenrückkehrelektrode
abgeschieden wird, so dass das Auftreten einer anomalen Entladung
zwischen der Kathode und der Elektronenrückkehrelektrode verhindert
ist. Daher erreicht ein reflektierter Elektronenstrom die Elektronenrückkehrelektrode
entlang eines Weges, der von dem Plasmastrahl getrennt ist, welcher
außerhalb des
Plasmastrahls ausgebildet ist, so dass der Plasmastrahl kontinuierlich
und stabil aufrechterhalten wird. Die Dauer dieser Aufrechterhaltung
erhöht
sich gegenüber
dem Fall, bei dem das Isolierrohr und die Elektronenrückkehrelektrode
nicht vorgesehen sind, bemerkenswert auf wenigstens das zweifache.
Ferner ist das Isolierrohr dazu vorgesehen, das Auftreten von anomaler
Entladung zu verhindern, so dass elektrischer Energieverlust infolge
von Einfließen
des Plasmastrahls in die Elektronenrückkehrelektrode vermindert
ist. Als Ergebnis wird es auch möglich,
die Beschichtungsausbildungsrate unter der gleichen Bedingung des
Plasmastrahls, der von der Plasmakanone herrührt, zu verbessern. Da die
Elektronenrückkehrelektrode
an einer Position in der Nähe
der Konvergierungsspule vorgesehen ist, wird es zusätzlich leichter,
die Vorrichtung klein zu gestalten.
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Weiterhin
ist gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung zum Ausbilden einer
Dünnfilmbeschichtung
durch einen Plasmastrahl auf einem Substrat, das in einer Vakuumkammer
angeordnet ist, vorgesehen, wobei die Vakuumbeschichtungsvorrichtung
aufweist: Eine Plasmakanone vom Druckradienten Typ zum Erzeugen
eines Plasmastrahls in Richtung auf das Innere einer Vakuumkammer
und eine Konvergie rungsspule, die so vorgesehen ist, dass sie den
Kurzrohrteil der Vakuumkammer umgibt, die auf einem Auslass der
Plasmakanone vorsteht und die den Querschnitt des Plasmastrahls
reduziert, gekennzeichnet dadurch, dass sie weiterhin aufweist:
Ein Isolierrohr, das in dem Kurzrohrteil so vorgesehen ist, dass
es den Plasmastrahl umgibt und im elektrisch schwebenden Zustand
vorsteht; eine erste Elektronenrückkehrelektrode,
die das Isolierrohr innerhalb des Kurzrohrteils umgibt und die auf
einem höheren
elektrischen Potential als der Auslass ist; und eine zweite Elektronenrückkehrelektrode,
die in einem Abstand zu dem Plasmastrahl vorgesehen ist und die
auf dem gleichen elektrischen Potential wie die erste Elektronenrückkehrelektrode
ist.
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Da
die erste Elektronenrückkehrelektrode
so vorgesehen ist, dass sie den Kurzrohrteil umgibt und die zweite
Elektronenrückkehrelektrode
in einem Abstand zu dem Plasmastrahl wie vorstehend angegeben vorgesehen
ist, ist es weniger wahrscheinlich, dass das Isoliermaterial auf
dem Herd oder der Anode abgeschieden wird, wodurch das Auftreten
einer anomalen Entladung zwischen den ersten und zweiten Elektronenrückkehrelektroden
verhindert wird. Als Ergebnis werden die vorstehend beschriebenen Wirkungen
der vorliegenden Erfindung markanter. Da ferner die Elektronen,
welche aus dem reflektierten Elektronenstrom gestreut worden sind,
durch die zweite Elektronenrückkehrelektrode
eingefangen werden, wird das Verhältnis der Ströme, die
sowohl zu der ersten Elektronenrückkehrelektrode
als auch der zweiten Elektronenrückkehrelektrode
zurückführen, zu
dem effektiven Entladestrom zum Herd oder zur Anode auf einen Wert
annähernd
100 % gemacht, wodurch eine Verbesserung der Beschichtungsausbildungsrate
ermöglicht
wird.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Diese
und weitere Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung gehen
aus der folgenden Beschreibung anhand der begleitenden Zeichnungen hervor,
in welchen zeigt:
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1 eine
schematische Darstellung der Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die
ein Ionplattiersystem verwendet, gemäß einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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2 eine
schematische Darstellung einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die
ein Plasmaverstärktes
CVD-System verwendet, gemäß einer zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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3 eine
schematische Darstellung einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die
ein Ionenplattiersystem verwendet, gemäß einer dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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4 den
Zustand eines Plasmastrahls in der Nähe der Plattenmagnete in der
Vorrichtung gemäß 3;
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5 nur
eine Plasmakanone und einen Kurzrohrteil einer Vakuumkammer sowie
auch deren Umgebungen in einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer
vierten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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6 eine
Ansicht der Elektronenrückkehrelektrode
gemäß 5 in
der Ansicht von vorne;
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7 nur
eine Plasmakanone und einen Kurzrohrteil der Vakuumkammer sowie
deren Umgebungen in einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer
fünften
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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8 nur
eine Plasmakanone und einen Kurzrohrteil einer Vakuumkammer sowie
deren Umgebungen in einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer
sechsten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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9 nur
eine Plasmakanone und einen Kurzrohrteil einer Vakuumkammer sowie
deren Umgebungen in einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer
siebten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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10 eine
Elektronenrückkehrelektrode
einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer achten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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11 eine
Prallplatte einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer
neunten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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12 eine
schematische Darstellung einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die
ein Ionenplattiersystem verwendet, gemäß einer zehnten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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13 eine
Seitenansicht einer zweiten Elektronenrückkehrelektrode einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung
gemäß einer
elften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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14 eine
Ansicht im Schnitt einer zweiten Elektronenrückkehrelektrode einer Prallplatte
in einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung;
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15 eine
Seitenansicht einer zweiten Elektronenrückkehrelektrode und eines Wischers
in einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer dreizehnten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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16 eine
Ansicht der zweiten Elektronenrückkehrelektrode
gemäß 15 in
einer Ansicht von vorne;
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17 eine
Seitenansicht einer zweiten Elektronenrückkehrelektrode einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung
gemäß einer
vierzehnten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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18 eine
zweite Elektronenrückkehrelektrode
und deren Halteteil in einer Vakuumbe schichtungsvorrichtung gemäß einer
fünfzehnten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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19 eine
schematische Darstellung einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die
ein Ionenplattiersystem verwendet, gemäß einer sechzehnten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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20 eine
schematische Darstellung einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die
ein Ionenplattiersystem verwendet, gemäß dem Stand der Technik; und
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21 eine
schematische Darstellung einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die
ein plasmaverstärktes
CVD-System verwendet, gemäß dem Stand
der Technik.
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Detaillierte
Beschreibung der Erfindung
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Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden unter Bezugnahme
auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
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1 zeigt
eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die ein Ionenplattiersytem
verwendet, gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. In der 1 sind Teile,
die im Wesentlichen identisch mit denen der Vorrichtung gemäß 20 sind,
mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet, und deren Beschreibung
wird abgekürzt.
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Diese
Vakuumbeschichtungsvorrichtung ist mit einem Isolierrohr 1 und
einer Elektronenrückkehrelektrode 2 versehen.
Das Isolierrohr 1 ist am Auslass einer Plasmakanone 11 vom
Druckgradienten-Typ vorgesehen, um einen Plasmastrahl 22 zu umgeben,
und steht in einem elektrischen Schwebezustand vor. Die Elektronenrückkehrelektrode 2 umgibt
das Isolierrohr 1 innerhalb eines Kurzrohrteils 12A der
Vakuumkammer 12 und ist an die positive Seite der Entladungsenergieversorgung 14 angeschlossen,
um ein höheres
elektrisches Potential als der Auslass der Plasmakanone 11 zu
erlangen. Ein Abscheidematerial 20 im Herd 19 ist
ein Isoliermaterial. Zusätzlich
kann beispielsweise ein Keramikkurzrohr als Isolierrohr 1 verwendet
werden.
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Wie
vorstehend beschrieben ist in dieser Vakuumbeschichtungsvorrichtung
die Elektronenrückkehrelektrode 2 an
einer Position im Abstand zu dem Abschaltungsmaterial 20 vorgesehen,
so dass ein Anhaften von Isoliermaterial, das von dem isolierenden
Abscheidungsmaterial 20 verdampft worden ist, an der Elektronenrückkehrelektrode 2 schwierig
wird. Ferner ist das Isolierrohr 1 zwischen dem Plasmastrahl 22,
der aus der Plasmakanone 11 emittiert wird, und der Elektronenrückkehrelektrode 2 vorgesehen,
um diese voneinander zu isolieren, so dass das Auftreffen des Plasmastrahls 22 auf
die Elektronenrückkehrelektrode 2 und
das Auftreten einer anomalen Entladung zwischen der Kathode 15 und
der Elektronenrückkehrelektrode 2 verhindert
sind. Somit ist ein reflektierter Elektronenstrom 3, der
die Elektronenrückkehrelektrode 2 erreicht,
entlang eines Weges außerhalb
des Plasmastrahls 22 und vom Plasmastrahl 22 getrennt
ausgebildet, wodurch der Plasmastrahl 22 kontinuierlich
und stabil aufrechterhalten wird. Es ist verifiziert worden, dass
die Lebensdauer auf wenigstens das Zweifache der Lebensdauer für den Fall,
bei dem das Isolierrohr 1 und die Elektronenrückkehrelektrode 2 nicht
vorgesehen sind, markant erhöht
ist. Ferner ist verifiziert worden, dass als Ergebnis des Vorsehens
des Isolierrohrs 1 das Auftreten einer anomalen Entladung
und dadurch Senken des elektrischen Energieverlustes infolge von Einfließen des
Plasmastroms 22 in die Elektronenrückkehrelektrode 2 verhindert
ist, es verifiziert worden ist, dass die Beschichtungsausbildungsrate
(Materialverdampfungsmenge) unter den selben Bedingungen des von
der Plasmakanone 11 abgestrahlten Plasmastrahls 22 um
ungefähr
20 % verbessert ist. Da weiterhin die Elektronenrückkehrelektrode 2 in der
Nähe der
Konvergierungsspule 18 angeordnet ist, ist es einfach,
die Vorrichtung mit einer kleinen Baugröße zu versehen.
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2 zeigt
eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die ein plasmaverstärktes CVD-System
verwendet, gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. In der 2 sind Teile
die im wesentlichen mit denen der Vorrichtung gemäß der 1 und 21 identisch
sind, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet, und deren Beschreibung ist
abgekürzt.
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Diese
Vakuumbeschichtungsvorrichtung ist wie die vorstehende, in 1 gezeigte
Vakuumbeschichtungsvorrichtung mit einem Isolierrohr 1 und einer
Elektronenrückkehrelektrode 2 versehen. Durch
diese Anordnung ist wie bei der ersten Ausführungsform ein reflektierter
Elektronenfluss 3, der die Elektronenrückkehrelektrode 2 entlang
eines Wegs erreicht, der vom Plasmastrahl 22 getrennt ist
und der außerhalb
des Plasmastrahls 22 liegt, gebildet, so dass der Plasmastrahl 22 kontinuierlich
stabil aufrechterhalten wird, und die Beschichtungsausbildungsrate
ebenfalls erhöht.
Da nebenbei gesagt die Elektronenrückkehrelektrode 2 an
einer Position in der Nähe
der Konvergierungsspule 18 angeordnet ist, wird es einfach,
die Vorrichtung in einer kleinen Baugröße herzustellen.
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Die 3 und 4 zeigen
eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die ein Ionenplattiersystem verwendet,
gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. In den 3 und 4 sind Teile
im Wesentlichen identisch mit denen der Vorrichtung gemäß 1 mit
den gleichen Bezugsziffern bezeichnet und deren Beschreibung ist
abgekürzt.
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In
dieser Vakuumbeschichtungsvorrichtung sind vor dem Isolierrohr 1 und
der Elektronenrückkehrelektrode 2,
d.h. an einer Seite gegenüber
der Plasmakanone 11, zwei plattenförmige Magnete 4, 4 so
vorgesehen, dass die Pole (N-Pole oder S-Pole) der Magnete 4, 4,
die identische Polarität
haben, einander gegenüber
liegen, wodurch der Querschnitt des Plasmastrahls 22 von
beiden Seiten beschränkt wird.
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Somit
wird ein Plasmastrahl 22, der auf das Abscheidungsmaterial 22 auftrifft,
in eine plattenartige Form gebracht, so dass eine breitere Verdampfungsquelle
gebildet wird. Als Ergebnis erlaubt diese Vorrichtung die Verwendung
von Substraten mit größeren Breiten.
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Zusätzlich ist
es möglich,
diese plattenartigen Magnete 4, 4 auch in der
in der 2 gezeigten Vakuumbeschichtungsvorrichtung anzuwenden,
die das Plasma verstärkte
CVD-System verwendet.
Die Anwendung dieser plattenartigen Magnete 4, 4 ermöglicht,
dass die gleichen Effekte wie vorstehend beschrieben erzielt werden.
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Die 5 bis 11 zeigen
lediglich eine Plasmakanone 11 und einen Kurzrohrteil 12A einer Vakuumkammer 12 sowie
deren Umgebungen in den Vakuumbeschichtungsvorrichtungen gemäß der vierten
bis neunten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung. In den 5 bis 11 sind
Teile, die mit denen der vorstehenden Vorrichtungen gemeinsam sind,
durch die gleichen Bezugsziffern bezeichnet und deren Beschreibung
ist abgekürzt.
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Die
in den 5 bis 11 gezeigten Ausbildungen sind
sowohl bei dem Ionenplattiersystem als auch bei dem plasmaverstärkten CVD-System anzuwenden,
und die Ausbildungen der anderen, nicht gezeigten Teile sind im
wesentlichen identisch mit denen der in den 1 oder 2 gezeigten
Vakuumbeschichtungsvorrichtung.
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In
den 5 und 6 ist an der Elektronenrückkehrelektrode 2 ein
Rotationswischer 5 vorgesehen, der von der Oberfläche der
Elektronenrückkehrelektrode
Abscheidungen, insbesondere Isoliermaterial, abwischt und entfernt.
Als ein Ergebnis kann die Oberfläche
der Elektronenrückkehrelektrode 2 für eine lange
Zeitdauer in einem guten Zustand für das Rückkehren der reflektierten
Elektronen gehalten werden.
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In
der 7 ist eine Oberfläche 6 der Elektronenrückkehrelektrode 2 an
einer Seite, die auf die Vorderseite der Plasmakanone 11 gerichtet
ist, in gewellter Form ausgebildet. Somit ist die Oberflächenfläche für die rückkehrenden
reflektierten Elektroden vergrößert.
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In
der 8 sind eine Anzahl von Durchgangslochteilen 7a gleichmäßig verteilt über einen gesamten Öffnungsteil
des Kurzrohrteils 12A der Vakuumkammer 12 innerhalb
der Vakuumkammer 12 vorgesehen, beispielsweise in Form
eines Gittermusters, wobei eine Prallplatte 7 mit einer Öffnung 7b für den Plasmastrahl 22 im
mittleren Teil angeordnet ist. Somit ist die Menge des gasförmigen Isoliermaterials,
welche die Oberfläche
der Elektronenrückkehrelektrode 2 erreicht,
vermindert. Diese Prallplatte 7 kann auch zusammen mit
dem Wischer 5 verwendet werden oder ist bei einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung
mit der gewellten Oberfläche 6 anzuwenden.
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Durch
diese in den 5 bis 8 gezeigten
Anordnungen können
die gleichen Effekte wie bei der vorstehenden ersten Ausführungsform
erzielt werden und nebenbei gesagt kann eine noch kontinuierlichere
und stabilere Entladung erzielt werden.
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Die
vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen
bezüglich
der Position und der Querschnittsform der Elektronenrückkehrelektrode 2 oder
des Isolierrohres 1 beschränkt. Jedes derselben kann an
irgendeiner Position vorgesehen sein, die in dem Kurzrohrteil 12A liegt,
um den Plasmastrahl 22 zu umgeben. Beispielsweise können, wie
in der 9 gezeigt, die Elektronenrückkehrelektrode 2 und
das Isolierrohr 1 so angeordnet sein, dass sie bis zu einer
Grenze innerhalb des Kurzrohrteils 12A in Richtung auf
das Innere der Vakuumkammer 12 vorgespannt sind. Weiterhin
hat bei diesen in der 9 gezeigtem Beispiel mit Bezug
auf die Querschnittsform die Elektronenrückkehrelektrode 2 vorzugsweise
einen rechteckigen Querschnitt, und das Isolierrohr 1 ist
mit einer zylindrischen Form ausgebildet, die einen Flansch an der
Seite der Plasmakanone 11 hat.
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Durch
diese Anordnungen können
reflektierte Elektronen noch effizienter eingefangen werden.
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10 zeigt
eine Elektronenrückkehrelektrode 2 mit
Wasserkühlungskonstruktion.
In diesem Fall ist die Wasserkühlhülle 23 innerhalb
der Elektronenrückkehrelektrode 2 ausgebildet,
wobei ein Kühlwassereingangrohr 24 an
einen Einlass der Wasserkühlhülle 23 angeschlossen
ist und ein Kühlwasserausgangsrohr 25 an
einen Auslass der Wasserkühlhülle 23 angeschlossen
ist.
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11 zeigt
eine Prallplatte 7 mit Wasserkühlkonstruktion. In diesem Fall
ist in der Prallplatte 7 eine Wasserkühlhülle 26 ausgebildet,
wobei ein Kühlwassereingangsrohr 27 an
einen Einlass der Wasserkühlhülle 26 angeschlossen
ist und ein Kühlwasserausgangsrohr 28 an
einen Auslass der Wasserkühlhülle 26 angeschlossen
ist.
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Durch
eine derartige Anordnung können
die gleichen Wirkungen wie bei den vorstehenden Ausführungsformen
erzielt werden und nebenbei gesagt wird es möglich, die Temperatur erhöhungen in
der Elektronenrückkehrelektrode 2 bzw.
der Prallplatte 7 zu unterdrücken, so dass es möglich ist,
die Eingangsentladungsleistung zu erhöhen, woraus eine Verbesserung
der Beschichtungsausbildungsrate resultiert.
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In
den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen kann das Isolierrohr 1 entweder
aus einem elektrisch leitfähigen
Material oder einem isolierenden Material bestehen, wenn es in einem
elektrisch schwebenden Zustand gehalten wird.
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Ferner
kann, obwohl bei der vorstehenden Beschreibung das Abscheidungsmaterial 20 ein
Isoliermaterial ist, dieses Abscheidungsmaterial 20 auch ein
elektrisch leitfähiges
Material sein, wenn dieses Abscheidungsmaterial 20 durch
Kombinieren mit Reaktionsgas in ein Isoliermaterial geändert wird.
In diesem Fall ist es jedoch notwendig, für das Zuführen von Reaktionsgas in die
Vakuumkammer 12 eine Reaktionsgaszuführleitung vorzusehen, wie dies
in den 1, 2 und 3 durch
die Zwei-Punkt-Strich-Linie A gezeigt ist, um den Herd 19 oder
die Anode 31 gegenüber
der Entladungsenergieversorgung 14 elektrisch abzuschirmen.
Wenn das Abscheidungsmaterial 20 ein Isoliermaterial ist, ist
die elektrische Abschirmung des Herdes 19 oder der Anode 31 gegenüber der
Entladungsenergieversorgung 14 nicht notwendigerweise erforderlich.
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12 zeigt
eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung, die ein Ionenplattiersystem
verwendet, gemäß einer
zehnten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. In der 12 sind
Teile, die im Wesentlichen identisch mit denen der Vorrichtung gemäß der 1 sind,
mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet, und deren Beschreibung
ist abgekürzt.
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In
dieser Vakuumbeschichtungsvorrichtung ist eine erste Elektronenrückkehrelektrode 2A auf
einem höheren
Potentialzustand als ein Auslassteil der Plasmakanone 11 so
vorgesehen, dass diese das Isolierrohr 1 innerhalb des
Kurzrohrteils 12A der Vakuumkammer 12 umgibt,
und sie ist an die positive Seite der Entladungsenergieversorgung 14 angeschlossen.
Andererseits ist eine zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B mit
gleichem Potential wie die erste Elektronenrückkehrelektrode 2A in
einem Raum nicht nur an einer Seite einer Vertikalen, die sich durch
das Abscheidungsmaterial 20 erstreckt, entfernt zu der
Plasma kanone 11, jedoch näher am Substrat 13 als
das Abscheidungsmaterial 20 zwischen dem Abscheidungsmaterial 20 und
dem Substrat 13 vorgesehen.
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Somit
ist es bei dieser Vakuumbeschichtungsvorrichtung schwierig, dass
Isoliermaterial, welches von dem isolierenden Abscheidungsmaterial 20 verdampft
ist, sich auf der ersten Elektronenrückkehrelektrode 2A und
der zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B abscheidet,
da die erste Elektronenrückkehrelektrode 2A und
die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B an
Positionen im Abstand zu dem Abscheidungsmaterial 20 angeordnet
sind. Zusätzlich
ist das Isolierrohr 1 zwischen dem Plasmastrahl 22,
der von der Plasmakanone 11 emittiert wird, und der ersten
Elektronenrückkehrelektrode 2A vorgesehen,
um diese gegeneinander abzuschirmen, wodurch verhindert wird, das
der Plasmastrahl 22 auf die erste Elektronenrückkehrelektrode 2A auftrifft,
was ein Auftreten einer anomalen Entladung zwischen der Kathode 15 und
der ersten Elektronenrückkehrelektrode 2A verursachen
würde.
Als Ergebnis wird ein reflektierter Elektronenfluss 3,
der die erste Elektronenrückkehrelektrode 2A erreicht,
entlang dem Weg, welcher von dem Plasmastrahl 22 entfernt
ist, außerhalb
des Plasmastrahls 22 gebildet, so dass der Plasmastrahl 22 kontinuierlich
und stabil aufrechterhalten wird. Es ist verifiziert worden, das diese
Lebensdauerperiode gegenüber
dem Fall, bei dem das Isolierrohr 1 und die Elektronenrückkehrelektrode 2A nicht
vorgesehen sind, markant auf mehr als das zweifache erhöht worden
ist.
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Wenn
die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B nicht
vorgesehen ist, ist es ein idealer Zustand, dass das Verhältnis eines
Stroms, der durch die erste Elektronenrückkehrelektrode 2A fließt, d.h.
der reflektierte Elektronenfluss 3, zu einem effektiven
Entladungsstrom, der durch den Plasmastrahl 22 durch das
Abscheidungsmaterial 20 fließt, 100 % wird. Für den Fall,
dass nur die erste Elektronenrückkehrelektrode 2A vorgesehen
ist, wird jedoch dieses aktuelle Verhältnis nicht notwendigerweise
ein ausreichender Wert und das Fehlverhältnis gegenüber 100 %, d.h. die Differenz
zwischen dem tatsächlichen
Verhältnis und
100 %, bildet ein Hindernis bezüglich
der Verbesserung der Beschichtungsausbildungsrate auf dem Substrat 13.
Im Hinblick auf die Erzielung eines Verhältnisses mit einer Annäherung an
100 % soweit als möglich,
wurde daher das Verhalten der Rückkehrelektronen
untersucht, wenn nur die erste Elektronenrückkehrelektrode 2A vorgesehen
war. Als Ergebnis hat sich herausgestellt, dass ein Teil der Elektronen, die
an der Seite des Herdes 19 reflektiert werden, mit dem
Plasmastrahl 22 und verdampften Teilchen auf dem Weg zum
Zurückkehren
zur ersten Elektronenrückkehrelektrode 2A kollidieren,
und diese werden in der Vakuumkammer 12 entlang des Magnetfeldes, das
durch die Konvergierungsspule 18 gebildet ist, gestreut,
ohne dass sie zu der ersten Elektronenrückkehrelektrode 2A zurückkehren.
Es wurde auch herausgefunden, dass die gestreuten Elektronen nicht nur
in einen Raumteil auf der Seite einer Vertikalen, die sich durch
das Abscheidungsmaterial 20 erstreckt, entfernt von der
Plasmakanone 11, sondern auch näher dem Substrat 13 als
dem Abscheidungsmaterial 20 zwischen dem Abscheidungsmaterial 20 und
dem Substrat 13 streuen. Unter Berücksichtigung dieser Ergebnisse
ist in der vorstehend beschriebenen Vakuumbeschichtungsvorrichtung
die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B zusätzlich zu der
ersten Elektronenrückkehrelektrode 2A vorgesehen.
Als Ergebnis ist das Verhältnis
eines Stroms, der zu den beiden Elektronenrückkehrelektroden der ersten
Rückkehrelektrode 2A und
der zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B zurückkehrt,
zu dem effektiven Entladungsstrom ein Wert über 90 % und nahe 100 % geworden,
so dass die Beschichtungsausbildungsrate sich ebenfalls verbessert
hat.
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13 zeigt
eine zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B einer
Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer elften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Andere Teile dieser Vakuumbeschichtungsvorrichtung
mit Ausnahme dieser zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B sind
im Wesentlichen identisch mit denen der in der 12 gezeigten
Vorrichtungen.
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In
dieser Ausführungsform
ist die Oberfläche der
zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B an
der Seite des Plasmastrahls 22 zu einer gewellten Form ausgebildet,
so dass die Oberflächenfläche der Oberfläche, welche
vom Herd 19 reflektierte Elektronen zurückführt, vergrößert ist.
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Durch
eine derartige Anordnung ist das Verhältnis des Stroms durch die
Rückkehrelektronen vom
Plasmastrahl 22, der auf das Abscheidungsmaterial 20 gestrahlt
ist, erhöht.
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14 zeigt
eine zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B einer
Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. Mit Ausnahme dieses Teils sind andere Teile dieser Vakuumbeschichtungsvorrichtung
im Wesentlichen identisch mit denen der in der 12 gezeigten
Vorrichtungen.
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In
dieser Ausführungsform
ist an der Seite des Plasmastrahls 22 der zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B eine
Prallplatte 7 mit einer Anzahl von Durchgangslöchern 4a in
einem Abstand zu der zweiten Elektronenrückkehrelektrode 4A angeordnet.
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Durch
eine derartige Anordnung ist die Menge des Isoliermaterials, welches
von dem isolierenden Abscheidungsmaterial 20 verdampft
wird und die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B erreicht,
vermindert, wodurch die Ausbildung einer isolierenden Beschichtung
auf der zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B verhindert
wird. Dadurch wird es möglich, das
vorstehend beschriebene Verhältnis
zu verbessern.
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Die 15 und 16 zeigen
eine zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B und
deren Umgebung in einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer
dreizehnten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Mit Ausnahme dieses Teils sind andere
Teile dieser Vakuumbeschichtungsvorrichtungen im Wesentlichen identisch
mit denen der in der 12 gezeigten Vorrichtungen.
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In
dieser Ausführungsform
ist ein Wischer 5 vorgesehen, der entlang der Oberfläche der
zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B,
die dem Plasmastrahl 22 gegenübersteht, gleitet, wodurch
Rückstände auf
der Oberfläche
zwangsweise abgestreift werden können.
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Als
ein Ergebnis kann die Ausbildung einer isolierenden Beschichtung
auf der Oberfläche
der zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B verhindert werden,
so dass das vorstehend genannte Verhältnis verbessert werden kann.
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17 zeigt
eine zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B einer
Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer vierzehnten Ausführungsform einer
vorliegenden Erfindung. Mit Ausnahme dieses Teils sind die anderen
Teile dieser Vakuumbeschichtungsvorrichtung im Wesentlichen identisch
mit denen der in der 12 gezeigten Vakuumbeschichtungsvorrichtungen.
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Bei
dieser Ausführungsform
ist die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B,
die ein kreisförmiger,
zylindrischer Körper
ist, so ausgebildet, dass sie drehbar ist und einstückig mit
einer Rotationswelle 10 versehen, die sich in Längsrichtung
erstreckt, so dass die gesamte Oberfläche der zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B wirksam
verwendet werden kann.
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Als
Ergebnis kann das Verhältnis
des Stroms durch die Rückkehr
von Elektronen vom Plasmastrahl 22, der auf das Abscheidungsmaterial 20 gestrahlt
wird, verbessert werden.
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Eine
Oberfläche
dieser zylinderförmigen zweiten
Elektronenrückkehrelektrode 2B an
einer Seite im Abstand sowohl zum Plasmastrahl 22 als auch
dem Substrat 13 und ein nicht gezeigter feststehender Wischer,
der sich parallel zu der Rotationswelle 10 erstreckt, werden
miteinander so in Berührung
gebraucht, dass sie relativ zueinander gleiten, so dass Rückstände auf
der Oberfläche
beseitigt werden. Somit kann das vorstehend genannte Verhältnis weiter
verbessert werden.
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18 zeigt
eine zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B der
Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer fünfzehnten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Mit Ausnahme dieses Teils sind die anderen
Teile dieser Vakuumbeschichtungsvorrichtung im Wesentlichen identisch
mit denen der in der 12 gezeigten Vakuumbeschichtungsvorrichtung.
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Bei
dieser Ausführungsform
ist die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B in
seitlicher Richtung und Längsrichtung
durch eine Kugelspindel 8 bewegbar gehalten. Diese Kugelspindel 8 hat
einen Gewindeaufnahmeteil F und zwei Außengewindeteile M. Der Gewindeaufnahmeteil
F ist an einer Oberfläche
der Kugelspindel 8 an einer Seite gegenüber derjenigen Seite befestigt,
die dem Plasmastrahl 22 gegenübersteht. Jeder der zwei Gewindeaußenteile M
ist in jede der zwei Gewindebohrungen, die rechtwinkelig zueinander
in zwei Richtungen ausgebildet sind und die sich seitlich und in
Längsrichtung
erstrecken, eingeschraubt, um durch Motoren m1, m2 normal und umgekehrt
gedreht zu werden.
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Als
Ergebnis wird, wenn der Zustand des Magnetfeldes, welches den Plasmastrahl 22 steuert, geändert wird
oder wenn die Prozessbedingungen geändert werden, die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B in
eine Position entsprechend dieser Änderung oder dieser Abänderung
geschoben, wodurch es möglich
wird, das vorstehende Verhältnis
zu verbessern.
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19 zeigt
eine Vakuumbeschichtungsvorrichtung gemäß einer sechzehnten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung. In der 19 sind
Teile gemeinsam denen der 12 mit
den gleichen Bezugsziffern bezeichnet, und deren Beschreibung ist verkürzt.
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In
dieser Ausführungsform
ist die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B durch
die vorstehend genannte Kugelspindel 8 so gehalten, dass
sie seitlich und in Längsrichtung
bewegbar ist.
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Weiterhin
sind ein erster Stromdetektor D1 zum Detektieren des ersten Elektronenrückkehrstroms
durch Elektronen, welche zu der ersten Elektronenrückkehrelektrode 2A zurückgekehrt
sind, und ein zweiter Stromdetektor D2 zum Detektieren eines zweiten
Elektronenrückkehrstroms
durch Elektronen, die die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B erreicht
haben, vorgesehen. In diesem Fall ist die Vakuumkammer 12 an
Masse gelegt. Es ist ferner eine Steuerung 9 vorgesehen,
die die Motoren m betätigt,
um die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B zu
bewegen, so dass bei Empfang von Stromsignalen vom ersten Stromdetektor
D1 und vom zweiten Stromdetektor D2 die Summe der Ströme, die
durch die erste Elektronenrückkehrelektrode 2A und
die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B fließen, ein Maximum
wird und dass der Strom, welcher an der Masseseite fließt, Null
wird.
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Diese
Steuerung 9 steuert die Motoren m1, m2 über Bewegungsschritte der zweiten
Elektronenrückkehrelektrode 2B in
den Zustand, in welchem die der Plasmastrahl 22 unter vorbestimmten
Prozessbedingungen erzeugt worden ist, speichert Daten, die die
Beziehung zwischen einer Position der zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B und
der Summe der Ströme,
welche durch jede der zwei Elektroden fließen, repräsentieren, bestimmt basierend
auf den gespeicherten Daten eine Position, in welcher die Summe
der Ströme,
welche durch jede dieser zwei Elektroden fließen, ein Maximum wird und bewegt
die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B in
die bestimmte Position.
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Alternativ
ist es auch möglich,
die Motoren m1, m2 durch die Schritte ständig Berechnen einer Position,
in welcher die Summe der Ströme,
welche durch jede der zwei Elektroden fließen, ein Maximum wird oder
durch Bestimmen der Position durch einen Fuzzy-Schluss oder dergleichen
und Bewegen der zweiten Elektronenrückkehrelektrode 2B in
die resultierende Position zu steuern.
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Durch
eine derartige Anordnung ist es in dieser Vorrichtung, bei der Stromdetektoren
vorgesehen sind, wobei die Position, in welcher die Summe der Ströme durch
die Rückkehrelektronen
leicht und in kurzer Zeit bestimmt werden können, somit möglich, ständig einen
optimalen Zustand mit Bezug auf die Verbesserung des vorstehenden
Verhältnisses
aufrechtzuerhalten.
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Obwohl
das Abscheidungsmaterial 20 im allgemeinen ein elektrisch
isolierendes Material ist, kann es zusätzlich auch eine elektrisch
leitfähige Substanz
sein, wenn das Material mit dem Reaktionsgas kombiniert wird, um
in ein elektrisch isolierendes Material umgewandelt zu werden. Wenn
jedoch das Abscheidungsmaterial 20 ein elektrisch isolierendes
Material ist, ist es notwendig, den Herd 19 und die Entladungsenergieversorgung 14 solange
voneinander abzuschirmen, bis das Abscheidungsmaterial 20 in
das elektrisch isolierende Material umgewandelt worden ist. Im Gegensatz
hierzu ist es, wenn das Abscheidungsmaterial 20 von Natur
aus ein elektrisch isolierendes Material ist, nicht notwendig, den Herd 19 und
die Entladungsenergieversorgung 14 voneinander abzuschirmen.
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Das
Substrat 13 kann während
des Beschichtungsausbildungsvorgangs stationär bleiben oder rotieren oder
horizontal bewegt werden. Wenn zusätzlich das Substrat 13 in
einem Zustand einer flachen Platte in der Vakuumkammer 12 gehalten
wird, kann das Substrat 13 als ein Film vorgesehen sein, der
um Rollen gewickelt ist, um durch eine Rolle abgewickelt und durch
eine andere Rolle aufgewickelt zu werden.
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Es
ist unnötig
zu sagen, dass die zweite Elektronenrückkehrelektrode 2B nicht
nur bei dem Vakuumbeschichtungsvorrichtungen mit dem Ionenplattiersystem
sondern auch bei Vakuumbeschichtungsvorrichtungen mit dem Plasma-verstärkten-CVD-System
verwendet werden kann.