DE69839693D1 - Methode zur herstellung einer elektronischen schaltung, wobei eine leitetende schicht auf einer isolierenden schicht hergestellt wird und daraus ein leitungsmuster gemacht wird - Google Patents

Methode zur herstellung einer elektronischen schaltung, wobei eine leitetende schicht auf einer isolierenden schicht hergestellt wird und daraus ein leitungsmuster gemacht wird

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Hermanus Leonardus Peek
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000048110A (ko) * 1998-12-15 2000-07-25 카네코 히사시 고체촬상장치 및 그 제조방법
WO2002089200A2 (en) * 2001-05-01 2002-11-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing interconnections in a semiconductor device
JP4491375B2 (ja) * 2005-04-26 2010-06-30 日本電気株式会社 液晶表示装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9100094A (nl) * 1991-01-21 1992-08-17 Koninkl Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
EP0631306B1 (de) * 1993-06-23 2000-04-26 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von einem Isolationsgraben in einem Substrat für Smart-Power-Technologien
JP3560990B2 (ja) * 1993-06-30 2004-09-02 株式会社東芝 固体撮像装置
US5572040A (en) * 1993-07-12 1996-11-05 Peregrine Semiconductor Corporation High-frequency wireless communication system on a single ultrathin silicon on sapphire chip
JPH08204173A (ja) * 1995-01-25 1996-08-09 Sony Corp 電荷転送装置の製造方法
US5589407A (en) * 1995-09-06 1996-12-31 Implanted Material Technology, Inc. Method of treating silicon to obtain thin, buried insulating layer
US5573961A (en) * 1995-11-09 1996-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method of making a body contact for a MOSFET device fabricated in an SOI layer
JPH09172061A (ja) * 1995-12-18 1997-06-30 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5914280A (en) * 1996-12-23 1999-06-22 Harris Corporation Deep trench etch on bonded silicon wafer
US5811315A (en) * 1997-03-13 1998-09-22 National Semiconductor Corporation Method of forming and planarizing deep isolation trenches in a silicon-on-insulator (SOI) structure

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Publication number Publication date
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