DE69524554T2 - Induktivität mit hohem Gütefaktor - Google Patents
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- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 15
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 14
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
- H01F27/346—Preventing or reducing leakage fields
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0053—Printed inductances with means to reduce eddy currents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0066—Printed inductances with a magnetic layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0086—Printed inductances on semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
- H01F2027/348—Preventing eddy currents
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Induktionsspulen zur Verwendung in integrierten Hochfrequenzschaltungen.
- Induktionsspulen zur Verwendung in integrierten Schaltungen sind beispielsweise aus BM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, Band 8, Nr. 5, Oktober 1965, NEW YORK, USA, Seite 723, ANONYM "Etched Transformer October 1965" und aus JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, JUNI 1993, GB, BAND 3, NR. 2, SEITEN 37-44, ISSN 0960-1317, AHN C H ET AL "A planar micromachined spiral inductor for integrated magnetic microactuator applications" bekannt.
- Induktiven Strukturen ist ein Reihenwiderstand zu eigen. Der Reihenwiderstand in durch einen Siliziumprozeß ausgebildeten induktiven Strukturen dominiert die beim Betrieb auftretenden Verluste, wenn die Arbeitsfrequenz ansteigt. Durch die Verluste wird der Gütefaktor Q der Induktionsspule, d. h. das Verhältnis von Reaktanz zu Serienwiderstand in der Induktionsspule (wenn die induktive Struktur unter Verwendung einer bestimmten Topologie modelliert wird), reduziert. Der mit der Frequenz ansteigende Reihenwiderstand, der einen begleitenden Effekt auf den Gütefaktor der Induktionsspule hat, wird durch Erhöhen der Querschnittsfläche für den Stromfluß in der Induktionsspule reduziert beziehungsweise minimiert. Die Querschnittsfläche kann durch Erhöhen der Metallisierungsbreite und/oder -dicke des die Induktionsspule bildenden leitenden Wegs vergrößert werden.
- Ein verbesserter Gütefaktor einer Induktionsspule als Funktion der vergrößerten Breite W oder Tiefe D ist bei Gleichstrom zu den niedrigeren Frequenzen im wesentlichen linear. Mit Anstieg der Arbeitsfrequenz neigt der Stromfluß durch die gesamte Querschnittsfläche des leitenden Wegs der Induktionsspule jedoch zum Abfallen. Im allgemeinen fließt der Strom danach an den äußeren Querschnittskanten (das heißt den Umfängen) des Querschnitts der Induktionsspule, wie etwa L10, wie in Fig. 1A gezeigt ist. Ein derartiger Stromfluß entspricht der Theorie des sogenannten "Skin-Effekts".
- Zur Verwendung in integrierten Schaltungen ausgebildete Induktionsspulen sind in der Regel spiralförmig. Fig. 1B zeigt einen Teil einer herkömmlichen spiralförmigen Induktionsspule L20, die mit einem Aluminiumleiter 24 auf einem Siliziumsubstrat 22 ausgebildet ist. Fig. 1C zeigt einen Querschnittsteil des leitenden Wegs des Leiters 24. W und L stellen die Breite bzw. Länge des Leiters und D seine Tiefe dar. L stellt die Summe der individuellen Längen 1&sub1;, 1&sub2; ..., 1N dar, aus denen der leitende Weg der Induktionsspule besteht. Da der leitende Weg spiralförmig ist (obwohl dies aus der Querschnittsansicht in der Figur nicht hervorgeht), zwingen die durch den Stromfluß induzierten Magnetfelder den Strom im allgemeinen dazu, entlang den inneren oder kürzeren Kanten des spiralförmigen leitenden Wegs (gestrichelt gezeichnet) zu fließen. Wegen dieser "Kanteneffekte" wird eine Vergrößerung der Breite W (und deshalb der Querschnittsfläche) über einen bestimmten Punkt hinaus, wie oben erwähnt, bei steigender Frequenz nicht von einer gleichzeitigen Verbesserung des Gütefaktors der Induktionsspule begleitet. Zur Bereitstellung des erforderlichen Gütefaktors muß entweder die Dicke oder Tiefe D des leitenden Wegs oder die magnetische Ankopplung zwischen benachbarten Windungen vergrößert werden.
- Die vorliegende Erfindung stellt eine zur Verwendung mit Halbleitern hergestellte Induktionsspule bereit, die eine vergrößerte Selbstinduktivität und einen verbesserten Gütefaktor aufweist, die sich mit herkömmlichen Herstellungstechniken für integrierte Induktionsspulen nicht realisieren lassen. Gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildete Induktionsspulen können infolgedessen in einem Frequenzbereich von etwa 100 MHz bis im wesentlichen über 10 GHz hinaus eingesetzt werden. Während des Betriebs liegt der Gütefaktor von induktiven Strukturen der vorliegenden Erfindung in einem Bereich von etwa 2 bis etwa 15.
- Bei einer als Spirale mit einer bestimmten Anzahl von Windungen N ausgebildeten induktiven Struktur führt die hier beschriebene Hinzufügung des Kerns aus magnetischem Material zu einer höheren Induktivität für die Struktur. Anders ausgedrückt kann relativ zu einer induktiven Struktur des Stands der Technik eine reduzierte Anzahl von Windungen innerhalb einer induktiven Struktur der vorliegenden Erfindung verwendet werden und ein ähnlicher Induktivitätswert abgeleitet werden. Da in einer gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Struktur weniger Windungen verwendet werden, ist die Streukapazität in der Struktur niedriger.
- Bei einer Form ist die gegenseitige Induktivität zwischen benachbarten metallischen Verbindungszügen, die den leitenden Weg einer induktiven Struktur bilden, erhöht. Außerdem bleibt der von dem leitenden Weg gezeigte Reihenwiderstand fest, das heißt, er verschlechtert sich nicht wesentlich mit ansteigender Frequenz. Dadurch wird für stabile oder verbesserte Gütewerte mit variierender Frequenz gesorgt. Die strukturelle Anordnung beinhaltet die Abscheidung eines Teils, bevorzugt einer Ebene, aus einem magnetischen Material hoher Permeabilität über den den leitenden Weg der Induktionsspule bildenden metallischen Verbindungszügen.
- Die Schicht aus magnetischem Material ist weiterhin so angeordnet, daß sie einen Weg mit niedriger Reluktanz bereitstellt und die magnetische Ankopplung zwischen Wegelementen maximiert und gleichzeitig für in dem Kern induzierte Wirbelströme einen Weg mit hohem Widerstand bereitstellt. Durch die Anordnung wird die Induktivität der Struktur maximiert und gleichzeitig die in dem Kern induzierten Wirbelstromverluste, die den Gütefaktor der Induktionsspule verschlechtern, minimiert. Das magnetische Material hoher Permeabilität weist bevorzugt keine elektrischen Verbindungen mit den integrierten Schaltungen auf, ein Teil derer die induktive Struktur ist. Es wird davon ausgegangen, daß der Prozeß der Bereitstellung der Schicht aus magnetischem Material hoher Permeabilität mit den bestehenden Siliziumherstellungsprozessen kompatibel ist.
- Eine induktive Struktur gemäß der vorliegenden Erfindung ist in Anspruch 1 definiert.
- Fig. 1A ist ein Querschnitt durch einen rechteckigen Leiter des Stands der Technik;
- Fig. 1B ist eine Draufsicht auf einen Teil einer mit herkömmlichen Siliziumherstellungstechniken ausgebildeten spiralförmigen Induktionsspule;
- Fig. 1C ist eine Querschnittsansicht durch einen Teil eines leitenden Wegs, der über herkömmliche Herstellungstechniken eine spiralförmige Induktionsspule bildet;
- Fig. 2A ist eine Draufsicht auf eine spiralförmige integrierte induktive Struktur der vorliegenden Erfindung;
- Fig. 2B ist eine Querschnittsansicht durch einen Teil der spiralförmigen Induktionsspule von Fig. 2A; und
- Fig. 3A, 3B und 3C sind Draufsichten auf verschiedene Formen von Ebenen aus magnetischem Material hoher Permeabilität, die in der vorliegenden Erfindung enthalten sind.
- Die induktive Struktur der vorliegenden Erfindung wird zur Verwendung in integrierten Hochfrequenzhalbleiterschaltungen bereitgestellt. Die induktive Struktur zeigt für einen festen Wert des Reihenwiderstands, der dem die Induktionsspule bildenden leitenden Weg zu eigen ist, eine verbesserte Induktivität. Die verbesserte Induktivität führt zu der Realisierung eines Gütefaktors (Q) für die Erfindung zwischen Werten von 10 bis 16 bei sehr hohen Frequenzen, die im Stand der Technik nicht realisiert werden können. Der Arbeitsbereich von wie hier beschrieben ausgebildeten Induktionsspulen erstreckt sich von etwa 100 MHz bis etwa 10 GHz.
- Die Fig. 2A und 2B zeigen spiralförmige bzw. Querschnittsteile von mehreren leitenden Elementen 21, 22, 23, 24, 25, die einen spiralförmigen leitenden Weg einer induktiven Struktur L30 der vorliegenden Erfindung bilden. Die leitenden Wege können auf oder in einem Substratmaterial, wie etwa einem halbleitenden Material, einem Substratmaterial oder einem dielektrischen Material, angeordnet sein. Ein Beispiel für ein nichtleitendes Substrat ist Galliumarsenid (GaAs), das üblicherweise als halbisolierend bezeichnet wird.
- Ein Teil des Materials 30 hoher magnetischer Permeabilität ist in einer Entfernung X von den leitenden Wegelementen angeordnet und ist von diesen durch eine Schicht aus einem dielektrischen Material 32 getrennt. Das magnetische Material hoher Permeabilität ist vorzugsweise planarförmig und liefert einen Weg mit geringer Reluktanz, der die zwischen benachbarten Verbindungszügen beim Stromfluß induzierte gegenseitige Induktivität anhebt. Wie aus den Figuren ersichtlich, ist das Material mit hoher magnetischer Permeabilität elektrisch nicht mit irgendeinem Teil der in der integrierten Schaltung enthaltenen Schaltungen verbunden.
- Die Verwendung der Ebene aus einem Material 30 mit hoher magnetischer Permeabilität (Ebene oder Kern), wie sie oben beschrieben ist, ist günstig, bringt jedoch eine Komplikation in der Halbleiterschaltung mit sich. In dem magnetischen Material werden Wirbelströme erzeugt, durch die Energie als Wärmeverlust erschöpft wird. Wirbelströme werden induziert, wenn ein sich ändernder Fluß durch eine massive magnetische Masse, wie etwa Eisen, aus der die Schicht 30 möglicherweise besteht, läuft.
- Ein Wechselstrom erzeugt einen sich ändernden magnetischen Fluß, der den Kern 30 beeinflußt.
- Der Fluß induziert in dem magnetischen Material (Kern 30) einen Strom, der dem induzierten Fluß vergleichbar ist.
- Wenn die sich ändernden magnetischen Flußdichten hoch sind, dann sind Wirbelströme für einen beträchtlichen Leistungsverlust verantwortlich. Der Wirbelstromverlust steht zu dem Quadrat der Frequenz und dem Quadrat der größten Flußdichte in Beziehung.
- Um Wirbelströme (und den damit verbundenen Verlust) in Transformatoren mit Eisenkern auf ein Minimum zu reduzieren, wird der Kern aus Blöcken oder Laminatblechen ausgebildet, die parallel zu der Flußrichtung angeordnet sind. Wie aus den Fig. 3A, 3B und 3C hervorgeht, wird durch einen sich ändernden angelegten Fluß (der relativ zu dem mittleren Loch in die Papierebene hinein oder aus dieser herausgerichtet ist) in den Ebenen des Kernmaterials 30 ein Nettostrom induziert. Der induzierte Stromfluß ist mit den kreisförmigen Pfeilen gekennzeichnet. Folglich erzeugt der induzierte Wirbelstrom einen (aus der Papierebene herausgerichteten) mit der Zeit veränderlichen Fluß, der dem sich ändernden angelegten Fluß entgegengesetzt ist, wodurch der mit der Zeit veränderliche, angelegte Gesamtfluß durch den Kern reduziert wird. Wirbelströme werden senkrecht zur Richtung des sich verändernden Flusses induziert. Dementsprechend können die induzierten Wirbelströme minimiert werden, indem der Kern in dünne Abschnitte oder Bleche aufgeteilt wird. Dementsprechend sind die sich drehenden Wirbelstromwege begrenzt, was zu reduzierten Wirbelstromverlusten in der Gesamtmasse aus magnetischem Material führt.
- Die Form des in Fig. 3A gezeigten planaren Kerns 30 enthält im wesentlichen in ihrer Mitte ein rechteckiges Loch. Durch das rechteckige Loch wird eine unerwünschte magnetische Ankopplung zwischen Verbindungszügen auf gegenüberliegenden Seiten der Induktionsspule relativ zu der Mitte reduziert. Durch das Design werden jedoch die mit der Erzeugung von Wirbelströmen verbundenen Probleme nicht gelöst. Fig. 3B zeigt den Kern (das heißt, den planaren Kern der bevorzugten Ausführungsform), der in Keile aufgeteilt ist und aus den oben angeführten Gründen das Loch in der Mitte enthält. Durch dieses Design werden sowohl eine unerwünschte Ankopplung als auch ein Wirbelstromverlust bezüglich des Designs von Fig. 3A reduziert. Fig. 3C zeigt die Verwendung mehrerer Streifen aus magnetischem Material zur Ausbildung des planaren Kerns. Durch ein derartiges Design wird der Wirbelstromverlust relativ zu dem Design von Fig. 3B weiter reduziert. Die Streifen aus magnetischem Material verlaufen bevorzugt im rechten Winkel (orthogonal) zu den Linien, die durch die das Leitende der Induktionsspule ausbildenden metallischen Verbindungszüge gebildet werden.
- Was in diesem Text beschrieben worden ist, veranschaulicht lediglich die Anwendung der Grundlagen der vorliegenden Erfindung. Andere Anordnungen und Verfahren können vom Fachmann implementiert werden, ohne von dem Schutzbereich der Erfindung, wie er durch die beigefügten Ansprüche definiert ist, abzuweichen.
Claims (10)
1. Induktive Struktur, ausgebildet mit einem Substrat
und mit einer integrierten Halbleiterschaltung
integrierbar, mit einem elektrischen Leiter (21-
28), der einen auf dem Substrat als spiralförmiges
planares Muster ausgebildeten leitenden Weg
bereitstellt, bei dem benachbarte Längen des Wegs
im wesentlichen parallel sind, und mit einem Kern
(30) aus magnetischem Material, der sich in der
Nähe des planaren Musters befindet und ihm
gegenüber liegt, gekennzeichnet durch eine Öffnung
in einem mittleren Gebiet des Kerns.
2. Induktive Struktur nach Anspruch 1, bei der der
Kern eine allgemein rechteckige Plattform aufweist
und vier elektrisch isolierte und getrennte
Keilteile enthält, wobei jeder Keilteil eine
allgemein dreieckige Plattform derart aufweist,
daß der Kern diagonale Öffnungen definiert, die
sich zwischen diagonal gegenüberliegenden Ecken
der rechteckigen Plattform erstrecken.
3. Induktive Struktur nach Anspruch 2, bei der die
Keilteile jeweils mehrere Streifen aus
magnetischem Material umfassen.
4. Induktive Struktur nach Anspruch 3, bei der die
mehreren Streifen im wesentlichen im rechten
Winkel zu im wesentlichen benachbarten Längen des
leitenden Wegs angeordnet sind.
5. Induktive Struktur nach Anspruch 1, bei der der
Kern planar ist.
6. Induktive Struktur nach Anspruch 1, weiterhin mit
einer zwischen dem Muster und dem Kern
angeordneten Schicht aus dielektrischem Material zum
elektrischen Isolieren des Musters von dem Kern.
7. Induktive Struktur nach Anspruch 1, bei der das
Substrat aus einem Material ausgewählt aus der
Gruppe bestehend aus einem Halbleiter und einem
dielektrischen Material besteht.
8. Induktive Struktur nach Anspruch 7, bei der das
Muster und der Kern so positioniert sind, daß sie
für einen hochfrequenten Betrieb sorgen.
9. Induktive Struktur nach Anspruch 1, bei der das
Muster und der Kern so positioniert sind, daß sie
für einen hochfrequenten Betrieb bis etwa 12 GHz
sorgen.
10. Integrierte Halbleiterschaltung, die aus einem
Substrat und einer induktiven Struktur, wie in
einem der vorhergehenden Ansprüche beansprucht,
besteht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/350,358 US5635892A (en) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | High Q integrated inductor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69524554D1 DE69524554D1 (de) | 2002-01-24 |
DE69524554T2 true DE69524554T2 (de) | 2002-08-01 |
Family
ID=23376373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69524554T Expired - Lifetime DE69524554T2 (de) | 1994-12-06 | 1995-11-28 | Induktivität mit hohem Gütefaktor |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5635892A (de) |
EP (1) | EP0716433B1 (de) |
JP (1) | JPH08227814A (de) |
KR (1) | KR960026744A (de) |
CN (1) | CN1078382C (de) |
DE (1) | DE69524554T2 (de) |
TW (1) | TW291612B (de) |
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---|---|---|---|---|
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1995
- 1995-03-04 TW TW084102079A patent/TW291612B/zh active
- 1995-11-28 EP EP95308539A patent/EP0716433B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-28 DE DE69524554T patent/DE69524554T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-04 CN CN95120205A patent/CN1078382C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-05 KR KR19950046761A patent/KR960026744A/ko active Search and Examination
- 1995-12-06 JP JP7344337A patent/JPH08227814A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5635892A (en) | 1997-06-03 |
KR960026744A (de) | 1996-07-20 |
TW291612B (de) | 1996-11-21 |
EP0716433B1 (de) | 2001-12-12 |
DE69524554D1 (de) | 2002-01-24 |
CN1132918A (zh) | 1996-10-09 |
EP0716433A1 (de) | 1996-06-12 |
JPH08227814A (ja) | 1996-09-03 |
CN1078382C (zh) | 2002-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |