DE69501690T2 - Elektroplattierungslösung zur Herstellung von Elektrodenhöckern aus Pb-Sn Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern - Google Patents

Elektroplattierungslösung zur Herstellung von Elektrodenhöckern aus Pb-Sn Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern

Info

Publication number
DE69501690T2
DE69501690T2 DE69501690T DE69501690T DE69501690T2 DE 69501690 T2 DE69501690 T2 DE 69501690T2 DE 69501690 T DE69501690 T DE 69501690T DE 69501690 T DE69501690 T DE 69501690T DE 69501690 T2 DE69501690 T2 DE 69501690T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
content
carbon atoms
electrode bumps
alkyl group
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69501690T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69501690D1 (de
Inventor
Masayoshi C O Sanda K Kohinata
Kobe-Shi Ltd
Seishi C O Daiwa Fine C Masaki
Akihiro C O Chuo Kenkyu Masuda
Yoshiaki C O Daiwa Fin Okuhama
Naoki C O Sanda Kojyo Uchiyama
Masakazu C O Daiwa F Yoshimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DAIWA FINE CHEMICALS CO
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
DAIWA FINE CHEMICALS CO
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP10001495A external-priority patent/JPH08269776A/ja
Priority claimed from JP10001595A external-priority patent/JP3334421B2/ja
Application filed by DAIWA FINE CHEMICALS CO, Mitsubishi Materials Corp filed Critical DAIWA FINE CHEMICALS CO
Publication of DE69501690D1 publication Critical patent/DE69501690D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69501690T2 publication Critical patent/DE69501690T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01037—Rubidium [Rb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01088—Radium [Ra]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

    Hintergrund der Erfindung Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft eine Elektroplattierungslösung zur Herstellung von Elektrodenhöckern aus Pb-Sn-Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern, wobei die Elektrodenhöcker gleichförmig hoch sind und eine glatte Oberfläche besitzen und 30 ppb oder weniger radioaktive Isotope, hauptsächlich U, Th und/oder deren zerfallene Nuklide (im folgenden einfach als "radioaktive Isotope" bezeichnet) enthalten, so daß radioaktive α - Teilchen, die von den radioaktiven Isotopen ausgestrahlt werden und die Software-Fehler verursachen können, auf 0,5 cph/cm² , ausgedrückt durch ihre Count-Zahl, oder eine geringere Count-Zahl verringert werden können.
    • Stand der Technik
  • Herkömmlicherweise werden durch Elektroplattierung Elektrodenhöcker aus Pb-Sn-Legierungen (Lötmittel) gebildet, von denen jeder 20 bis 250 um Durchmesser und 20 bis 100 um Höhe besitzt und auf der Oberfläche einer Halbleiterwafer, etwa einer Si-Wafer oder einer Ga-As Wafer angeordnet ist., wie beschrieben in "Microelectronis Packaging Handbook", Seiten 368 bis 371, veröffentlicht 1989 bei VAN NOSTRAND REINHOLD.
  • Elektrodenhöcker aus Pb-Sn Legierungen, die unter Verwendung einer herkömmlichen Elektroplattierungslösung hergestellt werden, sind jedoch in folgender Hinsicht nicht zufriedenstellend. Mit dem in letzter Zeit deutlichen Größenanstieg von Halbleiterwafern und dem Ausmaß der Integration der auf den Halbleiterwafern angeordneten Stromkreise (Packungsdichte) zeigen die auf der Oberfläche einer Halbleiterwafer hergestellten Elektrodenhöcker Variationen untereinander in Höhe und reduzierte Oberflächenglattheit, oder im schlimmsten Fall eine Igel-ähnliche oder zerklüftete Oberfläche.
    • Beschreibung der Erfindung
  • Der Zweck der Erfindung ist daher, eine Elektroplattierungslösung bereitzustellen, die in der Lage ist, auf der Oberfläche einer Halbleiterwafer Elektrodenhöcker aus einer Pb-Sn-Legierung herzustellen, die verbesserte gleichförmige Höhe und Oberflächenglattheit besitzen.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, stellt die gegenwärtige Erfindung eine Elektroplatteriungslösung zur Herstellung von Eiektrodenhöckern aus Pb-Sn-Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern bereit, die eine wäßrige Lösung aus hauptsächlich den folgenden enthält:
  • Bleiphenolsulfonat: 1 bis 250 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
  • Zinnphenolsulfonat: 0,1 bis 250 g/l bezogen auf den Sn-Gehalt;
  • Phenolsulfonsäure: 20 bis 300 g/l;
  • Polyoxyethylen -polyoxypropylen-alkylamin, dargestellt in Formel (1):
  • worin R eine Alkylgruppe mit 8 bis 18 Kohlenstoffatomen darstellt, x und x' eine ganze Zahl zwischen 1 und 20; und y und y' eine ganze Zahl zwischen 0 und 20:1 bis 50 g/l;
  • ein 1-Napthaldehyd-Abkömmling, dargestellt in Formel (2):
  • worin X Wasserstoff, eine Hydroxylgruppe, eine Alkyl,- Aryl-, Alkylaryl-, Carboxyl- oder eine Sulfongruppe darstellt und P eine ganze Zahl zwischen 1 und 3 ist:
  • 0,001 bis 1 g/l, und
  • ein Aldolsulfanilsäure-Abkömmling, dargestellt in Formel (3):
  • worin Rb Wasserstoff, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, oder eine Phenylgruppe darstellt, Ra Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, Rc Wasserstoff oder eine Hydroxylgruppe, und A eine Phenylengruppe: 0,1 bis 30 g/l;
  • und wobei die besagte wäßrige Lösung 50 ppb oder weniger radioaktive Isotope, hauptsächlich U, Th und/oder deren zerfallene Nuklide enthält.
  • Vorzugsweise besteht die wäßrige Lösung hauptsächlich aus:
  • Bleiphenolsulfonat: 5 bis 100 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
  • Zinnphenolsulfonat: 0,2 bis 100 g/l bezogen auf den Sn-Gehalt;
  • Phenolsulfonsäure: 50 bis 150 g/l;
  • Polyoxyethylen -polyoxypropylen-alkylamin, dargestellt in Formel (1): 0,005 bis 0,3 g/l;
  • ein 1-Napthaldehyd-Abkömmling, dargestellt in Formel (2): 0,005 bis 0,3 g/l; und
  • ein Aldolsulfanilsäure-Abkömmling, dargestellt in Formel (3): 0,5 bis 15 g/l.
  • Um das Ziel zu erreichen, stellt die gegenwärtige Erfindung alternativ eine Elektroplattierungslösung zur Herstellung von Elektrodenhöckern aus Pb- Sn-Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern bereit, die eine wäßrige Lösung hauptsächlich aus den folgenden enthält:
  • Bleimethansulfonat: 1 bis 250 g/l, bezogen auf den Pb-Gehalt;
  • Zinnmethansulfonat: 0,1 bis 250 g/l bezogen auf den Sn-Geha lt;
  • Methansulfonsäure 20 bis 300 g/l;
  • Polyoxyethylen -polyoxypropylen-alkylamin, dargestellt in Formel (1)
  • worin R eine Alkylgruppe mit 8 bis 18 Kohlenstoffatomen darstellt, x und x' eine ganze Zahl zwischen 1 und 20; und y und y' eine ganze Zahl zwischen 0 und 20:1 bis 50 g/l; und
  • ein Aldolsulfanilsäure-Abkömmling, dargestellt in Formel (3):
  • worin Rb Wasserstoff, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, oder eine Phenylgruppe darstellt, Ra Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, Rc Wasserstoff oder eine Hydroxylgruppe, und A eine Phenylengruppe: 0,1 bis 30 g/l;
  • und wobei die besagte Elektroplattierungslösung 50 ppb oder weniger radioaktive Isotope, hauptsächlich U, Th und/oder deren zerfallene Nuklide enthält.
  • Vorzugsweise besteht die wäßrige Lösung hauptsächlich aus:
  • Bleimethansulfonat: 5 bis 100 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
  • Zinnmethansulfonat: 0,2 bis 100 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
  • Methansulfonsäure: 50 bis 150 g/l;
  • Polyoxyethylen -polyoxypropylen-alkylamin, dargestellt in Formel (1): 2 bis 15 g/l; und
  • ein Aldolsulfanilsäure-Abkömmling, dargestellt in Formel (3): 0,5 bis 15 g/l.
  • Die oben beschriebenen und andere Ziele, Eigenheiten und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung deutlicher.
    • Beschreibung im Detail
  • Wegen der oben beschriebenen Umstände haben die Erfinder Untersuchungen zur Herstellung einer Elektroplattierungslösung durchgeführt, die in der Lage ist, Elektrodenhöcker aus Pb-Sn-Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern mit verringerten Höhenunterschieden und verbesserter Oberflächenglattheit herzustellen, und sind zu folgenden Ergebnissen gelangt.
  • Wenn Elektrodenhöcker aus Pb-Sn-Legierungen durch Elektroplattierung auf der Oberfläche einer Halbleiterwafer hergestellt werden und die folgenden Elektroplattierungslösunen verwendet werden:
  • Eine wäßrige Lösung (A) hauptsächlich aus:
  • Bleiphenolsulfonat (im folgenden als "PB-P.S." bezeichnet): 1 bis 250 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
  • Zinnphenolsulfonat (in folgenden als "Sn-P.S". bezeichnet): 0,1 bis 250 g/l bezogen auf den Sn-Gehalt;
  • Phenolsulfonsäure (im folgenden als "P.S." bezeichnet): 20 bis 300 g/l.
  • Polyoxyethylen-polyoxypropylen-alkylamin (im folgenden als "E.P.A" bezeichnet): 1 bis 50 g/l;
  • ein 1-Napthaldehyd-Abkömmling (im folgenden als "1N.D." bezeichnet): 0,001 bis 1 g/l; und
  • ein Aldolsulfanilsäure-Abkömmling (im folgenden als "A.S.D." bezeichnet): 0,1 bis 30 g/l; oder
  • Eine wäßrige Lösung (B) hauptsächlich aus:
  • Bleimethansulfonat (im folgenden als 'PB-M.S.' bezeichnet): 1 bis 250 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
  • Zinnmethansulfonat (in folgenden als 'Sn-M.S'. bezeichnet): 0,1 bis 250 g/l bezogen auf den Sn-Gehalt;
  • Methansulfonsäure (im folgenden als "M.S." bezeichnet): 20 bis 300 g/l.
  • E.P.A.: 1 bis 50 g/l;
  • A.S.D: 0,1 bis 30 g/l;
  • weisen die so hergestellten Elektrodenhöcker gleichmäßige Höhe und eine glatte Oberfläche auf, auch wenn die Halbleiterwafer einen großen Durchmesser besitzt und so ausgebildet ist, daß darauf Stromkreiselemente mit hohem Integrationsgrad gebildet werden können. Weiterhin hat man gefunden, daß sich bei Beschränkung des Gehalts an radioaktiven Isotopen in der Elektroplattierungslösung auf 50 ppb oder weniger der Gehalt an radioaktiven Isotopen in den Elektrodenhöckern auf 30 ppb oder weniger reduziert, wobei die Count-Zahl der radioaktiven α -Teilchen, die von den Isotopen ausgestrahlt werden, auf 0.5 cph/cm² oder weniger beschränkt ist. Die oben beschriebene Elektroplattierungslösung kann daher bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, besonders von Flip-Chip-Packungen, in denen der Einfluß radioaktiver, in den Elektroden auf der Halbleiterwafer enthaltenen o( -Teilchen deutlich ist, zur Verringerung von Software-Fehlern aufgrund radioaktiver α - Teilchen beitragen.
  • Die gegenwärtige Erfindung beruht auf den obigen Ergebnissen.
  • Die Elektroplattierungslösung gemäß der Erfindung hat die vorher beschriebene chemische Zusammensetzung.
  • Die Gehalte der Bestandteile der erfindungsgemäßen Elektroplattierungslösung wurden aus folgenden Gründen wie oben beschrieben beschränkt:
    • (a) Pb-P.S. oder Pb-M.S. und Sn-P.S. oder Sn-M.S.
  • Die Zusammensetzung der auf der Oberfläche einer Halbleiterwafer gebildeten Elektrodenhöcker aus Pb-Sn-Legierungen wird durch den Anteil an diesen Bestandelementen bestimmt. Generell enthält eine Pb-Sn-Legierung dieser Art 1 bis 60 Gewichts% Sn und den Rest Pb. Um mit der generellen Zusammensetzung der Pb-Sn-Legierung in Einklang zu stehen, sollte der Gehalt an Pb-P.S. oder Pb-M.S. daher so bestimmt sein, daß er bezogen auf den Pb-Gehalts auf den Bereich 1 bis 250 g/l, und vorzugsweise 5 bis 100 g/l beschränkt ist. Der Gehalt an Sn-P.S. und Sn-M.S. sollte so bestimmt sein, daß er bezogen auf den Sn-Gehalts auf den Bereich 0,1 bis 250 g/l, und vorzugsweise 0,2 und 100 g/l, beschränkt ist.
    • (b) P.S. oder M.S.
  • P.S. oder M.S. wirkt unterstützend bei der Auflösung von Pb-P.S. und Sn- P.S. oder Pb-M.S. und Sn-M.S. in eine wäßrige Lösung, und verbessert die Haftung der Elektrodenhöcker an der Oberfläche der Halbleiterwafer. Liegt jedoch der Gehalt an P.S oder M.S. unter 20 g/l, kann der erwünschte Grad an Haftung nicht erreicht werden. Anderseits kann bei einem P.S. oder M.S.-Gehalt über 300 g/l die Plattierungsrate abfallen. Der P.S. oder M.S.-Gehalt wurde daher auf den Bereich 20 bis 300 g/l beschränkt, und vorzugsweise auf den Bereich 50 bis 150 g/l.
    • (c) E.P.A. in Lösung (A):
  • E.P.A. unterdrückt in der Lösung (A) die Veränderung der Zusammensetzung der Elektrodenhöcker während ihrer Bildung, um somit die Zusammensetzung der Elektrodenhöcker zu homogenisieren. Liegt der E.P.A.-Gehalt jedoch unter 1 g/l, kann die obige Wirkung nicht im erwünschten Ausmaß erzielt werden. Liegt der E.P.A.-Gehalt über 50 g/l, weisen die resultierenden Elektrodenhöcker verringerte Oberflächenglätte auf. Der E.P.A.- Gehalt wurde daher auf den Bereich 1 bis 50 g/l, und vorzugsweise auf 2 bis 15 g/l beschränkt.
  • Die Zusammensetzung des in der Erfindung verwendeten E.P.A. ist in der folgenden Formel (1) dargestellt:
  • worin R eine Alkylgruppe mit 8 bis 18 Kohlenstoffatomen darstellt, x und x' eine ganze Zahl zwischen 1 und 20, und y und y' eine ganze Zahl zwischen 0 und 20.
    • (d) E.P.A. in Lösung (B)
  • E.P.A. unterdrückt in der Lösung (B) die Veränderung der Zusammensetzung der Elektrodenhöcker während ihrer Bildung und gleicht die Plattierungsrate über die ganze Oberfläche der Halbleiterwafer aus, und reduziert somit deutlich die Höhenunterschiede der sich bildenden Elektrodenhöcker. Liegt der E.P.A.-Gehalt jedoch unter 1 g/l, kann die obige Wirkung nicht im erwünschten Ausmaß erzielt werden. Liegt der E.P.A.-Gehalt über 50 g/l, fällt die Plattierungsrate stark ab. Der E.P.A-Gehalt wurde daher auf den Bereich 1 bis 50 g/l beschränkt. Vorzugsweise sollte der E.P.A.- Gehalt 2 bis 15 g/l betragen.
  • Die Zusammensetzung des in der Erfindung verwendeten E.P.A. ist in der gleichen chemischen Formel (1) wie oben angeführt dargestellt.
    • (e) 1N.D. in Lösung (A)
  • 1N.D. wirkt dahingehend, die Plattierungsrate über die Oberfläche des ganzen Halbleiters hinweg auszugleichen und somit die Bildung einer Plattierungsschicht mit gleichmäßiger Dicke auf der gesamten Oberfläche der Halbleiterwafer zu erreichen, wodurch Unterschiede in Höhe der Elektrodenhöcker stark verringert werden. Liegt der 1N.D.-Gehalt unter 0,001 g/l, kann die obige Wirkung nicht im erwünschten Ausmaß erzielt werden. Liegt der 1N.D.-Gehalt jedoch über 1 g/l, sind manche der gebildeten Elektrodenhöcker deformiert. Der 1N.D.-Gehalt wurde daher auf den Bereich 0,001 bis 1 g/l, und vorzugsweise 0,005 bis 0,3 g/l beschränkt.
  • Die Zusammensetzung des in der Erfindung verwendeten 1N.D. ist in der folgenden Formel (2) dargestellt:
  • worin X Wasserstoff, eine Hydroxylgruppe, eine Alkyl-, Aryl-, Alkylaryl-, Carboxyl-, oder eine Sulfongruppe darstellt und P eine ganze Zahl zwischen 0 und 3.
    • (f) A.S.D.
  • A.S.D. wirkt dahingehend, die Form der Elektrodenhöcker gleichmäßig und ihre Oberfläche glatt zu gestalten. Liegt der A.S.D.-Gehalt unter 0,1 g/l, können die obigen Wirkungen nicht im erwünschten Ausmaß erzielt werden. Liegt der A.S.D.-Gehalt jedoch über 30 g/l, fällt die Plattierungsrate ab. Der A.S.D-Gehalt wurde daher auf den Bereich 0,1 bis 30 g/l beschränkt. Vorzugsweise sollte der A.S.D.-Gehalt 0,5 bis 15 g/l betragen.
  • Die Zusammensetzung des in den Lösungen (A) und (B) verwendeten A.S.D. ist in der folgenden chemischen Formel (3) dargestellt:
  • worin Rb Wasserstoff, eine Alkygruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Phenylgruppe darstellt, Ra Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, Rc Wasserstoff oder eine Hydroxylgruppe, und A eine Phenylengruppe.
  • Durch die Metalle Pb und Sn, die bei der Herstellung von Pb-P.S. oder Pb-M.S. und Sn-P.S. oder Sn-M.S. als Ausgangsmaterialien verwendet werden, wird eine Beimischung radioaktiver Isotope in die erfindungsgemäße Elektroplattierungslösung verursacht. Durch Verringerung des Gehalts an radioaktiven Isotopen in den Pb und Sn-Metallen kann daher der Gehalt an radioaktiven Isotopen in der Elektroplattierungslösung auf 50 ppb oder darunter, und somit der Gehalt an radioaktiven Isotopen in den gebildeten Elektrodenhöckern auf 30 ppb oder darunter gesenkt werden. Dadurch kann die Count-Zahl der radioaktiven α -Teilchen, die von den Isotopen ausgestrahlt werden, bei 0,5 cph/cm² oder weniger liegen, was stark zur Senkung von Software-Fehlern aufgrund der radioaktiven α -Teilchen beitragen kann.
  • Als nächstes werden Beispiele der erfindungsgemäßen Elektroplattierungslösung beschrieben.
    • Beispiel 1
  • Als Ausgangsmaterialien wurden hergestellt: Pb-P.S. und Sn-P.S., beide mit 50 ppb Gehalt an radioaktiven Isotopen, das E.P.A. der chemischen Formel (1) , wobei R gleich einer Alkygruppe mit 12 Kohlenstoffatomen ist, x und x' gleich 10 und y und y' gleich 3; das 1N.D. der chemischen Formel (2), wobei X gleich einer Alkylgruppe ist und P gleich 1; und das A.S.D. der chemischen Formel (3), wobei Ra und Rb jeweils gleich einer Alkylgruppe mit zwei Kohlenstoffatomen sind und Rc gleich einer Hydroxylgruppe. Diese Ausgangsmaterialien wurden zu wäßrigen Lösungen mit den in Tabellen 1 und 2 gezeigten Anteilen aufgelöst. Somit wurden die erfindungsgemäßen Elektroplattierungslösungen Nr. 1 bis 16 und vergleichbare Elektroplattierungslösungen Nr 1 bis 10 hergestellt, die jeweils 50 ppb oder weniger radioaktive Isotope enthielten.
  • Die Vergleichs-Elektroplattierungslösungen Nr 1 bis 10 fallen hinsichtlich des Gehalts einer der Bestandteile jeweils aus dem Bereich der Erfindung, was eine unerwünschte Wirkung auf die Höhe und/oder den Zustand der Oberfläche der Elektrodenhöcker zur Folge hat (in Tabelle 2 mit einem Stern gekennzeichnet). Tabelle 1 Tabelle 2
  • N.B.: Die mit Stern gekennzeichneten Werte fallen aus dem Bereich der Erfindung.
    • Beispiel 2
  • Als Ausgangsmaterialien wurden Pb-M.S. und Sn-M.S. hergestellt, beide mit 50 ppb Gehalt an radioaktiven Isotopen, das E.P.A. der chemischen Formel (1) , wobei R gleich einer Alkylgruppe mit 10 Kohlenstoffatomen ist, x und x' gleich 8 und y und y' gleich 3; und das A.S.D. der chemischen Formel (3), wobei Ra und Rb jeweils gleich einer Alkylgruppe mit zwei Kohlenstoffatomen sind und Rc gleich einer Hydroxylgruppe. Diese Ausgangsmaterialien wurden in eine wäßrige Lösung mit den in Tabelle 3 gezeigten Anteilen aufgelöst, und so wurden die erfindungsgemäßen Elektroplattierungslösungen Nr. 17 bis 30 und Vergleichs-Elektroplattierungslösungen Nr. 11 bis 14 hergestellt, die jeweils 50 ppb oder weniger radioaktive Isotope enthalten.
  • Die Vergleichs-Elektroplattierungslösungen Nr. 11 bis 14 fallen hinsichtlich des Gehalts einer der Bestandteile jeweils aus dem Bereich der Erfindung, was eine unerwünschte Wirkung auf die Höhe und/oder den Zustand der Oberfläche der Elektrodenhöcker zur Folge hat (in Tabelle 3 mit einem Stern gekennzeichnet). Tabelle 3
  • N.B.: Die mit Stern gekennzeichneten Werte fallen aus dem Bereich der Erfindung.
  • Als nächstes wurden Si-Wafern mit einem Durchmesser von 10,1 cm (4 Inches) vorbereitet, indem auf einer 2 um dicken Kupfersubstrat-Elektrode ein 10 um dicker Schutzfilm gebildet und der so hergestellte Schutzfilm einer Photo-Ätzung unterzogen wurde, um 50.000 feine Löcher mit jeweils 50 um Durchmesser und gleichmäßiger Anordnung und regelmäßigen Zwischenräumen zu bilden.
  • Weiterhin wurde eine Strahlplattierungsvorrichtung vorbereitet, indem ein Pt-plattiertes reines Ti-Geflecht mit 10 cm Durchmesser als Anode horizontal in einem Plattierungstank mit einem Innendurchmesser von 10 cm in dessen unterem Teil angebracht wurde.
  • Jede der obigen vorbereiteten Si-Wafern wurde wie ein Deckel auf die obere Oberfläche des Plattierungstanks der obigen Plattierungsvorrichtung aufgebracht, so daß die Plattierungsoberfläche nach unten zeigt und als Kathode wirkt. Jede der oben vorbereiteten Plattierungslösungen wurde in den Plattierungstank geleitet. Elektroplattierung wurde dann unter Aufwärtsstrahlung und Zirkulation der Elektroplattierungslösung vom unteren Teil des Plattierungstanks unter den folgenden Bedingungen durchgeführt:
  • Kathoden-Stromdichte: 2A/dm²;
  • Strahlgeschwindigkeit: 6 l/min;
  • Spannung in Volt: 3V;
  • Temperatur der Plattierungslösung: 20ºC; und
  • Plattierungszeit: 25 min.
  • Somit wurden auf der Plattierungsoberfläche der Si-Wafern Elektrodenhöcker aus Pb-Sn-Legierungen mit der erwünschten Höhe von 30 um gebildet.
  • Zur Messung der Count-Zahl der radioaktiven Teilchen wurde aus einer Pb-Sn-Legierung ein flacher Plattierungsfilm hergestellt, indem eine Kupferplatte in einen großen Meßbecher getaucht wurde, der jeweils mit einer der in Tabellen 1 bis 3 gezeigten Elektroplattierungslösungen gefüllt war, und unter den folgenden Bedingungen elektroplattiert wurde:
  • Kathoden-Stromdichte: 2A/ dm²;
  • Temperatur der Plattierungslösung: 20ºC; und
  • Kathoden-Bewegungsgeschwindigkeit 2m/min
  • Die so auf der Oberfläche von Si-Wafern hergestellten Elektrodenhöcker aus Pb-Sn-Legierungen wurden anschließend in ihrer Höhe gemessen, indem 100 Elektroden entlang zwei genau gegenüberliegenden, sich auf der Oberfläche der Si-Wafer in rechtem Winkel schneidenden Segmenten willkürlich ausgewählt und deren Höhe mit Hilfe eines Lichtmikroskops mit Höhenmesser gemessen wurden. Aus diesen Meßwerten wurden die maximalen und minimalen Höhenwerte ausgesondert und ihr Durchschnittswert berechnet. Weiterhin wurde der Oberflächenzustand der Elektroden untersucht, um so das Verhältnis der Elektrodenhöcker mit glatter Oberfläche bezogen auf die 100 Elektroden zu messen. Die Ergebnisse dieser Messungen und Berechnungen sind in Tabellen 4 bis 7 aufgeführt.
  • Der Sn-Gehalt und der Gehalt an radioaktiven Isotopen (der gesamte quantitative Analysenwert von U und Th) der Elektrodenhöcker sowie die Count-Zahl der durch Verwendung des flachen Plattierungsfilms gemessenen radioaktiven α -Teilchen sind ebenfalls in Tabellen 4 bis 7 dargestellt. Tabelle 4 Tabelle 5 Tabelle 6 Tabelle 7
  • Wie aus den Ergebnissen in Tabellen 1 bis 7 deutlich wird, enthalten die unter Verwendung jeder der erfindungsgemäßen Elektroplattierungslösungen Nr. 1 bis 30 auf der Oberfläche einer Si-Wafer mit großem Durchmesser hergestellten Elektrodenhöcker aus Pb-Sn-Legierungen nur 30 ppb oder weniger radioaktive Isotope, und besitzen somit eine Count-Zahl von 0,5 cphlcm² oder weniger an radioaktiven α -Teilchen. Weiterhin können die Elektrodenhöcker gemäß der Erfindung dicht beieinander auf der Oberfläche der Si-Wafer gebildet werden, wobei sie geringe Höhenunterschiede und die meisten oder alle zufriedenstellend glatte Oberflächen aufweisen. Fällt anderseits, wie aus den Vergleichs-Elektroplattierungslösungen 1 bis 14 deutlich wird, einer der Bestandteile außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung, sind die resultierenden Elektroden in minderstens einer der oben genannten Eigenschaften unterlegen.
  • Wie oben beschrieben können durch Elektroplattierung mit der erfindungsgemäßen Elektroplattierungslösung auf der Oberfläche einer Halbleiterwafer Elektrodenhöcker aus Pb-Sn-Legierungen hergestellt werden, die sehr geringe Höhenunterschiede und hohe Oberflächenglattheit aufweisen und nur 30 ppb oder weniger radioaktive Isotope enthalten, sogar wenn die Halbleiterwafer einen großen Durchmesser hat und einen hohen Grad an Integration haben soll. Die so hergestellten erfindungsgemäßen Elektrodenhöcker können also industrielle Vorteile liefern, wie etwa die Verringerung von Software-Fehlern.

Claims (4)

1. Elektroplattierungslösung zur Herstellung von Elektrodenhöckern aus Pb-Sn-Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern, mit einer wäßrigen Lösung bestehend hauptsächlich aus:
Bleiphenolsulfonat: 1 bis 250 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
Zinnphenolsulfonat: 0,1 bis 250 g/l bezogen auf den Sn-Gehalt;
Phenolsulfonsäure: 20 bis 300 g/l;
Polyoxyethylen -polyoxypropylen-alkylamin, dargestellt in Formel (1):
worin R eine Alkylgruppe mit 8 bis 18 Kohlenstoffatomen, x und x' eine ganze Zahl zwischen 1 und 20; und y und y' eine ganze Zahl zwischen 0 und 20 darstellen: 1 bis 50 g/l;
ein 1-Napthaldehyd-Abkömmling, dargestellt in Formel (2):
worin X Wasserstoff, eine Hydroxylgruppe, eine Alkyl-, Aryl-, Alkylaryl-, Carboxyl- oder eine Sulfongruppe darstellt und P eine ganze Zahl zwischen 1 und 3: 0,001 bis 1 g/l, und ein Aldolsulfanilsäure-Abkömmling, dargestellt in Formel (3):
worin Rb Wasserstoff, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, oder eine Phenylgruppe darstellt, Ra Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, Rc Wasserstoff oder eine Hydroxylgruppe, und A eine Phenylengruppe: 0,1 bis 30 g/l;
und wobei die besagte wäßrige Lösung 50 ppb oder weniger radioaktive Isotope, hauptsächlich U, Th und/oder deren zerfallene Nuklide enthält.
2. Elektroplattierungslösung zur Herstellung von Elektrodenhöckern aus Pb-Sn-Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern, mit einer wäßrigen Lösung bestehend hauptsächlich aus:
Bleimethansulfonat: 1 bis 250 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
Zinnmethansulfonat: 0,1 bis 250 g/l bezogen auf den Sn-Gehalt;
Methansulfonsäure: 20 bis 300 g/l;
Polyoxyethylen -polyoxypropylen-alkylamin, dargestellt in Formel (1):
worin R eine Alkylgruppe mit 8 bis 18 Kohlenstoffatomen, x und x' eine ganze Zahl zwischen 1 und 20; und y und y' eine ganze Zahl zwischen 0 und 20 darstellen: 1 bis 50 g/l; und
ein Aldolsulfanilsäure-Abkömmling, dargestellt in Formel (3):
worin Rb Wasserstoff, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, oder eine Phenvlgruppe darstellt, Ra Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, Rc Wasserstoff oder eine Hydroxylgruppe, und A eine Phenylengruppe: 0,1 bis 30 und wobei die besagte Elektroplattierungslösung 50 ppb oder weniger radioaktive Isotope, hauptsächlich U, Th und/oder deren zerfallene Nuklide enthält.
3. Elektroplattierungslösung nach Anspruch 1, wobei die besagte wäßrige Lösung hauptsächlich aus den folgenden besteht:
Bleiphenolsulfonat: 5 bis 100 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
Zinnphenolsulfonat: 0,2 bis 100 g/l bezogen auf den Sn-Gehalt;
Phenolsulfonsäure: 50 bis 150 g/l;
Polyoxyethylen -polyoxypropylen-alkylamin: 2 bis 15 g/l;
ein 1-Naphtaldehydabkömmling: 0,005 bis 0,3 g/l; und
ein Aldolsulfanilsäure-Abkömmling: 0,5 bis 15 g/l.
4. Elektroplattierungslösung nach Anspruch 2, wobei die besagte wäßrige Lösung hauptsächlich aus den folgenden besteht:
Bleimethansulfonat: 5 bis 100 g/l bezogen auf den Pb-Gehalt;
Zinnmethansulfonat: 0,2 bis 100 g/l bezogen auf den Sn-Gehalt;
Methansulfonsäure 50 bis 150 g/l;
Polyoxyethylen -polyoxypropylen-alkylamin: 2 bis 15 g/l; und
ein Aldolsulfanilsäure-Abkömmling: 0,5 bis 15 g/l.
DE69501690T 1994-06-30 1995-06-30 Elektroplattierungslösung zur Herstellung von Elektrodenhöckern aus Pb-Sn Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern Expired - Lifetime DE69501690T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17195394 1994-06-30
JP10001495A JPH08269776A (ja) 1995-03-31 1995-03-31 半導体ウエハ表面へのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極形成用電気メッキ液
JP10001595A JP3334421B2 (ja) 1994-06-30 1995-03-31 半導体ウエハ表面へのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極形成用電気メッキ液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69501690D1 DE69501690D1 (de) 1998-04-09
DE69501690T2 true DE69501690T2 (de) 1998-07-16

Family

ID=27309116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69501690T Expired - Lifetime DE69501690T2 (de) 1994-06-30 1995-06-30 Elektroplattierungslösung zur Herstellung von Elektrodenhöckern aus Pb-Sn Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5651873A (de)
EP (1) EP0690149B1 (de)
DE (1) DE69501690T2 (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6248334B1 (en) * 1997-01-08 2001-06-19 Henry M. Jackson Foundation For The Advancement Of Military Medicine Process for preparing conjugate vaccines including free protein and the conjugate vaccines, immunogens, and immunogenic reagents produced by this process
US6162652A (en) * 1997-12-31 2000-12-19 Intel Corporation Process for sort testing C4 bumped wafers
US5965945A (en) * 1998-11-12 1999-10-12 Advanced Micro Devices, Inc. Graded PB for C4 pump technology
TW483950B (en) 1998-12-31 2002-04-21 Semitool Inc Method, chemistry, and apparatus for high deposition rate solder electroplating on a microelectronic workpiece
AU2003272790A1 (en) * 2002-10-08 2004-05-04 Honeywell International Inc. Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials
US20050085062A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Semitool, Inc. Processes and tools for forming lead-free alloy solder precursors
JP5362824B2 (ja) * 2008-06-09 2013-12-11 コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ 鉛酸電池用の電極及びその製造方法
CN101748425B (zh) * 2008-12-05 2014-07-09 宜兴方晶科技有限公司 甲基磺酸亚锡制备方法
CN103102290B (zh) * 2012-11-09 2015-03-04 柳州百韧特先进材料有限公司 一种避免甲基磺酸亚锡发黄的处理方法
US9359687B1 (en) 2015-11-24 2016-06-07 International Business Machines Corporation Separation of alpha emitting species from plating baths
US9546433B1 (en) 2015-11-24 2017-01-17 International Business Machines Corporation Separation of alpha emitting species from plating baths
CN106008285B (zh) * 2016-05-30 2018-01-09 柳州百韧特先进材料有限公司 一种甲基磺酸亚锡固体的保护处理方法
CN106083663B (zh) * 2016-05-30 2018-01-09 柳州百韧特先进材料有限公司 一种提高甲基磺酸亚锡产品澄清度的方法
CN106521570A (zh) * 2016-09-14 2017-03-22 湖北大学 电镀光亮用锡以及锡合金的稳定剂及其制备方法
WO2019082885A1 (ja) * 2017-10-24 2019-05-02 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金めっき液
JP6620858B2 (ja) * 2017-10-24 2019-12-18 三菱マテリアル株式会社 錫又は錫合金めっき堆積層の形成方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3905878A (en) * 1970-11-16 1975-09-16 Hyogo Prefectural Government Electrolyte for and method of bright electroplating of tin-lead alloy
JPS5967387A (ja) * 1982-10-08 1984-04-17 Hiyougoken すず、鉛及びすず―鉛合金メッキ浴
US4582576A (en) * 1985-03-26 1986-04-15 Mcgean-Rohco, Inc. Plating bath and method for electroplating tin and/or lead
US4923576A (en) * 1988-07-06 1990-05-08 Technic, Inc. Additives for electroplating compositions and methods for their use
DE3902042A1 (de) * 1989-01-25 1990-07-26 Blasberg Oberflaechentech Waessrige, saure loesungen fuer die elektrolytische abscheidung von zinn und/oder blei/zinnlegierungen
US4885064A (en) * 1989-05-22 1989-12-05 Mcgean-Rohco, Inc. Additive composition, plating bath and method for electroplating tin and/or lead
US5160422A (en) * 1989-05-29 1992-11-03 Shimizu Co., Ltd. Bath for immersion plating tin-lead alloys

Also Published As

Publication number Publication date
DE69501690D1 (de) 1998-04-09
EP0690149A1 (de) 1996-01-03
US5651873A (en) 1997-07-29
EP0690149B1 (de) 1998-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69501690T2 (de) Elektroplattierungslösung zur Herstellung von Elektrodenhöckern aus Pb-Sn Legierungen auf der Oberfläche von Halbleiterwafern
DE112004001399T5 (de) Feinpartikuläres Silberpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112004001403T5 (de) Feinpartikuläres Silberpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69933772T2 (de) Lötpulver und verfahren zur herstellung desselben und lötpaste
DE3689962T2 (de) Lösliche Zusätze für Oxid-Ätzlösungen aus NH4F/HF mit oberflächenaktivem fluoriertem Cykloalkansulfonat.
DE69329883T2 (de) Wässrige, Ammoniak enthaltende, Zusammensetzung für die Reinigung von Halbleitersubstraten
DE2505934A1 (de) Dentalamalgam und verfahren zu dessen herstellung
DE3135101C2 (de)
DE69418458T2 (de) Nassaetzungsverbindung fuer halbleiter mit ausgezeichneten befeuchtungseigenschaften
DE1222540B (de) Verfahren zum Herstellen eines duennen supraleitfaehigen Filmes
DE3217026C2 (de)
DE2730566A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE1026874B (de) Selengleichrichter mit Kunststoff-Zwischenschicht zwischen Selen und Gegenelektrode
DE2857880C3 (de) Nicht wäßrige Polymerisatplastisol- oder -organosoldispersionen
DE4319372A1 (de) Magnesiumhydroxid und Verfahren zur dessen Herstellung
DE102012100231A1 (de) Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112007002936T5 (de) Plattierelement und Verfahren zum Herstellen desselben
DE2411908C3 (de) Verfahren zur raschen Fluorierung von Polyolefin-Substraten
DE69503318T2 (de) HF-Reinigungsverfahren für Siliziumscheiben
DE112018002906T5 (de) Reinigungsfluid
EP0009131B1 (de) Verfahren zur in situ Änderung der Zusammensetzungen von Lötlegierungen
DE1915084A1 (de) Verbesserte Photoharze fuer die Halbleiterfertigung
DE2422970A1 (de) Verfahren zum chemischen niederschlagen von silicium-dioxyd-filmen aus der dampfphase
DE102012110654B4 (de) Halbleitereinrichtung
DE102019120763B4 (de) Ein Verfahren zur Erkennung des Gehalts an in Salpetersäure unlöslichen Substanzen in hochreinen Silberbarren

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition