DE69419642T2

DE69419642T2 - Herstellungsverfahren eines Dünnfilmmagnetkopfes und danach hergestellter Magnetkopf

Info

Publication number: DE69419642T2
Application number: DE69419642T
Authority: DE
Inventors: Jan Haisma; Henricus Godefridus Rafael Maas; Lambertus Postma; Jacobus Josephus Maria Ruigrok; Gerardus Henricus Johannus Somers
Original assignee: OnStream Inc
Current assignee: Onstream Inc Longmont Col Us
Priority date: 1993-03-22
Filing date: 1994-03-16
Publication date: 2000-02-17
Anticipated expiration: 2014-03-17
Also published as: EP0617409B1; SG44041A1; US5531016A; HK1013720A1; TW255964B; EP0617409A2; DE69419642D1; EP0617409A3; JPH076331A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Magnetkopfs, der ein magnetoresistives Element und wenigstens einen Magnetflußleiter aufweist, wobei das Verfahren von einem Träger ausgehend durchgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung von Dünnfilm-Magnetköpfen sind unter anderem aus EP-A-0 516 022 (die hierin durch Bezugnahme enthalten ist) bekannt. Die mittels der in EP-A-0 516 022 beschriebenen Verfahren erhaltenen Magnetköpfe sind integrierte Magnetköpfe, die eine Kontaktfläche haben und einen induktiven Teil und einen magnetoresistiven Teil aufweisen.
Gemäß einem ersten Verfahren, das aus EP-A-0 516 022 bekannt ist, wird eine erste strukturierte Isolierschicht aus SiO&sub2; auf einem magnetischen Substrat aus einem Ferrit mittels eines Lithographieverfahrens ausgebildet, welche Schicht darauffolgend mit einer Schicht aus Au versehen wird, um eine Schreibspule auszubilden. Darauffolgend wird eine zweite strukturierte Isolierschicht vorgesehen, auf welcher eine Kernschicht aus amorphem Material, das auf Co basiert, abgelagert bzw. abgeschieden wird. Diese Kernschicht ist über Öffnungen in den Isolierschichten mit dem magnetischen Substrat in Kontakt. Die Teile der zweiten Isolierschicht, die nicht durch die Kernschicht bedeckt sind, werden mittels einer Füllschicht aus Al&sub2;O&sub3; gefüllt. Nachdem die Füllschicht ausgebildet worden ist, werden die Kernschicht und die Füllschicht mittels Läppung eingeebnet bzw. planiert. Eine dritte strukturierte Isolierschicht aus SiO&sub2; wird auf der so erhaltenen Oberfläche abgelagert, auf welcher darauffolgend einen Vorspannungswicklung aus Au ausgebildet wird. Eine vierte strukturierte Isolierschicht aus SiO&sub2; wird auf dieser Wicklung vorgesehen. Darauffolgend wird ein magnetoresistives Element aus Permalloy auf dieser Isolierschicht ausgebildet. Dann wird eine fünfte strukturierte Isolierschicht aus SiO&sub2; vorgesehen, und darauffolgend ein Joch aus einem amorphen Material, das auf Co basiert und über Öffnungen in den drei zuletzt genannten Isolierschichten mit der Kernschicht in Kontakt ist.
Gemäß einem zweiten Verfahren, das aus EP-A-0 516 022 bekannt ist, werden zwei Magnetflußleiter aus einem auf Co basierenden amorphen Material auf einem nichtmagnetischen Substrat vorgesehen, während eine Öffnung zwischen den zwei Magnetflußleitern mit einer ersten Isolierschicht aus SiO&sub2; gefüllt wird. Die durch die Magnetflußleiter und die erste Isolierschicht ausgebildete Oberfläche wird mit einer zweiten strukturierten Isolierschicht versehen, auf welcher darauffolgend ein magnetoresistives (MR-)Element ausgebildet wird. Das MR-Element wird dann mit einer dritten strukturierten Isolierschicht überzogen, auf welcher darauffolgend eine Vorspannungswicklung ausgebildet wird. Eine vierte strukturierte Isolierschicht wird zum Zwecke des Überziehens der Vorspannungswicklung vorgesehen. Darauffolgend wird eine Magnetkernschicht aus einem auf Co basierenden Material ausgebildet, die über Öffnungen in den drei zuletzt genannten Isolierschichten in Kontakt mit einem der Magnetflußleiter ist. Die durch die erste Kernschicht nicht überzogenen Bereiche werden mit einer Füllschicht aus Al&sub2;O&sub3; aufgefüllt, wonach eine Oberfläche, auf welcher ein induktiver Kopfteil ausgebildet wird, durch Läppung erhalten wird.
Bei den aus EP-A-0 516 022 bekannten Verfahren wird das MR- Element auf einer Isolierschicht ausgebildet, welche auf einer läppungsbearbeiteten Oberfläche vorgesehen ist. Jedoch ist herausgefunden worden, daß eine solche Oberfläche, die sich über zwei oder mehrere benachbarte Schichten unterschiedlichen Materials erstreckt, Unebenheiten hat. Darüber hinaus wird eine Beschädigung insbesondere in der Form von Kratzern im Material und von Störungen des Materials unter der erhaltenen Oberfläche durch Läppung verursacht. Eine derartige Oberfläche ist unzulässig, für eine Informationsübertragung uneffizient und kann das Risiko von Instabilitäten im MR-Element erhöhen, das auf der Oberfläche vorgesehen ist.
Die durch die aus EP-A-0 516 022 bekannten Verfahren erhaltenen Magnetköpfe haben den weiteren Nachteil, daß aufgrund des Vorhandenseins von Unregelmäßigkeiten auf der Oberfläche, die in Berührung mit dem MR-Element ist, eine relativ dicke Isolierschicht zwischen dem MR-Element und den elektrisch leitenden Magnetflußleitern erforderlich ist, um eine zuverlässige elektrische Isolierung zwischen dem MR- Element und den Magnetflußleitern sicherzustellen. Jedoch haben solche Isolierschichten einen weiteren negativen Einfluß auf die Effizienz der Magnetköpfe. Aus verschiedenen Gründen ist somit eine Beschädigung in und eine Materialstörung unter einer Oberfläche, über welcher das MR- Element vorhanden ist, unerwünscht.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Magnetkopfs mit einem magnetoresistiven Element und wenigstens einem Magnetflußleiter zu schaffen, wobei das magnetoresistive Element auf einer Oberfläche vorgesehen ist, die in bezug auf die Ebenheit und die Struktur genau definiert ist.
Das Verfahren gemäß der Erfindung ist daher dadurch gekennzeichnet, daß eine Hauptschicht aus einem nichtmagnetischen Material auf dem Träger ausgebildet wird, wobei in der Schicht durch Entfernen von Material von einer dem Träger abgewandten Seite eine Ausnehmung vorgesehen wird, wobei die Ausnehmung anschließend mit einem weichmagnetischen Material zur Bildung des Magnetflußleiters gefüllt wird, wonach die mit der gefüllten Ausnehmung versehene Hauptschicht zur Bildung einer Hauptfläche mechanochemisch poliert wird, auf der anschließend eine Schicht aus magnetoresistivem Material zur Bildung des magnetoresistiven Elements vorgesehen wird.
Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird der Magnetflußleiter in der Hauptschicht vorgesehen, die selbst nicht magnetisch ist. Folglich wird die mechanochemische Polieroperation auf weichmagnetischem Material und auch auf nichtmagnetischem Material durchgeführt. Es ist überraschend herausgefunden worden, daß trotz der unterschiedlichen Materialeigenschaften zwischen dem weichmagnetischen und dem nichtmagnetischen Material die mechanochemische Polieroperation eine sehr ebene und glatte Hauptoberfläche ergibt, ohne daß die Materialien selbst Strukturänderungen unterzogen werden. Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird eine polierte ebene Oberfläche, die frei von einer Beschädigung ist, für den Zweck erhalten, das magnetoresistive Element (das MR-Element) auf eine elektrisch isolierte Weise vorzusehen, was in einem Magnetkopf resultiert, der ein stabiles MR-Element hat, und eine Effizienz, die in bezug auf diejenige der bekannten Magnetköpfe verbessert ist.
Eine Kristallisationskernbildung von Domänenwänden oder eine Bildung von kleinen Bereichen mit einer unerwünschten Magnetisierungsrichtung und unerwünschten plötzlichen Magnetisierungsänderungen während des Leseprozesses werden in einem magnetoresistiven Element, das frei von Defekten ist, weitestgehend vermieden.
Es ist zu beachten, daß ein mechanochemisches Polieren mit der Hilfe einer Arbeitsfläche eines Polierwerkzeugs durchgeführt wird, das gegen die zu polierende Oberfläche gedrängt und über sie bewegt wird. Die Arbeitsfläche ist mit einem flüssigen mechanochemischen Poliermittel versehen. Dies ist ein Mittel, mit welchem ein chemisches und mechanisches Polieren gleichzeitig möglich ist. Es ist weiterhin zu beachten, daß durch reines chemisches Polieren ein Polieren ohne Beschädigung realisiert werden kann. Dieses Verfahren hat Nachteile. Die geometrische Steuerung, d. h. die Ebenheit der Oberfläche ist entfernt von einem Optimum, und viele chemische Poliermittel sind mehr oder weniger toxisch bzw. giftig und aggressiv und sollten folglich in einer extrem geschützten Umgebung verwendet werden, was ein Nachteil bei einer Massenproduktion ist. Die mechanochemische Polieroperation, bei welcher Komponenten, die von der zu polierenden Oberfläche mechanisch entfernt werden, chemisch aufgelöst werden, führt zu einer sehr glatten und ebenen polierten Oberfläche, die frei von einer Beschädigung ist. Es ist überraschend herausgefunden worden, daß dann, wenn eine der zu polierenden Komponenten sehr hart ist, der mechanische Aspekt eines mechanochemischen Polierens durch Hinzufügen einer geringen Menge von harten adäquaten Körnern zum Poliermittel des mechanochemischen Typs verstärkt wird. Somit kann selbst dann, wenn sehr harte Materialien bei der Herstellung von Köpfen verwendet werden, eine glatte und ebene Oberfläche, die frei von einer Beschädigung ist, realisiert werden.
Es ist zu beachten, daß JP-A-1 289 224 eine mechanochemische Polieroperation offenbart, die auf einem Film aus SiO&sub2; oder Glas durchgeführt wird, der an einem Ni-Zn-Ferritsubstrat angebracht ist. Es ist weiter zu beachten, daß JP-A-62 092 219 einen Magnetkopf offenbart, der eine Magnetbasis hat, die mit einer Ausnehmung versehen ist, in welcher ein Vorspannungsleiter und magnetische Joche eingebettet sind, wobei der Boden und die Seitenwände der Ausnehmung durch · Isolierfilme bedeckt sind. Ein Ausführungsbeispiel des Verfahrens gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein plattenförmiges Substrat als Träger verwendet wird, der mit zwei parallelen Substratflächen mittels eines mechanischen und/oder mechanochemischen Polierens versehen wird, wonach die Hauptschicht auf einer dieser Flächen ausgebildet wird. Die andere Fläche wird als Referenzfläche in den weiteren Verfahrensschritten verwendet.
Die parallelen Substratflächen können durch Ausgehen von einem Substrat mit zwei Substratflächen erhalten werden, wobei die Substratflächen zuerst mittels eines Polierens vorbereitet werden, bis sie eine konvexe, ebene oder konkave Anfangsform haben, wonach ein Entfernungszyklus wenigstens einmal durchlaufen wird, während welchem die Substratflächen eines Substrats, dessen Kanten dicker als ein zentrales Stück sind, das von den Kanten umgeben ist, auf eine derartige Weise poliert werden, daß die Kanten aufeinanderfolgend eine im wesentlichen gleiche Dicke, eine kleinere Dicke und wiederum eine im wesentlichen gleiche Dicke wie das zentrale Stück erlangen, und während welchem Zyklus die Substratflächen eines Substrats, dessen Kanten dünner als ein zentrales Stück sind, das von den Kanten umgeben ist, auf eine derartige Weise poliert werden, daß die Kanten aufeinanderfolgend eine im wesentlichen gleiche Dicke, eine größere Dicke und wiederum eine im wesentlichen gleiche Dicke wie das zentrale Stück erlangen. Das oben angegebene Verfahren zur Herstellung paralleler Flächen ist ausführlich in der europäischen Patentanmeldung 92 201 739.7 beschrieben.
Substrate mit parallelen Substratflächen haben den großen Vorteil, daß sie bei einem Massenherstellungsprozeß für die weiteren Schritte des Verfahrens verwendet werden können. Folglich können mechanochemische Polierschritte bei einer späteren Stufe zum Zwecke eines Glättens und Einebnens einer Schicht mit einer einzelnen oder einer mehrfachen Materialstruktur und zum Stopp-Polieren einer Schicht mit einer mehrfachen Materialstruktur durchgeführt werden, von welchem aber nur eines oder einige Materialien der Schicht über den mechanochemischen Polierprozeß poliert werden kann bzw. können, und das andere Material nicht poliert werden kann.
Ein Ausführungsbeispiel des Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus einem weichmagnetischen Material, insbesondere einem Ferrit, ausgebildet wird.
Es ist zu beachten, daß zu verstehen ist, daß ein Ferrit ein magnetisches Material aus beispielsweise einer der folgenden kristallographischen Gruppen ist: Granat, Spinell, Perowskit. Vorteilhafte Eigenschaften von Ferrit sind seine große Strapazierfähigkeit und sein zufriedenstellender Abschirmeffekt gegenüber Störfeldern. Die Stabilität des magnetoresistiven Kopfs wird für gewöhnlich auch durch den Effekt des Ferrits auf dem Dünnfilm-Magnetflußleiter oder den Magnetflußleitern und dem magnetoresistiven Element vorteilhaft beeinflußt. Darüber hinaus hat ein Ferritträger den technologischen Vorteil, daß der Träger als Magnetflußleitungsschicht verwendet werden kann.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus einer Anordnung gebildet ist, die aus einer Basis und einer auf der Basis vorgesehenen Basisschicht aus nicht magnetischem Material gebildet wird, wobei die Basisschicht ein induktives Wandlerelement und ein Magnetflußleiterelement aufweist, wonach die Anordnung zur Bildung einer Basisoberfläche zum Vorsehen der Hauptschicht mechanochemisch poliert wird. Die Basisschicht kann durch Entfernen von Material von einer von der Basis abgewandten Seite mit einer Öffnung versehen werden, welche Öffnung darauffolgend zum Bilden des Magnetflußleiterelements mit einem weichmagnetischen Material gefüllt wird. Das Verfahren ergibt einen Magnetkopf mit einer Schreibfunktion sowie mit einer Lesefunktion. Während des Verfahrens wird ein Schreibteil und darauffolgend ein Leseteil ausgebildet. Zum Sicherstellen einer genau definierten Hauptoberfläche wird die Basisschicht, die als Unterschicht für die Hauptschicht dient, bei diesem Ausführungsbeispiel auch mechanochemisch poliert. Ein magnetischer Vorteil beim Herstellen eines planaren Schreibteils kann nicht erreicht werden. Jedoch ist eine Planarität bzw. eine Ebenheit nötig, um den planaren Leseteil mit den zuvor angegebenen Vorteilen zu erhalten. Vorzugsweise wird die Öffnung in der Basisschicht mittels Ätzen vorgesehen.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß ein plattenförmiger Körper als Basis verwendet wird, welcher Körper durch mechanisches und/oder mechanochemisches Polieren mit zwei parallelen Körperflächen versehen wird, wonach die Basisschicht auf einer dieser Flächen ausgebildet wird. Die parallelen Körperflächen können mittels des Verfahrens erhalten werden, das in der europäischen Patentanmeldung mit der NR. 92 201 739.7 beschrieben ist. Auch in diesem Fall haben Substrate mit parallelen Substratflächen Vorteile insofern eine Massenherstellung, ein mechanochemisches Polieren einzelner Materialien, ein mechanochemisches Polieren verteilter Materialien und ein mechanochemisches Stopp-Polieren betroffen ist.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basis aus magnetischem Material, vorzugsweise einem Ferrit, gebildet wird.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptschicht aus Zirconiumdioxid ausgebildet wird. Zirconiumdioxid ist kristallines Material in kubischer Form. Der Hauptbestandteil ist ZrO&sub2;, zu welchem 5-10 at.% von CaO oder Y&sub2;O&sub3; hinzugefügt werden. Zirconiumdioxid, welches beispielsweise durch Sputtern vorgesehen werden kann, ist ein mechanisch hartes und strapazierfähiges Material. Mit allen im weiteren zu beschreibenden weichmagnetischen Materialien bildet Zirconiumdioxid nach einem mechanochemischen Polieren eine im wesentlichen perfekte Hauptoberfläche. Dies ist wahrscheinlich aufgrund der großen Härte von Zirconiumdioxid so.
Von einem poliertechnischen Aspekt aus gesehen ist Zirconiumdioxid ein eminent geeignetes Material zur Anwendung als Stoppschicht in einem mechanochemischen Polierschritt. Da die Dicke von Zirconiumdioxidschichten mit Nanometer- Genauigkeit realisiert werden kann, können ebene Schichten des Dünnfilm-Magnetkopfs mit derselben Genauigkeit hergestellt werden. Zirconiumdioxid ist jedoch langsam ätzbar.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptschicht aus Quarz ausgebildet wird. Quarz kann beispielsweise mittels PE-CVD vorgesehen werden. Es ist herausgefunden worden, daß das weichmagnetische Material des Magnetflußleiters kaum einen Einfluß auf das eminente Ergebnis des mechanochemischen Polierprozesses hat, was insoweit bemerkenswert ist, als daß die Oberfläche eben und frei von einer Beschädigung ist, vorausgesetzt, daß es eine gute Haftung zwischen dem weichmagnetischen Material und dem Quarz gibt.
Es ist zu beachten, daß verglichen mit Zirconiumdioxid, der viel weichere Quarz einer ähnlichen Polierbehandlung unterzogen werden kann, wenn der mechanochemische Polierprozeß optimiert wird. Obwohl der Polierprozeß kritischer ist und eine Genauigkeit in bezug auf die Größe schwierig zu erreichen ist, hat Quarz den Vorteil, daß es auf einfache Weise und relativ schnell geätzt werden kann.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung in der Hauptschicht mittels Ätzen ausgebildet wird. Die Ätzoperation ist kritisch, weil das Ergebnis der Ätzoperation den nichtmagnetischen Spalt definiert, der charakteristisch für den Leseteil ist. Eine Reproduzierbarkeit ist die oberste Anforderung, die der Ätzoperation auferlegt ist. Daher werden ein Sputter-Ätzen und ein reaktives Ionenätzen und zu einem geringeren Ausmaß ein Plasma-Ätzen und ein naß-chemisches Ätzen bevorzugt.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Abstandsschicht aus nichtmagnetischem elektrischem Isoliermaterial, auf welcher die Schicht aus einem magnetoresistiven Material vorgesehen ist, auf der Hauptoberfläche ausgebildet wird, die mittels des mechanochemischen Polierens erhalten wird. Dieses Ausführungsbeispiel ist insbesondere wichtig, wenn elektrisch leitende weichmagnetische Materialien zum Bilden des Magnetflußleiters verwendet werden. In diesem Fall ist eine isolierende Abstandsschicht nötig, um einen elektrischen Kontakt zwischen dem Magnetflußleiter und dem MR-Element zu verhindern. Ein Nachteil eines Magnetkopfs mit einer Abstandsschicht zwischen dem MR-Element und dem Magnetflußleiter ist jedoch, daß aufgrund des Abstands zwischen dem MR-Element und dem Magnetflußleiter, der durch die Dicke der Schicht verursacht wird, nur ein Teil des Magnetflusses, der während eines Betriebs aus einem magnetischen Aufzeichnungsmedium entsteht, durch das MR- Element geführt wird. Folglich ist es aus Gründen der Effizienz von wesentlicher Wichtigkeit, daß eine solche Schicht so dünn wie möglich gemacht werden kann. Da die Dicke der Abstandsschicht zu einem merklichen Ausmaß durch die Qualität der Hauptoberfläche bestimmt wird, kann diese Abstandsschicht perfekt glatt sein und keine Schwankungen in bezug auf die Dicke haben, wenn das Verfahren gemäß der Erfindung verwendet wird, und darüber hinaus kann sie sehr dünn, wie beispielsweise 0,2 um, in bezug auf die Schichtendicke von wenigstens 0,6 um sein, die in den bekannten Magnetköpfen erforderlich ist, und zwar ohne irgendein Risiko eines Kurzschlusses des MR-Elements.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Legierung aus der Gruppe von Legierungen, die aus CoZrNb- Legierungen, FeNbSi-Legierungen, FeSiAl-Legierungen und NiFe- Legierungen gebildet ist, als weichmagnetisches Material verwendet wird. Diese Materialien können mittels bekannter Techniken vorgesehen werden, wie beispielsweise eines Sputterns oder einer Dampfabscheidung.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Ferrit als ein weichmagnetisches Material verwendet wird. Ein Ferrit hat normalerweise eine solche hohe Widerstandsfähigkeit, daß das MR-Element direkt auf dem Magnetflußleiter vorgesehen werden kann, der aus einem solchen Material ausgebildet ist, ohne in einem merklichen Verlust der Empfindlichkeit des Magnetkopfs zu resultieren. Anders ausgedrückt kann dann, wenn ein Ferrit verwendet wird, wobei MnZn-Ferrit und NiZn-Ferrit bevorzugt werden, die Abstandsschicht bei dem Verfahren gemäß der Erfindung weggelassen werden, und die Schicht eines magnetoresistiven Materials kann somit direkt auf der Hauptoberfläche vorgesehen werden, um das MR-Element zu bilden. Folglich ist eine direkte magnetische Kopplung zwischen dem MR-Element und dem Magnetflußleiter möglich. Eine solche Kopplung resultiert in einer hohen Effizienz des erhaltenen Magnetkopfs. Ferrite können mittels bekannter Techniken vorgesehen werden, wie beispielsweise durch Sputtern, MO-CVD oder eine Laser- Ablation bzw. -Abschmelzung.
Der mittels des Verfahrens gemäß der Erfindung erhaltene Magnetkopf ist mit einer Kopffläche zur Kooperation mit einem magnetischen Aufzeichnungsmedium, insbesondere einem Magnetband oder einer Diskette, versehen, während der Magnetflußleiter in die Kopffläche endet. In diesem Zusammenhang hat ein Ferrit-Magnetflußleiter den Vorteil, daß das Ferrit zur Korrosionsbeständigkeit und zur Strapazierfähigkeit der Kopffläche beiträgt.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß eine NiFe-Legierung als magnetoresistives Material verwendet wird. Die NiFe-Legierung kann mittels bekannter Techniken vorgesehen werden, wie beispielsweise eine Sputter- Abscheidung oder eine Dampfabscheidung. Das aus NiFe ausgebildete MR-Element ist mit Kontaktflächen versehen, um eine elektrische Verbindung zu einer Lesevorrichtung zu realisieren. Vorzugsweise sind äquipotentielle Streifen mit einer zufriedenstellenden elektrischen Leitfähigkeit auf der ausgebildeten NiFe-Schicht vorgesehen, um das Verhalten des MR-Elements zu linearisieren. Diese Maßnahme ist in US 4,052,748 beschrieben (die hiermit durch Bezugnahme enthalten ist).
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht aus Zirconiumdioxid ausgebildet wird. Diesbezüglich ist Zirconiumdioxid ein zufriedenstellendes Polierstopp-Material beim mechanochemischen Polierprozeß. Ein Nachteil von Zirconiumdioxid besteht darin, daß es langsam ätzbar ist, aber ein wichtiger Vorteil besteht darin, daß eine Genauigkeit der Größe optimal erreichbar ist.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht aus Quarz ausgebildet wird. Quarz ist kein solches gutes Polierstopp-Material beim mechanochemischen Polierprozeß, verglichen mit Zirconiumdioxid, während eine feinere Genauigkeit der Größe erreicht werden sollte. Jedoch besteht ein Vorteil darin, daß es zufriedenstellend vorgesehen werden kann und auf einfache Weise ätzbar ist.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß die mechanochemische Polierbehandlung mit einer kolloidalen Suspension von SiO&sub2;-Partikeln in einer Alkali-Lösung, insbesondere einer KOH- oder einer NaOH-Lösung, durchgeführt wird. Eine kolloidale Suspension von SiO&sub2;-Nanopartikeln kann zu diesem Zweck mit beispielsweise einer durchschnittlichen Korngröße von 30 nm und einem pH-Wert von etwa 10 in einer NaOH- oder einer KOH-Lösung verwendet werden.
Es ist zu beachten, daß ein mechanochemisches Polieren per se aus IBM Technical Disclosure Bulletin, vol. 27, no. 8, Januar 1985 bekannt ist. Diese Veröffentlichung beschreibt ein mechanochemisches Polieren einer Glasstruktur. Es ist auch per se bekannt, ein Mittel, das unter der Marke Syton kommerziell erhältlich ist, für den mechanochemischen Polierprozeß zu verwenden.
Ein Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß die mechanochemische Polierbehandlung mit einem mechanochemischen Poliermittel durchgeführt wird, das eine kolloidale SiO&sub2;- Lösung aufweist, in welcher Körner vorhanden sind, die eine durchschnittliche Partikelgröße von weniger als 1,0 um haben, und eine Härte, die besser als die Härte von SiO&sub2; ist. Mit diesem Verfahren gemäß der Erfindung kann die Hauptschicht mit einer sehr glatten mechanochemisch polierten Oberfläche versehen werden. Es ist herausgefunden worden, daß eine Oberflächenrauhigkeit A(rms) der polierten Oberfläche von kleiner als 1 mm erreicht werden kann. Messungen haben gezeigt, daß die Materialstruktur der mechanochemisch polierten Oberfläche nicht beschädigt ist. Das Obige gilt auch für ein mechanochemisches Polieren des Substrats und der Basisschicht.
Der genaue Effekt des oben angegebenen mechanochemischen Poliermittels ist nicht bekannt. Es wird angenommen, daß die Körner in der Lösung aufgrund von elektrostatischen Kräften durch SiO&sub2;-Nanopartikel umhüllt sind, welche umhüllten Partikel chemisch und mechanisch die zu polierende Oberfläche angreifen, während chemisch angegriffene Teile der zu polierenden Oberfläche auf relativ einfache Weise unter mechanischem Druck entfernt werden.
Experimente haben bewiesen, daß optimale Polierergebnisse mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von kleiner als 1,0 um erreicht werden. Es wird daher bevorzugt, Körper zu verwenden, deren durchschnittliche Partikelgröße kleiner als 1,0 um ist, wie beispielsweise 100 Nanometer. Es wird auch bevorzugt, daß die Konzentration der Körper in der kolloidalen Lösung kleiner als 1 g pro Liter ist. Diese Lösung ist vorzugsweise alkalisch und ist beispielsweise eine KOH- oder eine NaOH-Lösung.
Al&sub2;O&sub3; oder Zirconiumdioxid ist als Material für die Körper geeignet, aber ein Diamant ist bevorzugt, weil die Materialien zu polieren sind. Eine kolloidale SiO&sub2;-Lösung, die mit Diamantkörnern versehen ist, die eine durchschnittliche Partikelgröße von weniger als 1,0 um haben, wird daher als Poliermittel bevorzugt.
Ein mittels des Verfahrens gemäß der Erfindung erhaltener Dünnfilm-Magnetkopf hat die Eigenschaft, daß sich der Magnetflußleiter aus einem weichmagnetischen Material in der Hauptschicht eines nichtmagnetischen Materials erstreckt. In diesem Magnetkopf hat das magnetoresistive Element eine sehr ebene genau definierte Basis, so daß die magnetische Stabilität des magnetoresistiven Elements sichergestellt ist. Aufgrund des angewandten Verfahrens gemäß der Erfindung können korrosionsbeständige und/oder strapazierfähige Materialien für Schichten verwendet werden, die in der Kopffläche des Kopfs enden, so daß eine lange Lebensdauer der Kopffläche und somit des gesamten Magnetkopfs möglich ist.
Vorzugsweise hat der Magnetkopf die Eigenschaft, daß sich ein weiterer Magnetflußleiter aus weichmagnetischem Material, der vom Magnetflußleiter beabstandet ist, in der Hauptschicht aus nichtmagnetischem Material erstreckt, wobei einer der Magnetflußleiter in der Kopffläche endet und ein Abstand durch das magnetoresistive Element überbrückt wird, das gegenüberliegend zu der mechanochemisch polierten Hauptschicht angeordnet ist.
Die Erfindung betrifft auch einen Dünnfilm-Magnetkopf, der eine Kopffläche hat und der mittels dem Verfahren gemäß der Erfindung erhalten werden kann, welcher Magnetkopf dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Träger vorgesehen ist, auf welchem sich eine Hauptschicht aus nichtmagnetischem Material erstreckt, welche Hauptschicht wenigstens eine Ausnehmung hat, die einen Magnetflußleiter aus weichmagnetischem Material an einer vom Träger abgewandten Seite unterbringt, wobei die Hauptschicht und der Magnetflußleiter an der Seite eine Hauptoberfläche bilden, die durch mechanochemisches Polieren erhalten wird, welche Hauptoberfläche mit einem magnetoresistiven Element versehen ist. Die Hauptoberfläche, die mittels eines mechanochemischen Polierprozesses erhalten wird, kann derart angesehen werden, daß sie vollständig eben und frei von einer Beschädigung ist. Ein Substrat, vorzugsweise ein Ferritsubstrat, oder eine mit einem induktiven Element versehene Anordnung kann als Träger verwendet werden.
Diese und andere Aspekte der Erfindung werden unter Bezugnahme auf die hierin nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele klar und erklärt werden.
In den Zeichnungen:
Fig. 1 bis 15 zeigen verschiedene Schritte eines ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens gemäß der Erfindung,
Fig. 16 zeigt einen Dünnfilm-Magnetkopf gemäß der Erfindung, der mittels des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens gemäß der Erfindung hergestellt ist,
Fig. 17 bis 28 zeigen verschiedene Schritte eines zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens gemäß der Erfindung, und
Fig. 29 zeigt einen Dünnfilm-Magnetkopf gemäß der Erfindung, der mittels des zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens gemäß der Erfindung hergestellt ist.
Ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 16 beschrieben. Dieses Verfahren geht aus von einem plattenförmigen Substrat 1 aus Ferrit, einem NiZn-Ferrit bei diesem Ausführungsbeispiel, welches durch Polieren mit zwei parallelen Substratflächen 3a und 3b versehen wird. Ein Polieren kann mittels bekannter Polierverfahren bewirkt werden, aber das in der europäischen Patentanmeldung mit der Nr. 92 201 739.7 wird bevorzugt verwendet. Eine Isolierschicht 5a aus Zirconiumdioxid wird auf einer der Substratflächen, bei diesem Ausführungsbeispiel beispielsweise der Substratfläche 3a, mittels einer Sputter- Abscheidung ausgebildet. Darauffolgend werden eine Klebeschicht 7a aus Mo, eine Schicht 7b aus Au und eine Klebeschicht 7c aus Mo aufeinanderfolgend auf der Schicht 5a beispielsweise mittels eines Sputterns abgeschieden, um eine Test- und/oder eine Vorspannungswicklung 7 auszubilden. Eine Photolackschicht wird beispielsweise mittels eines Spin- Überziehens auf den Verbindungsschichten 7a, 7b, 7c vorgesehen. Diese Schicht wird getrocknet und darauffolgend unter Verwendung einer geeigneten Photomaske belichtet. Darauffolgend wird der belichtete Photolack entwickelt und dann durch Spülen in Wasser entfernt. Nach einem darauffolgenden Erhitzen und Abkühlen wird die Schicht 7c aus Mo geätzt, wonach der unbelichtete Photolack mittels Aceton entfernt wird und die Schicht 7b aus Au mittels eines Sputter-Ätzens mit einem Mo-Muster als Maske bearbeitet wird. Die Wicklung 7 wird durch darauffolgendes Ätzen der Mo- Schicht 7c erhalten.
Eine Isolierschicht 5b aus Zirconiumdioxid wird beispielsweise mittels Sputtern auf der Schicht 5a und der Wicklung 7 auf dieser Schicht vorgesehen. Die Schichten 5a und 5b bilden gemeinsam eine relativ dicke Hauptschicht 5 aus nichtmagnetischem Material. Die Dicke der Schicht 5 ist bei diesem Ausführungsbeispiel 1,1 um. Eine Mo-Schicht 9 wird beispielsweise mittels einer Sputter-Abscheidung auf der Hauptschicht 5 vorgesehen, die auf dem Substrat 1 vorgesehen ist, das als Träger funktioniert, wonach Mo in zwei Bereichen 11a und 11b mittels Ätzen entfernt wird. Darauffolgend findet eine Sputter-Ätzbehandlung statt, wobei die Schicht 9 als Maske funktioniert, und wobei zwei Ausnehmungen 15a und 15b in der Hauptschicht 5 ausgebildet werden. Nach einem Sputterätzen werden die übrigen Teile der Schicht 9 beispielsweise durch nasses chemisches Ätzen entfernt. Eine Schicht 17 aus weichmagnetischem Material wird auf der so strukturierten Hauptschicht 5 vorgesehen, und die Ausnehmungen 15a und 15b werden zum Ausbilden zweier Magnetflußleiter 17a und 17b vollständig gefüllt. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die Schicht 17 durch Sputterabscheidung aus einer FeNbSi-Legierung ausgebildet. Durch Erhitzen dieses Materials nach einem Sputtern in einem Magnetfeld wird eine Schicht erhalten, die magnetisch weich und mechanisch hart und strapazierfähig ist. Statt einer FeNbSi-Legierung ist es alternativ möglich, eine CoZrNb- Legierung, eine FeSiAl-Legierung oder eine NiFe-Legierung zu verwenden. Die mit den gefüllten Ausnehmungen 15a und 15b versehene Hauptschicht wird mechanochemisch poliert, um eine im wesentlichen perfekt ebene und glatte Hauptoberfläche 19 auszubilden, von der ein Teil durch das Isoliermaterial der Hauptschicht 5 ausgebildet wird, und von der ein anderer Teil durch das weichmagnetische Material der Magnetflußleiter 17a und 17b ausgebildet wird.
Ein mechanochemisches Polieren, das in der Literatur auch tribo-chemisches Polieren genannt wird, wird bei diesem Ausführungsbeispiel mit einer kolloidalen Suspension von SiO&sub2;-Partikeln in einer Alkali-Lösung realisiert.
Eine dünne Abstandsschicht 21 aus nichtmagnetischem, elektrisch isolierendem Material wird auf der ebenen defektlosen Hauptoberfläche 19 vorgesehen, die auf die oben beschriebene Weise erhalten wird. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird für diesen Zweck Zirconiumdioxid gesputtert. Eine Schicht 22a aus magnetoresistivem Material wird auf der Schicht 21 vorgesehen, für welchen Zweck eine Legierung aus NiFe bei diesem Ausführungsbeispiel gesputtert wird. Die Schicht 23a wird darauffolgend mittels einer Photolackmaske und einem Ätzen zum Bilden eines MR-Elements 23 strukturiert. Eine Schicht 25a aus elektrisch leitendem Material, wie beispielsweise Au, wird auf dem MR-Element 23 vorgesehen, welche Schicht mittels einer Photolackmaske und einem Ätzen zum Bilden äquipotentieller Streifen 27 einer Magneto-Widerstandskopfstruktur und zum Bilden elektrisch leitender Streifen 25b zum elektrischen Verbinden des MR- Elements mit einer Meßvorrichtung (nicht gezeigt) strukturiert wird. Darauffolgend wird eine Isolierschicht 27 aus beispielsweise Zirconiumdioxid mittels beispielsweise einer Sputterabscheidung vorgesehen. Öffnungen 29, die sich soweit wie die leitenden Streifen 25b erstrecken, werden in dieser Isolierschicht geätzt, um elektrische Anschlüsse vorzusehen, wonach ein schützender Gegenblock 31 aus beispielsweise BaTiO&sub3; oder CaTiO&sub3; mittels beispielsweise eines Klebemittels befestigt wird. Die Schicht 27 kann im voraus beispielsweise durch mechanisches Polieren oder Läppen auf eine gewünschte Dicke eingeebnet werden. Die nun erhaltene Einheit wird zur Kooperation mit einem magnetischen Aufzeichnungsmedium, insbesondere einem Magnetband, mittels Operationen, wie beispielsweise einem Schleifen und/oder einem Läppen, mit einer Kopffläche 33 versehen.
Wenn das weichmagnetische Material aus den Magnetflußleitern 17a und 17b im Dünnfilm-Magnetkopf gemäß der in Fig. 16 gezeigten Erfindung durch ein weichmagnetisches Material ersetzt wird, das nicht elektrisch leitet oder eine schlechte elektrische Leitfähigkeit hat, insbesondere ein MnZn-Ferrit, ein NiZn-Ferrit oder ein Fe&sub2;O&sub3;-Ferrit, kann das MR-Element 23 direkt auf der Hauptoberfläche 19 vorgesehen werden. Folglich kann auf die Isolierschicht 21 verzichtet werden, und das MR- Element 23 kann in direktem magnetischen Kontakt mit den Magnetflußleitern 17a und 17b sein.
Ein zweites Ausführungsbeispiel des Verfahrens gemäß der Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Fig. 17 bis 28 beschrieben. Dieses Verfahren geht aus von einem plattenförmigen Körper 101, vorzugsweise einem Ferrit, der an beiden Seiten zum Ausbilden zweier paralleler Körperflächen 102a und 102b poliert wird. Eine Isolierschicht 104a aus Quarz wird beispielsweise mittels PE-CVD auf einer der Körperflächen, bei diesem Ausführungsbeispiel der Fläche 102b, vorgesehen. Eine elektrisch leitende Schicht 106a aus beispielsweise hauptsächlich Au wird auf der Schicht 104a vorgesehen. Diese Schicht 106a wird mittels bekannter Techniken strukturiert, um ein induktives Wandlerelement oder eine Wicklung 106 auszubilden. Darauffolgend wird Quarz abgeschieden, um eine Isolierschicht 104b auszubilden, und eine Öffnung 108 wird in den zwei Isolierschichten 104a und 104b geätzt. Darauffolgend wird eine relativ dicke Isolierschicht 104c aus Quarz vorgesehen. Die Schichten 104a, 104b und 104c bilden gemeinsam eine Basisschicht 104 aus einem nichtmagnetischen Material. Eine Schicht 110 aus einem Maskenmaterial, wie beispielsweise Mo, wird auf der Basisschicht 104 vorgesehen, die auf dem Körper 101 vorgesehen ist, der als Basis funktioniert, mit welcher Maskenmaterialschicht eine Öffnung 112 in der Basisschicht 104 ausgebildet wird. Dafür wird zuerst ein Photolack auf der Schicht 110 abgeschieden und strukturiert, wonach Öffnungen 112 in der Schicht 110 mittels eines Ätzens zum Bilden einer Maske ausgebildet werden. Darauffolgend wird die Basisschicht 104 mit der strukturierten Schicht 110 als Maske zum Bilden der Öffnung 102 sputter-geätzt. Nach dem Sputter-Ätzen werden die übrigen Teile der Schicht 110 durch ein nasses chemisches Ätzen entfernt. Eine Schicht 114a aus weichmagnetischem Material, wie beispielsweise einer CoZrNb-Legierung, wird auf der so strukturierten Basisschicht 104 vorgesehen, während die Öffnung 102 vollständig aufgefüllt wird. Die Schicht 114a wird zum Bilden eines Magnetflußleiterelements 114 verwendet. Die mit der gefüllten Öffnung 102 versehene Basisschicht 104 wird darauffolgend mittels einer kolloidalen Suspension von SiO&sub2;-Partikeln in einer KOH- oder einer NaOH-Lösung, zu welcher Diamantpartikel mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von weniger als 1,0 um hinzugefügt sind, zum Erzeugen einer ebenen Basisoberfläche 116, die frei von Kratzern ist, mechanochemisch poliert. Die Konzentration von Diamantpartikeln in der Lösung ist kleiner als 1 g pro Liter. Die aus dem Körper 101 so ausgebildete Anordnung, die Basisschicht 104 und das induktive Wandlerelement 106 werden als Träger für eine Hauptschicht 105 aus nichtmagnetischem Material verwendet.
Magnetflußleiter 117a und 117b werden in der Hauptschicht 105 auf eine Weise vorgesehen, die analog zu derjenigen ist, die unter Bezugnahme auf das erste Ausführungsbeispiel des Verfahrens gemäß der Erfindung beschrieben ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird auch eine Hauptoberfläche 119 mittels eines mechanochemischen Polierens ausgebildet, wonach ein MR-Element 123 vorgesehen wird.
Ein Dünnfilm-Magnetkopf, der mittels des zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens gemäß der Erfindung hergestellt ist, ist in Fig. 29 gezeigt. Der Magnetkopf hat eine Kopffläche 118 und weist einen Körper 101 auf, der als Basis dient, auf welcher eine nichtmagnetische Basisschicht 104 vorgesehen ist. Die Basisschicht 104 bringt eine Wicklung 106 unter, die als induktives Wandlerelement dient, und ein Magnetflußleiterelement 114 aus weichmagnetischem Material, das in der Kopffläche 118 endet. Eine nichtmagnetische Hauptschicht 105, die einen hinteren Magnetflußleiter 117a und einen vorderen Magnetflußleiter 117b, der in der Kopffläche 118 endet, unterbringt, ist auf einer mechanochemisch polierten Basisoberfläche 116 vorgesehen. Beide Magnetflußleiter sind aus weichmagnetischem Material ausgebildet. Wenn es gewünscht wird, kann sich eine Vorspannungswicklung 107 in der Hauptschicht 105 erstrecken. Die Hauptschicht 105 hat eine mechanochemisch polierte Hauptoberfläche 119, auf welcher - mit einer dünnen Isolierschicht, die dazwischen angeordnet ist - ein MR- Element 123 direkt oder indirekt vorgesehen ist. Eine Schutzschicht, gegenüber welcher ein Gegenblock 131 befestigt ist, erstreckt sich auf dem MR-Element.
Es ist zu beachten, daß die Erfindung natürlich nicht auf die gezeigten Ausführungsbeispiele beschränkt ist. Beispielsweise ist es innerhalb des Schutzumfangs der Erfindung möglich, die weichmagnetische Schicht 114a mittels eines Ätzens zu strukturieren, um das Magnetflußleiterelement 114 auszubilden.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Magnetkopfs, der ein magnetoresistives Element (23, 123) und wenigstens einen Magnetflußleiter (17a, 17b; 117a, 117b) aufweist, wobei das Verfahren von einem Träger ausgehend durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Hauptschicht (5, 105) aus einem nicht magnetischen Material auf dem Träger ausgebildet wird, wobei in der Schicht durch Entfernen von Material von einer dem Träger abgewandten Seite eine Ausnehmung (15a, 15b) ausgebildet wird, die anschließend mit einem weichmagnetischen Material zur Bildung des Magnetflußleiters (17a, 17b; 117a, 117b) gefüllt wird, wonach die mit der gefüllten Ausnehmung versehene Hauptschicht mechanochemisch zur Bildung einer Hauptfläche (19, 119) poliert wird, auf der anschließend eine Schicht (23a) aus magnetoresistivem Material zur Bildung des magnetoresistiven Elements (23, 123) vorgesehen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Träger ein plattenförmiges Substrat (1) verwendet wird, welches durch mechanisches und/oder mechanochemisches Polieren mit zwei parallelen Substratflächen (3a, 3b) versehen wird, wonach die Hauptschicht (5) auf einer der Flächen gebildet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus weichmagnetischem Material, vorzugsweise einem Ferrit, gebildet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus einer Anordnung besteht, die aus einer Basis und einer auf der Basis vorgesehenen Basisschicht (104) aus nicht magnetischem Material gebildet wird, wobei die Basisschicht ein induktives Wandlerelement (106) und ein Magnetflußleiterelement (114) aufweist, wonach die Anordnung zur Bildung einer Basisschicht (116) zum Bilden der Hauptschicht mechanochemisch poliert wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Basis ein plattenförmiger Körper (101) verwendet wird, der durch mechanisches und/oder mechanochemisches Polieren mit zwei parallelen Körperflächen (102a, 102b) versehen wird, wonach die Basisschicht (104) auf einer der Flächen gebildet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis aus weichmagnetischem Material, vorzugsweise einem Ferrit, gebildet wird.

7. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptschicht (5, 105) aus Zirconiumdioxid gebildet wird.

8. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptschicht (5, 105) aus Quarz gebildet wird.

9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung (15a, 15b) in der Hauptschicht (5) durch Ätzen gebildet wird.

10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abstandsschicht (21) aus einem nicht magnetischen, elektrisch isolierenden Material, auf welcher die Schicht (23a) aus magnetoresistivem Material vorgesehen wird, auf der durch mechanochemisches Polieren gebildeten Hauptfläche (19) gebildet wird.

11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Legierung aus der Gruppe von Legierungen, die aus CoZrNb-Legierungen, FeNbSi-Legierungen, FeSiAl- Legierungen und NiFe-Legierungen gebildet ist, als weichmagnetisches Material verwendet wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ferrit als weichmagnetisches Material verwendet wird.

13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine NiFe-Legierung als das magnetoresistive Material verwendet wird.

14. Verfahren nach Anspruch 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht aus Zirconiumdioxid gebildet wird.

15. Verfahren nach Anspruch 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht aus Quarz gebildet wird.

16. Verfahren nach Anspruch 4, 5, 6, 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine Öffnung (102) in der Basisschicht (104) durch Ätzen gebildet und anschließend mit einem weichmagnetischen Material gefüllt wird, um das Magnetflußleiterelement (117a, 117b) zu bilden.

17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das mechanochemische Polieren mit einer kolloidalen Suspension von SiO&sub2;-Partikeln in einer Alkali-Lösung durchgeführt wird.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das mechanochemische Polieren mit einem mechanochemischen Poliermittel erfolgt, das eine kolloidale SiO&sub2;-Lösung mit darin vorhandenen Körnern enthält.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß eine alkalische Lösung als SiO&sub2;-Lösung verwendet wird.

20. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß Körner verwendet werden, die eine mittlere Partikelgröße von weniger als 1,0 Mikrometer und eine größere Härte als SiO&sub2; haben.

21. Verfahren nach Anspruch 18, 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß Diamantkörner verwendet werden.

22. Verfahren nach Anspruch 18, 19, 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kornkonzentration von weniger als 1 g pro Liter in der kolloidalen Lösung verwendet wird.

23. Dünnfilm-Magnetkopf mit einer Kopffläche (33, 118), der mittels eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 22 herstellbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Träger vorgesehen ist, auf dem sich eine Hauptschicht (5, 100) aus nicht magnetischem Material erstreckt, wobei die Hauptschicht wenigstens eine Ausnehmung (15a, 15b) aufweist, die einen Magnetflußleiter (17a, 17b; 117a, 117b) aus weichmagnetischem Material auf einer dem Träger abgewandten Seite enthält, und wobei die Hauptschicht und der Magnetflußleiter auf dieser Seite einen durch mechanochemisches Polieren hergestellte Hauptfläche (19, 119) bilden, die mit einem magnetoresistiven Element (23, 123) versehen ist.