DE69328239T2

DE69328239T2 - Magnetooptischer Aufzeichnungsträger sowie Verfahren zum Lesen dieses magnetooptischen Aufzeichnungsmediums

Info

Publication number: DE69328239T2
Application number: DE69328239T
Authority: DE
Inventors: Hiroyuki Katayama; Michinobu Mieda; Kenji Ohta; Akira Takahashi
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1993-01-29
Filing date: 1993-12-31
Publication date: 2000-09-07
Anticipated expiration: 2014-01-01
Also published as: US5962126A; EP0608643A2; DE69328239D1; KR100199079B1; EP0608643A3; JPH06223427A; EP0608643B1

Description

GEBIET DER ERFINDUNG

Die Erfindung betrifft einen magnetooptischen Aufzeichnungsträger wie eine magnetooptische Platte, ein magnetooptisches Band, eine magnetooptische Karte usw., der für eine magnetooptische Aufzeichnungsvorrichtung konzipiert ist, und sie betrifft auch ein Verfahren zum Abspielen von diesem magnetooptischen Aufzeichnungsträger.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Forschungs- und Entwicklungsvorhaben betreffend magnetooptische Platten wurden dahingehend, diese zu umschreibbaren optischen Platten auszubilden, verstärkt, und einige magnetooptische Platten wurden bereits als externe, für Computer konzipierte Speicher in der Praxis verwendet.
Bei einer magnetooptischen Platte wird ein magnetischer Dünnfilm mit rechtwinkliger Magnetisierung als Aufzeichnungsträger verwendet, und beim Aufzeichnen und Abspielen wird Licht eingestrahlt. Demgemäß verfügt eine magnetooptische Platte im Vergleich mit einer Diskette oder einer Festplatte mit einem magnetischen Dünnfilm mit in der Ebene liegender Magnetisierung über größere Speicherkapazität.
In jüngerer Zeit wird noch größere Speicherkapazität gefordert, und um dieser Forderung zu genügen, erfolgte nicht nur für Festplatten sondern auch für magnetooptische Platten aktive Forschung beim Verfolgen des Ziels, noch höhere Aufzeichnungsdichte zu erzielen.
Bei einer magnetooptischen Platte ist die Aufzeichnungsdichte durch die Größe eines auf der Platte erzeugten Flecks eines Lichtstrahls zu Aufzeichnungszwecken oder Abspielzwecken bestimmt. Ferner ist die Größe eines aufzuzeichnenden Aufzeichnungsbits durch den Lichtstrahldurchmesser bestimmt.
Im Fall eines normalen optischen Aufzeichnungsvorgangs zeigt, da der Lichtstrahl durch eine Konvergenzlinse bis zur Beugungsgrenze konvergiert wird, die Lichtintensitätsverteilung die Normalverteilung, und demgemäß ist die Temperaturverteilung auf der magnetooptischen Platte der Normalverteilung ähnlich. Demgemäß verfügt ein Gebiet mit einem Temperaturanstieg über eine vorbestimmte Temperatur über einen kleineren Durchmesser als es dem Lichtstrahldurchmesser entspricht. Hierbei kann, wenn nur das Gebiet mit dem Temperaturanstieg dem Abspielen unterzogen werden kann, die Aufzeichnungsdichte wesentlich verbessert werden.
Hierzu wurde ein Verfahren zum Abspielen von mit hoher Dichte aufgezeichneten Aufzeichnungsbits, mit dem die obige Beschränkung vermieden werden kann, vorgeschlagen (siehe z. B. Journal by the Japan Applied Magnetic Society, Seite 838, Vol. 15, No. 5, 1991).
Wie es in Fig. 11 dargestellt ist, kann beim obigen Verfahren eine magnetooptische Platte verwendet werden, die aus einem Substrat 21, auf dem eine Ausleseschicht 22 und eine Aufzeichnungsschicht 23 ausgebildet sind, besteht. Die Aufzeichnungsschicht 23 zeigt bei einer Raumtemperatur große Koerzitivfeldstärke. Andererseits zeigt die Ausleseschicht 22 bei Raumtemperatur kleine Koerzitivfeldstärke. Wenn die Temperatur eines Gebiets, das in der Ausleseschicht 22 einem Abspielvorgang unterzogen wird, erhöht wird, wird die Magnetisierung in diesem Gebiet in der Magnetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht 23 durch Beeinflussung durch diese ausgerichtet. D. h., dass durch die zwischen der Ausleseschicht 22 und der Aufzeichnungsschicht 23 ausgeübte Austauschkopplungskraft die Magnetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht 23 in die Ausleseschicht 22 kopiert wird.
Bei der obigen Anordnung wird ein Aufzeichnungsvorgang gemäß dem üblichen magnetooptischen Aufzeichnungsverfahren ausgeführt. Beim Aufzeichnen eines Aufzeichnungsbits wird als erstes die Ausleseschicht 22 initialisiert. D. h., dass zum Ausrichten der Mangetisierungsrichtung in der Ausleseschicht 22 in einer vorbestimmten Richtung (nach oben in Fig. 11) von einer Hilfsmagnetfeld-Erzeugungsvorrichtung 26 ein Hilfsmagnetfeld angelegt wird. Als nächstes wird durch die Objektivlinse 24 ein Lichtstrahl 25 zu Abspielzwecken auf die Ausleseschicht 22 konvergiert, um die Temperatur in diesem Teil zu erhöhen, und im Ergebnis wird die Information, die in Form einer Mangetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht 23 aufgezeichnet ist, in die Ausleseschicht 22 kopiert. Beim obigen Verfahren kann nur das Gebiet mit einem Temperaturanstieg bis über eine vorbestimmte Temperatur, das um das Zentrum eines Flecks des Lichtstrahls 25 zu Abspielzwecken herumliegt, einem Abspielvorgang unterzogen werden, um dadurch ein Abspielen mit einem kleineren Aufzeichnungsbit als dann zu ermöglichen, wenn das herkömmliche Abspielverfahren verwendet wird.
Jedoch muss bei der obigen Anordnung vor dem Abspielvorgang das Hilfsmagnetfeld von der Hilfsmagnetfeld-Erzeugungsvorrichtung 26 angelegt werden. Darüber hinaus verbleibt beim Abspielen die Information in Form einer von der Aufzeichnungsschicht 23 in die Ausleseschicht 22 kopierten Magnetisierungsrichtung selbst nach einem Temperaturabfall im zuvor abgespielten Teil zurück. Daher verbleibt, wenn der Fleck des Lichtstrahls 25 zu Abspielzwecken verschoben wird, um das nächste Aufzeichnungsbit abzuspielen, das zuvor abgespielte Aufzeichnungsbit (das gerade kopierte Bit) immer noch innerhalb des Flecks des Lichtstrahls 25 zu Abspielzwecken. Da dies der Grund für die Erzeugung von Störsignalen beim Abspielen ist, besteht beim obigen Verfahren das Problem, dass eine Verbesserung der Aufzeichnungsdichte beschränkt ist.
Das Dokument EP 0 523 944, das sich im Oberbegriff des Anspruchs 1 wiederspiegelt, offenbart einen magnetooptischen Aufzeichnungsträger mit einer Abspielschicht, einer Einstellschicht und einer Aufzeichnungsschicht. Die Einstellschicht wechselt im Temperaturbereich zum Abspielen von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist wünschenswert, einen magnetooptischen Aufzeichnungsträger zu schaffen, der das Abspielen von mit hoher Dichte aufgezeichneten Aufzeichnungsbits bei wünschenswerter Signalqualität erlaubt, und auch ein Verfahren zum Abspielen von diesem magnetooptischen Aufzeichnungsträger zu schaffen.
Durch die Erfindung ist ein magnetooptischer Aufzeichnungsträger geschaffen, wie er im Anspruch 1 dargelegt ist.
Bei dieser Anordnung ist beim Abspielen, wenn ein Lichtstrahl auf den magnetooptischen Aufzeichnungsträger gestrahlt wird, die Temperaturverteilung im beleuchteten Gebiet einer Normalverteilung ähnlich. So wird die Temperatur des um das Zentrum des Lichtstrahlflecks herum liegenden Gebiets, das einen kleineren Durchmesser als der Licht strahlfleck hat, auf eine höhere Temperatur als der Umfangsteil erhöht.
Wenn die Temperatur des Gebiets in der Übertragungsschicht über eine vorbestimmte Temperatur erhöht wird, tritt in diesem Gebiet ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auf. Im Ergebnis wird durch die zwischen benachbarten Schichten unter der Ausleseschicht, der Übertragungsschicht und der Aufzeichnungsschicht ausgeübten Austauschkopplungskraft die Magnetisierungsrichtung in der Ausleseschicht in der Magnetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht ausgerichtet. Dann wird die in der Aufzeichnungsschicht aufgezeichnete Information durch die Übertragungsschicht in die Ausleseschicht kopiert. Die in die Ausleseschicht kopierte Information kann auf Grundlage von an der Ausleseschicht reflektiertem Licht abgespielt werden, was das Abspielen eines Aufzeichnungsbits mit einer Größe unter der des auf der Ausleseschicht erzeugten Lichtflecks erlaubt.
Wenn der Lichtstrahlfleck verschoben wird, um das nächste Aufzeichnungsbit abzuspielen, fällt die Temperatur des zuvor abgespielten Teils, und so erfolgt in diesem Teil ein Übergang von rechtwinkliger Magnetisierung auf in der Ebene liegende Magnetisierung. Demgemäß wird zwischen den benachbarten zwei Schichten unter der Ausleseschicht, der Übertragungsschicht und der Aufzeichnungsschicht im Teil mit einem Temperaturabfall keine Austauschkopplungskraft mehr ausgeübt. So wird die Information, die in Form einer Magnetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht aufgezeichnet ist, durch die in der Ebene liegende Magnetisierung in der Übertragungsschicht markiert. Dies bedeutet, dass das gerade kopierte Bit nicht mehr im auf der Ausleseschicht erzeugten Lichtfleck existiert. Demgemäß können Störsignale verringert werden, und es kann eine Verbesserung der Signalqualität erzielt werden.
Durch die Erfindung ist auch ein Abspielverfahren geschaffen, wie es im Anspruch 10 dargelegt ist.
Bei dieser Anordnung wird Information vom obigen magnetooptischen Aufzeichnungsträger auf Grundlage des an der Ausleseschicht reflektierten Lichts abgespielt, während ein Hilfsmagnetfeld mit höherer Intensität als der Koerzitivfeldstärke der Ausleseschicht angelegt wird. Demgemäß wird beim Abspielen, zusätzlich zum obigen Effekt, im Gebiet, in dem zwischen benachbarten zwei Schichten unter der Ausleseschicht, der Übertragungsschicht und der Aufzeichnungsschicht keine Austauschkopplungskraft ausgeübt wird, die Magnetisierungsrichtung in der Ausleseschicht in der Magnetisierungsrichtung des Hilfsmagnetfelds ausgerichtet. Im Ergebnis tritt kaum Wechselwirkung durch Signale von benachbarten Bits auf, wodurch eine Verbesserung der Signalqualität erzielt wird.
Für ein vollständigeres Verständnis der Art und der Vorteile der Erfindung ist auf die folgende detaillierte Beschreibung in Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen Bezug zu nehmen.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 bis Fig. 10 zeigen ein Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht, die schematisch die Konfiguration einer magnetooptischen Platte gemäß der Erfindung zeigt.
Fig. 2 ist eine erläuternde Ansicht, die Aufzeichnungs- und Abspielvorgänge auf und von der magnetooptischen Platte gemäß Fig. 1 zeigt.
Fig. 3 ist ein Diagramm magnetischer Phasen, das die magnetischen Eigenschaften der Übertragungsschicht in der magnetooptischen Platte gemäß Fig. 1 zeigt.
Fig. 4 ist eine erläuternde Ansicht, die die Beziehung zwischen einem an die Übertragungsschicht anzulegenden externen Magnetfeld und dem polaren Kerr-Rotationswinkel im Bereich von der Raumtemperatur - T&sub1; in Fig. 3 zeigt.
Fig. 5 ist eine erläuternde Ansicht, die die Beziehung zwischen einem an die Übertragungsschicht anzulegenden externen Magnetfeld und dem polaren Kerr-Rotationswinkel im Bereich von T&sub1; - T&sub2; in Fig. 3 zeigt.
Fig. 6 ist eine erläuternde Ansicht, die die Beziehung zwischen einem an die Übertragungsschicht anzulegenden externen Magnetfeld und dem polaren Kerr-Rotationswinkel im Bereich von T&sub2; - T&sub3; in Fig. 3 zeigt.
Fig. 7 ist eine erläuternde Ansicht, die die Beziehung zwischen einem an die Übertragungsschicht anzulegenden externen Magnetfeld und dem polaren Kerr-Rotationswinkel im Bereich von T&sub3; - Curie-Temperatur TC in Fig. 3 zeigt.
Fig. 8 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit der Curie- Temperatur (TC) und der Kompensationstemperatur (Tcomp) von GdX(Fe0,82Co0,18)1-X von der Zusammensetzung zeigt.
Fig. 9 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit der Curie- Temperatur (TC) und der Kompensationstemperatur (Tcomp) von GdXFe1-X von der Zusammensetzung zeigt.
Fig. 10 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit der Curie- Temperatur (TC) und der Kompensationstemperatur (Tcomp) von GdXCo1-X von der Zusammensetzung zeigt.
Fig. 11, die ein herkömmliches Beispiel zeigt, ist eine erläuternde Ansicht für Aufzeichnungs- und Abspielvorgänge auf und von einer magnetooptischen Platte.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Die folgende Beschreibung erörtert unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 10 ein Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Wie es in Fig. 1 dargestellt ist, besteht eine magnetooptische Platte (magnetooptischer Aufzeichnungsträger) gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel aus einem Substrat 1 (Träger), auf das ein transparenter dielektrischer Film 2, eine Ausleseschicht 3, eine Übertragungsschicht 4, eine Aufzeichnungsschicht 5, ein Schutzfilm 6 und ein Überzugsfilm 7 in dieser Reihenfolge auflaminiert sind.
Für die Ausleseschicht 3 wird ein Material verwendet, das im Temperaturbereich zwischen der Raumtemperatur und der Curie- Temperatur rechtwinklige Magnetisierung zeigt. Die Koerzitivfeldstärke bei Raumtemperatur liegt vorzugsweise im Bereich von 10-50 kA/m. Ferner liegt die Curie-Temperatur vorzugsweise im Bereich von 200-300ºC, da der polare Kerr- Rotationswinkel größer gemacht werden kann, wenn die Curie- Temperatur höher eingestellt wird.
Für die Übertragungsschicht 4 wird ein Material verwendet, das bei Raumtemperatur vorwiegend in der Ebene liegende Magnetisierung aufweist und in dem bei einer vorbestimmten Temperatur über der Raumtemperatur ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisie rung auftritt.
Für die Aufzeichnungsschicht 5 wird ein Material mit rechtwinkliger Magnetisierung im Temperaturbereich zwischen der Raumtemperatur und der Curie-Temperatur verwendet. Hierbei besteht für die Curie-Temperatur keine Beschränkung, solange sie sich innerhalb eines zum Aufzeichnen geeigneten Temperaturbereich befindet, d. h. im Bereich von 150-250ºC.
Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf die Fig. 2 Aufzeichnungs- und Abspielprozesse bei der obigen Anordnung erläutert.
Beim Aufzeichnen wird ein Lichtstrahl 9 durch eine Objektivlinse 8 auf die Ausleseschicht 3 konvergiert. Da die Temperaturverteilung des bestrahlten Teils Normalverteilung zeigt, wird nur die Temperatur im Gebiet mit einem Durchmesser unter dem Lichtfleckdurchmesser erhöht.
Beim Temperaturerhöhungsprozess tritt im Gebiet mit einem Temperaturanstieg der Übertragungsschicht 4 ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auf. Hierbei wird, wenn das Aufzeichnungsmagnetfeld angelegt wird, die Magnetisierungsrichtung im bestrahlten Teil in der Magnetisierungsrichtung des Aufzeichnungsmagnetfelds ausgerichtet. Beim Abkühlprozess wird die Magnetisierungsrichtung in der Übertragungsschicht 4 in die Aufzeichnungsschicht 5 kopiert, wodurch Information nach Wunsch in einem vorbestimmten Teil der Aufzeichnungsschicht 5 aufgezeichnet wird.
Beim Abspielen wird ein Lichtstrahl 9 mit einer Intensität unter der beim Aufzeichnen verwendeten auf einen vorbestimmten Teil der Ausleseschicht 3 nach Wunsch gestrahlt, um die Temperatur dieses Teils zu erhöhen. Wenn die Temperatur die ses Teils ansteigt, tritt im Teil der Übertragungsschicht 4 mit einem Temperaturanstieg ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auf. Im Ergebnis wird durch die Austauschkopplungskraft, wie sie zwischen benachbarten Schichten unter der Ausleseschicht 3, der Übertragungsschicht 4 und der Aufzeichnungsschicht 5 ausgeübt wird, die Magnetisierungsrichtung in der Ausleseschicht 3 in der Magnetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht 5 ausgerichtet. D. h., dass durch die Wirkung aus der Aufzeichnungsschicht 5 die Magnetisierungsrichtung in der Übertragungsschicht 4 in der Magnetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht 5 ausgerichtet wird. Ferner wird durch die Wirkung von der Übertragungsschicht 4 her die Magnetisierungsrichtung in der Ausleseschicht 3 in der Magnetisierungsrichtung in der Übertragungsschicht 4 ausgerichtet.
Wie beschrieben, wird die in der Aufzeichnungsschicht 5 aufgezeichnete Information mittels der Übertragungsschicht 4 in die Ausleseschicht 3 kopiert. Die in die Ausleseschicht 3 kopierte Information wird auf Grundlage von an der Ausleseschicht 3 reflektiertem Licht abgespielt.
Wenn der Fleck des Lichtstrahls 9 verschoben wird, um das nächste Aufzeichnungsbit abzuspielen, fällt die Temperatur im zuvor abgespielten Teil, wodurch in der Übertragungsschicht 4 ein Übergang von rechtwinkliger Magnetisierung auf in der Ebene liegende Magnetisierung auftritt. Demgemäß wird im Teil mit einem Temperaturabfall die Austauschkopplungskraft zwischen zwei benachbarten Schichten unter der Ausleseschicht 3, der Übertragungsschicht 4 und der Aufzeichnungsschicht 5 nicht mehr ausgeübt, und die Information, die in Form einer Magnetisierungsrichtung in der Aufzeichnungsschicht 5 aufgezeichnet ist, wird nicht abgespielt, da sie durch die in der Ebene liegende Magnetisierung in der Über tragungsschicht 4 maskiert ist.
Hierbei wird, wenn von einer Magnetfeld-Erzeugungsvorrichtung 15 ein Hilfsmagnetfeld mit höherer Intensität als der Koerzitivfeldstärke der Ausleseschicht 3 angelegt wird, die Magnetisierungsrichtung in der Ausleseschicht 3 in die Magnetisierungsrichtung des Hilfsmagnetfelds ausgerichtet. So wird Wechselwirkung durch Signale von benachbarten Bits, was Störsignale verursacht, beseitigt.
Wie beschrieben, kann, da nur das Gebiet mit einem Temperaturanstieg über eine vorbestimmte Temperatur einem Abspielvorgang unterzogen wird, ein Aufzeichnungsbit mit einem Durchmesser unter dem des Flecks des Lichtstrahls 9 abgespielt werden, wodurch eine deutliche Verbesserung der Aufzeichnungsdichte erzielt wird. Darüber hinaus können Störsignale verringert werden, da in anderen Gebieten als dem dem Abspielen unterzogenen Gebiet die rechtwinklige Magnetisierung in einer Richtung ausgerichtet ist, was wünschenswerte Signalqualität gewährleistet.
Nachfolgend wird ein Beispiel für die magnetooptische Platte des vorliegenden Ausführungsbeispiels angegeben.
Das Substrat 1 wird aus scheibenförmigem Glas mit einem Durchmesser von 86 mm, einem Innendurchmesser von 15 mm und einer Dicke von 1,2 mm hergestellt. Obwohl es nicht dargestellt ist, wird eine Führungsspur zum Führen eines Lichtstrahls mit einer Ganghöhe von 1,6 um, einer Grabenbreite von 0,8 um und einer Breite erhabener Bereiche von 0,8 um hergestellt.
Auf der Oberfläche des Substrats 1, auf der die Führungsspur ausgebildet ist, wird als transparenter dielektrischer Film 2 AlN mit einer Dicke von 80 nm hergestellt.
Als Ausleseschicht 3 wird ein Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierungsdünnfilm aus DyFeCo mit einer Dicke von 20 nm auf dem transparenten dielektrischen Film 2 hergestellt. Die Zusammensetzung des DyFeCo ist Dy0,14(Fe0,8Co0,2)0,86, dessen Curie-Temperatur ungefähr 250ºC beträgt. Die Koerzitivfeldstärke der Ausleseschicht 3 bei Raumtemperatur ist klein, und sie wird im Bereich von 10-50 kA/m eingestellt.
Als Übertragungsschicht 4 wird auf der Ausleseschicht 3 ein Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierungsdünnfilm aus GdFeCo mit einer Dicke von 50 nm hergestellt. Die Zusammensetzung des GdFeCo ist Gd0,26(Fe0,82Co0,18)0,74, und die Curie-Temperatur desselben beträgt ungefähr 300ºC.
Als Aufzeichnungsschicht 5 wird auf der Übertragungsschicht 4 ein Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierungsdünnfilm aus DyFeCo mit einer Dicke von 50 nm hergestellt. Die Zusammensetzung des DyFeCo ist Dy0,23(Fe0,78Co0,22)0,77, und dessen Curie-Temperatur beträgt ungefähr 200ºC.
Als Schutzfilm 6 wird auf der Aufzeichnungsschicht 5 AlN mit einer Dicke von 20 nm hergestellt.
Als Überzugsfilm 7 wird auf dem Schutzfilm 6 ein durch Ultraviolettstrahlung härtbares Harz aus der Polyurethanacrylat-Reihe mit einer Dicke von 5 um hergestellt.
Wie es im Diagramm für magnetische Phasen in Fig. 3 dargestellt ist, ist der Zusammensetzungsbereich, in dem die für die Übertragungsschicht 4 verwendete Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierung rechtwinklige Magnetisierung aufweist (in der Figur mit A dargestellt) extrem schmal. Dies, da die rechtwinklige Magnetisierung nur in der Nähe einer Kompensationszusammensetzung (durch P in der Figur dargestellt) auf tritt, wo das magnetische Moment des Seltenerdmetalls und das magnetische Moment des Übergangsmetalls miteinander im Gleichgewicht stehen.
Die jeweiligen magnetischen Momente des Seltenerdmetalls und des Übergangsmetalls haben voneinander verschiedene Temperaturabhängigkeiten. Genauer gesagt, ist das magnetische Moment des Übergangsmetalls bei hoher Temperatur größer als das des Seltenerdmetalls. So wird die Zusammensetzung der Legierung so eingestellt, dass der Gehalt an Seltenerdmetall größer als in der Kompensationszusammensetzung bei Raumtemperatur ist, so dass die Legierung bei Raumtemperatur keine rechtwinklige Magnetisierung sondern in der Ebene liegende Magnetisierung aufweist. Wenn ein Lichtstrahl eingestrahlt wird und die Temperatur des durch den Lichtstrahl bestrahlten Teils ansteigt, wird das magnetische Moment des Übergangsmetalls relativ größer, bis es mit dem des Seltenerdmetalls im Gleichgewicht steht, wodurch rechtwinklige Magnetisierung vorliegt.
Die Fig. 4 bis 7 zeigen ein Beispiel für die Hysteresecharakteristik der Übertragungsschicht 4. In den Figuren kennzeichnet die x-Achse ein externes Magnetfeld (Hex), das rechtwinklig zur Oberfläche der Übertragungsschicht 4 anzulegen ist, und die y-Achse gibt den polaren Kerr-Rotationswinkel (Θk) an, wenn ein Lichtstrahl rechtwinklig auf die Oberfläche der Übertragungsschicht 4 fällt.
Fig. 4 zeigt die Hysteresecharakteristik der Übertragungsschicht 4 im Temperaturbereich von der Raumtemperatur - T&sub1;, wobei die Übertragungsschicht 4 die Zusammensetzung aufweist, die im Diagramm magnetischer Phasen in Fig. 3 durch P gekennzeichnet ist. Die Fig. 5 bis 7 zeigen jeweilige Hysteresecharakteristiken in den Temperaturbereichen T&sub1; - T&sub2;; T&sub2; - T&sub3; und T&sub3; - Curie-Temperatur TC.
Im Temperaturbereich T&sub1; - T&sub3; zeigt die Übertragungsschicht 4 eine solche Hysteresecharakteristik, dass abhängig vom externen Magnetfeld ein plötzlicher Anstieg des Kerr-Rotationswinkels auftritt. In anderen Temperaturbereichen ist jedoch der polare Kerr-Rotationswinkel, wenn kein externes Magnetfeld angelegt wird, im Wesentlichen Null.
Innerhalb der Kombination der Ausleseschicht 3, der Übertragungsschicht 4 und der Aufzeichnungsschicht 5 zeigt die Übertragungsschicht 4 bei Raumtemperatur vorwiegend in der Ebene liegende Magnetisierung (d. h. in einer Richtung parallel zur Übertragungsschicht 4), und in der Übertragungsschicht 4 tritt im Temperaturbereich von 100-125ºC ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auf.
Diese magnetooptische Platte wurde auf die folgende Weise hergestellt.
Die Führungsspur wurde durch ein reaktives Ionenätzverfahren unmittelbar auf der Oberfläche des Glassubstrats 1 hergestellt.
Der transparente dielektrische Film 2, die Ausleseschicht 3, die Übertragungsschicht 4, die Aufzeichnungsschicht 5 und der Schutzfilm 6 wurden aufeinanderfolgend durch ein Sputterverfahren im Vakuum in einer üblichen Sputtervorrichtung hergestellt. AlN zur Verwendung sowohl im transparenten dielektrischen Film 2 als auch im Schutzfilm 6 wurde durch ein reaktives Sputterverfahren hergestellt, bei dem das Sputtern eines Al-Targets in N&sub2;-Gasatmosphäre ausgeführt wurde. Die Ausleseschicht 3, die Übertragungsschicht 4 und die Aufzeichnungsschicht 5 wurden durch Sputtern eines Verbundtargets hergestellt, bei dem ein Gd-Stück oder ein Dy-Stück auf einem FeCo-Legierungstarget angeordnet war, oder durch Sputtern eines Targets einer ternären Legierung aus GdFeCo und DyFeCo unter Verwendung von Ar-Gas.
Der Überzugsfilm 7 wurde dadurch hergestellt, dass ein durch Ultraviolettstrahlung härtbares Harz aus der Polyurethanacrylat-Reihe durch eine Schleuderbeschichtungsmaschine aufgetragen wurde und danach Ultraviolettstrahlung von einer Ultraviolettstrahlung-Projektionsvorrichtung zum Härten desselben eingestrahlt wurde.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist DyFeCo als Material für die Ausleseschicht 3 verwendet. Jedoch kann z. B. auch TbFeCo, GdTbFe, NdDyFeCo, GdDyFeCo oder GdTbFeCo verwendet werden.
Außerdem kann durch geringfügiges Hinzufügen mindestens eines aus der aus Nd, Pt, Pr und Pd bestehenden Gruppe ausgewählten Elements zu den obigen Materialien ein größerer Kerr-Rotationswinkel bei kürzerer Wellenlänge erzielt werden, und zwar beinahe ohne ein Verlieren von Eigenschaften, wie sie für die Ausleseschicht 3 erforderlich sind. Im Ergebnis kann eine magnetooptische Platte erhalten werden, die selbst dann für ein Abspielsignal hoher Qualität sorgt, wenn ein Halbleiterlaser mit kurzer Wellenlänge verwendet wird.
Obwohl die geeignete Filmdicke für die Ausleseschicht 3 abhängig vom Material, der zugehörigen Zusammensetzung und der Filmdicke der Übertragungsschicht 4 variiert, wird sie vorzugsweise im Bereich von 20-50 nm eingestellt.
Für die Zusammensetzung des in der Übertragungsschicht 4 verwendeten GdFeCo besteht keine Beschränkung auf Gd0,26(Fe0,82Co0,18)0,74, solange diese Übertragungsschicht 4 bei Raumtemperatur vorwiegend in der Ebene liegende Magne tisierung zeigt und bei einer vorbestimmten Temperatur über der Raumtemperatur ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung in ihr auftritt. Hinsichtlich der Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierung kann durch Variieren des Verhältnisses des Seltenerdmetalls zum Übergangsmetall die Zusammensetzungstemperatur, bei der das magnetische Moment des Seltenerdmetalls und das magnetische Moment des Übergangsmetalls im Gleichgewicht stehen, eingestellt werden. Da GdFeCo aus einer Materialreihe herrührt, die in der Nähe ihrer Kompensationstemperatur rechtwinklige Magnetisierung aufweist, kann die Temperatur, bei der ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auftritt, durch Ändern der Kompensationstemperatur eingestellt werden, was durch Einstellen des Verhältnisses von Gd zu FeCo erfolgt.
Fig. 8 zeigt Versuchsergebnisse für die Kompensationstemperatur und die Curie-Temperatur für den Zusammensetzungsanteil X in GdX(Fe0,82Co0,18)1-X, d. h., wenn der Gehalt an Gd variiert wird.
Wie es aus der Fig. 8 deutlich ist, ist im Kompensationszusammensetzungsbereich, in dem die Kompensationstemperatur eine vorbestimmte Temperatur über der Raumtemperatur (25ºC) ist, der Zusammensetzungsanteil X auf 0,18 oder höher eingestellt, und er ist vorzugsweise so eingestellt, dass die Ungleichung 0,19 < X < 0,29 erfüllt ist. Dies, da dann, wenn der Zusammensetzungsanteil X innerhalb des obigen Bereichs eingestellt wird, bei der Konfiguration, bei der die Ausleseschicht 3, die Übertragungsschicht 4 und die Aufzeichnungsschicht 5 aufeinanderlaminiert sind, die Temperatur, bei der ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auftritt, in einen gewünschten Bereich zwischen der Raumtemperatur und ungefähr 200ºC fällt. Wenn die obige Temperatur zu hoch wird, tritt die Möglichkeit auf, dass die Laserleistung zu Abspielzwecken höher als die Laserleistung zu Aufzeichnungszwecken wird und so die in der Aufzeichnungsschicht 5 aufgezeichnete Information zerstört werden kann.
Nachfolgend wird eine Änderung der Eigenschaften (Kompensationstemperatur und Curie-Temperatur) für den Fall erläutert, dass das Verhältnis von Fe zu Co in der GdFeCo-Reihe variiert wird, d. h., dass der Zusammensetzungsanteil Y in GdX(Fe1-YCoY)1-x variiert wird.
Fig. 9 zeigt die Eigenschaften von GdX(Fe1-YCoY)1-X, wenn Y = 0 gilt, d. h. die Eigenschaften von GdXFe1-X. Wenn z. B. X = 0,3 für den Anteil von Gd gilt, beträgt die Kompensationstemperatur ungefähr 120ºC und die Curietemperatur ungefähr 200ºC.
Fig. 10 zeigt die Eigenschaften von GdX(Fe1-YCoY)1-X, wenn Y = 1 gilt, d. h. die Eigenschaften von GdXCo1-X. Wenn z. B. X = 0,3 für den Anteil von Gd gilt, beträgt die Kompensationstemperatur ungefähr 220ºC und die Curietemperatur ungefähr 400ºC.
Wie es erkennbar ist, nehmen beim selben Gehalt an Gd die Kompensationstemperatur und die Curie-Temperatur zu, wenn der Gehalt an Co zunimmt.
Gemäß den Fig. 9 und 10 wird der Zusammensetzungsanteil Y in GdX(Fe1-YCoY)1-X vorzugsweise so eingestellt, dass die folgende Ungleichung gilt:
0,1 < Y < 0,5.
Selbstverständlich werden die Eigenschaften der Übertragungsschicht 4, wie die Temperatur, bei der ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Mag netisierung auftritt, durch die Materialien, ihre Anteile und die Filmdicken der Ausleseschicht 3 und der Aufzeichnungsschicht 5 beeinflusst. Dies, da zwischen der Ausleseschicht 3 und der Aufzeichnungsschicht 5 magnetisch eine Austauschkopplungskraft ausgeübt wird. Daher differieren die zweckdienliche Zusammensetzung des in der Übertragungsschicht 4 verwendeten Materials und die Filmdicke der Übertragungsschicht 4 abhängig von den Materialien, deren Zusammensetzungen und den Filmdicken der Ausleseschicht 3 und der Aufzeichnungsschicht 5.
Als optimales Material für die Übertragungsschicht 4 wird bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausführungsbeispiels GdFeCo verwendet, bei dem ein plötzlicher Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auftritt. Wenn jedoch andere Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierungen (die später beschrieben werden) verwendet werden, kann dieselbe Wirkung erzielt werden.
GdXFe1-X zeigt die in Fig. 9 dargestellten Eigenschaften, und wenn der Zusammensetzungsanteil X der Ungleichung 0,24 < X < 0,35 genügt, liegt eine Kompensationstemperatur bei einer vorbestimmten Temperatur über der Raumtemperatur vor.
GdXCo1-X zeigt die in Fig. 10 dargestellten Eigenschaften, und wenn der Zusammensetzungsanteil X der Ungleichung 0,20 < X < 0,35 genügt, liegt eine Kompensationstemperatur bei einer vorbestimmten Temperatur über der Raumtemperatur vor.
Wenn als Übergangsmetall eine FeCo-Legierung verwendet wird, zeigt TbX(FeyCo1-Y)1-X eine Kompensationstemperatur bei einer vorbestimmten Temperatur über der Raumtemperatur, wenn der Zusammensetzungsanteil X der Ungleichung 0,20 < X < 0,30 genügt (Y wird beliebig gewählt). DyX(FeyCo1-Y)1-X zeigt eine Kompensationstemperatur bei einer vorbestimmten Temperatur über der Raumtemperatur, wenn der Zusammensetzungsanteil X der Ungleichung 0,24 < X < 0,33 genügt (Y wird beliebig gewählt). HoX(FeyCo1-Y)1-X zeigt eine Kompensationstemperatur bei einer vorbestimmten Temperatur über der Raumtemperatur, wenn der Zusammensetzungsanteil X der Ungleichung 0,25 < X < 0,45 genügt (Y wird beliebig gewählt).
Beim Ausführungsbeispiel ist die Filmdicke der Übertragungsschicht 4 auf 50 nm eingestellt. Jedoch besteht keine Beschränkung auf die obige Dicke. Wie es bereits erläutert wurde, werden die magnetischen Eigenschaften der Übertragungsschicht 4 durch die Ausleseschicht 3 und die Aufzeichnungsschicht 5 beeinflusst, und so differiert die zweckdienliche Dicke der Übertragungsschicht 4 abhängig vom Material, der zugehörigen Zusammensetzung und der Filmdicke jeder Schicht. Jedoch ist für die Übertragungsschicht 4 eine Filmdicke von mindestens 20 nm erforderlich, und bevorzugter wird sie auf über 50 nm eingestellt. Andererseits kann, wenn die Übertragungsschicht 4 zu dick ist, die in der Aufzeichnungsschicht 5 aufgezeichnete Information nicht in die Übertragungsschicht 4 kopiert werden. So wird sie vorzugweise unter 100 nm eingestellt.
Hinsichtlich des Materials für die Aufzeichnungsschicht 5 kann ein Material gewählt werden, das im Temperaturbereich zwischen der Raumtemperatur und der Curie-Temperatur rechtwinklige Magnetisierung aufweist und eine Curie-Temperatur zeigt, die für Aufzeichnungsvorgänge geeignet ist (d. h. ungefähr im Bereich von 150-250ºC). Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist DyFeCo als Material für die Aufzeichnungsschicht 5 verwendet. Da DyFeCo ein Material mit kleiner Anisotropie der rechtwinkligen Magnetisierung ist, kann unter Verwendung von DyFeCo ein gewünschter Aufzeichnungsvorgang selbst mit einem externen Magnetfeld geringer Stärke ausgeführt werden.
Andere geeignete Materialien für die Aufzeichnungsschicht 5 sind TbFeCo, GdTbFe, NdDyFeCo, GdDyFeCo und GdTbFeCo. Außerdem kann durch Hinzufügen mindestens eines aus der aus Cr, V, Nb, Mn, Be und Ni bestehenden Gruppe ausgewählten Elements zu den obigen Materialien ein zuverlässiges Funktionsvermögen der Aufzeichnungsschicht 5 für eine längere Zeitspanne gewährleistet werden. Die geeignete Dicke der Aufzeichnungsschicht 5 ist durch das Material, die zugehörige Zusammensetzung und die Filmdicke der Übertragungsschicht 4 bestimmt, und sie wird vorzugsweise im Bereich 20-100 nm eingestellt.
Für die Dicke des AlN (transparenter dielektrischer Film 2) besteht keine Beschränkung auf 80 nm.
Die Dicke des transparenten dielektrischen Films 2 wird unter Berücksichtigung einer sogenannten Verstärkung des Kerr- Effekts bestimmt, gemäß dem der polare Kerr-Rotationswinkel der Ausleseschicht 3 unter Ausnutzung des Interferenzeffekts von Licht beim Abspielen von der magnetooptischen Platte erhöht wird. Um die Signalqualität (T/R) beim Abspielen so hoch wie möglich zu machen, wird der Kerr-Rotationswinkel so groß wie möglich eingestellt. So wird die Filmdicke des transparenten dielektrischen Films 2 so eingestellt, dass der polare Kerr-Rotationswinkel maximiert wird.
Die Filmdicke variiert abhängig von der Wellenlänge des Abspiellichts und dem Brechungsindex des transparenten dielektrischen Films 2. Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist AlN als Material für den transparenten dielektrischen Film 2 verwendet, das einen Brechungsindex von 2,0 für Abspiellicht mit einer Wellenlänge von 780 nm aufweist. So kann durch Einstellen der Filmdicke von AlN (des transparenten dielek trischen Films 2) innerhalb eines Bereichs von 30-120 nm eine große Verstärkung des Kerr-Effekts erzielt werden. Bevorzugter wird die Filmdicke von AlN im Bereich von 70-100 nm eingestellt, da dann der polare Kerr-Rotationswinkel beinahe maximiert ist.
Die obige Erläuterung erfolgte für den Fall von Abspiellicht mit einer Wellenlänge von 780 nm. Jedoch ist die Wellenlänge des Abspiellichts nicht hierauf beschränkt. Wenn z. B. Abspiellicht mit einer Wellenlänge von 400 nm, was im Wesentlichen 1/2 der obigen Wellenlänge von 780 nm ist, verwendet wird, wird die Dicke des transparenten dielektrischen Films 2 vorzugsweise auf 1/2 der Filmdicke bei Verwendung von Abspiellicht mit einer Wellenlänge von 780 nm eingestellt.
Außerdem kann der Brechungsindex des transparenten dielektrischen Films 2 abhängig vom für ihn verwendeten Material oder abhängig vom Herstellverfahren für diesen transparenten dielektrischen Film 2 geändert werden. In diesem Fall wird die Dicke des transparenten dielektrischen Films 2 so eingestellt, dass Brechungsindex x Filmdicke (= Länge des optischen Pfads) konstant ist.
Wie es aus der obigen Erläuterung erkennbar ist, kann die Filmdicke des transparenten dielektrischen Films 2 kleiner gemacht werden, wenn der Brechungsindex desselben erhöht wird, und es kann ein größerer Verstärkungseffekt für den polaren Kerr-Rotationswinkel erzielt werden.
Der Brechungsindex von AlN wird durch Ändern des Verhältnisses von Ar zu N&sub2; (beim Sputtern verwendetes Sputtergas), des Gasdrucks usw. geändert. Im Allgemeinen zeigt AlN einen relativ großen Brechungsindex ungefähr im Bereich von 1,8- 2,1, und so ist es ein geeignetes Material für den transparenten dielektrischen Film 2.
Der transparente dielektrische Film 4 dient nicht nur zu einer Verstärkung des Kerr-Effekts, sondern er verhindert auch eine Oxidation der Ausleseschicht 3, der Übertragungsschicht 4 und der Aufzeichnungsschicht 5, die magnetische Schichten aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierung sind, wie dies auch der Schutzfilm 6 tut.
Eine magnetische Schicht aus einem Seltenerdmetall-Übergangsmetall wird wahrscheinlich oxidiert, und insbesondere ist es sehr wahrscheinlich, dass das Seltenerdmetall oxidiert wird. Daher muss das Einbringen von Sauerstoff und Feuchtigkeit von außen verhindert werden, um eine Beeinträchtigung der Eigenschaften der Schichten zu verhindern.
Daher werden die Ausleseschicht 3, die Übertragungsschicht 4 und die Aufzeichnungsschicht 5 beim vorliegenden Ausführungsbeispiel durch die AlN-Filme eingebettet. Da der AlN- Film ein Nitridfilm ist, der keinen Sauerstoff enthält, ist seine Feuchtigkeitsbeständigkeit hoch.
Ferner ist AlN, das einen großen Brechungsindex (in der Nähe von 2) aufweist, transparent, und es enthält keinen Sauerstoff. So kann unter Verwendung von AlN Stabilität einer magnetooptischen Platte für eine lange Zeitspanne gewährleistet werden. Außerdem kann unter Verwendung eines Al-Targets ein reaktiver DC(Gleichstrom)-Sputtervorgang durch Einleiten von N&sub2;-Gas oder eines Mischgases von Ar und N&sub2; ausgeführt werden. Bei diesem Sputterverfahren kann eine höhere Filmbildungsgeschwindigkeit als bei einem HF(Hochfrequenz)- Sputterverfahren erzielt werden.
Neben AlN sind die folgenden Materialien mit großem Brechungsindex für den transparenten dielektrischen Film 2 geeignet: SiN, AlSiN, AlTaN, SiAlON, TiN, TiON, BN, ZnS, TiO&sub2;, BaTiO&sub3;, SrTiO&sub3; usw.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Filmdicke des im Schutzfilm 6 verwendeten AlN auf 20 nm eingestellt. Jedoch besteht für die Filmdicke des Schutzfilms 6 keine Beschränkung hierauf, sondern sie wird vorzugsweise im Bereich von 1-200 nm eingestellt.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Dicke der magnetischen Schicht, die aus den Filmdicken der aufeinander laminierten Ausleseschicht 3, der Übertragungsschicht 4 und der Aufzeichnungsschicht 5 zusammengesetzt ist, auf 120 nm eingestellt. Bei dieser Dicke wird kaum Licht durch die magnetische Schicht gestrahlt, das vom optischen Aufnehmer auf sie fällt. Daher ist die Filmdicke des Schutzfilms 6 nicht spezifiziert, solange eine Oxidation des Films für eine lange Zeitspanne verhindert werden kann. Genauer gesagt, sollte die Filmdicke hoch sein, wenn ein Material mit niedriger Oxidationsbeständigkeit verwendet wird; andererseits sollte die Filmdicke gering sein, wenn ein Material mit hoher Oxidationsbeständigkeit verwendet wird.
Die thermische Leitfähigkeit des Schutzfilms 6 beeinflusst die Aufzeichnungsempfindlichkeit der magnetooptischen Platte, wie dies auch hinsichtlich der Wärmeleitfähigkeit des transparenten dielektrischen Films 2 gilt. Genauer gesagt, repräsentiert die Aufzeichnungsempfindlichkeit die zum Aufzeichnen oder Löschen erforderliche Laserleistung. Das auf die magnetooptische Platte fallende Licht wird hauptsächlich durch den transparenten dielektrischen Film 2 hindurchgestrahlt. Dann wird es durch die Ausleseschicht 3, die Übertragungsschicht 4 und die Aufzeichnungsschicht 5 absorbiert, die als absorbierende Filme wirken, und es wird in Wärme umgesetzt. Hierbei läuft die in der Ausleseschicht 3, der Übertragungsschicht 4 und der Aufzeichnungsschicht 5 erzeugte Wärme durch Wärmeleitung im transparenten dielektrischen Film 2 und im Schutzfilm 6. Daher beeinflussen die jeweiligen Wärmeleitfähigkeiten und die Wärmekapazitäten (spezifi sche Wärme) des transparenten dielektrischen Films 2 und des Schutzfilms 6 die Aufzeichnungsempfindlichkeit.
Dies bedeutet, dass die Aufzeichnungsempfindlichkeit der magnetooptischen Platte in gewissem Ausmaß dadurch eingestellt werden kann, dass die Filmdicke des Schutzfilms 6 eingestellt wird. Wenn z. B. die Filmdicke des Schutzfilms 6 kleiner gemacht wird, kann die Aufzeichnungsempfindlichkeit erhöht werden (ein Aufzeichnungs- oder Löschvorgang kann unter Verwendung geringerer Laserleistung ausgeführt werden). Normalerweise ist es bevorzugt, über relativ hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit zu verfügen, um die Lebensdauer des Lasers zu verlängern, und aus diesem Grund ist ein dünnerer Schutzfilm 6 bevorzugt.
In diesem Sinne ist auch AlN ein geeignetes Material. Wegen seiner hervorragenden Feuchtigkeitsbeständigkeit kann unter Verwendung von AlN im Schutzfilm 6 die Filmdicke verringert werden. So kann eine magnetooptische Platte erhalten werden, die hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit gewährleistet.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist AlN sowohl im Schutzfilm 6 als auch im transparenten dielektrischen Film 2 verwendet. Daher verfügt die erfindungsgemäße magnetooptische Platte über hervorragende Feuchtigkeitsbeständigkeit. Darüber hinaus kann die Produktivität für magnetooptische Platten verbessert werden, da im transparenten dielektrischen Film 2 und im Schutzfilm 6 dasselbe Material verwendet ist. Wie beschrieben, verfügt AlN über hervorragende Feuchtigkeitsbeständigkeit, und demgemäß kann der AlN-Film relativ dünn (20 nm) eingestellt werden. Ein dünnerer Film ist auch für die Produktivität bevorzugt.
Unter Berücksichtigung des obigen Ziels und der Wirkung sind neben AlN die folgenden Materialien für den Schutzfilm 6 geeignet, die auch als Materialien für den transparenten dielektrischen Film 2 verwendbar sind: SiN, AlSiN, AlTaN, SiAlON, TiN, TiON, BN, ZnS, TiO&sub2;, BaTiO&sub3; und SrTiO&sub3;.
Außerdem kann unter Verwendung desselben Materials im Schutzfilm 6 und im transparenten dielektrischen Film 2 die Produktivität verbessert werden.
Insbesondere dann, wenn SiN, AlSiN, AlTaN, TiN, BN oder ZnS verwendet wird, die keinen Sauerstoff enthalten, kann eine magnetooptische Platte mit hervorragender Feuchtigkeitsbeständigkeit erhalten werden.
Neben Glas kann chemisch getempertes Glas als Material für das Substrat 1 verwendet werden. Alternativ kann für das Substrat 1 Folgendes verwendet werden: ein geschichtetes 2P- Glassubstrat, bei dem ein durch Ultraviolettstrahlung härtbarer Harzfilm auf einem Substrat aus Glas oder chemisch getemperten Glas hergestellt ist, Polycarbonat (PC), Polymethylmethacrylat (PMMA), amorphes Polyolefin (APO), Polystyrol (PS), Polybiphenylchlorid (PVC), Epoxidharz usw.
Wenn als Material für das Substrat 1 chemisch getempertes Glas verwendet wird, können die folgenden Vorteile erzielt werden: hervorragende mechanische Eigenschaften (im Fall einer magnetooptischen Platte: Schwingungen, Exzentrizität, Verwindung, Verkippung usw.); die Härte des Substrats 1 wird groß und demgemäß besteht keine Wahrscheinlichkeit, dass die Platte durch anhaftenden Staub oder Sand verkratzt wird; durch chemische Stabilität ist es nicht wahrscheinlich, dass ein Auflösen in verschiedenen Arten von Lösungsmitteln erfolgt; es besteht keine Wahrscheinlichkeit, dass Sand oder Staub am Substrat 1 anhaften, da es im Vergleich mit einem Kunststoffsubstrat schwierig aufzuladen ist; da es chemisch getempert ist, wird es nicht leicht zerstört; die Feuchtig keitsbeständigkeit, die Oxidationsbeständigkeit und die thermische Beständigkeit können verbessert werden, und so kann ein zuverlässiges Funktionsvermögen des magnetooptischen Aufzeichnungsträgers für eine lange Zeitspanne gewährleistet werden; und durch hervorragende optische Eigenschaften kann ein Signal hoher Qualität gewährleistet werden.
Außerdem kann, wenn als Material für das Substrat 1 Glas oder chemisch getempertes Glas verwendet wird, als Verfahren zum Herstellen einer Führungsspur zum Führen eines Lichtstrahls und zum Herstellen eines Signals, das als Vorabvertiefung bezeichnet wird und vorab auf dem Substrat 1 zum Aufzeichnen eines Adressensignals usw. hergestellt wird, das reaktive Trockenätzverfahren verwendet werden, das auf der Oberfläche des Glassubstrats 1 auszuführen ist. Alternativ wird, nachdem ein als 2P-Schicht bezeichnetes durch Ultraviolettstrahlung härtbares Harz auf das Glassubstrat 1 aufgetragen wurde, ein als Formwerkzeug bezeichneter Stempel auf die Harzschicht aufgedrückt. Nachdem das Harz durch Einstrahlen von Ultraviolettstrahlung auf dasselbe gehärtet wurde, wird der Stempel entfernt, um dadurch eine Führungsspur und eine Vorabvertiefung in der Harzschicht auszubilden.
Wenn PC als Material für das Substrat 1 verwendet wird, können die folgenden Vorteile erzielt werden. Da Spritzgießen möglich ist, ist eine Massenherstellung für dasselbe Substrat 1 möglich, und demgemäß können die Herstellkosten verringert werden; da geringe Feuchtigkeitabsorption im Vergleich mit anderen Kunststoffen vorliegt, kann zuverlässiges Funktionsvermögen einer magnetooptischen Platte für eine längere Zeitspanne gewährleistet werden; außerdem können hervorragende Wärmebeständigkeit und Schlagfestigkeit erzielt werden. Außerdem können, Materialien, einschließlich PC, die Spritzgießen ermöglichen, die Führungsspur, die Vor abvertiefung usw. gleichzeitig auf der Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet werden, wenn ein Formen nur durch Anbringen des Stempels am Metall-Formwerkzeug beim Spritzgießen erfolgt.
Beim obigen Ausführungsbeispiel sind die Ausleseschicht 3, die Übertragungsschicht 4 und die Aufzeichnungsschicht 5 zwischen den transparenten dielektrischen Film 2 und dem Schutzfilm 6 eingebettet, die aus transparenten dielektrischen Substanzen bestehen. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Anordnung beschränkt. Z. B. kann sie so angeordnet sein, dass zwischen dem Schutzfilm 6 und dem Überzugsfilm 7, die aus transparenten dielektrischen Substanzen bestehen, ein Reflexionsfilm (nicht dargestellt) vorhanden ist. Alternativ kann sie so ausgebildet sein, dass ein Strahlungsfilm (nicht dargestellt) zwischen dem Schutzfilm 6 und dem Überzugsfilm 7 vorhanden ist, die aus transparenten dielektrischen Substanzen bestehen.
Für das vorliegende Ausführungsbeispiel erfolgten die Erläuterungen für den Fall einer magnetooptischen Platte als magnetooptischem Aufzeichnungsträger. Jedoch ist die Erfindung nicht hierauf beschränkt. Z. B. kann auch ein magnetooptisches Band, eine magnetooptische Karte usw. verwendet werden. Im Fall eines magnetooptischen Bands wird anstelle des Substrats 1 vorzugsweise ein bandförmiger Träger (Träger) verwendet.
Während die Erfindung in Zusammenhang mit speziellen Ausführungsbeispielen derselben offenbart wurde, ist es ersichtlich, dass für den Fachmann viele Alternativen, Modifizierungen und Variationen angesichts der vorstehenden Beschreibung erkennbar sind. Demgemäß sollen alle derartigen Alternativen, Modifizierungen und Variationen, die in den Schutzumfang der beigefügten Ansprüche fallen, umfasst sein.

Claims

1. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger mit:

- einem Träger (1);

- einer auf diesem Träger (1) hergestellten Ausleseschicht (3), die im Temperaturbereich zwischen der Raumtemperatur und der Curie-Temperatur rechtwinklige Magnetisierung aufweist;

- einer Übertragungsschicht (4), die auf der Ausleseschicht (3) hergestellt ist und bei Raumtemperatur vorwiegend in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt, und in der bei einer vorbestimmten Temperatur über der Raumtemperatur ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auftritt; und

- einer Aufzeichnungsschicht (5), die auf der Übertragungsschicht (4) hergestellt ist und im Temperaturbereich zwischen der Raumtemperatur und der Curie-Temperatur rechtwinklige Magnetisierung aufweist;

dadurch gekennzeichnet, dass die Curie-Temperatur der Übertragungsschicht (4) höher als die Curie-Temperaturen der Ausleseschicht (3) und der Aufzeichnungsschicht (5) ist.

2. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, ferner mit:

- einem transparenten dielektrischen Film (2), der zwischen dem Träger (1) und der Ausleseschicht (3) hergestellt ist;

- einem Schutzfilm (6), der auf der Aufzeichnungsschicht (5) hergestellt ist; und

- einem Überzugsfilm (7), der auf dem Schutzfilm (6) hergestellt ist.

3, Magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, bei dem die Übertragungsschicht (4) aus GdX(Fe1-YyCoY)1-X besteht, wobei die Zusammensetzungsanteile X und Y den folgenden Ungleichungen genügen: 0,18 ≤ X bzw. 0,1 < Y < 0,5.

4. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, bei dem die Übertragungsschicht (4) aus GdXFe1-X besteht, wobei der Zusammensetzungsanteil X der folgenden Ungleichung genügt: 0,24 < X < 0,35.

5. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, bei dem die Übertragungsschicht (4) aus GdXCo1-X besteht, wobei der Zusammensetzungsanteil X der folgenden Ungleichung genügt: 0,20 < X < 0,30.

6. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, bei dem die Übertragungsschicht (4) aus TbX(Fe1-YCoY)1-X besteht, wobei die Zusammensetzungsanteile X und Y den folgenden Ungleichungen genügen: 0,20 < X < 0,30 bzw. 0 < Y > 1.

7. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, bei dem die Übertragungsschicht (4) aus DyX(Fe1-YCoY)1-X besteht, wobei die Zusammensetzungsanteile X und Y den folgenden Ungleichungen genügen: 0,24 < X < 0,34 bzw. 0 < Y > 1.

3. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 2, bei dem die Übertragungsschicht (4) aus HoX(Fe1-YCoY)1-X besteht, wobei die Zusammensetzungsanteile X und Y den folgenden Ungleichungen genügen: 0,25 < X < 0,45 bzw. 0 < Y > 1.

9. Magnetooptischer Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 3, 4, 5, 6, 7 oder 8, bei dem die Filmdicke der Übertragungsschicht (4) im Bereich von 20 nm bis 100 nm liegt.

10. Verfahren zum Abspielen von einem magnetooptischen Aufzeichnungsträger mit einem Träger (1), einer auf diesem Träger (1) hergestellten Ausleseschicht (3), die im Temperaturbereich zwischen der Raumtemperatur und der Curie-Temperatur rechtwinklige Magnetisierung zeigt, einer auf der Ausleseschicht (3) hergestellten Übertragungsschicht (4), die bei Raumtemperatur vorwiegend in der Ebene liegende Magnetisierung zeigt und in der bei einer vorbestimmten Temperatur über der Raumtemperatur ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auftritt, und einer auf der Übertragungsschicht (4) hergestellten Aufzeichnungsschicht (5) mit rechtwinkliger Magnetisierung im Temperaturbereich zwischen der Raumtemperatur und der Curie-Temperatur, wobei die Curie-Temperatur der Übertragungsschicht (4) höher als die Curie-Temperaturen der Ausleseschicht (3) und der Aufzeichnungsschicht (5) ist, wobei das Abspielverfahren die folgenden Schritte aufweist:

- Einstrahlen eines Lichtstrahls auf die Ausleseschicht (3) von der Seite des Trägers (1) des magnetooptischen Aufzeichnungsträgers her in solcher Weise, dass in der Übertragungsschicht (4) ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisierung auftritt; und

- Abspielen von Information auf Grundlage von an der Ausleseschicht (3) reflektiertem Licht, während ein Hilfsmagnetfeld mit einer Intensität über der Koerzitivfeldstärke der Ausleseschicht (3) angelegt wird.