DE69201923T2

DE69201923T2 - Gerät und Verfahren zum Einbrennen.

Info

Publication number: DE69201923T2
Application number: DE69201923T
Authority: DE
Inventors: Tatsuya Hashinaga; Masanori Nishiguchi
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1991-07-19
Filing date: 1992-07-17
Publication date: 1995-10-05
Anticipated expiration: 2012-07-18
Also published as: MY131275A; KR960003989B1; AU657976B2; EP0523735A1; US5414370A; US5327075A; EP0523735B1; DE69201923D1; AU2033592A; KR930003443A; CA2073886A1

Description

Hintergrund der Erfindung

(Gebiet der Erfindung)

Diese Erfindung betrifft eine Einbrennvorrichtung und ein Einbrennverfahren, die bei Einbrennprüfungen (Hochtemperaturbetriebsprüfungen) verwendet werden, in denen zu prüfende Halbleitervorrichtungen mit Temperaturbelastungen beaufschlagt und elektrisch belastet werden.

(Zugehöriger Stand der Technik)

Einbrennprüfungen sind wesentlich für die Abschätzung der Lebensdauer von Halbleitervorrichtungen, sowie für die Ermittlung von Anfangs- oder Frühausfällen bei Ausleseverfahren. Im allgemeinen erfolgt eine Einbrennprüfung unter Verwendung von Einbrennplatten 10 aus FIG. 1 und einer Einbrennprüfkammer 12 aus FIG. 2. Jede Einbrennplatte 10 schließt eine Platte 14 aus einem hitzebeständigen Kunstharz oder dergleichen ein. Diese Platte 14 weist eine Mehrzahl von Fassungen 16 auf, die zur Aufnahme von DUTs (Devices Under Test/Vorrichtungen, die einer Prüfung unterzogen werden) oder Halbleitervorrichtungen (nicht dargestellt) darauf vorgesehen sind, sowie äußere Anschlüsse 18, die für die elektrische Verbindung nach außen auf einem Ende der Platte 14 vorgesehen sind. Die Platte 14 weist einen Griff 20 auf, der zur Handhabung der Einbrennplatte 10 durch eine Bedienungsperson am entgegengesetzten Ende vorgesehen ist. Die Anschlüsse (nicht dargestellt) der Fassungen 16 sind durch Verdrahtungen 22 (in FIG. 1 teilweise dargestellt) auf der Platte 14 mit den äußeren Anschlüssen 18 verbunden.
Derartige Einbrennplatten 10 werden in die Einbrennprüfkammer 12 eingesetzt, wie in FIG. 2 dargestellt. Insbesondere umfaßt die Einbrennprüfkammer 12 einen Kastenkörper 24 als Grundkörper, einen durch einen Scharniermechanismus 28 am Kasten 24 befestigten Deckel 26, sowie einen im Kastenkörper 24 vorgesehenen Plattenstecker 30. Der Plattenstecker 30 weist Schlitze 32 zur Aufnahme der Platten 14 der Einbrennplatte 10 auf. Wenn die Platten 14 in die Schlitze 32 des Plattensteckers 30 eingeführt sind, sind die äußeren Anschlüsse 18 der Einbrennplatten 10 und die Anschlüsse (nicht dargestellt) des Plattensteckers 30 miteinander verbunden. Durch diese Verbindung wird den Halbleitervorrichtungen mittels einer Stromversorgungseinrichtung (nicht dargestellt) ein elektrischer Strom zugeführt. Obwohl nicht dargestellt, schließt die Einbrennprüfkammer 12 eine Temperatureinstelleinrichtung ein. Die Temperatureinstelleinrichtung weist im allgemeinen die Form einer Einrichtung zum Zuführen erwärmter Luft ins Innere der Einbrennprüfkammer 12 oder die Form einer Heizeinrichtung auf.
Eine Innentemperatur der Einbrennprüfkammer 12, d.h. eine Umgebungstemperatur Ta der die Halbleitervorrichtungen umgebenden Atmosphäre wird mit einem Temperaturfühler (nicht dargestellt) gemessen, der nahe der Innenfläche der Wand des Kastens 24 angeordnet ist. Die herkömmlichen Einbrennprüfungen sind durch Steuerung der Temperatureinstelleinrichtung bei gleichzeitiger Überwachung der gemessenen Temperaturen durchgeführt worden (MIL-STD 883). Jedoch ist ein derartiger Stand der Technik aus den folgenden Gründen für eine ordnungsgemäße Durchführung der Einbrennprüfungen unzureichend.
Was im Stand der Technik in Echtzeit überwacht werden kann, ist eine Umgebungstemperatur Ta von Halbleitervorrichtungen, und diese Umgebungstemperatur Ta stimmt nicht mit einer Oberflächentemperatur der die Halbleitervorrichtungen bildenden Halbleiterchips, speziell mit Übergangstemperaturen Tj an den pn-Übergängen oder Schottky-Übergängen der Halbleiterchips überein. Da Ausfälle von Halbleitervorrichtungen von diesen Übergangstemperaturen Tj abhängig sind, ist es für eine wirkungsvolle Abschätzung der Lebensdauer von Halbleitervorrichtungen und eine wirkungsvolle Ermittlung von Frühausfällen von Halbleitervorrichtungen ohne eine Überlastung ordnungsgemäßer Vorrichtungen vorzuziehen, Einbrennprüfungen innerhalb eines eingestellten Übergangstemperatur-Tj-Bereichs durchzuführen. Bei den herkömmlichen Einbrennprüfungen wird eine Übergangstemperatur Tj auf der Grundlage einer gemessenen Umgebungstemperatur Ta geschätzt, und die Einbrennprüfungen werden auf der Grundlage der geschätzten Übergangstemperatur durchgeführt. Jedoch braucht es sehr komplizierte Vorgänge, um die Beziehungen zwischen einer Umgebungstemperatur Ta und einer Übergangstemperatur Tj nachzuprüfen, und entsprechend unterschiedlicher Größen, Typen und Spezifikationen von zu prüfenden Halbleitervorrichtungen sind unterschiedliche Schätzvorgänge notwendig. Dementsprechend ist es schwierig gewesen, einfache Einbrennprüfungen mit hoher Genauigkeit durchzuführen. Zusätzlich verändert sich die Umgebungstemperatur Ta je nach Örtlichkeit in der Einbrennprüfkammer 12, und die von den jeweils zu prüfenden Halbleitervorrichtungen erzeugten Wärmemengen sind auch nicht dieselben. Daher ist es nicht einfach gewesen, eine Anzahl von Halbleitervorrichtungen unter gleichförmigen Bedingungen einer Auslese zu unterziehen.

Zusammenfassung der Erfindung

Eine Aufgabe dieser Erfindung ist es, eine Einbrennvorrichtung und ein Einbrennverfahren bereitzustellen, welche Übergangstemperaturen der jeweiligen Halbleiterchips einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen, die gleichzeitig einer Einbrennprüfung unterzogen werden, selektiv steuern können.
Um diese Aufgabe zu lösen, umfaßt die Einbrennvorrichtung gemäß dieser Erfindung: mindestens eine Einbrennplatte zur Anbringung einer Mehrzahl von Halbleiterchips enthaltenden Halbleitervorrichtungen; eine die Einbrennplatte (n) aufnehmende Einbrennprüfkammer; eine Meßeinrichtung, um elektrische Eigenschaften von in die jeweiligen Halbleiterchips eingebauten Temperaturfühlern einzeln zu ermitteln, um Übergangstemperaturen der jeweiligen Halbleiterchips einzeln zu messen; eine Heizeinrichtung, um die jeweiligen Halbleitervorrichtungen selektiv zu erwärmen; und eine Steuereinrichtung, um die Heizeinrichtung auf der Grundlage von Ausgangsgrößen der Meßeinrichtung selektiv zu steuern, so daß Übergangstemperaturen der jeweiligen Halbleiterchips in einem eingestellten Temperaturbereich liegen.
Bevorzugt ist die Heizeinrichtung eine Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung, um die Halbleitervorrichtungen selektiv mit einem Laserstrahl zu bestrahlen. Wenn die Steuervorrichtung eine der Halbleitervorrichtungen auffindet, die eine Übergangstemperatur aufweist, welche niedriger ist als ein eingestellter Temperaturbereich, bestrahlt die Laserstrahl-Bestrahlungseinrichtung die Halbleitervorrichtung mit einem Laserstrahl und kann so die Übergangstemperatur des Halbleiterchips der Vorrichtung auf den eingestellten Temperaturbereich erhöhen.
Es ist möglich, daß man die reflektierten Strahlen von gegen die jeweiligen Halbleitervorrichtungen gerichteten Laserstrahlen erfaßt, um Bestrahlungsrichtungen der Laserstrahlen aus der Laserstrahl-Bestrahlungseinrichtung anzupassen.
Die Heizeinrichtung kann aus elektrisch beheizten Heizelementen bestehen, die in der Nähe der jeweiligen Halbleitervorrichtungen positioniert sind. Eine den jeweiligen Heizelementen zugeführte elektrische Leistung wird getrennt gesteuert, um Übergangstemperaturen der Halbleiterchips zu steuern.
Diese Erfindung stellt auch ein Einbrennverfahren bereit, umfassend: den Schritt eines Positionierens mindestens einer Einbrennplatte mit einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen in einer Einbrennprüfkammer, wobei die Halbleitervorrichtungen Halbleiterchips mit eingebauten Temperaturfühlern enthalten; den Schritt eines individuellen Ermittelns von elektrischen Eigenschaften der Temperaturfühler und eines individuellen Messens von Übergangstemperaturen der jeweiligen Halbleiterchips; und den Schritt eines selektiven Erwärmens der Halbleitervorrichtungen, so daß gemessene Übergangstemperaturen der Halbleiterchips innerhalb eines eingestellten Temperaturbereichs liegen.
Die vorliegende Erfindung läßt sich aus der nachfolgend gegebenen ausführlichen Beschreibung und den begleitenden Zeichnungen vollständiger verstehen, die lediglich zur Veranschaulichung gegeben sind, und somit nicht als Einschränkung der vorliegenden Erfindung betrachtet werden dürfen.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Im Verlauf der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, in denen:
FIG. 1 eine perspektivische Ansicht der üblichen, bei Einbrennprüfungen verwendeten Einbrennplatte ist;
FIG. 2 eine teilweise gebrochene perspektivische Ansicht einer Einbrennprüfkammer mit einer Mehrzahl der darin angeordneten Einbrennplatten ist;
FIG. 3 eine schematische Ansicht der Einbrennvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform dieser Erfindung ist;
FIG. 4 eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterchips einer zu prüfenden Halbleitervorrichtung ist;
FIG. 5 eine Kurve einer I/V-Kennlinie einer Temperaturermittlungsdiode im Halbleiterchip bei einer Temperatur ist;
FIG. 6 ein Fließbild eines ersten Meßverfahrens von Übergangstemperaturen ist;
FIG. 7 ein Fließbild eines zweiten Meßverfahrens von Übergangstemperaturen ist;
FIG. 8 eine perspektivische Ansicht einer Fassung zur Aufnahme einer Halbleitervorrichtung ist, wobei die Fassung die Bestrahlung einer Halbleitervorrichtung in der Fassung mit Laserstrahlen ermöglicht;
FIG. 9 eine Schnittansicht der Fassung aus FIG. 8 ist;
FIG. 10 eine schematische Ansicht eines Beispiels einer Laserstrahl-Bestrahlungseinrichtung ist;
FIG. 11 eine Konzeptansicht eines anderen Beispiels der Laserstrahl-Bestrahlungseinrichtung ist;
FIG. 12 eine schematische Ansicht der Einbrennvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform dieser Erfindung ist;
FIG. 13 eine Ansicht ist, welche die Lagebeziehungen zwischen Photosensoren, Laserstrahlquellen der Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung und Reflexionsspiegeln erläutert, die bei der Ausführungsform aus FIG. 12 verwendet werden;
FIG. 14 eine schematische Ansicht der Einbrennvorrichtung gemäß einer dritten Auführungsform dieser Erfindung ist;
FIG. 15 eine perspektivische Ansicht eines bei der Ausführungsform aus FIG. 14 verwendeten, auf einer Fassung angebrachten Heizelements ist;
FIG. 16 eine Schnittansicht der Fassung aus FIG. 15 ist; und
FIG. 17 eine Kurve eines Versuchsergebnisses einer Beziehung zwischen einem TC-Wert und einem n-Wert ist.

Kurze Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

In der nachfolgenden Beschreibung bezeichnen gleiche Bezugsziffern gleiche oder entsprechende Teile über die mehreren Ansichten hinweg.
FIG. 3 zeigt eine schematische Ansicht der Einbrennvorrichtung gemaß einer ersten Ausführungsform dieser Erfindung. Die Einbrennvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform umfaßt dieselbe, einen Kastenkörper und einen Deckel einschließende Einbrennprüfkammer 12 wie die oben beschriebene herkömmliche Einbrennprüfkammer (vgl. FIG. 2). Diese Einbrennprüfkammer 12 nimmt eine Mehrzahl von Einbrennplatten (nicht dargestellt) auf, und zu prüfende Halbleitervorrichtungen 33 sind mittels Fassungen (nicht dargestellt) auf jeder Einbrennplatte angebracht. Jede Halbleitervorrichtung 33 weist einen eingebauten Halbleiterchip 34 auf. Eine integrierte Schaltung 36 und eine Temperaturermittlungsdiode 38 als Temperaturfühler 38 sind auf dem Halbleiterchip 34 ausgebildet. In der Einbrennprüfkammer 12 ist eine Temperatureinstelleinheit 40 vorgesehen, um eine Umgebungstemperatur in der Einbrennprüfkammer 12 durch Einblasen erwärmter Luft oder durch Aufheizen mit einer Heizung anzupassen. In der Einbrennprüfkammer 12 ist eine Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung 50 als Heizeinrichtung zur Erwärmung der Halbleitervorrichtungen 33 vorgesehen. Die Halbleitervorichtungen 33 werden selektiv mit Laserstrahlen LB bestrahlt.
Die integrierten Schaltungen 36 der jeweiligen Halbleiterchips 34 werden mit einer elektrischen Last aus einer Stromversorgungseinheit 42 versorgt. Elektrische Eigenschaften (speziell Veränderungen einer Schwellenspannung (einer Vorwärtsspannung) VF) der jeweiligen Temperaturermittlungsdioden 38 werden einzeln überwacht, um Übergangstemperaturen Tj der jeweiligen Halbleiterchips 34 zu messen. Diese Temperaturmessung wird in der folgenden Weise durchgeführt.
Bei Messung elektrischer Eigenschaften der Temperaturermittlungsdiode 38 wird eine Übergangstemperatur der Temperaturermittlungsdiode 38 gemessen. Der Wärmewiderstand des Halbleiterchips 34 ist hinreichend kleiner als Wärmewiderstände seiner Umgebungssubstanzen (Luft oder Formmaterialien) und es ergeben sich die folgenden Beziehungen.
(Übergangstemperatur der Temperaturermittlungsdiode 38) (Übergangstemperatur der integrierten Schaltung 36) Tj
Nachfolgend werden beide Übergangstemperaturen gemeinsam mit Tj bezeichnet.
FIG. 4 zeigt eine perspektivische Ansicht des bei der oben beschriebenen Ausführungsform beteiligten Halbleiterchips 34. FIG. 5 ist eine Kurve einer I/V-Kennlinie der Temperaturermittlungsdiode 38 bei einer Temperatur. Wie in FIG. 4 dargestellt, sind auf dem Halbleiterchip 34 die integrierte Schaltung 36, die Temperaturermittlungsdiode 38, ein mit der integrierten Schaltung verbundener Stromversorgungsanschlußfleck 35, sowie mit der Anode und der Kathode der Temperaturermittlungsdiode 38 verbundene Überwachungsanschlußflecke 37 ausgebildet. Dieser Halbleiterchip 34 ist in einem flachem Gehäuse oder einem Chip-Träger ohne Anschlußstifte (LCC) als der durch Einbrennen zu prüfenden Halbleitervorrichtung 33 eingebaut. Die Temperaturüberwachung für diesen Halbleiterchip 34 basiert auf der Beobachtung einer I/V-Kennlinie der Temperaturermittlungsdiode 38. Das heißt, die Vorwärtsspannung VF der I/V-Kennlinie aus FIG. 5 ändert sich in Bezug zu Übergangstemperaturen in einem bei einer Einbrennprüfung der Halbleitervorrichtung vorkommenden Bereich von Übergangstemperaturen im wesentlichen linear. Diese Beziehung wird näherungsweise durch die folgende Formel 1 ausgedrückt.
VF TC Tj + VF0 ... (1)
VF Vorwärtsspannung einer Temperaturermittlungsdiode
TC: Temperaturkoeffizient des VF-Wertes
Tj: Übergangstemperatur einer zu prüfenden Halbleitervorrichtung oder eines Chips
VF0: Gegebene Konstante für jede zu prüfende Halbleitervorrichtung oder für jeden Chip
Ein Strom, der durch die Temperaturermittlungsdiode 38 fließt, wenn an dieser eine Vorwärtsspannung VF angelegt ist, ist so klein, daß die Temperaturermittlungsdiode nicht viel zu Steigerungen einer Übergangstemperatur beiträgt. Wenn die Vorwärtsspannung VF bei ungespeister integrierter Schaltung 36 gemessen wird, stimmt eine Übergangstemperatur Tj mit einer Umgebungstemperatur überein.
Eine erste Temperatur-Meßtechnik nutzt die oben beschriebene Eigenschaft, und das Fließbild dieser Technik ist in FIG. 6 dargestellt. Zuerst werden Werte einer Vorwärtsspannung VF bei ungespeister integrierter Schaltung 36 bei verschiedenen Umgebungsteinperaturen gemessen (Schritt 101). Auf der Grundlage der gemessenen Werte der Vorwärtsspannung und der Formel 1 ergeben sich ein Wert einer Konstante VF0 der Vorwärtsspannungen VF und ein Wert eines Temperaturkoeffizienten TC der Vorwärtsspannungen VF (Schritt 102). Im Anschluß an diese Vorbereitung wird mit einer Einbrennprüfung begonnen, und während der Einbrennprüfung werden Temperaturen der Halbleiterchips 34 genau ermittelt. Das heißt, Halbleiterchips 34 sind auf der Einbrennvorrichtung angebracht, und während sich die integrierten Schaltungen 36 mit einem zugeführten Strom im Betrieb befinden, werden Werte der Vorwärtsspannungen VF gemessen (Schritt 103). Auf der Grundlage des Wertes der Konstanten VF0, des Wertes des Temperaturkoeffizienten TC und gemessener Werte der Vorwärtsspannungen VF ergeben sich Werte der Übergangstemperaturen Tj (Schritt 104).
Auch die nachfolgende zweite Übergangstemperatur-Meßtechnik kann Meßwerte mit gleichhoher Genauigkeit wie die erste Technik ergeben.
FIG. 7 zeigt das Fließbild der zweiten Übergangstemperatur- Meßtechnik. Zuerst ergeben sich ein Wert einer Konstanten VF0 einer auf dem Halbleiterchip 34 ausgebildeten Temperaturermittlungsdiode 38 und ein Idealwert n derselben bei Raumtemperatur (Schritt 201). Hier ergibt sich ein Vorwärtsstrom IF der Schottky-Temperaturermittlungsdiode 38 durch die folgende Formel 2.
S: Schottky-Übergangsfläche
A*: Effektive Mengenkonstante (Richardson-Konstante)
T: Absolut-Temperatur
k: Boltzmann-Konstante
q: Elektronenladung:
ΦB: Sperrschichthöhe
n: Idealgröße
Eine Vorwärtsspannung VF der Temperaturermittlungsdiode 38 und eine Idealgröße n derselben können auf der Grundlage einer I/V-Kennlinie der Temperaturermittlungsdiode 38 angegeben werden. Ein Temperaturkoeffizient TC der Temperaturermittlungsdiode 38 ergibt sich durch die folgende Formel 3.
Änderungen eines Wertes des zweiten Begriffs in den Klammern von Formel 3 sind im Übergangstemperaturbereich von Einbrennversuchen hinreichend klein, so daß der TC-Wert nahezu proportional zum n-Wert ist. Diese Beziehung zwischen TC und n wurde durch ein in FIG. 17 dargestelltes Versuchsergebnis bestätigt.
Ein Temperaturkoeffizient TC der Vorwärtsspannung VF ergibt sich durch Formel 1 und 2 (Schritt 202) zur Ermittlung einer genauen Temperatur des Halbleiterchips 34 während eines Einbrennens. Das heißt, Halbleiterchips 34 sind auf der Einbrennvorrichtung angebracht, und während sich die integrierten Schaltungen 36 mit einem zuführten Strom im Betrieb befinden, werden Werte der Vorwärtsspannungen der VF gemessen (Schritt 203). Auf der Grundlage des sich bei Raumtemperatur ergebenden Wertes der Konstante VF0, der Werte der sich in Echtzeit während eines Einbrennens ergebenden Schwellenspannungen VF und eines Wertes der Idealgröße n ergeben sich dann in Echtzeit Übergangstemperaturen Tj der Temperaturermittlungsdioden 38, d.h. Oberflächentemperaturen der Halbleiterchips 34 (Schritt 204).
Es wird erneut auf FIG. 3 Bezug genommen. Die Einbrennvorrichtung gemäß dieser Erfindung schließt eine Steuervorrichtung 46 ein. Die Steuervorrichtung 46 steuert eine elektrische Stromversorgungseinheit 42 und eine Temperatureinstelleinheit 40 auf der Grundlage von Überwachungsergebnissen der Temperaturermittlungseinheit 44, sowie auch die Laserstrahl-Bestrahlungseinrichtung 50. Zu diesem Zweck speichert die Steuervorrichtung 46 einen zulässigen Temperaturbereich von Übergangstemperaturen für eine Einbrennprüfung und ist dazu programmiert, Überwachungsergebnisse mit diesem gespeicherten zulässigen Temperaturbereich zu vergleichen und die Temperatureinstelleinheit 40 und die Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung 50 in geeigneter Weise zu steuern.
Das Verfahren zur Steuerung der Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung 50 wird ausführlicher erläutert. Wenn die Steuervorrichtung 46 auf der Grundlage von Überwachungsergebnissen der Temperaturermittlungseinheit 44 eine Halbleitervorrichtung 33 auffindet, deren Übergangstemperatur Tj niedriger als ein gespeicherter zulässiger Temperaturbereich ist, bewirkt die Steuervorrichtung 46, daß die Halbleitervorrichtung 33 selektiv mit einem Laserstrahl LB bestrahlt wird, wodurch die Übergangstemperaturen Tj vereinheitlicht werden. Insbesondere wird dann, wenn eine Halbleitervorrichtung 33 eine niedrige Übergangstemperatur Tj außerhalb eines gespeicherten zulässigen Temperaturbereichs aufweist, die Halbleitervorrichtung mit einem Laserstrahl LB bestrahlt, und wenn die Übergangstemperatur Tj den zulässigen Bereich erreicht hat, wird die Bestrahlung eingestellt. Somit wird eine präzise Auslese ermöglicht.
Obwohl eine beliebige geeignete Fassung zum Einsetzen der Halbleitervorrichtung 33 auf der Einbrennplatte 10 benutzt werden kann, ist es erforderlich, daß ein Teilbereich, vorzugsweise auf der Oberseite der Halbleitervorrichtung 33 mit einem Laserstrahl LB bestrahlt wird. Die FIGUREN 8 und 9 zeigen ein bevorzugtes Beispiel einer Fassung 16 zum Einsetzen der Halbleitervorrichtung 33 auf der Einbrennplatte 10. Jede auf der Einbrennplatte 10 befestigte Fassung 16 umfaßt einen Sockel 70 und einen Deckel 72, der durch ein Scharnier 74 mit dem Sockel 70 verbunden ist, so daß er sich öffnen läßt. Wenn ein am Deckel 72 befestigter Hebel 76 mit einem auf dem Sockel 70 ausgebildeten Haken 78 verriegelt ist, ist der Sockel 70 durch den Deckel 72 verschlossen. Im mittleren Teil des Sockels 70 ist eine kreuzförmige Vertiefung 80 ausgebildet. Eine Mehrzahl von Anschlüssen 82 ist auf den Bodenflächen der Armteile der Vertiefung 80 vorgesehen. Ein Ende jedes Anschlusses 82 ragt zum Anschließen an die Verdrahtungen (nicht dargestellt) auf der Einbrennplatte 10 aus der Unterseite des Sockels 70 heraus. Eine Durchgangsöffnung 84 ist im mittleren Teil der kreuzförmigen Vertiefung 80 ausgebildet. Eine Öffnung 86 ist durch den mittleren Teil des Deckels 72 hindurch ausgebildet, und in der Öffnung 86 ist ein laserstrahldurchlässiges Glas 88 vorgesehen, durch welches Laserstrahlen hindurchtreten können.
Die Halbleitervorrichtung 33 weist eine Mehrzahl von auf ihrer Unterseite vorgesehenen Anschlüssen 39 auf. Diese Anschlüsse 39 werden mit entsprechenden Anschlüssen 82 der Fassung 16 in Kontakt gebracht, wenn die Halbleitervorrichtung 33 in die Fassung 16 eingesetzt wird. Wenn die Halbleitervorrichtung 33 in einer Vertiefung 80 plaziert ist, und der Deckel 72 geschlossen wird, wird der Randteil der Öffnung 86 auf der Innenseite des Deckels 72 gegen den Randteil der Oberseite der Halbleitervorrichtung 33 gedrückt, wodurch die Halbleitervorrichtung 33 in der Fassung 16 gesichert wird. Die Öffnung 86 durch den Deckel 72, welche dem mittleren Teil der Oberseite der Halbleitervorrichtung 33 gegenüberliegt, ermöglicht es, daß ein Laserstrahl durch das laserstrahldurchlässige Glas 88 auf die Oberseite der Halbleitervorrichtung 33 einfällt. Es ist möglich, für eine wirkungsvollere Wärmeleitung und -strahlung gesondert ein Wärmeleitelement (nicht dargestellt) vorzusehen.
FIG. 10 zeigt ein Beispiel der Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung 50. Wie in FIG. 10 dargestellt, sind außerhalb der Einbrennprüfkammer 12 drei Laserstrahlquellen 52 vorgesehen, wenn die Anzahl der in der Kammer 12 untergebrachten Einbrennplatten 10 drei ist. Wenn Laserstrahlen LB in die Einbrennprüfkammer 12 eingestrahlt werden, werden die jeweiligen Strahlen LB auf ihren zugehörigen Reflexionsspiegeln 54 reflektiert, so daß sie auf Halbleitervorrichtungen 33 einfallen, deren Übergangstemperaturen niedriger als ein gespeicherter zulässiger Temperaturbereich sind. Obwohl nicht explizit dargestellt, wird jeder Reflexionsspiegel 54 in der Einbrennprüfkammer 12 mit Hilfe eines Gelenks, z.B. eines Kugelgelenks gehalten, und sein Winkel ist mittels geeigneter zugehöriger Antriebseinrichtungen (nicht dargestellt) in horizontaler und vertikaler Richtung verstellbar. Die Steuervorrichtung 46 steuert die Antriebseinrichtung, um Winkel ihrer zugehörigen Reflexionsspiegel 54 zu verändern, so daß verlangte Halbleitervorrichtungen 33 mit Laserstrahlen LB aus den Laserstrahlquellen 52 bestrahlt werden können. Folglich kann eine Anzahl von Halbleitervorrichtungen 33 eine im wesentlichen gleichförmige Übergangstemperatur aufweisen.
FIG. 11 zeigt ein anderes Beispiel der Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung 54. Die Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung 50 gemäß diesem Beispiel umfaßt eine Laserstrahlquelle 52 und zwei Reflexionsspiegel 54a, 54b, um einen Pfad eines aus einer Laserstrahlquelle 52 emittierten Laserstrahls zu verschwenken. Der Reflexionsspiegel 54a wird durch eine Antriebseinrichtung 55a, wie beispielsweise ein Galvanometer, auf einer vertikalen Achse gedreht, und der Reflexionsspiegel 54b wird durch eine Antriebseinrichtung 55b, wie beispielsweise ein Galvanometer, auf einer horizontalen Achse gedreht. Drehwinkel dieser Reflexionsspiegel 54a, 54b werden in geeigneter Weise eingestellt, wodurch ein Laserstrahl aus der Laserstrahlquelle 52 auf eine verlangte Halbleitervorrichtung 33 einfallen kann. Die Bezugsziffer 53 bezeichnet eine Kondensorlinse.
Ein Einfallsort des Laserstrahls LB wird durch eine Lage einer angezielten Fassung 16, d.h. eine Lage einer angezielten Halbleitervorrichtung 33 festgelegt. Falls die Einbrennplatte unterschiedliche Spezifikationen und Standards aufweist, wird dementsprechend die oben beschriebene Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung 50 nicht funktionieren. Für den Fall, daß die Halbleitervorrichtungen 33 unterschiedliche Örtlichkeiten aufweisen, ist es möglich, zusätzlich eine Einrichtung 56 zur Anpassung eines optischen Pfades oder einer Bestrahlungsrichtung eines Laserstrahls in der Einbrennvorrichtung vorzusehen, wie in FIG. 12 dargestellt.
Die Einrichtung 56 zur Anpassung eines optischen Pfades eines Laserstrahls ist mit optischen Sensoren oder Photosensoren 58 verbunden, die über den jeweiligen Halbleitervorrichtungen 33 vorgesehen sind. Ausgangsgrößen der von den Photosensoren 58 erfaßten reflektierten Strahlen von Laserstrahlen LB werden der Justiereinrichtung 56 zugeführt. Die Photosensoren 58 sind z.B. mit Photodioden versehen. Jeder Photosensor 58 ist auf dem optischen Pfad eines reflektierten Strahls eines Laserstrahls LB aus der Laserstrahl-Bestrahlungseinrichtung 50 angeordnet, der genau auf der Oberseite einer Halbleitervorrichtung 33 reflektiert wird. Auf der Grundlage einer ermittelten Ausgangsgröße des Photosensors 58 wird beurteilt, ob eine Bestrahlungsposition genau ist, und eine Bestrahlungsrichtung eines Laserstrahls LB aus der Laser- Bestrahlungseinrichtung 50 wird angepaßt. Insbesondere wird ein Winkel des Reflexionsspiegels 54 justiert, so daß eine Bestrahlungsrichtung des Laserstrahls LB angepaßt wird. Die Einbrennvorrichtung der FIG. 12 gemäß einer zweiten Ausführungsform dieser Erfindung verwendet die Justiereinrichtung 56. Die Einbrennvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform kann eine Bestrahlungsrichtung eines Laserstrahls LB mühelos anpassen. Sobald eine Bestrahlungsrichtung eines Laserstrahls LB angepaßt ist, kann eine verlangte Halbleitervorrichtung 33 präzise mit dem Laserstrahl LB bestrahlt werden. Es sollte angemerkt werden, daß die Ausgangsgrößen der Photosensoren 58 geeicht werden müssen, da die Photosensoren Temperatur-Kennlinien aufweisen.
FIG. 13 ist eine schematische Ansicht, welche die Lagebeziehungen unter den Photosensoren 58 und der Laserstrahlquelle 52 und den Reflexionsspiegeln 54 der Laserstrahl-Bestrahlungseinrichtung 50 erläutert. Ein Sensorhaltestab 60 ist auf einer Einbrennplatte 10 in der Nähe von jeder Fassung 16 vorgesehen, und ein Photosensor 58 ist auf dem Sensorhaltestab 60 angebracht. Ein Laserstrahl LB aus der Laserstrahlquelle 52 wird auf den Reflexionsspiegel 54 reflektiert, welcher winkelsteuerbar ist, und auf die Halbleitervorrichtung 33 eingestrahlt. Falls ein Winkel des Reflexionsspiegels 54 passend ist, wird ein auf dem Reflexionsspiegel 54 reflektierter Strahl vom Photosensor 58 erfaßt. Bei dieser Anordnung kann eine Einfallsposition eines Laserstrahls mühelos justiert werden, und dementsprechend können Einbrennprüfungen mit hoher Genauigkeit selbst bei Verwendung von Einbrennplatten mit unterschiedlicher Örtlichkeit der Fassungen durchgeführt werden.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform wird die Halbleitervorrichtung durch das laserstrahldurchlässige Glas 88 der Fassung 16 mit einem Laserstrahl bestrahlt. Jedoch ist es möglich, daß in der Öffnung 86 durch den Deckel 72 ein laserlichtabsorbierendes Element eingepaßt ist, und daß Element wird erwärmt, um die Halbleitervorrichtung 33 zu erwärmen. Es ist möglich, dem laserlichtabsorbierenden Element die Wärmestrahlungs- und -leitfunktion zu geben.
Die Einrichtung zur Erwärmung der Halbleitervorrichtung 33 kann ein Heizelement 90, wie beispielsweise eine Keramikheizung oder ein Widerstand sein, der in der Nähe von jeder Halbleitervorrichtung 33 angeordnet ist, wie in FIG. 14 schematisch dargestellt. Eine diesem Heizelement 90 zugeführte Menge an elektrischer Leistung wird über eine elektrische Stromversorgungseinheit 92 gesteuert, wodurch Übergangstemperaturen Tj der in den Halbleitervorrichtungen 33 eingebauten Halbleiterchips 34 gesteuert werden können.
Bevorzugt ist auf jeder Fassung 16 zur Aufnahme einer Halbleitervorrichtung 33 ein Heizelement 90 vorgesehen. Die FIGUREN 15 und 16 zeigen ein Beispiel der Anordnung zur Anbringung des Heizelements 90. Das Heizelement 90 ist mit einer Schraube 94 am mittleren Teil des Deckels 72 der Fassung 16 befestigt. Elektrisch leitende Elemente 96, 98 sind an beiden Seiten des Heizelements 90 befestigt und durch den Deckel 72 nach außen verlängert. Anschlüsse 97, 99 sind auf den Enden der Elemente 96, 98 ausgebildet, und durch diese Anschlüsse 96, 98 wird das Heizelement 90 zum Aufheizen mit elektrischer Leistung versorgt. Wenn der Deckel 72 geschlossen wird, wird die Unterseite des Heizelements 90 mit der Oberseite der Halbleitervorrichtung 33 in Kontakt gebracht. Das Heizelement 90 wird aufgeheizt, um die Halbleitervorrichtung 33 zu erwärmen. Wenn die Zufuhr von elektrischer Leistung zum Heizelement 90 eingestellt wird, leitet die Halbleitervorrichtung 33 die Wärme durch das Heizelement 90 und die Elemente 96, 98 ab und strahlt sie ab.
Die Steuervorrichtung 46 erkennt auf der Grundlage von Überwachungsergebnissen der Temperaturermittlungseinheit 44 Übergangstemperaturen Tj der jeweiligen Halbleiterchips 34 und steuert die den jeweiligen Heizelementen 90 zugeführte elektrische Leistung. Somit können die Übergangstemperaturen Tj von sämtlichen der jeweiligen Halbleiterchips 34 mit Genauigkeit so gesteuert werden, daß sie gleich sind. Das heißt, eine von den Heizelementen 90 erzeugte Wärmemenge wird zwischen einem Halbleiterchip 34 mit einer niedrigeren Übergangstemperatur als ein gespeicherter zulässiger Temperaturbereich und einem Halbleiterchip 35 mit einer höheren Übergangstemperatur als dieser Bereich unterschiedlich groß gemacht, wodurch die Übergangstemperaturen Tj vereinheitlicht werden können. Insbesondere kann eine Wärmemenge, die vom Heizelement 90 für eine Halbleitervorrichtung 33 erzeugt wird, deren Übergangstemperatur Tj niedriger als ein gespeicherter zulässiger Temperaturbereich ist, durch Vergrößerung einer elektrischen Leistung erhöht werden. Wenn die Steuereinrichtung 46 dann auf der Grundlage von Überwachungsergebnissen von der Temperaturermittlungseinheit 54 urteilt, daß die Übergangstemperatur Tj in den gespeicherten zulässigen Temperaturbereich zurückgekehrt ist, wird die Versorgung des Heizelements 90 eingestellt. Somit kann eine genaue Auslese erreicht werden.
Wie oben beschrieben, kann die Steuerung der Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung 50 und der Heizelemente 90 die Übergangstemperaturen Tj vereinheitlichen. Jedoch ist es möglich, daß eine den integrierten Schaltungen 36 der Halbleitervorrichtungen 33 zugeführte Menge an elektrischer Leistung durch die Steuervorrichtung 46 verändert wird, um die Erwärmung der Halbleiterchips 34 selbst zu steuern, wodurch die Vereinheitlichung der Übergangstemperaturen Tj unterstützt werden kann. In diesem Fall erfolgt selbstverständlich die Zufuhr von elektrischer Leistung zu den integrierten Schaltungen 36 innerhalb eines für einen tatsächlichen Betrieb zulässigen Bereichs der Menge an zugeführter Leistung.
Der bei dieser Erfindung verwendete Temperaturfühler ist nicht auf eine getrennt von einer integrierten Schaltung auf einem Halbleiterchip ausgebildete Temperaturermittlungsdiode beschränkt, oder kann eine in die integrierte Schaltung eingebaute Diode oder ein Transistor sein. Andernfalls kann ein NiCr- oder WSi-Metallfilm-Widerstand auf dem Halbleiterchip ausgebildet sein.

Claims

1. Einbrennvorrichtung, umfassend:

mindestens eine Einbrennplatte zur Anbringung einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen mit eingebauten Halbleiterchips;

eine Einbrennprüfkammer zur Aufnahme der besagten Einbrennplatten;

eine Meßeinrichtung zur Ermittlung elektrischer Eigenschaften von in die jeweiligen Halbleiterchips eingebauten Temperaturfühlern, um Übergangstemperaturen der jeweiligen Halbleiterchips einzeln zu messen;

eine Heizeinrichtung zur selektiven Erwärmung der jeweiligen Halbleitervorrichtungen; und

eine Steuereinrichtung zur Steuerung der besagten Heizeinrichtung auf der Grundlage von Ausgangsgrößen der besagten Meßeinrichtung, so daß Übergangstemperaturen der jeweiligen Halbleitervorrichtungen in einem eingestellten Übergangstemperaturbereich liegen.

2. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die besagte Heizeinrichtung eine Laserstrahl-Bestrahlungseinrichtung zum selektiven Bestrahlen der Halbleitervorrichtungen mit einem Laserstrahl ist.

3. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die besagte Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung eine Laserstrahlquelle einschließt, sowie eine Einrichtung zur Anpassung eines optischen Pfades des aus der besagten Laserstrahlquelle emittierten Laserstrahls.

4. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Justiereinrichtung zur Erfassung eines von jeder der Halbleitervorrichtungen reflektierten Laserstrahls und zur Anpassung eines optischen Pfades des Laserstrahls aus der besagten Laserstrahl- Bestrahlungseinrichtung umfaßt.

5. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die besagte Justiereinrichtung zur Anpassung des optischen Pfades des Laserstrahls zur Erfassung des reflektierten Laserstahls einen in der Nähe von jeder der Halbleitervorrichtungen angeordneten Photosensor einschließt.

6. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtungen jeweils in einer Mehrzahl von Fassungen aufgenommen werden, die auf den besagten Einbrennplatten angebracht sind, wobei jede Fassung eine Öffnung zum Hindurchführen des Laserstrahls aus der besagten Laser-Bestrahlungseinrichtung zu der in ihr aufgenommenen Halbleitervorrichtung aufweist.

7. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtungen jeweils in einer Mehrzahl von Fassungen aufgenommen werden, die auf den besagten Einbrennplatten angebracht sind, wobei jede Fassung ein Element einschließt, das durch den Laserstrahl aus der besagten Laserstrahl-Bestrahlungseinrichtung erwärmt werden kann.

8. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die besagte Heizeinrichtung aus Heizelementen besteht, die in der Nähe der jeweiligen Halbleitervorrichtungen angeordnet sind und durch Zufuhr von elektrischer Leistung aufgeheizt werden, wobei die besagte Steuereinrichtung die den besagten Heizelementen zugeführte elektrische Leistung selektiv steuert.

9. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtungen jeweils in einer Mehrzahl von Fassungen aufgenommen werden, die auf den besagten Einbrennplatten angebracht sind, wobei jede Fassung eines der besagten Heizelemente enthält.

10. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der besagten Temperaturfühler eine auf jedem der Halbleiterchips ausgebildete Schottky-Übergangs- Diode ist.

11. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der besagten Temperaturfühler eine auf jedem der Halbleiterchips ausgebildete pn-Übergangs-Diode ist.

12. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der besagten Temperaturfühler ein auf jedem der Halbleiterchips ausgebildeter Transistor ist.

13. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der besagten Temperaturfühler ein auf jedem der Halbleiterchips ausgebildeter Metallfilm- Widerstand ist.

14. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die besagte Meßeinrichtung an jedem der besagten Temperaturfühler verschiedene Spannungen anlegt, um einen Spannungswert zu messen, der einen spezifischen Stromwert erzeugt, wodurch eine Übergangstemperatur der zugehörigen Halbleitervorrichtung bestimmt wird.

15. Einbrennvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Einrichtung zur Zufuhr von elektrischer Leistung zu jedem der Halbleiterchips umfaßt, und daß die besagte Steuereinrichtung die besagte Zufuhreinrichtung für elektrische Leistung auf der Grundlage von Ausgangsgrößen der besagten Meßeinrichtung steuert.

16. Einbrennverfahren, umfassend:

den Schritt eines Positionierens mindestens einer Einbrennplatte mit einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen in einer Einbrennprüfkammer, wobei die besagten Halbleitervorrichtungen Halbleiterchips mit eingebauten Temperaturfühlern enthalten;

den Schritt eines Ermittelns elektrischer Eigenschaften der besagten jeweiligen Temperaturfühler, um Übergangstemperaturen der Halbleiterchips einzeln zu messen; und

den Schritt eines selektiven Erwärmens der Halbleiterchips, so daß gemessene Werte der Übergangstemperaturen der jeweiligen Halbleiterchips in einem eingestellten Übergangstemperaturbereich liegen.

17. Einbrennverfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtungen selektiv mit einem Laserstrahl bestrahlt werden, um sie zu erwärmen.

18. Einbrennverfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß es den Schritt eines Erfassens eines von jeder der Halbleitervorrichtungen reflektierten Laserstrahls umfaßt, um einen optischen Pfad des Laserstrahls anzupassen.

19. Einbrennverfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß für jede der Halbleitervorrichtungen ein Heizelement vorgesehen ist, das durch Zufuhr von elektrischer Leistung aufgeheizt wird, und daß die elektrische Leistung zum Heizelement gesteuert wird, um die Halbleitervorrichtung zu erwärmen.

20. Einbrennverfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Übergangstemperatur jedes Halbleiterchips auf der Grundlage spezifischer Parameter aus den elektrischen Eigenschaften des besagten, mit dem Halbleiterchip verbundenen Temperaturfühlers abgeleitet wird.

21. Einbrennverfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die besagten Temperaturfühler Schottky- Übergangs-Dioden sind, daß die spezifischen Parameter für jeden Temperaturfühler zur Ableitung einer Übergangstemperatur desselben sind: eine angelegte Spannung bei einer spezifischen Übergangstemperatur, um das Fließen eines kleinen Stroms mit einem spezifischen Wert hervorzurufen, sowie ein Temperaturkoeffizient der angelegten Spannung, und daß sich die Parameter bei ungespeisten Halbleitervorrichtungen durch Messung bei verschiedenen Umgebungstemperaturen ergeben, die das Fließen des kleinen Stroms mit dem spezifischen Wert hervorrufen.

22. Einbrennverfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die besagten Temperaturfühler Schottky- Übergangs-Dioden sind, daß die spezifischen Parameter für jeden Temperaturfühler zur Ableitung einer Übergangstemperatur desselben sind: eine angelegte Spannung bei einer spezifischen Übergangstemperatur, um das Fließen eines kleinen Stroms hervorzurufen, sowie ein Wert einer Idealgröße n in der folgenden Formel, und daß sich die Parameter ergeben, indem man bei ungespeisten Halbleitervorrichtungen bei Raumtemperatur angelegte Spannungen zum Hervorrufen kleiner Ströme mit unterschiedlichen Werten mißt und eine durch die folgende Formel ausgedrückte Beziehung benutzt.

IF: Vorwärtsstrom

VF: Vorwärtsspannung

S: Schottky-Übergangsfläche

A*: Effektive Mengenkonstante (Richardson-Konstante)

T: Absolut-Temperatur

k: Boltzmann-Konstante

q: Elektronenladung:

ΦB: Sperrschichthöhe

23. Einbrennverfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die besagten Temperaturfühler pn- Übergangs-Dioden sind, und daß die spezifischen Parameter für jeden Temperaturfühler zur Ableitung einer Übergangstemperatur desselben sind: eine angelegte Spannung bei einer spezifischen Übergangstemperatur, so daß ein kleiner Strom mit einem spezifischen Wert fließt, sowie ein Temperaturkoeffizient der angelegten Spannung, und daß sich die Parameter durch Messung von angelegten Spannungen bei ungespeisten Halbleitervorrichtungen ergeben, die das Fließen des kleinen Stroms mit dem spezifischen Wert bei verschiedenen Umgebungstemperaturen hervorrufen.

24. Einbrennverfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die besagten Temperaturfühler Transistoren sind, daß die spezifischen Parameter zur Ableitung von Übergangstemperaturen der jeweiligen Temperaturfühler sind: eine angelegte Spannung bei einer spezifischen Übergangstemperatur, um das Fließen eines kleinen Stroms mit einem spezifischen Wert hervorzurufen, sowie ein Temperaturkoeffizient der angelegten Spannung, und daß sich die Parameter durch Messung von angelegten Spannungen bei ungespeisten Halbleitervorrichtungen ergeben, die das Fließen des kleinen Stroms mit dem spezifischen Wert bei verschiedenen Umgebungstemperaturen hervorzurufen.

25. Einbrennverfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die besagten Temperaturfühler Metallfilme sind, daß die spezifischen Parameter zur Ableitung einer Temperatur von jedem Temperaturfühler sind: eine angelegte Spannung bei einer spezifischen Temperatur, um das Fließen eines kleinen Stroms mit einem spezifischen Wert hervorzurufen, sowie ein Temperaturkoeffizient der angelegten Spannung, und daß sich die Parameter durch Messung von angelegten Spannungen bei ungespeisten Halbleitervorrichtungen ergeben, die das Fließen des kleinen Stroms mit dem spezifischen Wert bei verschiedenen Umgebungstemperaturen hervorrufen.