DE69110452T2

DE69110452T2 - Verfahren zur Herstellung einer Isolierung.

Info

Publication number: DE69110452T2
Application number: DE69110452T
Authority: DE
Inventors: Shinji Inazawa; Kazuo Sawada; Kouichi Yamada
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1991-04-26
Filing date: 1991-12-19
Publication date: 1995-10-12
Anticipated expiration: 2011-12-20
Also published as: CA2058147C; DE69110452D1; US5350638A; EP0510258B1; EP0510258A1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Isolierung zur Anwendung auf einen Verbindungsdraht oder einen Draht für eine Wicklung in einer Hochvakuumvorrichtung oder eine Vorrichtung für eine hohe Temperatur.

Beschreibung des Standes der Technik

Ein isolierter Draht kann in einer Vorrichtung verwendet werden, wie beispielsweise eine Heizvorrichtung oder einem Feueralarm, welche Sicherheit unter einer hohen Temperatur erfordert. Eine isolierter Draht ist ebenfalls in einem Automobil unter einer Umgebung verwendbar, welche auf eine hohe Temperatur aufgeheizt wird. Eine solcher isolierter Draht wird allgemein durch einen Leiter gebildet, der mit einem hitzebeständigen organischen Harz, wie beispielsweise Polyimid oder Fluorharz, beschichtet ist.
Wenn eine isolierter Draht für eine Verwendung vorgesehen ist, welche eine hohe Hitzebeständigkeit erfordert, oder in einer Umgebung verwendet wird, die einen hohen Vakuumgrad erfordert, ist es unmöglich, eine ausreichende Hitzebeständigkeit oder nicht-ausgasende Eigenschaft nur mit dem oben erwähnten organischen Beschichten zu erhalten. In diesem Fall wird im allgemeinen eine isolierter Draht verwendet, der einen Leiter enthält, der durch ein Isolierrohr aus Keramik geht, d.h. ein MI-Kabel mit einem Leiter, welcher durch ein Rohr aus einer wärmebeständigen Legierung, wie beispielsweise rostfreiem Stahl, geht, das mit feinen Teilchen aus einem Metalloxid, wie beispielsweise Magnesiumoxid, gefüllt ist, oder ähnliches.
Andererseits ist eine glasverstärkte Isolationsrohrdraht unter Verwendung einer Isolierung aus Glasfasergewebe oder ähnlichem als isolierter Draht mit einer hohen Hitzebeständigkeit und Flexibilität bekannt.
Ein isolierter Draht, der mit organischem Harz beschichtet ist, kann jedoch seine Isolation kaum über eine Temperatur von mehr als 200ºC maximal halten. Daher kann ein solcher isolierter Draht nicht verwendet werden, wenn eine Isolierung unter hoher Temperatur von mindestens 200ºC erforderlich ist.
Weiterhin ist ein isolierter Draht, welcher in Bezug auf Hitzebeständigkeit durch eine Isolationsröhre aus Keramik verbessert wurde, minderwertig in Bezug auf Flexibilität. Andererseits hat ein MI-Kabel, welches aus einem hitzebeständigen Legierungsrohr und einem Leiter gebildet wird, einen erhöhten äußeren Durchmesser. Folglich hat das MI-Kabel einen relativ großen Querschnitt im Verhältnis zur elektrischen Energie, welche durch den Leiter durch die hitzebeständige Legierungsröhre fliegen kann. Es ist notwendig, das hitzebeständige Legierungsrohr in eine vorgegebene Krümmung zu biegen, um das MI-Kabel als Draht für eine Wicklung, die beispielsweise auf einem Spulenträger oder ähnliches ist, zu verwenden, doch ist ein solcher Biegevorgang schwierig. Wenn das MI-Kabel gewickelt wird, ist es weiterhin schwierig, die Windungsdichte aufgrund des groben Durchmessers zu verbessern.
Wenn der glasverstärkte Isolationsrohrdraht in der zuvorbeschriebenen Konfiguration angeordnet wird, dann erzeugt die Glasfaser einen Glasstaub, welcher als Gasadsorptionsquelle dienen kann. Wenn der glasverstärkte Isolationsrohrdraht in einer Umgebung verwendet wird, die einen hohen Grad an Vakuum erfordert, ist es daher unmöglich, den hohen Grad an Vakuum aufgrund der Gasadsorptionsquelle, die von dem Glasstaub geschaffen wird, aufrechtzuerhalten.
Die EP-A-0 416 131 offenbart einen elektrisch isolierten Draht mit einem Grundmaterial, das eine äußere Oberfläche und einen Leiter aufweist, wobei eine chromoxidhaltige Schicht auf der äußeren Oberfläche des Grundmaterials gebildet ist und eine Oxidisolierschicht auf der Chromoxidschicht gebildet ist. Die Oxidisolierschicht wird durch Anwendung einer Vorläuferlösung eines Metalloxids auf der Grundlage des Sol- Gel-Verfahrens oder durch ein Pyrolyseverfahren mit Salz einer organischen Säure gebildet.
Die GB-A-2 182 800 offenbart ein Flachkabel mit einer Anzahl von metallischen Leitern, einer Beschichtung aus einer Isolatorzusammensetzung und einer durchgehenden polymerischen Isolierschicht. Die Zusammensetzung kann Nitrid sein. Die Oxid- oder Nitridbeschichtung wird durch Zerstäuben aufgebracht.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die Erfindung wurde vorgeschlagen, um die oben erwähnten Probleme des konventionellen isolierter Drahtes zu überwinden, und eine Aufgabe derselben ist es, einen isolierten Draht zu schaffen, welcher die Vorteile hat: (a) hohe Isolationeigenschaft unter einer Hochtemperaturumgebung; (b) ausgezeichnete Flexibilität; (c) Vorsehen einer nichtgasabsorbierenden Quelle; und (d) Auswählbarkeit für die Kombination eines Grundmaterials und einer anorganischen Isolierschicht, welche in verschiedenen Weisen aufgetragen werden kann.
Ein Isolierdraht, der gemäß dem Verfahren der Erfindung hergestellt wird, umfaßt ein Grundmaterial, eine chromoxidhaltige Schicht und eine Nitrid-Isolatorschicht. Das Grundmaterial hat eine äußere Fläche und enthält einen Leiter. Die chromoxidhaltige Schicht wird auf der äußeren Fläche des Grundmaterials gebildet. Die Nitrid- Isolatorschicht wird auf der chromoxidhaltigen Schicht gebildet. Die Nitrid-Isolatorschicht wird durch thermische Zersetzung eines organischen Metallpolymers erhalten.
Gemäß der Erfindung wird die chromoxidhaltige Schicht vorzugsweise durch ein elektrochemisches Verfahren, wie beispielsweise elektrolytisches Platieren oder elektroloses Platieren gebildet.
Die chromoxidhaltige Schicht, die als eine Unterschicht für die Nitrid-Isolatorschicht dient, hat vorzugsweise eine äußere Schicht, welche als Haftschicht für die Nitrid- Isolatorschicht dient. Zu diesem Zweck wird die äußere Schicht vorzugsweise aus CrO3-x (1,5 x ≤ 2,5) hergestellt. Die äußere Schicht der chromoxidhaltigen Schicht, welche durch ein elektrochemisches Verfahren gebildet wird, ist durch eine solche Schicht aus Chromoxid mit ausgezeichneter Haftung definiert.
Gemäß der Erfindung enthält die Nitrid-Isolatorschicht vorzugsweise Siliciumnitrid und/oder Aluminiumnitrid.
Gemäß der Erfindung besteht das Grundmaterial vorzugsweise aus Kupfer oder Kupferhergestellt in Hinsicht auf die hohe Leitfähigkeit und niedriger Kosten. Im Hinblick auf die Verwendung unter einer hohen Temperatur kann das Grundmaterial durch einen Leiter gebildet werden, der mit Nickel, Chrom, Silber, Eisen oder Eisenlegierung, wie beispielsweise rostfreiem Stahl oder Titan oder Titanlegierung, beschichtet ist. In diesem Fall kann eine Schicht aus solch einem Metall oder Legierung auf der Oberfläche des Kupfers oder der Kupferlegierung durch Platieren oder ein Überzugverfahren gebildet werden.
Gemäß der Erfindung kann eine Metalloxid-Isolatorschicht durch ein Sol-Gel-Verfahren zwischen der chromoxidhaltigen Schicht und der Nitrid-Isolatorschicht gebildet werden.
Das Sol-Gel-Verfahren ist ein Verfahren zur Bildung eines Sols von einem Vorgängers aus Metalloxid durch Hydrolyse und Dehydrierung/Polykondensierung einer hydrolysierbaren Zusammensetzung mit einer metalloxidorganischen Gruppenbindung, wie beispielsweise Metallalkoxid oder Metallcarboxylsäureester und Bilden eines Metalloxids durch ein Gel durch geeignete Wärmebehandlung.
Es ist bekannt, daß eine chromplatierte Schicht, die auf einem Leiter aus Kupfer oder Kupferlegierung gebildet ist, eine ausgezeichnete Haftschicht darstellt. Wenn eine solche chromplatierte Schicht beschicht wird mit einer Isoliernitridkeramikschicht aus Siliciumnitrid oder ähnlichem, welches durch eine Wärmebehandlung einer Vorgängerlösung für ein Metalloxid hergestellt wird, dann zeigt jedoch dieses Nitridkeramik kaum Haftung auf der chromplatierten Schicht. Die Erfinder haben diese Tatsache empirisch herausgefunden. Wenn ein isolierter Draht hergestellt wird durch direktes Bilden eines dünnen Films aus Keramik, wie beispielsweise Nitrid, auf der Oberfläche eines Leiters aus Kupfer oder ähnlichem, dann hat der dünne Film aus Keramik, der als Isolatorschicht dient, eine ungenügende Haftung auf dem Grundmaterial.
Gemäß der Erfindung wird daher eine chromoxidhaltige Schicht mit einer äußeren Schicht aus Chromoxid auf der äußeren Oberfläche eines Grundmaterials aufgebracht. Eine Schicht aus Isoliernitridkeramik mit ausgezeichneter Haftung wird auf der äußeren Schicht der chromoxidhaltigen Schicht vorgesehen.
Gemäß der Erfindung wird die chromoxidhaltige Schicht vorzugsweise durch elektrochemisches Verfahren gebildet, wie oben beschrieben wurde. Wenn die chromoxidhaltige Schicht durch Elektraplatieren hergestellt wird, dann wird das Elektrolysebad vorzugsweise durch Zugabe eines kleinen Anteils von organischer Säure einer wäßrigen Lösung aus Chromsäure hergestellt. Dieses elektrolytische Bad unterscheidet sich von einem Sargent-Bad, das hauptsächlich Chromsäure und Schwefelsäure enthält, die bekanntermaßen als elektrolytisches Bad zum Chromplatieren allgemein verwendet werden, dadurch wie folgt:
Mineralsäure, welche in ein elektrolytisches Bad gemischt wird, ist geeignet, um Chromoxid aufzulösen, das auf einer platierten Fläche im Elektroplatieren gebildet ist. Daher wird eine glänzende Metallchromiumschicht durch ein Sargent-Bad platiert. In einer chromoxidhaltigen Schicht, die in der vorliegenden Erfindung gebildet wird, ist es andererseits notwendig, Chromoxid vorzugsweise abzulagern und anzuwenden. Gemäß der Erfindung wird daher organische Säure anstatt Mineralsäure verwendet.
Gemäß der Erfindung hat die so gewählte Schicht, die hauptsächlich aus Chromoxid gebildet ist, vorzugsweise eine rauhe Oberfläche, da dieselbe weiterhin beschichtet wird mit einer Zwischenschicht, wie beispielsweise eine Nitrid- Isolatorschicht oder eine Metalloxid-Isolatorschicht. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann eine solche vorzugsweise Bildung von Chromoxid und die rauhe Oberfläche erhalten werden durch Platieren mit einer Stromdichte, welche unterschiedlich ist, zu der allgemeinen Glanzplatierung. Im allgemeinen wird eine Glanzplatierung bei einer Stromdichte von 10 bis 60 A/dm² durchgeführt, abhängig von der Temperaturbehandlung. In der bevorzugten Ausführungsform liegt die Stromdichte jedoch bei 100 bis 200 A/dm², um eine chromoxidhaltige Schicht zu bilden, die eine rauhe Oberfläche aufweist.
Gemäß der Erfindung wird die Nitrid-Isolatorschicht gebildet durch thermische Zersetzung eines organischen Metallpolymers. Ein solches organisches Metallpolymer kann aus einem Alkylaminosilikat, wie beispielsweise Polysilazan, hergestellt werden. Diese Wärmebehandlung wird vorzugsweise in einer Atmosphäre aus Ammoniak oder Stickstoffstrahl durchgeführt. Das organische Metallpolymer kann im wesentlichen vollständig in ein Nitrid zersetzt werden durch eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von über 700ºC.
In dem isolierten Draht gemäß der Erfindung wird die chromoxidhaltige Schicht auf der äußeren Fläche des Grundmaterials gebildet, und die Nitrid-Isolatorschicht wird auf der chromoxidhaltigen Schicht gebildet. Die chromoxidhaltige Schicht hat eine ausgezeichnete Haftung auf dem Grundmaterial wie auch auf einer Schicht, wie beispielsweise die Nitrid-Isolatorschicht oder eine Metalloxid-Isolatorschicht. Daher kann eine hohe Haftung erreicht werden im Vergleich mit einem Fall der direkten Bildung einer Nitrid-Isolatorschicht oder einer Metalloxid- Isolatorschicht auf der äußeren Fläche des Leiters. Daher hat der isolierte Draht gemäß der Erfindung eine ausgezeichnete Hitzebeständigkeit und Isolation wie auch eine ausgezeichnete Flexibilität.
Die Nitrid-Isolatorschicht, die auf der chromoxidhaltigen Schicht gebildet wird, hat eine glatte äußere Fläche. Daher ist es möglich, eine hohe Durchbruchsspannung zu erhalten, welche proportional zur Filmdicke ist, und eine Gasadsorptionsquelle zu reduzieren, wodurch die Isolierter Draht einen hohen Grad an Vakuum in einem Hochvakuumsapparat erhält.
In dem isolierten Draht gemäß der Erfindung wird die Nitrid-Isolatorschicht auf der chromoxidhaltigen Schicht gebildet. Da jeder Typ von Nitrid-Isolatorschicht auf der chromoxidhaltigen Schicht mit ausgezeichneter Haftung gebildet werden kann, ist es möglich, eine Nitrid- Isolatorschicht, die in verschiedenen Weisen angewendet werden kann, zu kombinieren.
Die vorangegangene und andere Aufgabe, Merkmale, Aspekte und Vorteile der Erfindung werden deutlicher werden anhand der folgenden ausführlichen Beschreibung der Erfindung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht, die das Beispiel 1 gemäß der Erfindung zeigt;
Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht, die das Beispiel 2 gemäß der Erfindung zeigt; und
Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht, die das Beispiel 3 gemäß der Erfindung zeigt.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Beispiel 1

(a) Bildung der chromoxidhaltigen Schicht

Es wurde elektrolytisches Platieren auf der äußeren Fläche eines nickelplatierten Kupferdrahts von 1,8 mm Drahtdurchmesser durchgeführt. Das Elektrolyt wurde so hergestellt, daß es 200 g/l von Chromanhydrid und 20 g/l von Essigsäure enthält. In Hinsicht auf die Platierungsbedingungen wurde das Grundmaterial als Kathode in einer Badtemperatur von 50ºC mit einer Stromdichte von 150 A/dm² und einer Behandlungszeit von 2 Minuten verwendet. So wurde eine chromoxidhaltige Schicht auf der äußeren Fläche des nickelplatierten Kupferdrahts mit einer Dicke von ungefähr 1 um hergestellt.

(b) Herstellung der Beschichtungslösung

15 ml von Dichlorosilan und 40 ml von Triethylamin wurde aufgeheizt in einem Autoklaven für 5 Stunden, um Polysilazan herzustellen. Das so erhaltene Polysilazan wurde aufgelöst mit 100 ml Tetrahydrofuran, um eine Beschichtungslösung herzustellen.

(c) Beschichtung

Der Draht, der in dem obigen Prozeß (a) erhalten wurde, wurde in die Beschichtungslösung eingetaucht, die in dem Prozeß (b) erhalten wurde. Der Draht, dessen äußere Oberfläche so beschichtet wurde mit der Beschichtungslösung, wurde in einer Stickstoffatmosphäre bei einer Temperatur von 700ºC für 10 Minuten aufgeheizt. Der Schritt des Eintauchens des Drahtes in die Beschichtungslösung und Aufheizen desselben wurde 10 Mal wiederholt.
Auf diese Weise wurde ein organisches Metallpolymer auf der chromoxidhaltigen Schicht auf gelegt und aufgeheizt, um eine Nitrid-Isolatorschicht herzustellen. Fig. 1 zeigt den so erhaltenen isolierten Draht. Mit Bezug auf Fig. 1 ist eine nickelplatierte Schicht 2 auf der äußeren Fläche eines Kupferdrahtes 1 gebildet. Die chromoxidhaltige Schicht 3 ist auf der nickelplatierten Schicht 2 gebildet. Eine Nitrid- Isolatorschicht 4, die durch Wärmebehandlung eines Vorgängers für ein Metallnitrid hergestellt wurde, wurde auf der chromoxidhaltigen Schicht 3 vorgesehen. In diesem Beispiel wurde die Nitrid-Isolatorschicht 4 aus Siliciumnitrid hergestellt. Weiterhin hatte die Schicht, die durch die chromoxidhaltige Schicht 3 die Nitrid-Isolatorschicht 4 definiert wurde, eine Dicke von ungefähr 5 um.
Um weiterhin die Isolation des so erhaltenen isolierten Drahtes zu ermitteln, wurde die Durchbruchspannung gemessen. Die Durchbruchspannung des isolierten Drahtes war 500 V unter Raumtemperatur und 300 V unter einer Temperatur von 800ºC.
Als dieser isolierte Draht um die äußere Oberfläche eines Zylinders von 3 cm Durchmesser gewickelt wurde, wurden keine Risse in der Isolationsschicht verursacht.

Beispiel 2

(a) Bildung der chromoxidhaltigen Schicht

Ein Kupferdraht, der mit mit rostfreiem Stahl (SUS304) überzogen war, wurde mit einem Drahtdurchmesser von 1,8 mm hergestellt. Die Schicht aus rostfreiem Stahl hat eine Dicke von 200 um. Dieser Kupferdraht, der mit rostfreiem Stahl überzogen war, wurde als Grundmaterial verwendet, so daß seine Oberfläche chromplatiert wurde mit einem Elektrolyt, das 200 g/l Chromanhydrid und 20 g/l Essigsäure enthielt. In Bezug auf die Platierungsbedingungen wurde das Grundmaterial als Kathode unter einer Badtemperatur von 50ºC mit einer Stromdichte von 150 A/dm² und einer Behandlungszeit von 2 Minuten verwendet.
Durch eine solche Chromplatierung wurde eine chromoxidhaltige Schicht auf der Oberfläche des Kupferdrahtes, der mit rostfreiem Stahl überzogen war, mit einer Dicke von ungefähr 1 um gebildet.

(b) Herstellung der Beschichtungslösung

Tris(N-methylamino)methylsilan wurde aufgeheizt in einem Autoklaven bei 500ºC für 3 Stunden, um Polysilazan herzustellen. Es wurde 10 g des so erhaltenen Polysilazan in 100 ml von Tetrahydrofuran aufgelöst, in natürlicher Weise bei Raumtemperatur abgekühlt, und danach mit 3 g von Aluminiumnitridteilchen von 1,5 um nominalen Teilchendurchmesser gemischt, um eine Beschichtungslösung herzustellen.

(c) Beschichtung

Der Draht, der in dem obigen Prozeß (a) erhalten wurde, wurde in die Beschichtungslösung, die durch den Prozeß (b) erhalten wurde, eingetaucht. Der Draht, dessen äußere Fläche so mit der Beschichtungslösung beschichtet wurde, wurde auf 500ºC für 10 Minuten aufgeheizt. Der Schritt des Eintauches des Drahtes in die Beschichtungslösung und Aufheizen desselben wurde 10 Mal wiederholt.
Auf diese Weise wurde eine chromoxidhaltige Schicht mit einem organischen Metallpolymer beschichtet und thermisch zersetzt, um eine Nitrid-Isolatorschicht zu bilden. Fig. 2 zeigt diesen Isolierten Draht. Mit Bezug auf Fig. 2 ist eine Schicht 12 aus rostfreiem Stahl auf der äußeren Fläche eines Kupferdrahtes 11 als Überzug gebildet. Eine chromoxidhaltige Schicht 13 ist auf der Schicht 12 aus rostfreiem Stahl gebildet. Eine Nitrid-Isolatorschicht 14 ist auf der chromoxidhaltigen Schicht 13 gebildet. Nitridteilchen 15, welche Aluminiumnitridteilchen sind, wurden in der Nitrid- Isolatorschicht 14 verteilt.
In diesem Beispiel hatte die Schicht, die durch die chromoxidhaltige Schicht 13 und die Nitrid-Isolatorschicht 14 definiert war, eine Dicke von ungefähr 12 um.
Um die Isolation des so erhaltenen Isolierten Drahtes zu bestimmen, wurde die Durchbruchspannung gemessen. Die Durchbruchspannung dieses Drahtes war 900 V unter Raumtemperatur und 700 V unter einer Temperatur von 800ºC. Als diese Isolierter Draht auf den äußeren Umfang eines Zylinders von 15 cm Durchmesser gewickelt wurde, traten keine Risse in der Isolatorschicht auf.

Beispiel 3

Elektrolytisches Platieren wurde auf der Oberfläche eines nickelplatieren Kupferdrahtes in ähnlicher Weise durchgeführt, wie in Beispiel 1, um ein Draht mit 0,5 mm Drahtdurchmesser mit einer chromoxidhaltigen Schicht auf seiner Oberfläche zu bilden. In diesem Draht hatte die chromoxidhaltige Schicht eine Dicke von 1,0 um.
Dann wurde eine Lösung zur Bildung einer Metalloxid- Isolatorschicht durch ein Sol-Gel-Verfahren hergestellt. Salpetersäure wurde mit einer Geschwindigkeit von 3/100 Mol zu der Lösung zugefügt, die Tetrabutylorthosilikat, Wasser und Isobutylalkohol in einem Molverhältnis von 8:32:60 enthielt. Diese Mischung wurde bei einer Temperatur von 80ºC für 2 Stunden aufgeheizt, um eine Beschichtungslösung zu bilden. Die Lösung wurde auf den oben erwähnten Draht mit einer chromoxidhaltigen Schicht auf seiner Oberfläche angewendet und in der Atmosphäre bei 600ºC für 15 Minuten aufgeheizt, um eine Metalloxid-Isolatorschicht von 4 um Dicke zu bilden.
Die Durchbruchspannung dieses Drahtes mit einer Metalloxid-Isolatorschicht auf seiner Oberfläche war 400 V, und es war unmöglich, diesen Draht auf einen Zylinder zu wickeln, dessen Durchmesser kleiner als 40 mm war.
Polysilazan wurde in ähnlicher Weise hergestellt, wie in Beispiel 1, um eine Nitrid-Isolatorschicht von 7 um Dicke auf der Oberfläche des Drahtes mit einer Metalloxid- Isolatorschicht zu bilden. In diesem Fall zeigte der Draht eine Durchbruchspannung von 1.400 V, und es war möglich, den Draht um denselben mit einem Durchmesser von 20 mm zu wickeln.
Ein anderer Draht wurde hergestellt mit einer Nitrid- Isolatorschicht von 2 um Dicke. Dieser Draht zeigte eine Durchbruchspannung von 600 V, und es war möglich, diesen mit einem Durchmesser von 5 mm zu wickeln.
Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht, die einen Draht gemäß diesem Beispiel mit einer chromoxidhaltigen Schicht einer Metalloxid-Isolatorschicht darauf und eine Nitrid- Isolatorschicht auf diesem zeigt. Mit Bezug auf Fig. 3 ist eine nickelplatierte Schicht 22 auf einen Kupferdraht 21 gebildet, und eine chromoxidhaltige Schicht 23 ist um die nickelplatierte Schicht 22 vorgesehen. Eine Metalloxid- Isolatorschicht 24 ist um die chromoxidhaltige Schicht 23 vorgesehen, und eine Nitrid-Isolatorschicht 25 ist um die Metalloxid-Isolatorschicht 24 gebildet.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer Isolierung, umfassend:

ein Grundmaterial, das eine äußere Fläche aufweist und einen Leiter (1) enthält;

eine chromoxidhaltige Schicht (3), die auf der äußeren Fläche des Grundmaterials gebildet ist; und

eine Nitrid-Isolatorschicht (4),

wobei die Nitrid-Isolatorschicht (4) durch thermische Zersetzung eines organischen Metallpolymers erhalten und auf der chromoxidhaltigen Schicht gebildet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierung weiterhin eine Metalloxid-Isolatorschicht (24) umfaßt, die durch ein Sol-Gel-Verfahren zwischen der chromoxidhaltigen Schicht und der Nitrid- Isolatorschicht gebildet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierung ein isolierter Draht ist.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Metallpolymer Alkylaminosilikat ist.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die chromoxidhaltige Schicht (3, 23) durch elektrolytisches Platieren gebildet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Nitrid-Isolatorschicht (4, 14) Siliziumnitrid und/oder Aluminiumnitrid enthält.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmaterial (1) aus Kupfer oder Kupferlegierung hergestellt oder durch Bilden einer Schicht aus Nickel, Chrom oder rostfreien Stahl auf einer Oberfläche von Kupfer oder Kupferlegierung durch Platieren oder ein Überzugverfahren gebildet ist.

8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß feine Teilchen aus Keramik (15) in der Nitrid-Isolatorschicht dispergiert sind.