DE69103867D1 - Optische Halbleitervorrichtungen mit PN-Strom sperrenden Schichten aus Materialien mit breitem Bandabstand. - Google Patents
Optische Halbleitervorrichtungen mit PN-Strom sperrenden Schichten aus Materialien mit breitem Bandabstand.Info
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31111990 | 1990-11-16 | ||
JP32648190 | 1990-11-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69103867D1 true DE69103867D1 (de) | 1994-10-13 |
Family
ID=26566590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69103867T Expired - Lifetime DE69103867D1 (de) | 1990-11-16 | 1991-11-18 | Optische Halbleitervorrichtungen mit PN-Strom sperrenden Schichten aus Materialien mit breitem Bandabstand. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5214662A (de) |
EP (1) | EP0486327B1 (de) |
JP (1) | JPH0513882A (de) |
DE (1) | DE69103867D1 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5319661A (en) * | 1990-12-27 | 1994-06-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor double heterostructure laser device with InP current blocking layer |
US5383213A (en) * | 1992-05-08 | 1995-01-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with current confinement structure |
JPH065975A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
US5568501A (en) * | 1993-11-01 | 1996-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for producing the same |
EP1130724A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-05 | Alpes Lasers | Quantenkaskadierter Laser und sein Herstellungsverfahren |
US6664605B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-12-16 | Triquint Technology Holding Co. | Dopant diffusion blocking for optoelectronic devices using InAlAs and/or InGaAlAs |
JP4552549B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-09-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子 |
JP4639107B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-02-23 | 富士通株式会社 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JP4792854B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子及びその製造方法 |
JP2009283822A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
WO2020084687A1 (ja) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4425650A (en) * | 1980-04-15 | 1984-01-10 | Nippon Electric Co., Ltd. | Buried heterostructure laser diode |
JPS60154689A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | 発光素子およびこれを用いた光通信装置 |
JPH0766994B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1995-07-19 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
US4841536A (en) * | 1985-04-12 | 1989-06-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser devices |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP3327066A patent/JPH0513882A/ja active Pending
- 1991-11-15 US US07/791,767 patent/US5214662A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-18 EP EP91310624A patent/EP0486327B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-18 DE DE69103867T patent/DE69103867D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5214662A (en) | 1993-05-25 |
EP0486327B1 (de) | 1994-09-07 |
EP0486327A3 (en) | 1993-01-13 |
EP0486327A2 (de) | 1992-05-20 |
JPH0513882A (ja) | 1993-01-22 |
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8332 | No legal effect for de |