DE69032140T2 - Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters für optische Elemente - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters für optische ElementeInfo
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Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters in optischen Elementen mit einem optischen Lichtausbreitungs-Wellenleiter. Das Beugungsgitter wird dazu verwendet, das Wellenleiterlicht im optischen Wellenleiter zu steuern oder das Innere und das Äußere des optischen Wellenleiters optisch zu verbinden.
- In den letzten Jahren wurden verschiedene optische Elemente zum Ausbreiten von Licht in einem optischen Wellenleiter aus einem nichtlinearen optischen Material entwickelt. Da ein optischer Wellenleiter sehr geringe Lichtverluste aufweist, obwohl sein Querschnitt nur ungefähr so groß wie die Wellenlänge des auszubreitenden Lichts ist, existiert keine Lichtaufweitung, wie sie mit der Ausbreitung von Licht einhergeht, so dass eine Umsetzung der Wellenlänge über die gesamte Kohärenzlänge erzielt werden kann, der Umsetzungswirkungsgrad erhöht werden kann und andere Vorteile erzielt werden können. Z.B. sind optische Wellenleiter insbesondere zum Erzeugen von Licht der zweiten Harmonischen mit einer Wellenlänge, die der Hälfte des Lichts der Fundamentalmode entspricht, unter Verwendung der Erzeugung der zweiten Harmonischen aus nichtlinearen optischen Materialien von Nutzen. Um Licht der zweiten Harmonischen zu erzeugen, ist es wichtig, das Licht der Fundamentalmode in eine so kleine Fläche wie möglich mit geringen Verlusten einzuengen, da der Wirkungsgrad der Umsetzung des Lichts der Fundamentalmode in Licht der zweiten Harmonischen proportional zum Quadrat der optischen Dichte des Lichts der Fundamentalmode verläuft. Daher kann ein Wellenlängen-Umsetzungselement, bei dem der optische Wellenleiter aus einem nichtlinearen optischen Material besteht, Licht in der Grundmode im optischen Wellenleiter einengen, um Licht der zweiten Harmonischen zu erzeugen, wodurch eine Umsetzung der Wellenlänge mit hohem Wirkungsgrad erzielt wird.
- Jedoch bestehen im Fall optischer Elemente zur Umsetzung der Wellenlänge Nachteile dahingehend, dass der Wellenlängen-Umsetzungswirkungsgrad durch z.B. folgendes beeinträchtigt ist: schwieriger Eintritt des Lichts der Fundamentalmode in den optischen Wellenleiter aufgrund seiner extrem kleinen Größe, schlechte Kristallinität des nichtlinearen optischen Materials, wie bei der Herstellung des optischen Wellenleiters hervorgerufen, und, insbesondere, Streuung des Lichts der Fundamentalmode aufgrund einer Ungleichmäßigkeit an der Oberfläche des optischen Wellenleiters.
- Bisher wurde das Einleiten von Licht der Fundamentalmode in einen optischen Wellenleiter dadurch erzielt, wie es in Fig. 5 dargestellt ist, dass das Ende 32a eines optischen Wellenleiters 32, der aus nichtlinearem optischem Material besteht und in einem Substrat 31 ausgebildet ist, optisch poliert wird und Licht in der Grundmode, wie es z.B. von einem Halbleiterlaser 40 emittiert wird, mittels einer Linse 50 großer numerischer Apertur (NA) kondensiert wird. Das Licht 31 der Fundamentalmode, wie es sich im optischen Wellenleiter 32 ausbreitet, wird aufgrund z.B. Cerenkov-Strahlung zu Licht der zweiten Harmonischen. Um jedoch das Licht der Fundamentalmode in den optischen Wellenleiter 32 zu lenken, muss die optische Achse zwischen dem extrem kleinen Ende 32a des optischen Wellenleiters 32 und der Linse 50 genau eingestellt werden.
- Aus diesem Grund wird anstelle einer Linse 50 ein optischer Koppler mit Beugungsgitter dazu verwendet, Licht der Fundamentalmode in den optischen Wellenleiter 32 zu lenken. Ein optischer Koppler mit Beugungsgitter ist ein Beugungsgitter auf dem optischen Wellenleiter, um Licht in diesen zu lenken, und da er keine Linse oder dergleichen benötigt, kann das Bauteil zum Umsetzen der Wellenlänge kompakter hergestellt werden und es ist keine Einstellung der optischen Achse zwischen der Linse und dem optischen Wellenleiter erforderlich.
- Um in einem optischen Koppler mit Beugungsgitter hohen Kopplungswirkungsgrad zu erzielen, muss die Gitterschrittweite des Beugungsgitters extrem fein sein. Ferner ist es erwünscht, um Bauteile zur Umsetzung der Wellenlänge sowie ähnliche Bauteile unter Verwendung eines optischen Elements kompakter zu machen, erwünscht, den optischen Koppler mit Beugungsgitter vom Typ mit Wellenfront-Umsetzung auszugestalten, bei dem eine Linse oder andere Funktionselemente mitvorhanden sind. Daher ist es erwünscht, eine Elektronenstrahl-Belichtungstechnik mit hoher Auflösung und einer Ablenkung mit hoher Geschwindigkeit zu verwenden.
- Wenn jedoch ein Beugungsgitter mittels einer Elektronenstrahl-Belichtungstechnik auf einem optischen Wellenleiter hergestellt wird, wird der auf dem Substrat des nichtlinearen optischen Materials hergestellte Resistfilm geladen, wenn er mit einem Elektronenstrahl bestrahlt wird, da das nichtlineare optische Material im Allgemeinen ein Isolator ist, wodurch der Elektronenstrahlpfad gekrümmt wird. Dies macht es unmöglich, auf dem optischen Wellenleiter mit einem Elektronenstrahl ein feines Muster zu ziehen. Obwohl das Abscheiden eines metallischen Dünnfilms auf dem optischen Wellenleiter als nützlich angesehen wird, um ein Aufladen des Resistfilms zu verhindern, wäre ein Prozess zum Entfernen des metallischen Dünnfilms erforderlich, und die Stoffe, die zum Beseitigen verwendet werden, können den optischen Wellenleiter angreifen.
- Das Dokument "Japanese Journal of Applied Physics", Vol. 18, No. 2, Februar 1979, Seiten 279 - 283, auf dem der Oberbegriff von Anspruch 1 beruht, offenbart ein Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters in einem optischen Element mit einem optischen Wellenleiter, das die folgenden Schritte umfasst: Herstellen eines Elektronenstrahl-Resistfilms auf einem transparenten Material; Zeichnen eines Beugungsgittermusters auf dem Resistfilm mittels eines Elektronenstrahls, und Entwickeln des Resistfilms. Das Beugungsgitter wird im Resistfilm ausgebildet.
- Das Dokument JP-A-62 057 219 offenbart ein Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters auf einem optischen Element, bei dem ein Resistfilm mit drei Schichten verwendet wird. Der Resistfilm verfügt über eine elektrisch leitende Schicht, die zwischen zwei elektrisch isolierende Photoresistschichten eingebettet ist.
- Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters in einem optischen Element mit einem optischen Wellenleiter, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Herstellen eines Elektronenstrahl-Resistfilms auf einem transparenten Material; Zeichnen eines Beugungsgittermusters mittels eines Elektronenstrahls auf dem Resistfilm; und Entwickeln des Resistfilms mittels des darauf gezeichneten Beugungsgittermusters, um einen Resistfilm mit dem Beugungsgittermuster auszubilden; dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner die folgenden Schritte aufweist: Herstellen eines transparenten, leitenden Films unmittelbar auf dem optischen Wellenleiter, wobei der Elektronenstrahl-Resistfilm auf dem transparenten, leitenden Film ausgebildet wird; Ätzen des transparenten Films unter Verwendung des Resistfilms als Maske, wobei der Schritt des Ätzens des transparenten Films nach dem Schritt des Herstellens des Beugungsgittermusters im Resistfilm ausgeführt wird, um im transparenten Film ein Beugungsgitter auszubilden; und Entfernen des Resistfilms nach dem Schritt des Ätzens des transparenten, leitenden Films.
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform besteht der transparente, leitende Film aus Indiumzinnoxid (ITO).
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform besteht der Elektronenstrahl-Resistfilm aus Poly(methylmethacrylat) (PMMA).
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird das Beugungsgittermuster durch eine Elektronenstrahl-Belichtungstechnik gezeichnet.
- So ermöglicht es die hier beschriebene Erfindung, die folgenden Ziele zu erreichen: (1) Schaffen eines Verfahrens zum Herstellen eines Beugungsgitters mit vorgeschriebener Form auf einem optischen Wellenleiter aus nichtlinearem optischem Material mit großer Einfachheit durch eine Elektronenstrahl-Belichtungstechnik; und (2) Schaffen eines Verfahrens zum Herstellen eines Beugungsgitters mit hochgenauen Abmessungen auf einem optischen Wellenleiter aus nichtlinearem optischem Material mit großer Einfachheit durch eine Elektronenstrahl-Belichtungstechnik.
- Die Erfindung ist unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen vom Fachmann besser zu verstehen, und ihre zahlreichen Aufgaben und Vorteile werden daraus ersichtlich.
- Fig. 1a ist eine perspektivische Ansicht, die ein optisches Wellenlängen- Umsetzungselement mit einem durch ein Vergleichsverfahren hergestellten Beugungsgitter zeigt.
- Fig. 1b ist eine Schnittansicht, die das optische Wellenlängen-Umsetzungselement von Fig. 1a zeigt.
- Fig. 2a ist ein schematisches Diagramm, das ein durch das Vergleichsverfahren erhaltenes Beugungsgittermuster zeigt.
- Fig. 2b ist ein schematisches Diagramm, das ein durch ein herkömmliches Verfahren erhaltenes Beugungsgittermuster zeigt.
- Fig. 3a ist ein Kurvenbild, das die Beziehung zwischen der Schichtdicke und dem effektiven Brechungsindex eines optischen Wellenleiters in demjenigen Teil eines Beugungsgitters zeigt, in dem ein Elektronenstrahl-Resistfilm vorhanden ist.
- Fig. 3b ist ein Kurvenbild, das die Beziehung zwischen der Schichtdicke und dem effektiven Brechungsindex eines optischen Wellenleiters in demjenigen Teil eines Beugungsgitters zeigt, in dem kein Elektronenstrahl-Resistfilm vorhanden ist.
- Fig. 3c ist ein Kurvenbild, das die Differenz zwischen den effektiven Brechungsindizes der Kurvenbilder der Fig. 3a und 3b zeigt.
- Fig. 4 ist eine Schnittansicht, die ein anderes optisches Wellenlängen- Umsetzungselement mit einem durch ein erfindungsgemäßes Verfahren hergestellten Beugungsgitter zeigt.
- Fig. 5 ist eine Schnittansicht, die ein herkömmliches optisches Wellenlängen-Umsetzungselement zeigt.
- Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters wird z.B. bei der Herstellung eines optischen Kopplers mit Beugungsgitter auf einem optischen Wellenlängen-Umsetzungselement unter Verwendung der Erzeugung der zweiten Harmonischen angewandt.
- Die Fig. 1a und 1b zeigen ein optisches Wellenlängen-Umsetzungselement, bei dem ein streifenförmiger optischer Wellenleiter 12 im mittleren Teil eines Substrats 11 ausgebildet ist. Das Substrat 11 besteht aus dem nichtlinearen optischen Material LiNbO&sub3;. Nachdem ein streifenförmigen Maskenmuster eines Photoresists auf dem Substrat 11 durch Photolithographie hergestellt wurde, wird der optische Wellenleiter 12 durch ein Protonenaustauschverfahren mit Benzoesäure bei 220 ºC für ungefähr 30 Minuten hergestellt.
- Wie es in Fig. 1b dargestellt ist, wird, wenn sich Licht 21 einer Fundamentalmode im optischen Wellenleiter 12 ausbreitet, Licht 22 der zweiten Harmonischen mit einer Wellenlänge, die die Hälfte derjenigen des Lichts 21 der Fundamentalmode ist, z.B. durch Cerenkov-Strahlung erzeugt. Wenn sich z.B. das Licht eines YAG-Lasers mit einer Wellenlänge von 1.064 nm als Licht der Fundamentalmode im optischen Wellenleiter 12 ausbreitet, wird Licht der zweiten Harmonischen mit einer Wellenlänge von 532 nm erzeugt.
- Das Verfahren zum Herstellen eines optischen Kopplers mit Beugungsgitter auf einem optischen Wellenlängen-Umsetzungselement dieser Art ist das folgende. Als erstes wird unter Verwendung eines Sintertargets aus In&sub2;O&sub5;, das mit 10 % SnO&sub2; vermischt ist, ein Indiumzinnoxid(ITO)-Film 13 als transparenter, leitender Film auf dem Substrat 11 mit dem optischen Wellenleiter 12 mit einer Dicke von ungefähr 0,1 um durch HF-Sputtern abgeschieden. In diesem Fall ist es bevorzugt, dass die Temperatur des Substrats 11 soweit wie möglich erhöht ist, um die Transparenz des ITO-Films 13 zu erhöhen. Wenn jedoch die Temperatur des Substrats 11 zu stark erhöht wird, kann sich der optische Wellenleiter 12 aufgrund einer Protonendiffusion aufweiten. Daher wird die Temperatur des Substrats 11 vorzugsweise während des Abscheidens des ITO-Films 13 auf ungefähr 200 ºC eingestellt. Bei diesem Beispiel wurde die Temperatur des Substrats 11 während des Abscheidens auf 200 ºC eingestellt.
- Als nächstes wird auf dem ITO-Film 13 als Elektronenstrahl-Resistfilm ein Film 14 aus Polymethylmethacrylat (PMMA) hergestellt und dann durch Vorbrennen für 20 Minuten bei 180 ºC geeignet gehärtet. Dann wird auf dem PMMA-Film 14 das Beugungsgittermuster mittels einer Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung gezeichnet, und das Beugungsgitter 15 wird durch Entwickeln des PMMA-Films 14 ausgebildet.
- Bei diesem Beispiel wurde unter Verwendung eines Elektronenstrahls zum Erzeugen eines Beugungsgittermusters mit einer Gitterschrittweite von ungefähr 0,5 um und gleichmäßiger Gitterbreite das in Fig. 2a dargestellte Beugungsgittermuster erhalten. Zum Vergleich wurde, wenn ein ähnliches Beugungsgittermuster durch eine Elektronenstrahl-Belichtungstechnik ohne Bereitstellen eines transparenten, leitenden ITO-Films hergestellt wurde, nur das in Fig. 2b dargestellte Beugungsgittermuster erhalten. Beim Beugungsgittermuster dieses Beispiels, wie es in Fig. 2a dargestellt ist, bleibt die Gitterbreite nahezu konstant, wohingegen beim in Fig. 2b dargestellten Vergleichsbeispiel die Gitterbreite allmählich zunimmt. Dies zeigt, dass das Laden des Resistfilms eine Krümmung des Elektronenstrahlpfads bewirkt. Beim Beugungsgittermuster dieses Beispiels wurde eine Gitterschrittweite von ungefähr 0,5 um über das gesamte Muster erzielt, wohingegen beim Vergleichsbeispiel die Gitterschrittweite bis auf 0,8 um zunahm.
- Bei einem optischen Wellenlängen-Umsetzungselement mit einem auf diese Weise erhaltenen optischen Koppler mit Beugungsgitter wird von einer Punktlichtquelle wie einem Halbleiterlaser 40 emittiertes Laserlicht durch den optischen Koppler mit Beugungsgitter in den optischen Wellenleiter 12 gelenkt. Um den Kopplungswirkungsgrad des optischen Kopplers mit Beugungsgitter zu verbessern, wird das vom Halbleiterlaser 40 emittierte Laserlicht innerhalb des optischen Wellenleiters 12 vorzugsweise zu einem parallelen Strahl gemacht. Das Beugungsgittermuster wird eine Ansammlung von Kurven, die wie folgt definiert ist:
- (wobei m eine ganze Zahl ist),
- wobei f der Abstand vom Ursprung O bis zum Punkt der Lichtemission vom Halbleiterlaser-Bauteil 40 (d.h. der Punktlichtquelle) ist, λ die Wellenlänge des vom Halbleiterlaser emittierten Lichts ist, N der effektive Brechungsindex des optischen Wellenleiters ist und Θ der Einfallswinkel des am Ursprung O eintretenden Laserlichts ist, wobei angenommen ist, dass der Ursprung O im Zentrum des Beugungsgitters liegt. Hierbei repräsentiert y die Koordinate in der Ausbreitungsrichtung des Lichts im optischen Wellenleiter 12, und x repräsentiert die Koordinate in der Richtung rechtwinklig zur obigen Richtung im optischen Wellenleiter 12.
- Um den Kopplungswirkungsgrad des optischen Kopplers mit Beugungsgitter zu verbessern, sollte das Beugungsgitter in der Richtung der Schrittweite länger gemacht werden, und die Änderung des effektiven Brechungsindex am Beugungsgitter sollte so groß wie möglich gemacht werden.
- Die Länge des Beugungsgitters wird im Allgemeinen aufgrund von Aberrationen der Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung auf 1 mm oder weniger eingestellt. Obwohl die Gitterbreite des Beugungsgittermusters dergestalt sein sollte, dass die Intensität des vom Halbleiterlaser 40 emittierten Laserlichts 1/e² beträgt, variiert die Gitterbreite abhängig vom Aufweitungswinkel des von der Lichtquelle emittierten Lichts und von der Brennweite. Wenn die Schwingungswellenlänge des Laserlichts vom Halbleiterlaser 40 380 nm beträgt, die Brennweite 3 mm beträgt und der Aufweitungswinkel (1/e²) des Laserlichts 15º beträgt, wird die Breite des Beugungsgitters 790 um oder weniger.
- Um die Zunahme der Änderung des effektiven Brechungsindex am Beugungsgitter 15 zu erhöhen, kann die Dicke des PMMA-Films 14 groß gemacht werden. Alternativ kann auch die Dicke des optischen Wellenleiters 12 geändert werden. Da eine Zunahme der Dicke des PMMA-Films 14 die Belichtungszeit erhöht, ist es bevorzugt, die Dicke des optischen Wellenleiters 12 zu ändern, um die Änderung des effektiven Brechungsindex am Beugungsgitter 15 zu erhöhen. Bei diesem Beispiel wurde die Dicke des Elektronenstrahl-Resistfilms (d.h. des PMMA-Films 14) auf 0,1 um eingestellt. Fig. 3a zeigt die Beziehung zwischen der Schichtdicke und dem effektiven Brechungsindes des optischen Wellenleiters 12 in demjenigen Teil des Beugungsgitters 15, in dem der PMMA-Film 14 als Elektronenstrahl-Resistfilm existiert. Fig. 3b zeigt die Beziehung zwischen der Schichtdicke und dem effektiven Brechungsindex des optischen Wellenleiters 12 in demjenigen Teil des Beugungsgitters 15, in dem der PMMA-Film 14 als Elektronenstrahl-Resistfilm nicht existiert. Fig. 3c zeigt die Differenz zwischen den effektiven Brechungsindizes der zwei Kurvenbilder der Fig. 3a und 3b. Wie es aus Fig. 3c erkennbar ist, liegt zum Maximieren der Änderung des effektiven Brechungsindex am Beugungsgitter 15 die Dicke des optischen Wellenleiters 12 vorzugsweise so nahe wie möglich an der Dicke am Grenzpunkt, so dass der effektive Brechungsindex hinsichtlich des Lichts der Fundamentalmode im optischen Wellenleiter 12 in demjenigen Teil des Beugungsgitters 15, in dem der PMMA-Film 14 existiert, niedriger als der Brechungsindex des Substrats 11 ist. Ein derartiger optischer Einzelmode-Wellenleiter ermöglicht eine Abnahme des Modenverlusts und eine Zunahme des Wirkungsgrads der Wellenlängenumsetzung. Bei diesem Beispiel war die Dicke des optischen Wellenleiters 12 auf 0,5 um eingestellt.
- Fig. 4 zeigt ein optisches Wellenlängen-Umsetzungselement, das durch das erfindungsgemäße Verfahren erhalten wurde. Bei diesem Beispiel wird ein PMMA-Film (nicht dargestellt) als Elektronenstrahl-Resistfilm mit einem Beugungsgittermuster auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 hergestellt, und unter Verwendung dieses PMMA-Films des Beugungsgittermusters als Maske wird der ITO-Film 13 geätzt, um das Beugungsgitter 15 auszubilden.
- Das Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters dieses Beispiels wird nachfolgend im Einzelnen erläutert. Als erstes wird, auf dieselbe Weise wie beim Vergleichsbeispiel, ein Streifenmaskenmuster aus Photoresist durch Photolithographie auf der Ebene eines LiNbO&sub3;-Substrats 11 hergestellt. Dann wird im LiNbO&sub3;-Substrat 11 ein optischer Wellenleiter 12 durch Protonenaustausch mittels Benzoesäure hergestellt. Nachdem die Photoresistmaske entfernt wurde, wird ein ITO-Film 13 als transparenter, leitender Film durch HF-Sputtern hergestellt. Als nächstes wird auf dem ITO-Film 13 ein PMMA- Film (nicht dargestellt) als Elektronenstrahl-Resistfilm hergestellt. Auf dem PMMA-Film wurde durch einen Elektronenstrahl ein Beugungsgittermuster gezeichnet, und dann wurde dieses entwickelt, um ein Maskenmuster herzustellen. Als nächstes wurde der ITO-Film 13 unter Verwendung des PMMA-Films als Elektronenstrahl-Resistmaske durch eine Ionenstrahl-Ätztechnik unter Verwendung von Ar-Ionen geätzt, wonach der PMMA-Film durch ein geeignetes organisches Lösungsmittel wie Aceton entfernt wurde, was zum in Fig. 4 dargestellten optischen Wellenlängen-Umsetzungselement führte.
- Bei diesem Beispiel kann der Wirkungsgrad der Wellenlängenumsetzung dadurch verbessert werden, dass das Beugungsgitter als lineares Beugungsgitter hergestellt wird und Licht durch die Gitterlinse kondensiert wird, um die optische Dichte des Lichts in der Fundamentalmode zu erhöhen.
- Obwohl bei den obigen Beispielen ein ITO-Film als transparenter, leitender Film verwendet ist, kann auch ein SnO&sub2;-Film verwendet werden. Wenn ein SnO&sub2;-Film verwendet wird, kann dieser wie bei den obigen Beispielen durch eine herkömmliche Sputtertechnik hergestellt werden. Während ein SnO&sub2;-Film Lichtausbreitungsverluste im Beugungsgitter verringern kann, verfügt er über hohen elektrischen Widerstand und schlechte Bearbeitbarkeit. Daher wird ein SnO&sub2;-Film vorzugsweise nur dann verwendet, wenn die Lichtausbreitungsverluste besonders verringert werden sollen.
- Darüber hinaus erläutern die obigen Beispiele die Herstellung eines optischen Kopplers mit Beugungsgitter in optischen Wellenlängen-Umsetzungselementen, jedoch kann das erfindungsgemäße Verfahren auch auf die Herstellung von optischen Kopplern mit Beugungsgitter, von Beugungsgitter-Linsen, Beugungsgitter-Prismen, Braggreflektoren und anderen Beugungsgittern zur Verwendung bei verschiedenen optischen Elementen wie bei optischen Phasenmodulationselementen und optischen Intensitätsmodulationselementen angewandt werden.
- Es ist zu beachten, dass die Erfindung in den beigefügten Ansprüchen definiert ist.
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters (15) in einem optischen
Element mit einem optischen Wellenleiter (12), wobei das Verfahren die
folgenden Schritte umfasst:
- Herstellen eines Elektronenstrahl-Resistfilms (14) auf einem
transparenten Material;
- Zeichnen eines Beugungsgittermusters mittels eines Elektronenstrahls auf
dem Resistfilm (14); und
- Entwickeln des Resistfilms (14) mittels des darauf gezeichneten
Beugungsgittermusters, um einen Resistfilm mit dem Beugungsgittermuster
auszubilden;
dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner die folgenden Schritte
aufweist:
- Herstellen eines transparenten, leitenden Films (13) unmittelbar auf dem
optischen Wellenleiter, wobei der Elektronenstrahl-Resistfilm (14) auf dem
transparenten, leitenden Film ausgebildet wird;
- Ätzen des transparenten Films (13) unter Verwendung des Resistfilms (14)
als Maske, wobei der Schritt des Ätzens des transparenten Films (13) nach
dem Schritt des Herstellens des Beugungsgittermusters im Resistfilm
ausgeführt wird, um im transparenten Film (13) ein Beugungsgitter (15)
auszubilden; und
- Entfernen des Resistfilms nach dem Schritt des Ätzens des transparenten,
leitenden Films.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der transparente, leitende Film
(13) aus Indiumzinnoxid (ITO) besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der
Elektronenstrahl-Resistfilm (14) aus Poly(Methylmethacrylat) (PMMA) besteht.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das
Beugungsgittermuster durch eine Elektronenstrahl-Belichtungstechnik gezeichnet
wird.
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