DE69024692T2 - Herstellungsverfahren für eine Vorrichtung mit Dünnschicht-Filmstruktur - Google Patents

Herstellungsverfahren für eine Vorrichtung mit Dünnschicht-Filmstruktur

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Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung aus mindestens zwei aneinander befestigten Teilen, von denen ein Teil aus einer Struktur mit dünnen Schichten besteht.
  • Die Erfindung kann besonders (aber nicht ausschließlich) auf die Herstellung von hybriden Magnetköpfen, insbesondere in Planarstruktur angewandt werden, d.h. auf Magnetköpfe, die einerseits aus einem (eines der Teile bildenden) Hauptkörper mit einem oder mehreren zusammengefügten Bauteilen (z.B. aus Ferrit), die einen magnetischen Pfad zum Schließen eines Magnetkreises bilden (und die wie üblich eine oder mehrere Spulen tragen können), und andererseits aus einer (das andere Teil bildenden) Struktur bestehen, die auf dem Hauptkörper montiert ist und aus dünnen Schichten besteht, die so ausgebildet sind, daß sie die durch einen die aktive Seite des Magnetkopfes bildenden Magnetspalt getrennten Pole bilden.
  • Die Technik der Herstellung der Substrate für einen Magnetkreis ist bekannt und insbesondere in den französischen Patentanmeldungen 86 14 974, 88 08 526, 87 14 824, 88 08 527 beschrieben.
  • In dem Patent FR-A-1 159 994 ist die Herstellung eines Magnetkopfes beschrieben, der nicht die Technologie der dünnen Schichten verwendet, sondern eine Technologie von aufeinandergelegten Bauteilen, wobei Polstücke auf ein metallisches Zwischenbauteil geklebt sind, das seinerseits auf einen magnetischen Hauptkreis geklebt ist.
  • Andererseits zeigen die französischen Patentanmeldungen 87 14 824 und 86 14 974 ein Beispiel für die Herstellung von aktiven Seiten eines Magnetkopfes mit Hilfe der Dünnschichttechnologie. Die französische Patentanmeldung 86 14 974 entspricht dem europäischen Patent EP-A-270 404. Der Oberbegriff des Anspruchs 1 beruht auf dieser Druckschrift.
  • Wie in der zuletzt genannten Patentanmeldung (86 14 974) angegeben, werden mit einem solchen Magnetkopf nicht nur die Nutzkennwerte des Kopfes beim Schreiben und/oder Lesen verbessert, sondern dieser Kopf eignet sich auch zu einer Serienfabrikation, was zu deutlichen Kostensenkungen führt.
  • Zahlreiche solche Magnetköpfe können nämlich gleichzeitig auf einem gemeinsamen Substrat hergestellt werden, das dann zerschnitten wird, um die einzelnen Magnetköpfe zu bilden.
  • Figur 1 zeigt ein Beispiel eines solchen Substrats, das seinerseits Gegenstand einer Patentanmeldung 87 14 824 ist und nachfolgend aus Gründen der Offenbarung beschrieben wird, denn diese Patentanmeldung wurde noch nicht veröffentlicht.
  • Figur 1 zeigt in Perspektive eine Anordnung, die zugleich eine Vielzahl von magnetischen Köpfen bilden soll. Diese Einheit ist auf einem Substrat 1 aus magnetischem Material ausgebildet (z.B. einem Ferritblock). Auf das Substrat 1 ist eine Platte 3 aus magnetischem Material aufgebracht. Ehe diese Platte 3 auf das Substrat 1 aufgebracht wird, erzeugt man in dem Substrat parallele Nuten 2 in der Dicke E des Substrats 1. Am Grund jeder dieser Nuten erzeugt man eine Verengung 4 derart, daß die Nut einschließlich der Verengung noch nicht eine der Platte 3 gegenüberliegende Seite 8 des Substrats 1 erreicht.
  • Dann werden die Verengungen 4 mit einem unmagnetischen Material gefüllt, in dem beispielsweise ein Material auf Glasbasis hineingegossen wird.
  • Dann wird die Platte 3 auf dem Substrat 1 befestigt und schließlich schleift man die Seite 8 des Substrats ab, indem man einen Bereich 5 (der gestrichelt dargestellt ist) von dieser der Platte 3 entgegengesetzten Seite entfernt, bis die Verengungen 4 auf einer neuen Seite 9 sichtbar werden. Man trägt diese Seite ab, bis man Magnetspalte 6 (aus unmagnetischem Material) erhält, die die gewünschte Breite haben. Natürlich können diese Verengungen 4 Dreiecksform haben, wie dies in gestrichelten Linien für die Verengung 4a angedeutet ist.
  • Dann zerschneidet man die so erhaltene Struktur in einzelne Magnetkreise. Der Schnitt erfolgt in Ebenen P, die zwischen den Nuten liegen und parallel zu den Achsen der Nuten verlaufen. Wenn die Struktur gemäß Figur 1 in einem Koordinatensystem XYZ liegt, wobei die Seiten 10 und 11 parallel zur Ebene XZ verlaufen, dann liegen die Schnittebenen P parallel zur Ebene ZY.
  • Dann zerschneidet man weiter in nicht dargestellten Ebenen parallel zur Ebene YX.
  • Während eines letzten Verfahrensschritts wird jeder Magnetkreis CM mit einer Spule 7 versehen, wie dies in Figur 2 angedeutet ist. Diese Spule verläuft durch die Nut 2 und um einen Zweig des Magnetkreises CM herum.
  • Im Fall eines Magnetkopfes aus dünnen Schichten ist die den Magnetspalt 6 enthaltende aktive Seite mit einer nicht dargestellten Schicht eines stark magnetischen Matenals bedeckt, wie es beispielsweise unter dem Namen Sendust bekannt ist (FexSiyAlz). Diese Operation kann auch vor dem Zerschneiden in einzelne Magnetkreise erfolgen. Die Schicht aus stark magnetischen Material bedeckt die Seite 9 und einen Teil des Magnetspalts 6 jedes Magnetkreises, so daß die zwei Pole des Magnetkopfes gebildet werden.
  • So bildet das Substrat, auf dessen Basis der Magnetkreis zum Schließen des Feldes gebildet wird, allgemeiner ein Substrat, das die Schicht oder Schichten aufnimmt.
  • Unabhängig von der verwendeten Dünnschichttechnologie für die Herstellung der aktiven Seite des Magnetkreises aufgrund der Lehre einer der beiden obengenannten Patentanmeldungen besitzt diese Technologie erhebliche Nachteile wie folgt:
  • - Die Seite des Substrats, die die dünne Schicht oder die dünnen Schichten tragen soll, d.h. des Substrats, das den Magnetkreis bildet, muß vollkommen glatt poliert sein, um eine Oberflächenqualität zu haben, die mit der Abscheidung der dünnen Schichten kompatibel ist.
  • - Außerdem ist es schwer, die gewünschte Oberflächengüte der Seite des Substrats zu erzielen, ohne Höhenunterschiede zwischen der Ferritoberfläche (die hart ist) und dem unmagnetischen Material aus z.B. Glas (in den Verengungen 4), das den makroskopischen Magnetspalt bildet und weniger hart ist, zu erzeugen. Daraus ergibt sich eine Bruchzone, die die Qualität der dünnen Schicht verändert.
  • - Es ist oft notwendig, die dünnen Magnetschichten, die auf das den Magnetkreis bildende oder das Feld schließende Substrat aufgebracht werden, zu erwärmen. Die Wärmebehandlungstemperaturen können aber mit den verwendeten Matenahen zur Ausbildung dieses Substrats nicht kompatibel sein (Ferrit für den Magnetkreis, Glas oder andere unmagnetische Substanzen zum Zusammenkleben der Ferritteile und zum Füllen des makroskopischen Magnetspalts).
  • - Die Magnetpole werden durch Abätzen während der letzten Verfahrensschritte definiert. Die aktive Oberfläche des Kopfes ist also nicht eben, da die Pole von der Substratoberfläche aus Ferrit vorstehen. Wenn etwa eine abriebfeste Schicht auf die Oberfläche des Kopfes aufgebracht werden soll, bilden die Kanten der Polränder bruchgefährdete Punkte für diese Schicht.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren, das diese Nachteile beseitigen kann. Natürlich ist die Erfindung nicht nur auf den besonderen Fall der Herstellung von Magnetköpfen in Dünnschichttechnologie anwendbar, die als Beispiel ausgewählt wurde, sondern auf alle Fälle, in denen eine Vorrichtung zumindest aus zwei Teilen gebildet werden soll, von denen das eine mindestens eine dünne Schicht enthält, während das andere ein Substrat zur Aufnahme dieser dünnen Schicht bildet. Das erfindungsgemäße Verfahren ist in An spruch 1 angegeben.
  • Die Erfindung und weitere Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden, nur als nicht beschränkendes Beispiel zu verstehenden Beschreibung und den beiliegenden Zeichnungen hervor.
  • Figur 1 wurde bereits beschrieben und zeigt ein bekanntes Substrat aus magnetischen Material für die Ausbildung einer Vielzahl von Magnetköpfen, wobei dieses Material ein Substrat zur Aufnahme einer oder mehrerer dünner Schichten bilden kann.
  • Figur 2 wurde bereits beschrieben und zeigt einen bekannten Magnetkreis, der durch Zerschneiden des in Figur 1 gezeigten Substrats erhalten wird.
  • Figur 3 zeigt schematisch einen charakteristischen Verfahrensschritt des erfindungsgemäßen Verfahrens und zeigt schematisch im Schnitt ein Substrat ähnlich dem in Figur 2 und eine auf das Substrat aufgebrachte Zwischeneinheit.
  • Die Figuren 4a und 4b zeigen schematisch und im Schnitt ein Zwischensubstrat gemäß Figur 3 vor und nach einem Ätzschritt.
  • Figur 5 zeigt im Schnitt und schematisch das Zwischensubstrat, das mit drei dünnen Schichten bedeckt ist.
  • Figur 6 zeigt im Schnitt und schematisch das Zwischensubstrat aus Figur 5 nach einem Polierschleifen, bei dem ein Magnetspalt sichtbar werden soll.
  • Figur 7 zeigt im Schnitt und schematisch das Stammsubstrat, das mit zwei dünnen Magnetschichten in einer gemeinsamen Ebene bedeckt ist, wobei diese Schichten durch einen Magnetspalt voneinander getrennt sind und das Stammsubstrat einen Rohling eines Magnetkopfes nach der Entfernung des Zwischensubstrats bildet.
  • Figur 8 zeigt ein nicht beschränkend zu verstehendes Beispiel der Form, die den Polen eines Magnetkopfes verliehen werden soll.
  • Die Figuren 9a, 9b zeigen einen Schritt des Verfahrens, der sich auf eine Maskierungs- und Ätzoperation bezüglich eines ersten Magnetpols in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung bezieht, durch die die Magnetpole auf der Zwischeneinheit geformt werden können, d.h. vor der Entfernung des Zwischensubstrats.
  • Die Figuren 10a und 10b zeigen schematisch einen Maskier- und Ätzschritt bezüglich der beiden Magnetpole.
  • Figur 11 zeigt schematisch, wie nacheinander drei dünne Schichten auf das Zwischensubstrat aufgebracht werden, und zeigt den Erfolg einer Schleifbearbeitung, die unmittelbar die beiden durch den Magnetspalt getrennten Magnetpole sichtbar werden läßt.
  • Figur 12 zeigt die Zwischeneinheit nach einer Schleif- oder Fräsbearbeitung der Dünnschichtstruktur, die in Figur 11 gezeigt ist.
  • Figur 13 zeigt schematisch den Verfahrensschritt, bei dem die Zwischeneinheit auf das Stammsubstrat gemäß der bevorzugten Form des erfindungsgemäßen Verfahrens aufgebracht wird.
  • Figur 14 zeigt schematisch das Stammsubstrat mit der Dünnschichtstruktur nach der Entfernung des Zwischensubstrats
  • Als nicht beschränkend zu verstehendes Beispiel zeigt die Figur 3 eine Anwendung der Erfindung auf die Herstellung von Magnetköpfen zum Lesen und/oder Schreiben.
  • Figur 3 zeigt ein Stammsubstrat 10, das von einem Träger aus magnetischem Material ähnlich dem des in Figur 1 gezeigten Substrats gebildet wird. Figur 3 ist ein Schnitt in der Ebene Y-X in Figur 1. Im Beispiel der Figur 3 sind nur zwei Nuten 2, 2a entsprechend je einer Reihe von Magnetköpfen dargestellt, wobei diese beiden Reihen durch Zerschneiden am Ende des Verfahrens entlang einer strichpunktierten Linie geteilt werden. Alle Magnetköpfe werden durch Zerschneiden wie oben erwähnt erhalten.
  • Figur 3 zeigt weiter eine Struktur 11 mit einer oder mehreren dünnen Schichten. Die Struktur 11 aus dünnen Schichten wird von einem Substrat 13 gebildet, das nachfolgend Zwischensubstrat genannt wird und mit dem die Struktur 11 aus dünnen Schichten zusammen eine Zwischeneinheit 12 bildet.
  • Dies beleuchtet ein wichtiges Merkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens, nämlich mindestens teilweise die Struktur 11 mit dünnen Schichten auf einem anderen Substrat als dem auszubilden, das endgültig diese Struktur aufnehmen soll, worauf die Zwischeneinheit 12 auf das endgültige Substrat oder Stammsubstrat 10 aufgebracht wird, wogegen beim Stand der Technik die Schichten auf das Stammsubstrat aufgebracht und dort bearbeitet werden.
  • In dem nicht beschränkend zu verstehenden Beispiel wird in dieser Phase des Verfahrens die Dünnschicht-Struktur 11 durch Aufbringen von drei Schichten gebildet, die dazu bestimmt sind, für jeden Magnetkopf zwei durch einen mikroskopischen Magnetspalt getrennte Magnetpole zu bilden, im Gegensatz zu dem makroskopischen Magnetspalt, der jede Verengung 4 gemäß Figur 1 und 2 darstellt. Natürlich könnte das Zwischensubstrat 13 auch nur eine Magnetschicht tragen, um die aktive Seite eines Magnetkopfs, wie in Figur 2 gezeigt, zu bilden.
  • Unter den drei dünnen übereinanderliegenden Schichten 14, 15 und 16 auf dem Zwischensubstrat 13 ist die mittlere Schicht 15 eine Schicht aus unmagnetischem Material (z.B. aus Aluminiumoxid oder Siliziumoxid), die die mikroskopischen Magnetspalte 20, 20a bilden soll.
  • Wie in Figur 3 gezeigt, ist die Zwischeneinheit 12 auf dem Stammsubstrat 10 so positioniert, daß die mikroskopischen Magnetspalte 20 im wesentlichen entlang der Längsachsen 21 der Nuten 2 verlaufen, während die dünnen Schichten 14, 15, 16 in Richtung auf die Verengung 4 ausgerichtet sind, d.h. zur Seite 9 des Stammsubstrats, die mit den Verengungen 4 in Verbindung steht.
  • Das Stammsubstrat 10 und die Zwischeneinheit 12 werden aufeinander mit Hilfe eines an sich bekannten Mittels, Z.B. mit einem Kleber wie ein Epoxyharz oder auch geschmolzenes oder pulverförmiges Glas, befestigt. Der Kleber wird zwischen das Stammsubstrat 10 und die Zwischeneinheit 12 gebracht, worauf diese beiden Teile durch nicht dargestellte klassische Mittel aufeinandergedrückt werden, bis der Kleber eine relativ dünne Zwischenschicht 22 von z.B. etwa 5 pm bildet. Diese Zwischenschicht ist jedoch ausreichend dick, um die Planfehler und die Rauhigkeit der Seite 9 des Stammsubstrats nach einer eventuellen oberflächlichen Abschleifen auszugleichen.
  • Dies macht einen wichtigen Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens deutlich, der darin besteht, daß die Zwischenschicht 22 außer ihrer Klebefunktion eine Funktion des Ausgleichs von Plan- und Rauhigkeitsfehlern erfüllt, so daß eine Polierung mit sehr hoher Güte überflüssig wird.
  • Die Figuren 4a und 4b zeigen die Vorbereitung des Zwischensubstrats 13, damit auf diesem dünne Schichten aufgebracht werden können.
  • Das Substrat 13 kann aus einem beliebigen Material bestehen, aber vorzugsweise muß dieses Material durch auf dem Gebiet der Dünnschichttechnologie übliche Techniken geätzt werden können, insbesondere durch die üblichen Techniken der Maskierung und des Ätzens auf chemischem Weg. Dieses Material muß auch die Temperaturen aushalten können, z.B. etwa 500ºC, die für die Wärmebehandlung der dünnen Schichten gefordert werden (falls diese Wärmebehandlung erforderlich ist), und es muß einen mit dem Ausdehnungskoeffizienten der dünnen Schichten verträglichen Ausdehnungskoeffizienten besitzen. Zusammengefaßt wird das Material des Zwischensubstrats 13 so gewählt, daß es mit den Verarbeitungsschritten kompatibel ist, die für die dünnen Schichten erforderlich sein können.
  • Aufgrund der Natur der dünnen Schichten (die nachfolgend erläutert wird) kann ein Halbleitermaterial als Zwischensubstrat 13 geeignet sein, beispielsweise Silizium oder ein anderes Material wie z.B. Germanium, Glas usw. eine Seite 25 des Zwischensubstrats 13 wird ggf. so behandelt, daß sie eine maximale Rauhigkeit von höchstens einigen Hundertstel Mikrometer besitzt. Eine solche Rauhigkeit stört nicht und kann die Eigenschaften der dünnen Schichten nicht beeinträchtigen. Sie läßt sich leicht mit Hilfe der üblichen mechanischen Rektifiziertechniken erzielen.
  • Die mikroskopischen Magnetspalte 20, 20a in Figur 3 werden mit Hilfe von in das Zwischensubstrat 13 eingravierten Stufen erhalten, wobei die Stufen genau definierte Flanken besitzen müssen, damit sich möglichst geradlinige Magnetspalte ergeben. Dies ergibt sich durch Ätzen auf chemischem oder mechanischem Weg oder durch andere Techniken.
  • Hierzu besteht gemäß einem Merkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens das Zwischensubstrat aus einem monokristallinen Haibleitermaterial. Beispielsweise eignet sich monokristallines Silizium sehr gut, da man Stufen auf chemischem Weg einätzen kann, deren Flanken genau entlang der kristallographischen Achsen verlaufen.
  • Man kann in diesem Sinn auch beispielsweise Galliumarsenid GaAs verwenden.
  • Auf die Oberfläche 25 des Zwischensubstrats 13 bringt man wie üblich eine Harzmaske 26 auf, so daß eine freie Fläche 27 (Figur 4a) erscheint.
  • Das Silizium des Zwischensubstrats 13 wird an der freigelegten Fläche 27 gemäß einer an sich bekannten Technik abgeätzt, z . B. auf chemischem Weg. Dann wird das Harz der Maske 26 mit einem geeigneten Produkt abgelöst. Das Zwischensubstrat 13 hat dann die in Figur 4b gezeigte Form mit einer Vertiefung 28 der Stelle, an der die freigelegte Oberfläche 27 war, wobei der Grund 29 dieser Vertiefung zur Oberfläche 25 über Stufen 30, 30a mit praktisch geradlinigen Flanken übergeht.
  • Nun bringt man auf die Oberfläche 25 und in die Vertiefung 28 die dünnen Schichten 14, 15, 16 mit Hilfe einer klassischen Methode auf, beispielsweise durch Kathodenzerstäubung oder auch durch eine ebenfalls bekannte CVD- Methode (Chemical Vapor Deposition).
  • Figur 5 zeigt das Zwischensubstrat 13, wenn die dünnen Schichten bereits auf das Substrat aufgebracht sind, d.h. daß das Substrat die Struktur 11 aus dünnen Schichten trägt.
  • Die erste Schicht 14 ist eine Schicht aus einem stark magnetischen Material wie z.B. das unter dem Namen Sendust bekannte Material (FexSiyAlz) mit einer Dicke zwischen beispielsweise 1 und 5 um.
  • Auf die erste Schicht 14 folgt die zweite Schicht 15 aus einem unmagnetischen Material, beispielsweise Aluminiumoxid oder Siliziumoxid. Diese zweite Schicht 15 aus einem unmagnetischen Material soll die Magnetspalte 20 und 20a an den Stufen 30, 30a bilden, und die Dicke dieser Magnetspalte hängt nur von der Dicke der zweiten Schicht 15, ab, die beispielsweise zwischen 0,1 und 1 um betragen kann.
  • Natürlich wurde in diesen Figuren der Maßstab wegen der klareren Darstellung nicht eingehalten.
  • Dann folgt auf die zweite Schicht 15 die dritte Schicht 16 aus einem magnetischen Material. Die dritte Schicht 16 ähnelt hinsichtlich ihrer Natur und Dicke der ersten Schicht 14. Man stellt fest, daß die dünnen Schichten 14, 15, 16 vollkommen die Form der Vertiefung 28 auskleiden, die auf dem Zwischensubstrat ausgebildet wurde. So liegen die drei Schichten 14, 15, 16 so übereinander, daß während des Aufbringens dieser Schichten, d.h. vom Abscheiden der ersten Schicht 14 bis zum Abscheiden der dritten Schicht 16 die Zwischeneinheit 12 nicht aus dem Behälter entnommen werden muß, in dem diese Abscheidungen stattfinden. Zwischen diesen Einzelschritten ist nämlich keine fotolithographische Maskierung erforderlich. So umgeht man alle Probleme der Reinigung der Substrate von diesem Harz, wobei diese Reinigung beim Stand der Technik unbedingt erforderlich ist, um ein gutes Anhaften der Schichten aufeinander zu gewährleisten.
  • Figur 6 zeigt die Zwischeneinheit 12 nach einer Schleifoperation, die an sich auch bekannt ist und durch die auf jeder Seite der Vertiefung 28 Teile 16b, 16c der dritten Schicht 16 und Teile 15b, 15c (gestrichelt dargestellt) der zweiten (unmagnetischen) Schicht 15 entfernt werden, so daß nur in dieser Phase des Verfahrens verbleiben: die erste Schicht 14 insgesamt, ein zentraler Bereich isa der zweiten Schicht (in der Vertiefung 28 und den Magnetspalten 20, 20a in Höhe der Stufen 30, 30a) und ein zentraler Bereich 16a der dritten Schicht 16.
  • Durch diese Operation ergibt sich eine Oberseite 32 der Dünnschichtstruktur 11, die gebildet wird von:
  • - Seitenbereichen 14b, 14c der ersten Magnetschicht 14 zu beiden Seiten der Vertiefung 28,
  • - dem zentralen Bereich 16a der dritten Schicht 16 aus magnetischen Material,
  • - einem Ende jedes Magnetspalts 20, 20a, das zwischen dem zentralen Bereich 16a aus magnetischem Material der dritten Schicht 16 und den seitlichen Bereichen 14b, 14c der ersten Magnetschicht 14 liegt, wobei der zentrale Bereich 15a des unmagnetischen Materials zwischen den zentralen Bereichen 14a und 16a der Schichten aus magnetischem Material liegt.
  • Dann werden das Stammsubstrat 10 (das das Magnetfeld schließt) und die Zwischeneinheit 12 miteinander wie anhand von Figur 3 gezeigt verbunden.
  • Der nächste Schritt besteht darin, das Zwischensubstrat 12 durch ein chemisches, mechanisches oder anderes Verfahren sowie den zentralen Bereich 14a der ersten Schicht 14 und ggf. ganz oder teilweise den zentralen Bereich 15c der zweiten, unmagnetischen Schicht 15 zu entfernen.
  • So erhält man, wie Figür 7 zeigt, das Stammsubstrat 10, das die Struktur 11 aus dünnen Schichten (die nun auf den eigentlichen Nutzbereich ha beschränkt ist) über die Zwischenschicht 23 trägt, wobei die Struktur 11 aus den Magnetschichtbereichen 14b, 16a, 14c gebildet wird, die sich in einer Ebene befinden und durch Magnetspalte 20, 20a getrennt sind sowie aktive Seiten 35a, 35b entgegengesetzt zum Stammsubstrat 10 bilden.
  • Nun muß nur noch die Form der Magnetpole durch Ätzung auf den aktiven Seiten 35a, 35b definiert werden, wie dies beispielsweise in der französischen Patentanmeldung 87 14 822 beschrieben ist.
  • Die Form der Magnetpole kann der in Figur 8 als nicht beschränkend zu verstehendes Beispiel gezeigten Form entsprechen. Diese Figur zeigt einen ersten und einen zweiten Pol P1, P2, die zu beiden Seiten eines Magnetspalts 20, 20a, zum Beispiel des Magnetspalts 20a, ausgebildet werden können. In diesem Fall sieht man die Pole P1 und P2 in Richtung eines Pfeils 40 in Figur 7. Der erste Pol P1 ist in der seitlichen Magnetschicht 14c und der zweite Pol P2 in der zentralen Magnetschicht 16a ausgebildet.
  • Um, das Ausätzen der Magnetpole P1, P2 durchzuführen, geht man beispielsweise in der nachfolgend beschriebenen Art vor, deren Einfachheit auf eine bildliche Darstellung verzichten läßt:
  • - Man bringt auf die aktiven Seiten eine lichtempfindliche Beschichtung oder ein Harz auf;
  • - dann maskiert man diese Beschichtung mit einer Maske gemäß der Form und den Abmessungen, die für die Pole P1 und P2 gewünscht werden;
  • - die maskierte lichtempfindliche Beschichtung wird belichtet;
  • - nach der Entfernung des Harzes und der Maske kann das Ätzen durch eine klassische Methode erfolgen (chemisches Ätzen, lonenätzen, Plasmaätzen), um die Pole P1 und P2 zu erhalten. Natürlich stehen bei dieser Methode die Pole P1 und P2 bezüglich der umgebenden Oberfläche vor.
  • Hinsichtlich der Herstellung und/oder des Aufbringens der Spule oder Spulen (nicht dargestellt) wird auf das Beispiel verwiesen, das in der französischen Patentanmeldung 86 14 975 beschrieben ist. Die Spulen können aber auch nach dem Zerschneiden und der Vereinzelung der Magnetköpfe um einen Zweig des Magnetkreises und durch die Nut 2, 2a aufge bracht werden.
  • Die nachfolgende Beschreibung bezieht sich auf eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, die zu Magnetpolen führt, die in das Zwischensubstrat eingelassen sind, d.h. die nicht mehr bezüglich der umgebenden Oberfläche vorstehen.
  • Die Figuren 9a und 9b zeigen die Verfahrensschritte, mit denen man im Zwischensubstrat 13 den Abdruck eines Magnetpols gleicher Form wie die Magnetpole Pl und P2 in Figur 8 erhält. Die Figuren 9a und 9b stellen Schnittdarstellungen entlang einer Achse X in Figur 8 dar, wobei die Längsseiten 46 der Pole P1 und P2 entlang dieser Achse verlaufen.
  • Auf die Oberseite 25 des Zwischensubstrats 13 wird eine Maske 47 aufgebracht, die nach der Entwicklung einen freigelegten Bereich 48 mit der Form eines Magnetpols wie in Figur 8 gezeigt ergibt. Diese Form ist in Figur 9a entlang der Abmessung einer Seite 46 dieses Magnetpols dargestellt.
  • Nach dem beispielsweise chemischen Abätzen der freigelegten Oberfläche 48 und der Entfernung des Harzes der Maske 47 erhält man in der Oberfläche 25 eine Vertiefung 49 mit der Form eines Magnetpols, die in die Oberfläche 25 über geradlinige Stufen 50 und 51 übergeht.
  • Die Figuren 10a und 10b zeigen einen Verfahrensschritt, mit dem eine weitere, zur ersten Vertiefung symmetrische Vertiefung gebildet werden kann, um den zweiten Pol herzustellen und um die Tiefe der ersten Vertiefung 49 zu vergrößern.
  • Hierzu wird eine zweite Maske 53, die die Form beider Pole besitzt, auf die Oberfläche 25 des Zwischensubstrats 13 so aufgebracht, daß sich ein neuer, unbedeckter Bereich 54 ergibt, der von der Vertiefung 49 und zusätzlich einer freigelegten Fläche 55 mit der Form des zweiten Magnetpols definiert wird.
  • Hinsichtlich der bereits vorhandenen Vertiefung 49 mit dem ersten Motiv muß die Fluchtung mit dem zweiten herzustellenden Motiv möglichst gut sein. Dies ist aber kein allzu kritisches Merkmal. Vorzugsweise liegt die zweite Maske 53 bezüglich der ersten etwas zurückgesetzt, wie dies in Figur 10a gezeigt ist, wo diese Maske auch die Stufe 50 bedeckt.
  • Man erkennt in Figur 10b, daß nach dem Abätzen der freien Oberfläche 54 und nach der Entfernung der Maske 53 sich an der freigelegten Fläche 54 in der Oberfläche 25 des Zwischensubstrats 13 eine Vertiefung 60 mit doppelter Tiefe ergibt. Die Vertiefung 60 wird von der Vertiefung 49 gebildet, deren Tiefe zugenommen hat, und von einer Vertiefung 61, die die zuletzt freigelegte Fläche 55 ersetzt und die einerseits zur Oberfläche 25 über eine neue Stufe 63 und andererseits zum Grund der Vertiefung 49 über die Zwischenstufe 51 übergeht, die sich im wesentlichen in der Mitte der Vertiefung 60 befindet.
  • Figur 11 zeigt das Zwischensubstrat 13, auf dem insbesondere in der Vertiefung 60 die drei Schichten 14, 15 und 16 abgeschieden worden sind, die wie im vorhergehenden Beispiel übereinanderliegen und die Form der Stufen 63, 51 und 50 auskleiden.
  • Eine nachfolgende Operation besteht darin, die Bereiche dieser dünnen Schichten zu entfernen, die nicht in der Vertiefung 60 enthalten sind. Dies kann, wie im vorhergehenden Beispiel, durch ein Abschleifen geschehen, bei dem alles Material entfernt wird, das über die Oberfläche 25 des Zwischensubstrats 13 vorsteht, wobei diese Oberfläche 25 durch eine gestrichelte Linie in Figur 11 angedeutet ist.
  • Wie in Figur 12 zu sehen, erscheinen nach diesem Abschleifen in einer gemeinsamen Ebene wie die Oberfläche 25 die Oberflächen S14 und S16 der Schichten 14 und 16 aus magnetische Material, die sich in der Vertiefung 60 befinden. Die zweite dünne Schicht 15 aus unmagnetischem Material trennt diese beiden magnetischen Schichten 14 und 16 und erscheint mit ihren Enden in Höhe der Stufe 50 und der Zwischenstufe 51 an der Oberfläche.
  • Daraus ergibt sich die Zwischeneinheit 12, die genauso wie im vorhergehenden Beispiel mit dem Stammsubstrat verbunden werden kann. Natürlich ist in dieser Ausführungsform anders als bei der vorhergehenden die Form der Magnetpole P1 und P2 bereits in den Magnetschichten 14 und 16 ausgeätzt.
  • Figur 13 zeigt das Stammsubstrat 10, das mit der Zwischeneinheit 12 über die Zwischenschicht 22 fest ver bunden wurde, wobei die Oberflächen 25, S14, S15 zum Stammsubstrat hinweisen und die Zwischenstufe 51 im wesentlichen zur Achse 21 der Nut 2 zentriert ist. Die zweite, unmagnetische Schicht bildet an dieser Stelle eine Stufe, die einen Magnetspalt 73 bilden soll.
  • Ein weiterer Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, teilweise das Zwischensubstrat 13 sowie einen Teil der ersten Magnetschicht 14 zu entfernen, der im tiefsten Teil des Zwischensubstrats 13 liegt, wobei dieser Teil der tiefsten Magnetschicht in Figur 13 mit 14p bezeichnet ist. Bei dieser Operation wird alles Material entfernt, das jenseits einer durch eine gestrichelte Linie 70 angedeuteten Ebene liegt, die einer unteren Oberfläche 71 der ersten Schicht 14 in dem Bereich entspricht, in dem sie erhaltengeblieben ist, d.h. gegenüber der Oberfläche S14. Daraus ergibt sich, daß von der Struktur 11 nur ein Nutzteil 11b erhaltengeblieben ist.
  • Figur 14 zeigt das Ergebnis dieser Operation. Man sieht, daß der Nutzteil 11b der Struktur dünner Schichten mit dem Stammsubstrat 10 fest verbunden ist und daß im Gegensatz zur vorhergehenden Variante die beiden Magnetpole P1 und P2 bereits fertig ausgebildet sind und von einem Teil der ersten Schicht 14 bzw. einem Teil der dritten Schicht 16 gebildet werden. Die beiden Pole P1 und P2 werden durch einen mikroskopisch kleinen Magnetspalt 73 voneinander getrennt, der von der zweiten, unmagnetischen Schicht 15 stammt.
  • Man erkennt weiter, daß in dieser Variante des erf indungsgemäßen Verfahrens die Magnetpole P1 und P2 zwischen die verbleibenden Bereiche 13a, 13b des Substrats 13 eingesetzt sind, so daß die aktive Oberfläche in diesem Fall vollständig eben ist.

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung, die mindestens einen Magnetkopf bilden soll, wobei die Vorrichtung eine Struktur (11, ha) mit dünnen Schichten besitzt, die mindestens eine aufgebrachte dünnen Schicht aus magnetischem Material (14, 15, 16) besitzt, wobei die Struktur (11, ha) auf einem Stammsubstrat (10) liegt und das Verfahren darin besteht, die dünne Schicht (14, 16) auf ein Zwischensubstrat (13) zur Herstellung einer Dünnschicht-Zwischeneinheit (12) aufzubringen, dann die Zwischeneinheit (12) auf das Stammsubstrat (10) so aufzusetzen, daß sie miteinander fest verbunden werden, wobei keine dünne Schicht auf das Zwischensubstrat aufgebracht wird, nachdem letzteres mit dem Stammsubstrat verbunden wurde, dadurch gekennzeichnet, daß dieser letztgenannte Verfahrensschritt so durchgeführt wird, daß die dünne Schicht (14, 15, 16) sich auf der dem Stammsubstrat zugewandten Seite befindet, und daß dann zumindest teilweise das Zwischensubstrat (13) entfernt wird und nur ein Nutzteil (11, 11b) der Zwischeneinheit (12) übrigbleibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß 25 die Zwischeneinheit (12) und das Stammsubstrat (10) mit Hilfe eines Klebers vereint werden, der eine Zwischenschicht (22) zwischen der Zwischeneinheit (12) und dem Stammsubstrat (10) bildet, wobei diese Zwischenschicht (22) eine geeignete Dicke hat, um die Planfehler oder die Rauhigkeit der Oberfläche des Stammsubstrats (10) auszugleichen.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Stammsubstrat (10) mindestens einen Magnetkreis besitzt und daß mindestens eine dünne Schicht (14, 16) aus magnetischem Material auf das Zwischensubstrat (13) aufgebracht wird, um Magnetpole (P1, P2) zu bilden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß es darin besteht, mindestens eine Vertiefung (28) in einer Seite (25) des Zwischensubstrats (13) vorzusehen, dann auf diese Seite (25) des Zwischensubstrats (13) und in die Vertiefung (28) mindestens drei dünne Schichten (14, 15, 16) übereinander aufzubringen, wobei die erste Schicht (14), die mit dem Zwischensubstrat (13) in Kontakt steht, eine Schicht aus magnetischem Material, die zweite Schicht (15), die auf der ersten liegt, eine Schicht aus einem unmagnetischen Material und die dritte Schicht (16), die auf der zweiten liegt, eine Schicht aus magnetischem Material ist, wobei die Übergänge zwischen der Seite (25) und der Vertiefung (28) Stufen (30, 30a) bilden, deren Form von den dünnen Schichten ausgekleidet wird, worauf die Zwischeneinheit (12) an der Seite der dritten Schicht (16) so abgeschliffen wird, daß Bereiche (16b, 16c) dieser letztgenannten Schicht außerhalb der Vertiefung (28) und ggf. periphere Bereiche (15b, lsc) der zweiten, unmagnetischen Schicht außerhalb der Vertiefung (28) entfernt werden, so daß sich eine im wesentlichen ebene Seite (32) ergibt, auf der mindestens ein Ende (20, 20a) der zweiten Schicht (15.) in Höhe einer Stufe (30, 30a) zutagetritt, die einen Magnetspalt bildet, der zwei Magnetschichten voneinander trennt, von denen eine durch einen Teil der ersten Schicht (14) und die andere durch einen Teil der dritten Schicht (16) gebildet wird, worauf die Zwischeneinheit (12) mit dem Stammsubstrat (10) über die ebene Seite (32) vereint wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Vereinigung des Stammsubstrats (10) und der Zwischeneinheit (12) die Zwischeneinheit (12) auf der dem Stammsubstrat (10) abgewandten Seite abgeschliffen wird, so daß das Zwischensubstrat (13) und ein zentraler Teil der ersten Magnetschicht (14) in der Vertiefung (28) entfernt werden und die verbleibenden Teile der ersten und dritten Magnetschichten (14, 16) in einer gemeinsamen Ebene liegen, und daß dann die verbleibenden Teile selektiv geätzt werden, um mindestens zwei Magnetpole (P1, P2) zu formen, die durch einen Magnetspalt (20, 20a) voneinander getrennt sind.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung des Zwischensub strats (13) ein Halbleitermaterial vom monokristallinen Typ verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Zwischensubstrat (13) aus Silizium ist.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an der Oberfläche (25) des Zwischensubstrats eine Vertiefung (60) doppelter Tiefe gebildet wird, die von einer ersten Vertiefung (49) und einer weniger tiefen zweiten Vertiefung (61) gebildet wird, wobei die beiden Vertiefungen über eine Zwischenstufe (51) ineinander übergehen, daß dann nacheinander in der Vertiefung (60) eine erste, magnetische Schicht (14), eine zweite, unmagnetische Schicht (15) und eine dritte dünne Schicht (16) aus magnetischem Material aufgebracht werden, daß dann alles Material jenseits der Oberfläche (25) des Zwischensubstrats entfernt wird, daß dann die so erhaltene Zwischeneinheit auf dem Stammsubstrat (10) über diese Oberfläche (25) befestigt wird, daß dann ein Teil des Zwischensubstrats und der ersten Magnetschicht (14) abgeschliffen wird, so daß von der Zwischeneinheit (12) nur noch ein Nutzteil (11b) bestehend aus einem Teil der ersten Magnetschicht (14) und einem Teil der dritten Magnetschicht (16) übrigbleibt, die durch einen oberhalb der Zwischenstufe (51) verbleibenden Teil der zweiten, unmagnetischen Schicht (15) voneinander getrennt sind, die einen Magnetspalt (73) bildet, wobei die beiden Teile von Magnetschichten (14, 16) Magnetpole (P1, P2) bilden, die in die nicht entfernten Teile (13a, 13b) des Zwischensubstrats (13) eingelassen sind.
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