DE69017519T2 - Optischer Wellenleiter und Verfahren zur Herstellung. - Google Patents
Optischer Wellenleiter und Verfahren zur Herstellung.Info
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Description
- Diese Erfindung bezieht sich auf optische Wellenleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung.
- Planare optische Wellenleiter werden für optische Verbindungen in integrierten optischen und optoelektronischen Bauteilen benötigt. Die zur Herstellung derartiger Wellenleiter verwendeten Verfahren müssen mit Halbleiter-Herstellungsverfahren kompatibel sein, die zur Herstellung anderer Teile der integrierten Bauteile verwendet werden.
- Planare optische Wellenleiter wurden durch Abscheiden eines photoempfindlichen Monomers auf einem Substrat und durch selektives Belichten des abgeschiedenen Monomers mit Ultraviolett- (UV-) Strahlung hergestellt. Die UV-Strahlung polymemerisiert den belichteten Monomer, um Polymerbereiche mit einem relativ hohen Brechungsindex zu schaffen, die durch Monomerbereiche mit einem relativ niedrigen Brechungsindex begrenzt sind. Eine weitere Monomerschicht wird allgemein über der teilweise polymerisierten Schicht als Schutz gegen Oberfächenfehler und Verunreinigungen abgeschieden, die Licht aus den polymerisierten Bereichen heraus auskoppeln könnten. Leider sind die bei diesem Verfahren hergestellten Wellenleiter bei den hohen Temperaturen unstabil, die bei einigen Halbleiter-Verarbeitungsverfahren verwendet werden. Entsprechend müssen alle Hochtemperatur- Verarbeitungsschritte abgeschlossen werden, bevor die Wellenleiter ausgebildet werden. Weiterhin erfordert dieses Verfahren im allgemeinen zwei oder mehr Abscheidungsschritte.
- Planare optische Wellenleiter wurden auch dadurch hergestellt, daß eine erste Schicht von SiO&sub2; auf einem Substrat abgeschieden oder zum Aufwachsen gebracht wurde, worauf eine Schicht aus Si&sub3;N&sub4; auf der ersten Schicht von SiO&sub2; abgeschieden und eine zweite Schicht aus SiO&sub2; auf der Si&sub3;N&sub4;-Schicht abgeschieden wurde, worauf dann selektiv ein Teil der Dicke der zweiten SiO&sub2;-Schicht in ausgewählten Bereichen entfernt wurde, um den effektiven Brechungsindex der darunterliegenden Si&sub3;N&sub4;-Schicht in diesen Bereichen zu verringern. Dieses Verfahren erfordert drei Abscheidungs- oder Aufwachsschritte und einen Zurückätzschritt, die alle sorgfältig kontrolliert werden müssen, um befriedigende Ergebnisse zu erzielen.
- Planare optische Wellenleiter auf der Grundlage von Silizium wurden weiterhin dadurch hergestellt, daß eine erste Schicht von undotiertem SiO&sub2; auf einem Substrat abgeschieden oder zum Aufwachsen gebracht wurde, worauf P-dotiertes SiO&sub2; auf der Schicht von undotiertem SiO&sub2; abgeschieden und selektiv Bereiche der P-dotierten SiO&sub2;-Schicht entfernt wurden, um Bereiche der ersten Schicht aus undotiertem SiO&sub2; freizulegen, worauf eine zweite Schciht von undotiertem SiO&sub2; auf den freiliegenden Bereichen der ersten Schicht von undotiertem SiO&sub2; und auf den verbleibenden Teilen des P-dotierten SiO&sub2; abgeschieden wurde. Die Bereiche von P-dotiertem SiO&sub2; weisen einen höheren Brechungsindex als die umgebenden Bereiche aus undotiertem SiO&sub2; auf. Dieses Verfahren erfordert ebenfalls drei Abscheidungs- oder Aufwachsschritte und einen Rückätzschritt, die alle sorgfältig kontrolliert werden müssen, um befriedignede Ergebnisse zu erzielen.
- In dem US-Patent 4 585 299 beschreibt Robert J. Strain ein Verfahren zur Herstellung von planaren optischen Wellenleitern auf der Grundlage von Silizium, bei dem Bor, Phosphor, Arsen oder Germanium durch eine erste Maske hindurch in ein Siliziumsubstrat implantiert wird, worauf das Substrat durch eine zweite Maske hindurch oxidiert wird, um eine mit einem Muster versehene SiO&sub2;-Schicht zu bilden, die das implantierte Dotierungsmittel enthält. Das implantierte Dotierungsmittel erhöht den Brechungsindex eines in der Mitte liegenden Bereiches der SiO&sub2;-Schicht, um einen Wellenleiter zu bilden. Dieses Patent gibt an, daß die Wanderung des Dotierungsmittels während des Oxydwachstums ein Problem darstellen kann.
- Planare optische Wellenleiter auf der Grundlage von Silizium wurden weiterhin dadurch hergestellt, daß eine Schicht aus SiO&sub2; auf einem Substrat abgeschieden oder zum Aufwachsen gebracht wurde und selektiv das SiO&sub2;-Material mit H- oder B-Ionen bombadiert wurde, um Bereiche mit einem relativ hohen Brechungsindex begrenzt durch Bereiche mit einem relativ niedrigen Brechungsindex zu bilden. Das Implantationsverfahren ruft eine örtliche Verdichtung des SiO&sub2; hervor, wodurch örtlich der Brechungsindex des SiO&sub2; vergrößert wird. Das Vorhandensein der implantierten H- oder B-Ionen kann weiterhin den Brechungsindex des implantierten SiO&sub2; modifizieren. Leider wird die Verdichtung des SiO&sub2; verringert und die implantierten H- oder B-Ionen werden durch eine Diffusion in der SiO&sub2; neu verteilt, wenn die Wellenleiter nachfolgenden Hochtemperatur-Bearbeitungsschritten ausgesetzt werden. Die Verringerung der Verdichtung des SiO&sub2; und die Wanderung der implantierten H- oder B-Ionen verschlechtert das Brechungsindexprofil, das durch das Implantationsverfahren ausgebildet wurde. Entsprechend müssen alle Hochtemperatur-Bearbeitungsschritte abgeschlossen werden, bevor die Wellenleiter ausgebildet werden.
- Die US-4 521 443 beschreibt ein ähliches Verfahren zur Herstellung von planaren Wellenleitern, bei dem die Implantation von N-Ionen in eine SiO&sub2;-Schicht verwendet wird. Diese Patentschrift erläutert speziell, daß obwohl dieses N-Ionen- Implantationsverfahren einer Wärmebehandlung über 20 Minuten bei einer Temperatur im Bereich von 450-500ºC widerstehen kann, es nicht in der Lage ist, eine Wärmebehandlung für drei bis 5 Stunden bei einer Temperatur im Bereich von 600-1000ºC standzuhalten.
- Die JP-A-63 02328 bezieht sich auf ein Verfahren, das zur Bildung von Si-Kristallisationen mit gesteuerter Korngröße in einem SiO&sub2;-Film durch Si-Ionenimplantation in dem Film gefolgt von einem Wärmebehandlungsschritt bestimmt ist, der die Kristallbildung fördert. Ein großer Teil dieser Patentschrift befaßt sich mit Halbleiterbauteil-Anwendungen, bei denen die Effekte des Verfahrens bei der Modifikation der Leitfähigkeits- und Durchbruchs-Eigenschaften des Films ausgenutzt werden. Es werden jedoch auch Brechungsindex-Effekte beschrieben, insbesondere im Zusammenhang mit der Verwendung des Verfahrens zur Ausbildung einer Sammellinse in dem Film, jedoch auch im Zusammenhang mit der Verwendung bei der Schaffung von optischen Dämpfungsgliedern und Filtern. Es sei bemerkt, daß bei diesen optischen Anwendungen das Licht in Dickenrichtung durch den Film gerichtet wird, und nicht nach Art eines Wellenleiters, bei dem sich Licht in der Ebene des Filmes ausbreitet.
- Diese Erfindung ist darauf gerichtet, die vorstehend beschriebenen Probleme bei bekannten planaren optischen Wellenleitern und bei den Verfahren zu ihrer Herstellung zu vermeiden oder zu verringern.
- Gemäß einem Grundgedanken ergibt die Erfindung einen planaren optischen Wellenleiter mit einem Kanalbereich mit einem erhöhten Brechungsindex, der von einem Bereich mit einem niedrigeren Brechungsindex umgeben ist, wobei dieser Wellenleiter in einer von einem Substrat getragenen Schicht aus SiO&sub2; ausgebildet ist, und wobei der Wellenleiter dadurch gekennzeichnet ist, daß der Kanalbereich durch einen Bereich der SiO&sub2;-Schicht gebildet ist, der einen stöchiometrischen Überschuß an Si enthält.
- Gemäß einem weiteren Grundgedanken ergibt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines planaren optischen Wellenleiters mit einem Kanalbereich mit einem erhöhten Brechungsindex, der von einem Bereich mit einem niedrigeren Brechungsindex umgeben ist, wobei das Verfahren die Ausbildung einer Schicht aus SiO&sub2; auf einem Substrat umfaßt und dadurch gekennzeichnet ist, daß in einen Bereich der SiO&sub2;-Schicht Si-Ionen implantiert werden, um einen Bereich zu schaffen, der einen stöchiometrischen Überschuß an Si enthält und den Kanalbereich bildet.
- Der optische Wellenleiter gemäß der Erfindung ist bei den hohen Temperaturen stabil, die für viele Halbleiterbearbeitungsverfahren benötigt werden. Proben der Wellenleiter wurden einer Wärmebehandlung bei 1100ºC in einer nicht oxidierenden Umgebung über 12 Stunden unterworfen, ohne daß ein Verlust an Definition des Brechungsindexprofils auftrat. Eine Bearbeitung bei hohen Temperaturen in einer oxidierenden Umgebung führt jedoch zu einem Verlust an Definition des Brechungsindexprofils.
- Das Verfahren gemäß der Erfindung erfordert lediglich einen einzigen Abscheidungs- oder Aufwachsschritt und keinen Rückätzschritt. Entsprechend ist dieses Verfahren relativ einfach und leicht zu steuern. Weiterhin ist das Verfahren mit üblichen Halbleiterbearbeitungsverfahren kompatibel und kann unter Verwendung von ohne weiteres zur Verfügung stehenden Halbleiter- Bearbeitungsgeräten ausgeführt werden.
- Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend lediglich in Form eines Beispiels beschrieben. Die Beschreibung bezieht sich auf die beigefügten Zeichnungen, in denen:
- Fig. 1A, 1B und 1C Querschnittsansichten eines optischen Wellenleiters gemäß einer Ausführungsform der Erfindung bei aufeinanderfolgenden Stufen seiner Herstellung durch ein Verfahren gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung sind,
- Fig. 2 eine Darstellung des Brechungsindex gegenüber der Tiefe für den optischen Wellenleiter nach Fig. 1 ist, und
- Fig. 3A, 3B und 3C Querschnittsansichten eines optischen Wellenleiters gemäß einer Ausführungsform der Erfindung bei aufeinanderfolgenden Stufen seiner Herstellung durch ein Verfahren gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung sind.
- Bei einem Verfahren gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zur Herstellung eines optischen Wellenleiters wird eine Schicht 10 aus SiO&sub2; durch Dampfoxidation eines < 100> Si- Substrates 12 aufgewachsen, um die in Fig. 1A gezeigte Struktur zu bilden. Die Dampfoxidation wird bei 950º und bei atmosphärischem Druck durchgeführt, um eine SiO&sub2;-Schicht mit einer Dicke von ungefähr 710 nm zu bilden.
- Eine Schicht 14 aus Si&sub3;N&sub4; mit einer Dicke von ungefähr 2 Mikrometern wird auf der SiO&sub2;-Schicht abgeschieden und unter Verwendung üblicher photolithographischer Techniken mit Begrenzungen versehen, um eine Öffnung 16 durch die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 14 an der Stelle zu schaffen, an der ein Wellenleiter-Kanal erwünscht ist. Die resultierende, in Fig. 1B gezeigte Struktur wird in eine übliche Ionenimplantationsanlage eingesetzt, in der sie einer Dosis von Si-Ionen 18 mit einer Implantationsdosis von 4x10¹&sup6; cm&supmin;² und einer Implantationsenergie von 40 keV ausgesetzt wird. Die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 14 dient als Ionenimplantationsmaske zur Erzielung einer selektiven Implantation der Si- Ionen in die SiO&sub2;-Schicht 14 lediglich durch die Öffnung 16.
- Die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 14 wird unter Verwendung üblicher Techniken zur selektiven Entfernung von Si&sub3;N&sub4; entfernt, so daß die Schicht 10 aus SiO&sub2; verbleicht, die nunmehr einen implantierten Bereich 20 mit einem stöchiometrischen Überschuß aus Si enthält, wie dies in Fig. 1C gezeigt ist. Der stöchiometrische Überschuß von Si als Funktion der Riefe ist einer Gaußschen Verteilungsfunktion angenähert. Der Brechungsindex des implantierten Bereiches 20 ist durch das Vorhandensein des überschüssigen Si proportional zur örtlichen Konzentration des überschüssigen Si erhöht. Daher definiert das überschüssige Si ein Brechungsindex-Gradientenprofil, das einen Bereich mit einem erhöhten Brechungsindex umgeben von einem Bereich mit niedrigeren Brechungsindex bildet.
- Fig. 2 zeigt das Brechungsindexprofil des implantierten optischen Wellenleiters, das unter Verwendung üblicher Rückätzverfahren kombiniert mit üblichen ellipsometrischen Brechungsindexmessungen gemessen werden kann.
- Wellenleiter, die nach Verfahren ähnlich dem vorstehend beschriebenen Verfahren hergestellt wurden, wurden einer Wärmebehandlung in einer inerten Umgebung bei 1100ºC über zwölf Stunden unterworfen, ohne daß sich irgendwelche feststellbaren Änderungen des Brechungsindexprofils ergaben. Diese Ergebnisse zeigen, daß obwohl ein kleinerer Anteil der Vergrößerung des Brechungsindex auf der Verdichtung des SiO&sub2; beruhen kann, ein Mechanismus, der bei hohen Temperaturen rückgängig gemacht wird, der größte Teil der Vergrößerung des Brechungsindex auf einem anderen Mechanismus beruhen muß, der bei hohen Temperaturen stabil ist. Es wird angenommen, daß der vergrößerte Brechungsindex des mit Si implantierten SiO&sub2; hauptsächlich auf der Bildung von Si-Si-Bindungen beruht, die bei hohen Temperaturen stabil sind. Daher können Hochtemperatur-Halbleiterbearbeitungsschritte, die in einer inerten Umgebung ausgeführt werden, auf die Ausbildung der Wellenleiter nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren folgen, ohne daß sich eine Beeinträchtigung der Wellenleiterstruktur ergibt.
- Wenn die implantierten Schichten jedoch einer Hochtemperatur- Bearbeitung in einer oxidierenden Umgebung ausgesetzt werden, so wird die Brechungsindex-Erhöhung aufgrund der Implantation rückgängig gemacht, wahrscheinlich deshalb, weil das Vorhandensein von überschüssigem Sauerstoff bei höheren Temperaturen die während der Implantation gebildeten Si-Si-Bindungen aufbricht, um weiteres SiO&sub2; zu bilden. Dieser Effekt kann in einem abgeänderten Verfahren zur Herstellung eines optischen Wellenleiters verwendet werden, wie dies weiter unten beschrieben wird.
- Bei einem Verfahren gemäß einer zweiten Ausführungsform wird eine SiO&sub2;-Schicht 10 wie bei der ersten Ausführungsform aufgewachsen. Die Si&sub3;N&sub4;-Implantationsmaskierungsschicht 14 der ersten Ausführungsform wird fortgelassen, und die gesamte SiO&sub2;-Schicht 10 wird mit Si-Ionen implantiert, um ein Brechungsindexprofil gemäß Fig. 3A zu bilden. Eine Schicht 14 aus Si&sub3;N&sub4; wird dann auf der SiO&sub2;-Schicht 10 abgeschieden und unter Verwendung üblicher photolitheographischer Techniken derart mit einem Muster versehen, daß die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 14 lediglich über den Bereichen der SiO&sub2;-Schicht 10 verbleibt, an denen ein Wellenleiter erwünscht ist, wie dies in Fig. 3B gezeigt ist. Die resultierende Struktur wird dann in einer oxidierenden Umgebung erhitzt, um das implantierte Si in den Bereichen der SiO&sub2;-Schicht zu oxidieren, die nicht durch die verbleibende Si&sub3;N&sub4;-Schicht 14 bedeckt sind, um das Brechungsindex-Profil in diesen Bereichen auszulöschen, wie dies in Fig. 3C gezeigt ist. Die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 14 wirkt als oxidationsbeständige Maske, um eine Oxidation des implantierten Si und eine Beseitigung des Brechungsindexprofils in den Bereichen zu verhindern, an denen ein Wellenleiter erwünscht ist.
- Die vorstehend beschriebenen Verfahren können dadurch modifiziert werden, daß die SiO&sub2;-Schicht 10 auf Si-Substraten mit unterschiedlichen Ausrichtungen und bei unterschiedlichen Temperaturen oder Drücken aufgewachsen wird. Den athmosphärischen Druck übersteigende Drücke können erforderlich sein, wenn eine dicke SiO&sub2;-Schicht erwünscht ist. Die SiO&sub2;-Schicht kann auf Si-Substraten oder auf Substraten aus Materialien wie zum Beispiel III-IV-Halbleitern durch andere Verfahren als thermisches Aufwachsen gebildet werden, beispielsweise durch chemische Dampfabscheidung.
- Die SiO&sub2;-Dicke, die Implantationseneergie und die Implantationsdosis kann modifiziert werden, um die Tiefe und das Brechungsindexprofil des resultierenden Wellenleiters zu ändern. Beispielsweise kann die Implantationsenergie von 3 keV bis 400 keV reichen, und die Implantationsdosis kann von 1x10¹&sup4; cm&supmin;² bis 2x10¹&sup7; cm&supmin;² reichen.
- Von einem Gaußschen Brechungsindexprofil abweichende Profile können dadurch erzielt werden, daß eine Reihe von Implantationen bei unterschiedlichen Implantationsenergien und wahlweise bei unterschiedlichen Implantationsdosen ausgeführt wird. Aufeinanderfolgende Implantationen können durch unterschiedliche Implantationsmasken hindurch ausgeführt werden, um unterschiedliche Brechungsindexprofile in unterschiedlichen Bereichen der SiO&sub2;-Schicht 10 auszubilden. Eine Reihe von Implantationen durch eine gemeinsame Implantationsmaske kann verwendet werden, um eine einen hohen Brechungsindex aufweisende Senke zu bilden, die sich zur Oberfläche der SiO&sub2;-Schicht 10 für eine Oberflächenkopplung eines Wellenleiters mit einer Lichtleitfaser oder einem optischen Bauteil erstreckt.
- Es können andere Maskierungsmaterialien, wie z.B. Polysilizium oder Al während der Implantation verwendet werden, und die Dicke des Maskierungsmaterials sollte so ausgewählt werden, daß es zumindestens dem drei- bis fünffachen des projizierten Bereiches der Si-Ionen in dem ausgewählten Maskierungsmaterial bei der ausgewählten Implantationsenergie entspricht. Diese und andere Modifikationen liegen innerhalb des Rahmens der Erfindung, wie sie weiter unten beansprucht wird.
Claims (14)
1. Planarer optischer Wellenleiter mit einem Kanalbereich
(20) mit einem erhöhten Brechungsindex, der von einem Bereich
(10) mit einem niedrigeren Brechungsindex umgeben ist, wobei
dieser Wellenleiter in einer von einem Substrat (12) getragenen
Schicht (10) aus SiO&sub2; ausgebildet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß der Kanalbereich durch einen
Bereich (20) der SiO&sub2;-Schicht (10) gebildet ist, die einen
stöchiometrischen Überschuß von Si enthält.
2. Optischer Wellenleiter nach Anspruch 1, bei dem der
stöchiometrische Überschuß an Si ein
Brechungsindex-Gradientenprofil bildet.
3. Optischer Wellenleiter nach Anspruch 2, bei dem der
stöchiometrische Überschuß an Si eine Funktion der Tiefe
ist, die einer Gaußschen Verteilungsfunktion angenähert ist.
4. Verfahren zur Herstellung eines planaren optischen
Wellenleiters mit einem Kanalbereich (20) mit einem erhöhten
Brechungsindex, der von einem Bereich (10) mit einem niedrigeren
Brechungsindex umgeben ist, wobei das Verfahren die Ausbildung
einer Schicht aus SiO&sub2; auf einem Substrat (12) umfaßt,
dadurch gekennzeichnet, daß in einen Bereich (20) der SiO&sub2;-
Schicht (10) Si-Ionen implantiert werden, um einen Bereich (20)
zu schaffen, der einen stöchiometrischen Überschuß an Si
enthält und den Kanalbereich (20) bildet.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Ausbildung der
Schicht (10) aus SiO&sub2; auf dem Si-Substrat (12) das Aufwachsen
einer Schicht aus SiO&sub2; auf dem Si-Substrat umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem das Aufwachsen der
Schicht (10) aus SiO&sub2; auf dem Si-Substrat (12) das Aufwachsen
einer Schicht aus SiO&sub2; auf dem Si-Substrat durch
Dampfoxidation umfaßt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Dampfoxidation bei
einem Druck ausgeführt wird, der den atmosphärischen Druck
übersteigt.
8. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt der
Ausbildung der Schicht (10) aus SiO&sub2; auf dem Substrat (12) die
Abscheidung einer Schicht aus SiO&sub2; auf einem Substrat durch
chemische Dampfabscheidung umfaßt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8, bei dem die
Implantation der Si-Ionen in den Bereich (20) der SiO&sub2;-Schicht
(10) die Ausbildung einer Ionenimplantationsmaske (14) über
der SiO&sub2;-Schicht (10), wobei die Ionenimplantationsmaske
durchgehende Öffnungen über Bereichen der SiO&sub2;-Schicht (10)
aufweist, an denen die Implantation von Si-Ionen erwünscht ist,
und das selektive Implantieren von Si-Ionen in die SiO&sub2;-
Schicht (10) durch die Öffnungen der Ionenimplantationsmaske
(14) hindurch umfaßt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 9, bei dem die
Implantation der Si-Ionen in den Bereich (20) der SiO&sub2;-
Schicht (10) die Implantation der Si-Ionen mit einer
Implantationsdosis zwischen 1x10¹&sup4; cm&supmin;² und 2x10¹&sup7; cm&supmin;²
und einer Implantationsenergie zwischen 3 keV und 400 keV
umfaßt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10, bei dem die
Implantation der Si-Ionen in den Bereich (20) der SiO&sub2;-
Schicht (10) die Ausführung einer Reihe von
Implantationsschritten bei unterschiedlichen Implantationsenergien und/oder
unterschiedlichen Implantationsdosen umfaßt.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem aufeinanderfolgende
Implantationsschritte durch unterschiedliche
Implantationsmasken hindurch ausgeführt werden.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 12, bei dem die
Implantation der Si-Ionen zur Bildung des Kanalbereiches (20)
in der SiO&sub2;-Schicht (10) die Schritte der Implantation der
Si-Ionen in die SiO&sub2;-Schicht (10), die Ausbildung einer
oxidationsbeständigen Maske (14) selektiv derart, daß der
Bereich (20) abgedeckt wird, in dem der Kanalbereich erwünscht
ist, und des Erhitzens der SiO&sub2;-Schicht (10) in einer
oxidierenden Umgebung zur Oxidation des implantierten Si selektiv
in den Bereichen umfaßt, die nicht durch die
oxidationsbeständige Maske geschützt sind.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 12, wobei das
Verfahren weiterhin die Wärmebehandlung der implantierten
SiO&sub2;-Schicht (10) bei einer Temperatur, die 1000ºC
übersteigt, in einer nichtoxidierenden Umgebung umfaßt.
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