DE69014787T2 - Herstellungsverfahren von polaren Stücken und der Spalte von Dünnschicht-Magnetköpfen zur Informationsverarbeitungs-, Audio- oder Videoverwendung. - Google Patents
Herstellungsverfahren von polaren Stücken und der Spalte von Dünnschicht-Magnetköpfen zur Informationsverarbeitungs-, Audio- oder Videoverwendung.Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 6
- 230000010365 information processing Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical group [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/008—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires
- G11B5/00813—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires magnetic tapes
- G11B5/00817—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires magnetic tapes on longitudinal tracks only, e.g. for serpentine format recording
- G11B5/00821—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires magnetic tapes on longitudinal tracks only, e.g. for serpentine format recording using stationary heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/235—Selection of material for gap filler
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
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Description
- Die vorliegende Erfindung hat ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtmagnetköpfen mit planarer Struktur zum Gegenstand. Sie betrifft insbesondere die Herstellung der Polstücke und des Magnetspalts von Schreib- und Leseköpfen für verschiedene Anwendungen wie z.B. Informatik, Ton- oder Bildaufzeichnungen.
- Abhängig von den Arten der entwickelten Köpfe, den Anwendungen und den gewünschten Leistungen können verschiedene Technologien zur Herstellung des Magnetspalts und der Polstükke eingesetzt werden. Ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtmagnetköpfen ausgehend von einem magnetischen Substrat ist in der europäischen Patentanmeldung EP-A-0 140 524 beschrieben. Die Patentanmeldung EP-A-0 262 028 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtmagnetköpfen mit planarer Struktur, durch das sich ein enger Magnetspalt bestehend aus einer unmagnetischen Schicht und Polstücke solcher Form ergeben, daß sich eine Flußkonzentration in der Nähe des Magnetspalts und eine geringe Oberfläche ohne Schutz ergibt. Dieses Verfahren enthält Verfahrensschritte, bei denen dünne Schichten aufgebracht und geätzt werden und die in der Technik der integrierten Schaltkreise üblich sind, sowie Verfahrensschritte, bei denen verschiedene Magnetschichten elektrolytisch aufgebracht werden.
- Das Verfahren gemäß der Druckschrift EP-A-0 262 028 ergibt Magnetköpfe, die folgende Nachteile aufweisen:
- Die Höhe der Polstücke ist auf einen Höchstwert von ungefähr 4 bis 5 um begrenzt. Dieses Verfahren kann daher nicht zur Herstellung von Bildaufzeichnungsköpfen oder DAT-- Köpfen verwendet werden (DAT = Digital Audio Tape), die während ihres Betriebs einer erheblichen Abnutzung unterliegen und damit eine größere Höhe der Polstücke erfordern (in der Größenordnung von 15 um).
- Die Magnetspaltfüllung (oder das Abstandsstück) ist ziemlich zerbrechlich. Der Magnetspalt wird nämlich auf einen Träger aufgesetzt und, obwohl er von derselben Art wie der Träger ist, ist die Gefahr eines Bruchs am Übergang zwischen Luftspalt und Träger groß.
- Für große Höhen (4 bis 5 um) ist es schwer, das Abstandsstück genau senkrecht zu stellen.
- Wenn der Magnetspalt durch Aufbringen eines mineralischen Materials und durch ein an dieses Material angepaßtes Verfahren aufgebracht wird, dann ist die Dicke des Magnetspalts auf Werte zwischen 0,3 um und 2 um begrenzt.
- Um diese Nachteile zu beheben, schlägt die vorliegende Erfindung ein Verfahren vor, das durch Verwendung der in der Mikroelektronik gebräuchlichen Techniken variable Magnetspaltdicken zwischen 0,1 um und etwa 10 um sowie mit einer Höhe der Polstücke ergibt, die zwischen 0,1 um und etwa 15 um variieren kann. Zugleich ist eine gute Kontrolle der Dicke und der Höhe des Abstandsstücks und eine gute mechanische Festigkeit dieses Abstandsstücks gewährleistet. Diese bemerkenswerte mechanische Festigkeit beruht auf der Tatsache, daß im Fall der Erfindung das Abstandsstück aus dem Vollen herausgearbeitet ist und nicht aufgesetzt ist wie im Fall der EP-A-0 262 028.
- Gegenstand der Erfindung ist also ein Verfahren zur Herstellung der Polstücke und des Magnetspalts von Dünnschicht-Magnetköpfen für eine Anwendung in der Informatik, bei der Ton- oder Bildaufzeichnung, beginnend mit einem Siliziumsubstrat, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren folgende Schritte aufweist:
- a) eine isolierende Schicht wird auf einem Siliziumsubstrat ausgebildet,
- b) eine Metallschicht wird auf die isolierende Schicht aufgebracht,
- c) eine Schicht aus Maskierungsharz wird auf die Metallschicht aufgebracht,
- d) das mit der isolierenden Schicht und der Metallschicht bedeckte Substrat wird selektiv geätzt, um Vertiefungen zu beiden Seiten einer Säule einer bestimmten Breite zu bilden,
- e) die Reste der im vorhergehenden Verfahrensschritt geätzten Metallschicht werden entfernt,
- f) das geätzte Substrat wird thermisch oxidiert, um eine Schicht aus Siliziumoxid zu entwickeln, die eine Justierung der Säule erlaubt, um den gewünschten Magnetspalt zu erhalten,
- g) die entwickelte Oxidschicht des vorhergehenden Verfahrensschritts wird selektiv abgeätzt, um die Bereiche dieser Schicht zu entfernen, die sich am Grund der Vertiefungen befinden,
- h) eine leitende Schicht wird auf den Grund der Vertiefungen aufgebracht,
- i) ein magnetisches Material wird auf elektrolytischem Weg in die Vertiefungen eingebracht,
- j) die Reste der isolierenden Schicht, die ursprünglich auf das Substrat aufgebracht wurde, werden entfernt.
- Die Erfindung und weitere Vorteile gehen aus der nachfolgenden, nicht beschränkend zu verstehenden Beschreibung anhand der Figuren 1 bis 10 hervor, die die verschiedenen Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens zeigen.
- Gemäß der Erfindung werden die Polstücke und der Magnetspalt ausgehend von einem Siliziumsubstrat hergestellt, das vorzugsweise so bearbeitet wird, daß die Bildung einer großen Zahl von Magnetköpfen auf einem gemeinsamen Substrat vorgesehen werden kann. Das Substrat kann so bearbeitet worden sein, daß es bereits die elektrischen Spulen trägt. Es kann aber auch unbehandelt sein, so daß in diesem Fall die Polstükke und der Magnetspalt an einem magnetischen Verschlußkreis angebracht werden, der eine oder zwei Spulen trägt.
- Figur 1 zeigt ein Substrat 1 aus Silizium, auf das eine isolierende Schicht 2 aufgebracht ist. Diese isolierende Schicht kann durch thermische Oxidation des Siliziumsubstrats gebildet sein. Sie kann auch auf chemischem Weg aufgebracht sein (CVD), wobei diese Methode gut für das Aufbringen von Siliziumoxid oder Siliziumnitrid geeignet ist. Die isolierende Schicht 2 kann eine Dicke zwischen 0,5 und 5 um besitzen.
- Auf die isolierende Schicht 2 wird eine Metallschicht 3 aufgebracht. Es kann sich hier um eine Wolframschicht handeln, die durch Kathodenzerstäubung aufgebracht wird und eine Dicke zwischen 0,5 und 3 um besitzt.
- Auf die Metallschicht 3 wird eine Maskenschicht 4 aus Harz aufgebracht.
- Die Maskenschicht 4 dient nach der Maskenbildung und Isolierung zur Definition der Polstücke und des Magnetspalts. Figur 2 zeigt das Substrat 1 in einem Stadium, in dem die Metallschicht 3 und die isolierende Schicht 2 selektiv abgeätzt worden sind. Figur 3 zeigt das Substrat nach dem Ätzen. Zwei Vertiefungen 5 und 6 wurden ausgebildet, die eine Säule 7 definieren, an der der Magnetspalt ausgebildet wird. Die von der abgeätzten Metallschicht 3 gebildete Maske hat hauptsächlich die Aufgabe, ein anisotropes Abätzen der isolierenden Schicht 2 und dann ein anisotropes Abätzen des Substrats 1 zu ergeben. Das Ätzen erfolgt durch dem Fachmann bekannte Techniken, beispielsweise in einem Plasmaätzreaktor.
- Nach diesen Verfahrensschritten entfernt man die Reste der metallischen Maske durch chemisches Ätzen.
- Die Säule 7 hat eine vorbestimmte Dicke, und auch die Abmessungen der Vertiefungen 5 und 6 zu beiden Seiten der Säule sind vorbestimmt. Diese Dicke der Säule kann für den vorgesehenen Magnetspalt ausreichen. In manchen Fällen, insbesondere wenn man eine sehr geringe Magnetspaltbreite erzielen möchte, kann es notwendig sein, die beiden folgenden zusätzlichen Verfahrensschritte vorzusehen:
- Ein erster Verfahrensschritt, der in Figur 4 gezeigt ist, besteht darin, durch thermische Oxidation eine oberflächliche Siliziumoxidschicht 8 zu bilden. Die Dicke dieser Oxidschicht 8 wird abhängig von der gewünschten Breite des Magnetspalts festgelegt. Diese Methode hat den Vorteil großer Genauigkeit, da man das Wachsen der thermischen Oxidschicht sehr gut kontrollieren kann. Wenn man beispielsweise einen endgültigen Luftspalt einer Dicke von 0,4 um erzielen will, dann kann die Dicke der Säule 7 ursprünglich den Wert 1,2 um besitzen (was durch Lithographie einfach zu erreichen ist), und die Dicke der oberflächlichen Oxidschicht 8 kann 0,4 um betragen. Wenn man dann während eines zweiten Verfahrensschritts die Oxidschicht 8 entfernt, erhält man einen Magnetspalt einer gewünschten Breite, d.h. von 0,4 um. Figur 5 zeigt dieses Stadium des Verfahrens.
- Dann erfolgt eine thermische Oxidation, die zwei Ziele verfolgt, nämlich die exakte Dicke des endgültigen Magnetspalts zu definieren und eine seitliche Isolierung zu erzeugen. Man entwickelt also auf dem geätzten Substrat eine Schicht aus Siliziumoxid 9, wie dies Figur 6 zeigt. Dann wird die Oxidschicht 9 selektiv abgeätzt, beispielsweise mittels Plasma, um den Boden der Vertiefungen 5 und 6 wieder freizulegen. Durch dieses selektive Ätzen wird das Oxid am Grund der Vertiefungen entfernt, ohne die Oxidschicht auf den Wänden anzugreifen. Dies zeigt Figur 7.
- Der nächste Verfahrensschritt besteht darin, eine leitende Schicht auf dem Grund der Vertiefungen 5 und 6 aufzubringen. Hierzu kann man folgendermaßen vorgehen: Man bringt durch Kathodenstrahlzerstäubung eine Metallschicht auf, beispielsweise eine 0,1 um dicke Nickelschicht (auch Chrom oder Tantal kommt in Frage). Aufgrund einer Wärmebehandlung bildet sich am Übergang von Silizium zu Nickel, d.h. am Grund der Vertiefungen 5 und 6, ein Nickelsilizid. Die Dicke der so gebildeten Nickelsilizidschicht hängt von der Temperatur und der Dauer der Wärmebehandlung ab. Am Übergang zwischen dem Siliziumoxid und dem Nickel kann sich Silizid bilden. Dann ätzt man chemisch die Nickelschicht weg, so daß sich eine leitende Schicht 10 aus Nickelsilizid am Grund der Vertiefungen ergibt. Dies ist in Figur 8 gezeigt, in der die Schicht 10 eine Trägerschicht für das Magnetmaterial bildet, das die Vertiefungen 5 und 6 ausfüllen wird. Durch Elektrolyse kann man so beispielsweise eine Eisen-Nickel-Legierung aus einer flüssigen Phase abscheiden, die Ionen dieser Metalle enthält, wobei das Siliziumsubstrat die elektrische Verbindung mit der Trägerschicht 10 gewährleistet. Die Silizidschicht verbessert die Haftung der Polstücke im Vergleich zu reinem Silizium. Figur 9 zeigt dieses Verfahrensstadium, wobei die Polstücke die Bezugszeichen 11 und 12 tragen.
- Dann braucht man nur noch die vorstehenden Bereiche von Siliziumoxid wegzuätzen, um die in Figur 10 gezeigte Struktur zu erhalten.
- Das erfindungsgemäße Verfahren ist besonders gut für Magnetköpfe in der Informatik geeignet, wo geringe Leiterbahnbreiten erforderlich sind. Für derartige Köpfe werden nämlich die Entmagnetisierungsfelder sehr stark, während der Herstellung des Kopfes spielt die Anisotropie der Form des Kopfes eine große Rolle. Es ist in diesem Fall interessant, ein dikkeres Polstück herstellen zu können und den Magnetspalt dementsprechend auszubilden.
- Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders gut für Köpfe von Magnetbandgeräten, die ein sehr dickes Polstück (zwischen 5 und 30 um) benötigen.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung der Polstücke und des
Magnetspalts von Dünnschicht-Magnetköpfen für eine Anwendung in der
Informatik, bei der Ton- oder Bildaufzeichnung, beginnend mit
einem Siliziumsubstrat, dadurch gekennzeichnet, daß das
Verfahren folgende Schritte aufweist:
a) eine isolierende Schicht (2) wird auf einem
Siliziumsubstrat (1) ausgebildet,
b) eine Metallschicht (3) wird auf die isolierende
Schicht (2) aufgebracht,
c) eine Schicht aus Maskierungsharz (4) wird auf die
Metallschicht (3) aufgebracht,
d) das ,mit der isolierenden Schicht (2) und der
Metallschicht (3) bedeckte Substrat wird selektiv geätzt, um
Vertiefungen (5, 6) zu beiden Seiten einer Säule (7) einer
bestimmten Breite zu bilden,
e) die Reste der im vorhergehenden Verfahrensschritt
geätzten Metallschicht (3) werden entfernt,
f) das geätzte Substrat wird thermisch oxidiert, um
eine Schicht aus Siliziumoxid (9) zu entwickeln, die eine
Justierung der Säule (7) erlaubt, um den gewünschten
Magnetspalt zu erhalten,
g) die entwickelte Oxidschicht des vorhergehenden
Verfahrensschritts wird selektiv abgeätzt, um die Bereiche
dieser Schicht zu entfernen, die sich am Grund der
Vertiefungen (5, 6) befinden,
h) eine leitende Schicht (10) wird auf den Grund der
Vertiefungen (5, 6) aufgebracht,
i) ein magnetisches Material (11, 12) wird auf
elektrolytischem Weg in die Vertiefungen (5, 6) eingebracht,
j) die Reste der isolierenden Schicht (2), die
ursprünglich auf das Substrat (1) aufgebracht wurde, werden
entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen den Verfahrensschritten e) und f) die beiden
folgenden zusätzlichen Verfahrensschritte eingefügt werden:
- durch thermische Oxidation wird eine
Siliziumoxidschicht einer bestimmten Dicke gebildet, um die Breite der
verbleibenden Säule aus Silizium zu begrenzen,
- die vorher gebildete Siliziumoxidschicht wird
entfernt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8911892A FR2651912B1 (fr) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | Procede de realisation des pieces polaires et de l'entrefer de tetes magnetiques en couches minces pour application informatique audio ou video. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69014787D1 DE69014787D1 (de) | 1995-01-19 |
DE69014787T2 true DE69014787T2 (de) | 1995-04-13 |
Family
ID=9385352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69014787T Expired - Fee Related DE69014787T2 (de) | 1989-09-12 | 1990-09-07 | Herstellungsverfahren von polaren Stücken und der Spalte von Dünnschicht-Magnetköpfen zur Informationsverarbeitungs-, Audio- oder Videoverwendung. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5062196A (de) |
EP (1) | EP0418127B1 (de) |
JP (1) | JP2982261B2 (de) |
DE (1) | DE69014787T2 (de) |
FR (1) | FR2651912B1 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-09-12 FR FR8911892A patent/FR2651912B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-08-27 US US07/572,553 patent/US5062196A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-07 DE DE69014787T patent/DE69014787T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-07 EP EP90402466A patent/EP0418127B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-12 JP JP2240208A patent/JP2982261B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2982261B2 (ja) | 1999-11-22 |
US5062196A (en) | 1991-11-05 |
FR2651912B1 (fr) | 1991-10-31 |
JPH03105712A (ja) | 1991-05-02 |
EP0418127B1 (de) | 1994-12-07 |
EP0418127A1 (de) | 1991-03-20 |
DE69014787D1 (de) | 1995-01-19 |
FR2651912A1 (fr) | 1991-03-15 |
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