DE69014787T2 - Herstellungsverfahren von polaren Stücken und der Spalte von Dünnschicht-Magnetköpfen zur Informationsverarbeitungs-, Audio- oder Videoverwendung. - Google Patents
Herstellungsverfahren von polaren Stücken und der Spalte von Dünnschicht-Magnetköpfen zur Informationsverarbeitungs-, Audio- oder Videoverwendung.Info
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Description
- Die vorliegende Erfindung hat ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtmagnetköpfen mit planarer Struktur zum Gegenstand. Sie betrifft insbesondere die Herstellung der Polstücke und des Magnetspalts von Schreib- und Leseköpfen für verschiedene Anwendungen wie z.B. Informatik, Ton- oder Bildaufzeichnungen.
- Abhängig von den Arten der entwickelten Köpfe, den Anwendungen und den gewünschten Leistungen können verschiedene Technologien zur Herstellung des Magnetspalts und der Polstükke eingesetzt werden. Ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtmagnetköpfen ausgehend von einem magnetischen Substrat ist in der europäischen Patentanmeldung EP-A-0 140 524 beschrieben. Die Patentanmeldung EP-A-0 262 028 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtmagnetköpfen mit planarer Struktur, durch das sich ein enger Magnetspalt bestehend aus einer unmagnetischen Schicht und Polstücke solcher Form ergeben, daß sich eine Flußkonzentration in der Nähe des Magnetspalts und eine geringe Oberfläche ohne Schutz ergibt. Dieses Verfahren enthält Verfahrensschritte, bei denen dünne Schichten aufgebracht und geätzt werden und die in der Technik der integrierten Schaltkreise üblich sind, sowie Verfahrensschritte, bei denen verschiedene Magnetschichten elektrolytisch aufgebracht werden.
- Das Verfahren gemäß der Druckschrift EP-A-0 262 028 ergibt Magnetköpfe, die folgende Nachteile aufweisen:
- Die Höhe der Polstücke ist auf einen Höchstwert von ungefähr 4 bis 5 um begrenzt. Dieses Verfahren kann daher nicht zur Herstellung von Bildaufzeichnungsköpfen oder DAT-- Köpfen verwendet werden (DAT = Digital Audio Tape), die während ihres Betriebs einer erheblichen Abnutzung unterliegen und damit eine größere Höhe der Polstücke erfordern (in der Größenordnung von 15 um).
- Die Magnetspaltfüllung (oder das Abstandsstück) ist ziemlich zerbrechlich. Der Magnetspalt wird nämlich auf einen Träger aufgesetzt und, obwohl er von derselben Art wie der Träger ist, ist die Gefahr eines Bruchs am Übergang zwischen Luftspalt und Träger groß.
- Für große Höhen (4 bis 5 um) ist es schwer, das Abstandsstück genau senkrecht zu stellen.
- Wenn der Magnetspalt durch Aufbringen eines mineralischen Materials und durch ein an dieses Material angepaßtes Verfahren aufgebracht wird, dann ist die Dicke des Magnetspalts auf Werte zwischen 0,3 um und 2 um begrenzt.
- Um diese Nachteile zu beheben, schlägt die vorliegende Erfindung ein Verfahren vor, das durch Verwendung der in der Mikroelektronik gebräuchlichen Techniken variable Magnetspaltdicken zwischen 0,1 um und etwa 10 um sowie mit einer Höhe der Polstücke ergibt, die zwischen 0,1 um und etwa 15 um variieren kann. Zugleich ist eine gute Kontrolle der Dicke und der Höhe des Abstandsstücks und eine gute mechanische Festigkeit dieses Abstandsstücks gewährleistet. Diese bemerkenswerte mechanische Festigkeit beruht auf der Tatsache, daß im Fall der Erfindung das Abstandsstück aus dem Vollen herausgearbeitet ist und nicht aufgesetzt ist wie im Fall der EP-A-0 262 028.
- Gegenstand der Erfindung ist also ein Verfahren zur Herstellung der Polstücke und des Magnetspalts von Dünnschicht-Magnetköpfen für eine Anwendung in der Informatik, bei der Ton- oder Bildaufzeichnung, beginnend mit einem Siliziumsubstrat, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren folgende Schritte aufweist:
- a) eine isolierende Schicht wird auf einem Siliziumsubstrat ausgebildet,
- b) eine Metallschicht wird auf die isolierende Schicht aufgebracht,
- c) eine Schicht aus Maskierungsharz wird auf die Metallschicht aufgebracht,
- d) das mit der isolierenden Schicht und der Metallschicht bedeckte Substrat wird selektiv geätzt, um Vertiefungen zu beiden Seiten einer Säule einer bestimmten Breite zu bilden,
- e) die Reste der im vorhergehenden Verfahrensschritt geätzten Metallschicht werden entfernt,
- f) das geätzte Substrat wird thermisch oxidiert, um eine Schicht aus Siliziumoxid zu entwickeln, die eine Justierung der Säule erlaubt, um den gewünschten Magnetspalt zu erhalten,
- g) die entwickelte Oxidschicht des vorhergehenden Verfahrensschritts wird selektiv abgeätzt, um die Bereiche dieser Schicht zu entfernen, die sich am Grund der Vertiefungen befinden,
- h) eine leitende Schicht wird auf den Grund der Vertiefungen aufgebracht,
- i) ein magnetisches Material wird auf elektrolytischem Weg in die Vertiefungen eingebracht,
- j) die Reste der isolierenden Schicht, die ursprünglich auf das Substrat aufgebracht wurde, werden entfernt.
- Die Erfindung und weitere Vorteile gehen aus der nachfolgenden, nicht beschränkend zu verstehenden Beschreibung anhand der Figuren 1 bis 10 hervor, die die verschiedenen Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens zeigen.
- Gemäß der Erfindung werden die Polstücke und der Magnetspalt ausgehend von einem Siliziumsubstrat hergestellt, das vorzugsweise so bearbeitet wird, daß die Bildung einer großen Zahl von Magnetköpfen auf einem gemeinsamen Substrat vorgesehen werden kann. Das Substrat kann so bearbeitet worden sein, daß es bereits die elektrischen Spulen trägt. Es kann aber auch unbehandelt sein, so daß in diesem Fall die Polstükke und der Magnetspalt an einem magnetischen Verschlußkreis angebracht werden, der eine oder zwei Spulen trägt.
- Figur 1 zeigt ein Substrat 1 aus Silizium, auf das eine isolierende Schicht 2 aufgebracht ist. Diese isolierende Schicht kann durch thermische Oxidation des Siliziumsubstrats gebildet sein. Sie kann auch auf chemischem Weg aufgebracht sein (CVD), wobei diese Methode gut für das Aufbringen von Siliziumoxid oder Siliziumnitrid geeignet ist. Die isolierende Schicht 2 kann eine Dicke zwischen 0,5 und 5 um besitzen.
- Auf die isolierende Schicht 2 wird eine Metallschicht 3 aufgebracht. Es kann sich hier um eine Wolframschicht handeln, die durch Kathodenzerstäubung aufgebracht wird und eine Dicke zwischen 0,5 und 3 um besitzt.
- Auf die Metallschicht 3 wird eine Maskenschicht 4 aus Harz aufgebracht.
- Die Maskenschicht 4 dient nach der Maskenbildung und Isolierung zur Definition der Polstücke und des Magnetspalts. Figur 2 zeigt das Substrat 1 in einem Stadium, in dem die Metallschicht 3 und die isolierende Schicht 2 selektiv abgeätzt worden sind. Figur 3 zeigt das Substrat nach dem Ätzen. Zwei Vertiefungen 5 und 6 wurden ausgebildet, die eine Säule 7 definieren, an der der Magnetspalt ausgebildet wird. Die von der abgeätzten Metallschicht 3 gebildete Maske hat hauptsächlich die Aufgabe, ein anisotropes Abätzen der isolierenden Schicht 2 und dann ein anisotropes Abätzen des Substrats 1 zu ergeben. Das Ätzen erfolgt durch dem Fachmann bekannte Techniken, beispielsweise in einem Plasmaätzreaktor.
- Nach diesen Verfahrensschritten entfernt man die Reste der metallischen Maske durch chemisches Ätzen.
- Die Säule 7 hat eine vorbestimmte Dicke, und auch die Abmessungen der Vertiefungen 5 und 6 zu beiden Seiten der Säule sind vorbestimmt. Diese Dicke der Säule kann für den vorgesehenen Magnetspalt ausreichen. In manchen Fällen, insbesondere wenn man eine sehr geringe Magnetspaltbreite erzielen möchte, kann es notwendig sein, die beiden folgenden zusätzlichen Verfahrensschritte vorzusehen:
- Ein erster Verfahrensschritt, der in Figur 4 gezeigt ist, besteht darin, durch thermische Oxidation eine oberflächliche Siliziumoxidschicht 8 zu bilden. Die Dicke dieser Oxidschicht 8 wird abhängig von der gewünschten Breite des Magnetspalts festgelegt. Diese Methode hat den Vorteil großer Genauigkeit, da man das Wachsen der thermischen Oxidschicht sehr gut kontrollieren kann. Wenn man beispielsweise einen endgültigen Luftspalt einer Dicke von 0,4 um erzielen will, dann kann die Dicke der Säule 7 ursprünglich den Wert 1,2 um besitzen (was durch Lithographie einfach zu erreichen ist), und die Dicke der oberflächlichen Oxidschicht 8 kann 0,4 um betragen. Wenn man dann während eines zweiten Verfahrensschritts die Oxidschicht 8 entfernt, erhält man einen Magnetspalt einer gewünschten Breite, d.h. von 0,4 um. Figur 5 zeigt dieses Stadium des Verfahrens.
- Dann erfolgt eine thermische Oxidation, die zwei Ziele verfolgt, nämlich die exakte Dicke des endgültigen Magnetspalts zu definieren und eine seitliche Isolierung zu erzeugen. Man entwickelt also auf dem geätzten Substrat eine Schicht aus Siliziumoxid 9, wie dies Figur 6 zeigt. Dann wird die Oxidschicht 9 selektiv abgeätzt, beispielsweise mittels Plasma, um den Boden der Vertiefungen 5 und 6 wieder freizulegen. Durch dieses selektive Ätzen wird das Oxid am Grund der Vertiefungen entfernt, ohne die Oxidschicht auf den Wänden anzugreifen. Dies zeigt Figur 7.
- Der nächste Verfahrensschritt besteht darin, eine leitende Schicht auf dem Grund der Vertiefungen 5 und 6 aufzubringen. Hierzu kann man folgendermaßen vorgehen: Man bringt durch Kathodenstrahlzerstäubung eine Metallschicht auf, beispielsweise eine 0,1 um dicke Nickelschicht (auch Chrom oder Tantal kommt in Frage). Aufgrund einer Wärmebehandlung bildet sich am Übergang von Silizium zu Nickel, d.h. am Grund der Vertiefungen 5 und 6, ein Nickelsilizid. Die Dicke der so gebildeten Nickelsilizidschicht hängt von der Temperatur und der Dauer der Wärmebehandlung ab. Am Übergang zwischen dem Siliziumoxid und dem Nickel kann sich Silizid bilden. Dann ätzt man chemisch die Nickelschicht weg, so daß sich eine leitende Schicht 10 aus Nickelsilizid am Grund der Vertiefungen ergibt. Dies ist in Figur 8 gezeigt, in der die Schicht 10 eine Trägerschicht für das Magnetmaterial bildet, das die Vertiefungen 5 und 6 ausfüllen wird. Durch Elektrolyse kann man so beispielsweise eine Eisen-Nickel-Legierung aus einer flüssigen Phase abscheiden, die Ionen dieser Metalle enthält, wobei das Siliziumsubstrat die elektrische Verbindung mit der Trägerschicht 10 gewährleistet. Die Silizidschicht verbessert die Haftung der Polstücke im Vergleich zu reinem Silizium. Figur 9 zeigt dieses Verfahrensstadium, wobei die Polstücke die Bezugszeichen 11 und 12 tragen.
- Dann braucht man nur noch die vorstehenden Bereiche von Siliziumoxid wegzuätzen, um die in Figur 10 gezeigte Struktur zu erhalten.
- Das erfindungsgemäße Verfahren ist besonders gut für Magnetköpfe in der Informatik geeignet, wo geringe Leiterbahnbreiten erforderlich sind. Für derartige Köpfe werden nämlich die Entmagnetisierungsfelder sehr stark, während der Herstellung des Kopfes spielt die Anisotropie der Form des Kopfes eine große Rolle. Es ist in diesem Fall interessant, ein dikkeres Polstück herstellen zu können und den Magnetspalt dementsprechend auszubilden.
- Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders gut für Köpfe von Magnetbandgeräten, die ein sehr dickes Polstück (zwischen 5 und 30 um) benötigen.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung der Polstücke und des
Magnetspalts von Dünnschicht-Magnetköpfen für eine Anwendung in der
Informatik, bei der Ton- oder Bildaufzeichnung, beginnend mit
einem Siliziumsubstrat, dadurch gekennzeichnet, daß das
Verfahren folgende Schritte aufweist:
a) eine isolierende Schicht (2) wird auf einem
Siliziumsubstrat (1) ausgebildet,
b) eine Metallschicht (3) wird auf die isolierende
Schicht (2) aufgebracht,
c) eine Schicht aus Maskierungsharz (4) wird auf die
Metallschicht (3) aufgebracht,
d) das ,mit der isolierenden Schicht (2) und der
Metallschicht (3) bedeckte Substrat wird selektiv geätzt, um
Vertiefungen (5, 6) zu beiden Seiten einer Säule (7) einer
bestimmten Breite zu bilden,
e) die Reste der im vorhergehenden Verfahrensschritt
geätzten Metallschicht (3) werden entfernt,
f) das geätzte Substrat wird thermisch oxidiert, um
eine Schicht aus Siliziumoxid (9) zu entwickeln, die eine
Justierung der Säule (7) erlaubt, um den gewünschten
Magnetspalt zu erhalten,
g) die entwickelte Oxidschicht des vorhergehenden
Verfahrensschritts wird selektiv abgeätzt, um die Bereiche
dieser Schicht zu entfernen, die sich am Grund der
Vertiefungen (5, 6) befinden,
h) eine leitende Schicht (10) wird auf den Grund der
Vertiefungen (5, 6) aufgebracht,
i) ein magnetisches Material (11, 12) wird auf
elektrolytischem Weg in die Vertiefungen (5, 6) eingebracht,
j) die Reste der isolierenden Schicht (2), die
ursprünglich auf das Substrat (1) aufgebracht wurde, werden
entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen den Verfahrensschritten e) und f) die beiden
folgenden zusätzlichen Verfahrensschritte eingefügt werden:
- durch thermische Oxidation wird eine
Siliziumoxidschicht einer bestimmten Dicke gebildet, um die Breite der
verbleibenden Säule aus Silizium zu begrenzen,
- die vorher gebildete Siliziumoxidschicht wird
entfernt.
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| US5393376A (en) * | 1993-12-30 | 1995-02-28 | International Business Machines Corporation | Method of making pole tip structure for thin film magnetic heads |
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| FR2716996B1 (fr) * | 1994-03-07 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique verticale et son procédé de réalisation. |
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| US5572392A (en) * | 1994-11-17 | 1996-11-05 | International Business Machines Corporation | Arbitrary pattern write head assembly for writing timing-based servo patterns on magnetic storage media |
| FR2727556B1 (fr) * | 1994-11-29 | 1997-01-03 | Thomson Csf | Procede de realisation d'une tete magnetique d'enregistrement/lecture et tete d'enregistrement/lecture |
| US6073338A (en) * | 1997-08-19 | 2000-06-13 | Read-Rite Corporation | Thin film read head with coplanar pole tips |
| KR100264802B1 (ko) * | 1998-02-24 | 2000-09-01 | 윤종용 | 플래너구조 박막자기헤드의 갭 형성방법 |
| US6501619B1 (en) | 2000-04-27 | 2002-12-31 | Shipley Company, L.L.C. | Inductive magnetic recording head having inclined magnetic read/write pole and method of making same |
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