DE68922759T2 - Verfahren zur Herstellung einer Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung.Info
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Description
- Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer bildgebenden Festkörpervorrichtung und ist insbesondere zur Herstellung bildgebender Vorrichtungen mit einer relativ großen Bildfläche anwendbar.
- Im allgemeinen wird in bildgebenden Festkörpervorrichtungen ein zweidimensionales elektrisches Ladungsmuster bei einem Bildbereich durch ein einfallendes Lichtbild erzeugt, wobei die Menge der bei jedem Bildpunkt (Pixel) des Bildbereiches akkumulierten Ladung der Lichtintensität an diesem Punkt proportional ist. Nach einer festen Periode der Ladungsintegration wird die akkumulierte Ladung ausgelesen, Pixel um Pixel, und zwar in einen Videoverstärker, um ein zeitsequentielles Analogsignal zu ergeben, welches für die gesehene Szene repräsentativ ist.
- Es gibt verschiedene Typen von bildgebenden Festkörpervorrichtungen, die als zum Beispiel Ladungstransfervorrichtungen mit Vollbildtransfer oder Interzeilentransfer-Architekturen oder X-Y-adressierter Ladungsinjektion oder MOS-Feldtypen verfügbar sind. Die vorliegende Erfindung ist für alle derartigen Typen von Vorrichtungen relevant.
- Moderne photolithographische Herstellungsausrüstungen, die für die Fabrikation der bildgebenden Festkörpervorrichtungen verwendet werden, sind von dem "Wafer-Schrittschalt"-Typus. Diese verwenden Schritt- und Wiederholtechniken, um ein Feld von Mustern auf einem Wafersubstrat zu erzeugen. Das Bildfeld eines Schrittmachers wird auf einem kleinen Bereich des Wafers abgebildet, und der Wafer dann bewegt und wiederbelichtet. Dieser Prozeß wird sukzessive wiederholt, bis der ganze Wafer mit einem Feld von Mustern bedeckt worden ist.
- Ein Nachteil der Wafer-Schrittschalter-Technik oder Wafer-Stepper-Technik verglichen mit den vorhergehend verwendeten Ausrichtern "ganzer Wafer" ist, daß die Größe der größten Vorrichtung, die erzeugt werden kann, durch die optische Feldgröße des Wafer-Schrittmachers begrenzt ist. Für viele Anwendungen wie Astronomie und Röntgenstrahlbildgebung gibt es einen Bedarf nach größeren Vorrichtungen als auf gegenwärtig verfügbaren Wafer-Steppern erzeugt werden kann.
- Das Dokument IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 16, Nr. 7, Dezember 1973, Seiten 2306, 2307, J. F. Wuestenhagen, adressiert das Problem durch Gebrauch einer großen Chrommaske der gewünschten Größe, um Registrierungsmarken auf dem Wafer zu druck-kontaktieren, welche nachfolgend verwendet werden, um die Bildfelder, die die Vorrichtungsstruktur enthalten, auszurichten. Die Kontaktmaske selbst wird durch einen photolithographischen Schritt und wiederholten Prozeß erzeugt.
- Die vorliegende Erfindung entstand in einem Versuch, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer bildgebenden Vorrichtung und eine verbesserte bildgebende Vorrichtung zu schaffen.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren geschaffen zur Herstellung einer bildgebenden Festkörpervorrichtung, wobei eine photolithographische Technik verwendet wird, mit dem Bilden eines Registrierungsmusterfeldes auf einem Substrat, auf welchem die Vorrichtung zu bilden ist, durch die Schritte, daß: ein Bildfeld mit einer Ausrichtungsmarke auf das Substrat belichtet wird, um ein Registrierungsmuster entsprechend der Ausrichtungsmarke zu erzeugen; und dann ein Bildfeld mit einer Ausrichtungsmarke mit dem erzeugten Registrierungsinuster ausgerichtet wird und das Bildfeld belichtet wird, um ein anderes separates Registrierungsmuster zu erzeugen. Indem ein Verfahren in Übereinstimmung mit der Erfindung verwendet wird, können besonders große Bildfelder mit der Verwendung herkömmlicher Wafer-Stepper-Ausrüstung verwendet werden.
- Vorzugsweise wird das Bildfeld in einer Schicht von positivem Photolack auf dem Substrat belichtet und Ausrichtung wird erreicht, indem ein aufeinanderfolgendes Bildfeld mit dem latenten Bild des vorhergehenden Bildfeldes ausgerichtet wird. Dies ermöglicht die Ausrichtung von sukzessiven Bildern ohne die Anforderung, das Bild zwischen Belichtungen zu entwickeln.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält jedes Bildfeld einen Vorrichtungsaufbau oder eine Bauelementstruktur und umfaßt vorzugsweise eine Bauelementstruktur mit nur einem Teil der aktiven Fläche eines abgeschlossenen Bauelementes, worin die Bereiche ausgerichtet sind, indem ein folgendes Bildfeld mit dem Registrierungsmuster, das durch Belichtung eines vorhergehenden Feldes erzeugt wird, ausgerichtet wird, was ermöglicht, daß ein Bauelement mit großer Fläche durch Belichtung von aufeinanderfolgenden Bildern erzeugt werden kann, von welchen jedes akkurat mit dem Registrierungsmuster, das durch die Belichtung des vorhergehenden Bildes niedergelegt ist, ausgerichtet wird.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren geschaffen, das eine photolithographische Technik verwendet, das die Schritte umfaßt, daß: iterativ das Verfahren in Übereinstimmung mit der Erfindung wiederholt wird, um ein Feld von Registrierungsmustern zu erzeugen; und das Feld der Registrierungsmuster verwendet wird, um weitere Bildfelder einschließlich von Bereichen auszurichten, die eine Bauelementstruktur umfassen, und diese weiteren Bildfelder zu belichten. Dies ermöglicht multiple Belichtungen von Bauelementstrukturen auf einer ersten Maske, die auf einer Vielzahl von Orten herzustellen sind, indem ein Feld von Ausrichtungsmustern verwendet wird, und dann multiple Belichtungen von Bauelementstrukturen auf einer zweiten Maske, um in ähnlicher Weise hergestellt zu werden, wodurch die Anzahl von Maskenänderungen, die erforderlich sind, verringert wird. Dies ist insbesondere vorteilhaft, weil jedes weitere Bildfeld eine Bauelementstruktur umfaßt, die nur einen Teil der aktiven Fläche eines vollständigen Bauelementes umfaßt.
- Vorteilhafterweise wird das Bildfeld in einer Schicht von positivem Photolack auf dem Substrat belichtet und Ausrichtung wird erreicht, indem die weiteren Bildfelder mit dem latenten Bild auf dem Feld von Registrierungsmustern ausgerichtet werden. Dies verringert die Anzahl von Schritten in großem Maße, die für das Erzeugen eines Bauelementes erforderlich sind.
- Vorteilhafterweise wird das Bildfeld relativ zu dem Substrat um einen vorbestimmten Abstand nach der Ausrichtung bewegt und dann belichtet&sub1; um den Bereich zu erzeugen. Dies ermöglicht, daß Ausrichtemarken während der Belichtung bewahrt werden, wodurch ihnen erlaubt wird, in der Ausrichtung von aufeinanderfolgenden Schichten verwendet zu werden. Dies ermöglicht, daß eine verringerte Anzahl von Ausrichtungsmarken verwendet wird, und erlaubt so mehr der Bildfelder, für den Vorrichtungsaufbau verfügbar zu sein. Wenn die Felder in einer ausgerichteten Position belichtet werden, werden die Marken, welche in Registrierung liegen, verzerrt und sind für den weiteren Gebrauch im Ausrichten nachfolgender übergelegter Schichten nicht geeignet.
- In einem Verfahren in Übereinstimmung mit der Erfindung sind die Bereiche im wesentlichen rechteckig mit langen und kurzen Seiten und können derart angeordnet sein, daß eine lange Seite von einem Bereich an eine lange Seite des anderen angrenzt. In alternativer Weise können kurze Seiten der Bereiche angrenzend sein, was ermöglicht, daß lange Streifen-ähnliche Bauelemente erzeugt werden. Im allgemeinen sind zwei Ausrichtungsmarken in einem Feld umfaßt, um zu ermöglichen, daß die Rotationsausrichtung des Substrates herbeigeführt wird. Die Grenze zwischen den Bereichen kann im wesentlichen orthogonal oder parallel zu der Linie liegen, die diese zwei Rotationsausrichtungsmarken verbindet.
- Es kann bevorzugt sein, daß der Schritt des Belichtens eines Feldes auf einem Substrat umfaßt ist, um einen Bereich zu erzeugen, welcher einen Endteil des aktiven Bereiches umfaßt. Die angrenzenden Bereiche können so sowohl Endteile umfassen als auch durch das gleiche Feld erzeugt werden. Jedoch ist es, wo größere aktive Bereiche erforderlich sind, bevorzugt, daß der Schritt beinhaltet wird, daß ein zweites Feld auf dem Substrat belichtet wird, um einen anderen Bereich zu erzeugen, welcher einen Mittelteil der aktiven Fläche bildet. Wenn größere aktive Flächen erforderlich sind, kann eine Vielzahl derartiger Mittelteile zwischen den Endteilen umfaßt sein.
- Wo die aktive Fläche eine Vielzahl von Schichten umfaßt, ist es bevorzugt, daß jede Schicht zumindest zwei angrenzende Bereiche umfaßt, welche separat hergestellt sind und worin die Grenze zwischen den Bereichen in einer Schicht von jener in einer anderen Schicht versetzt ist. Es wird bevorzugt, daß die Grenze zwischen den angrenzenden Bereichen parallel zu der Richtung von Ladungstransfer durch den aktiven Bereich in der vollständigen Vorrichtung parallel liegt, obwohl die Richtung des Auslesens orthogonal zu der Grenze zwischen den Bereichen gemacht werden kann. In dem letzteren Fall kann es, wo Ladung aus der aktiven Fläche längs einer Vielzahl von Wegen ausgelesen wird, angeordnet werden, daß jeder Weg die Grenze kreuzt, wodurch sichergestellt wird, daß sie einen im wesentlichen gleichförmigen Effekt auf Ladung aus verschiedenen Teilen der aktiven Fläche aufweist.
- Eine bildgebende Vorrichtung, die durch ein Verfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung erzeugt wird, wird insbesondere vorteilhaft für astronomische Beobachtungen verwendet, wo eine große bildgebende Fläche erforderlich ist, um gute Resultate zu erhalten.
- Einige Arten, auf welche die Erfindung durchgeführt werden kann, werden nun beispielsweise mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben werden, in welchen:
- Fig. 1 bis 7 ein Verfahren in Übereinstimmung mit der Erfindung veranschaulichen;
- Fig. 8 bis 14 schematisch ein anderes Verfahren in Übereinstimmung mit der Erfindung veranschaulichen;
- Fig. 15 bis 18 noch ein anderes Verfahren und eine bildgebende Vorrichtung in Übereinstimmung mit der Erfindung veranschaulichen; und
- Fig. 19 bis 22 schematisch ein weiteres Verfahren und eine bildgebende Vorrichtung in Übereinstimmung mit der Erfindung zeigen.
- Diese und andere Verfahren können durchgeführt werden, indem Ausrüstung verwendet wird, die von Ultratech Stepper Inc. hergestellt wird.
- In einem Verfahren der Herstellung einer aktiven Fläche in Übereinstimmung mit der Erfindung wird anfänglich eine Vielzahl von Registrierungsmustern über der Oberfläche eines Substrates oder Wafers niedergelegt, wobei Photolithographie verwendet wird. Dann werden aneinander angrenzende Bereiche auf der Oberseite der Registrierungsmuster festgelegt, um die Großflächenbauelemente zu bilden.
- Figuren 1 und 2 veranschaulichen erste und zweite Bildfelder 1 bzw. 2, welche auf den Wafer belichtet werden, um die Registrierungsmuster zu erzeugen. Die zwei Felder 1 und 2 sind rechteckig und umfassen jedes eine Vielzahl von Ausrichtungsmarken, die längs ihrer kurzen Seiten verteilt sind. In diesem speziellen Verfahren umfaßt jedes Feld drei Paare von Ausrichtungskreuzen 3, 4 und 5, wobei die ersten zwei Paare von Marken 3 und 4 auf der Oberseite der Bildfelder wie gezeigt angeordnet sind und das andere an der Unterseite. Das zweite Bildfeld 2 ist leer außer bezüglich dieser drei Paare von Ausrichtungsmarken und das erste Bildfeld 1 umfaßt auch ein größeres Kreuz 6, das als ein OAT bekannt ist, welches die Maschinenakquisition der Ausrichtungsmarken vereinfacht.
- Das erste Feld 1 wird zumindest einmal auf das Substrat belichtet, üblicherweise nahe dem Rand des Wafers gegenüber seiner Hauptfläche. Zur Bequemlichkeit werden drei Belichtungen durchgeführt, um das anfängliche Layout wie in Figur 3 veranschaulicht zu erzeugen.
- In einem separaten Arbeitsgang wird das zweite Feld 2 dann ausgerichtet und eine Anzahl von Malen belichtet, wobei der Wafer zwischen jeder Belichtung bewegt wird, um ein Feld von Registrierungsmustern zu erzeugen, das eine große Fläche des Wafers wie in Figur 4 veranschaulicht bedeckt.
- Die Ausrichtung wird erzeugt, indem die Kreuze 3 in einem Feld in Überdeckung mit den Kreuzen 5 in einem benachbarten Feld gebracht werden. Auf diese Weise wird das Bild in einer Schicht von positivem Photolack auf dem Wafer in gravierendem Maß belichtet und Ausrichtung wird erreicht, indem das latente Bild der Ausrichtemarken ausgerichtet wird.
- Nachdem die Registrierungsmuster auf dem Wafer festgelegt worden sind, werden Felder, die die Bauelementstruktur enthalten, festgelegt. Zwei derartige Felder sind in den Figuren 5 und 6 festgelegt. Das in Figur 5 veranschaulichte Feld ist ein Abschlußfeld 8, welches den Endteil einer Bildfläche umfaßt. Das in Figur 6 gezeigte Feld umfaßt ein Mittelfeld 9. Beide Felder 8 und 9 umfassen ein Paar von Ausrichtungsmarken 10, die an der Oberseite des Feldes wie veranschaulicht angeordnet sind. Die geschatteten Teile von Figuren 5 und 6 zeigen aktive Bauelementbereiche und jene Ränder, die als eine Doppellinie gezeigt sind, deuten beendete Bauelementränder an. Die Einzelliniengrenzen der aktiven Bauelementbereiche deuten Nicht-Abschlu-Bauelementstrukturen an.
- Das Feld 8 und 9 werden ausgerichtet, indem die Ausrichtungsmarken 10 in Überdeckung, d.h. Registratur mit den Ausrichtemarken 4 der Registraturmuster gebracht werden, die festgelegt wurden, wobei die Felder 1 und 2 verwendet werden. Nach der Ausrichtung wird der Wafer über einen vorbestimmten Abstand bewegt, zum Beispiel 200 Mikron und die Felder 8 und 9 belichtet. Dies verhindert Verzerrung der Ausrichtungsmarken 4 und erlaubt ihnen, wieder im Ausrichten nachfolgender Schichten verwendet zu werden.
- Abschlußfelder 8 und Mittelfelder 9 können in einer Vielzahl von Anordnungen festgelegt werden, um Bauelemente variierender Größe zu ergeben, wobei das abschließende Layout auf dem Wafer in Figur 7 veranschaulicht ist, in welcher gesehen werden kann, daß die rechteckigen Felder dazu angeordnet sind, längs ihrer langen Seiten an benachbarte anzugrenzen.
- In einem anderen Verfahren in Übereinstimmung mit der Erfindung werden die Bildfelder wieder im allgemeinen in der Gestalt rechteckig sein und dazu angeordnet sein, längs ihrer kurzen Seiten zusammengefügt zu sein. In diesem Verfahren wie in dem vorhergehend beschriebenen, wird ein Feld von Registraturmustern anfänglich über der Waferfläche festgelegt. Erste und zweite Registraturmusterfelder 11 und 12, die in den Figuren 8 und 9 gezeigt sind, umfassen beide zwei Ausrichtungskreuze 13 und 14, die längs ihrer langen Seite angeordnet sind, und zusätzlich umfaßt das zweite Feld 12 ebenfalls ein OAT 15.
- Anfänglich werden eine Anzahl von Feldern auf das Substrat belichtet, um eine Verteilung wie in Figur 10 veranschaulicht zu ergeben. Zumindest eines der Felder ist jenes, das ein OAT 15 umfaßt.
- In einem getrennten Arbeitsgang wird das erste Feld 11 ausgerichtet und eine Anzahl von Malen belichtet, um ein Feld wie in Figur 11 veranschaulicht zu erzeugen.
- Während des Ausrichtungsverfahrens wird das erste Feld 11 anfänglich auf das zweite Feld 12 überlegt, wobei Kreuze 13 miteinander ausgerichtet sind und die anderen Ausrichtungsmarken 14 in Überdeckung gebracht werden. Indem auf beide Kreuze ausgerichtet wird, wird rotationsmäßige Ausrichtung sichergestellt. Alle nachfolgenden Bewegungen des Steppers, um den Wafer zu bewegen, sind orthogonal, so daß rotationsmäßige Ausrichtung während nachfolgender Schritte in dem Verfahren beibehalten wird. Nachfolgende Ausrichtung findet zwischen dem Kreuz 13 von einem Feld und Kreuz 14 des benachbarten Feldes statt.
- Indem dieses Verfahren verwendet wird, können sehr lange Bauelemente hergestellt werden, indem Felder, die Bauelementstrukturen enthalten, ausgerichtet und belichtet werden, wobei die Registrierungsmuster, die festgesetzt sind, verwendet werden. Die Figuren 12 und 13 veranschaulichen Felder, die eine Bauelementstruktur enthalten, in welchen Figur 12 einen Mittelteil und Figur 13 einen Abschlußteil veranschaulicht. Die aktiven Bauelementflächen sind wieder durch Schattieren angedeutet, und die doppelten Linien zeigen abgeschlossene Bauelementränder an. Figur 14 veranschaulicht das Feld, das erzeugt wird, nachdem die Bauelement-enthaltenden Felder festgelegt worden sind.
- Mit Bezug auf Figuren 15 bis 21 wird ein anderes Verfahren in Übereinstimmung mit der Erfindung beschrieben, welches die anfängliche Herstellung von Registrierungsmustern nicht miteinbezieht. In diesem Verfahren enthält die anfängliche Schicht, die auf dem Substrat festgelegt wird, sowohl aktive Bauelementbereiche als auch Ausrichtungsmarken.
- Figur 15 zeigt ein erstes Bildfeld 16 von 30 x 10 mm. Das Feld 16 umfaßt einen Randabschlußteil 17 und einen Bereich 18, welcher einen Teil der aktiven Fläche bilden soll. Er umfaßt auch einen anderen Teil 19, welcher dazu angeordnet werden kann, den Randabschluß einer anderen bildgebenden Fläche zu bilden. Vier Ausrichtungskreuze 20, welche 200 Mikron in der Größe umfassen, sind an den Seiten des Bereichs 18 angeordnet. Das Feld 16 wird auf einen Wafer 21 projiziert und mit einem OAT wie in Figur 16 gezeigt, ausgerichtet. Es wird dann belichtet, um photolithographisch ein Bild zu erzeugen. Der Wafer 21 wird einen vorbestimmten Abstand bewegt und das Feld 16 wieder belichtet. Der Prozeß wird wiederholt, um ein Feld von Bildern 22 zu erzeugen, das den Wafer 21 bedeckt.
- Das Feld 16 wird dann wieder ausgerichtet, um so den Randabschlußteil 19 benachbart dem Bereich 18 eines vorhergehend festgelegten Bildes in Nachbarschaft zu bringen. Die Kreuze 20 an der Oberseite des Feldes 16 werden mit den Bodenkreuzen 20 des schon hergestellten Bildes ausgerichtet, wie in Figur 17 gezeigt. Das Feld 16 wird dann um einen festen vorbestimmten Abstand bewegt, um das Bild 22 und den Abschluß 19 in die korrekte Beziehung zu bringen, wobei es ein geringfügiges Überlappen zwischen den zweien gibt. Der Wafer 21 wird gesteppt, das heißt schrittweise bewegt, und ein Feld von sekundären Bildern 23 erzeugt, die an das erste Feld von Bildern 22 angrenzen.
- Figur 18 veranschaulicht eine bildgebende Vorrichtung in Übereinstimmung mit der Erfindung, wobei eine bildgebende Fläche verwendet wird, die hergestellt wurde, wobei das Verfahren verwendet wurde, das oben beschrieben ist. Die Vorrichtung umfaßt eine bildgebende Fläche 24, welche aus zwei Bereichen 25 und 26 gebildet ist, welche aneinander bei einer Grenze 27 zwischen ihnen angrenzen. Während des Betriebs der Vorrichtung sammelt sich Ladung über dem bildgebenden Bereich 24 in einer für die Intensität der einfallenden Strahlung repräsentativen Verteilung an. Wenn es gewünscht wird, die akkumulierte Ladung auszulesen, werden geeignete Regelsignale an Elektroden 28 angelegt, um die Ladung in ein Ausleseregister 29 in den durch die Pfeile gezeigten Richtungen zu lesen. Es sollte bemerkt werden, daß die Ladung auf Wegen ausgelesen wird, welche orthogonal zu der Grenze 27 liegen, so daß jeder Pfad dazu neigt, durch ihre Gegenwart auf die gleiche Weise beeinflußt zu sein. Obwohl die veranschaulichte Vorrichtung von dem analogen Typus ist, kann die Erfindung auch in digitalen Vorrichtungen verwendet wird.
- In einer Variation des obigen Verfahrens werden zwei verschiedene Felder verwendet, um die abschließende bildgebende Fläche zu erzeugen. Das erste Feld 30, das in Figur 19 gezeigt ist, umfaßt einen aktiven bildgebenden Bereich 31 und einen Randabschluß 32, wobei Kontaktierflecken 32 zwischen ihnen angeordnet sind. Das zweite Feld 34, das in Figur 20 gezeigt ist, weist einen Bereich 35 auf, welcher einen Teil der bildgebenden Fläche bildet und keinen Randabschlußteil umfaßt. In diesem Verfahren werden die Felder 30 und 34 durch sukzessive Ausrichtung der Ausrichtungsmarken (nicht gezeigt) von jedem aufeinanderfolgenden Feld mit dem durch Belichtung der Ausrichtungsmarken des vorhergehenden Feldes gebildeten Registraturmusters derart flickenartig zusammengefügt, daß eine große bildgebende Fläche wie in Figur 21 gezeigt gebildet wird. Es kann gesehen werden, daß es in vier Stufen hergestellt wird, wobei das erste Feld 30 verwendet wird, um die Endteile der Vorrichtung zu bilden, und zwei der Mittelteile verwendet werden, um das zweite Feld 34 zu bilden.
- Figur 22 veranschaulicht schematisch eine Vorrichtung in Übereinstimmung mit der Erfindung, in welcher die bildgebende Fläche erzeugt wird, wobei das Verfahren, das in bezug auf die Figuren 19, 20 und 21 beschrieben wurde, verwendet wird, und in welchem die Ladung in der Richtung, die durch die Pfeile parallel zu den Grenzen 36 zwischen angrenzenden Bereichen gezeigt ist, ausgelesen wird.
Claims (22)
1. Ein Verfahren zur Herstellung einer bildgebenden
Festkörpervorrichtung, das eine
photolithographische Technik verwendet, mit den Schritten, daß ein
Registrierungsmusterfeld auf einem Substrat (7,
21), auf welchem die Vorrichtung zu bilden ist,
gebildet wird, indem: ein Bildfeld (1, 2, 8, 9, 11,
12, 16, 30, 34) mit einer Ausrichtemarke (3, 4, 5,
10, 13, 14, 20) auf das Substrat (7, 21) belichtet
wird, um ein Registrierungsmuster entsprechend der
Ausrichtemarke zu erzeugen; und dann ein Bildfeld
(1, 2, 8, 9, 11, 12, 16, 30, 34), das eine
Ausrichtemarke (3, 4, 5, 10, 13, 14, 20) umfaßt, mit dem
erzeugten Registrierungsmuster ausgerichtet wird
und das Bildfeld belichtet wird, um ein anderes
separates Registrierungsmuster zu erzeugen.
2. Ein Verfahren nach Anspruch 1, worin das Bildfeld
in einer Schicht von positivem Photolack auf dem
Substrat belichtet wird und Ausrichtung erreicht
wird, indem ein nachfolgendes Bildfeld mit dem
latenten Bild des vorhergehenden Bildfeldes
ausgerichtet wird.
3. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin jedes
Bildfeld einen Vorrichtungsaufbau (18) enthält.
4. Ein Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, worin ein
Bereich von jedem Bildfeld einen Vorrichtungsaufbau
(18) mit nur einem Teil der aktiven Fläche einer
vollständigen Vorrichtung umfaßt, worin die
Bereiche ausgerichtet werden, indem ein nachfolgendes
Bildfeld mit dem Registrierungsmuster, das durch
Belichtung eines vorhergehenden Feldes erzeugt
wird, ausgerichtet wird.
5. Ein Verfahren zur Herstellung einer bildgebenden
Festkörpervorrichtung, das eine
photolithographische Technik verwendet, mit den Schritten, daß:
iterativ ein Verfahren in Übereinstimmung mit Anspruch
1 oder Anspruch 2 wiederholt wird, um ein Feld von
Registrierungsmustern zu erzeugen; und das Feld der
Registrierungsmuster verwendet wird, um weitere
Bildfelder einschließlich von Bereichen
auszurichten, die einen Vorrichtungsaufbau umfassen und
diese weiteren Bildfelder belichtet werden.
6. Ein Verfahren nach Anspruch 5, worin jedes weitere
Bildfeld einen Vorrichtungsaufbau mit nur einem
Teil der aktiven Fläche einer abgeschlossenen
Vorrichtung umfaßt.
7. Ein Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, worin das
Bildfeld in einer Schicht von positivem Photolack
auf dem Substrat belichtet wird und Ausrichtung
erreicht wird, indem die weiteren Bildfelder mit dem
latenten Bild des Feldes von Registrierungsmustern
ausgerichtet werden.
8. Ein Verfahren nach Anspruch 4, 5, 6 oder 7, worin
die Bereiche im wesentlichen in der Gestalt
rechtekkig sind, lange und kurze Seiten aufweisen und
derart erzeugt sind, daß eine kurze Seite von einem
Bereich an eine kurze Seite des anderen angrenzt.
9. Ein Verfahren nach Anspruch 4, 5, 6 oder 7, worin
die Bereiche im wesentlichen in der Gestalt
rechtekkig sind, lange und kurze Seiten aufweisen und
derart erzeugt werden, daß eine lange Seite von einem
an eine lange Seite des anderen angrenzt.
10. Ein Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, worin jeder
Bereich eine Ausrichtemarke aufweist, welche an
einer Seite des Bereiches angeordnet ist, welche der
Grenze zwischen den Bereichen im wesentlichen
orthogonal ist.
11. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10,
worin zwei Ausrichtemarken in einem Feld beinhaltet
sind, um Rotationsausrichtung des Substrates zu
bestimmen und worin die Grenze zwischen den Bereichen
orthogonal zu der Linie liegt, die die zwei
Ausrichtemarken verbindet.
12. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10,
worin zwei Ausrichtemarken in einem Feld beinhaltet
werden, um Rotationsausrichtung des Substrates zu
bestimmen und worin die Grenze zwischen den
Bereichen parallel zu der Linie liegt, die die zwei
Ausrichtemarken verbindet.
13. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 12,
worin anfänglich eine Vielzahl von ersten Bereichen
anfänglich hergestellt wird und dann eine Vielzahl
von zweiten Bereichen.
14. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 13,
das den Schritt umfaßt, daß ein Feld auf das
Substrat belichtet wird, um einen Bereich zu erzeugen,
welcher einen Endteil einer aktiven Fläche umfaßt.
15. Ein Verfahren nach Anspruch 14, worin zwei Felder
belichtet werden, die zwei Endteile von aktiven
Bereichen mit einer Lücke zwischen ihnen umfassen.
16. Ein Verfahren nach Anspruch 15, das den Schritt
umfaßt, daß ein anderes Feld auf das Substrat
belichtet wird, um einen anderen Bereich zu bilden,
welcher einen Mittelteil einer aktiven Fläche bildet.
17. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 16,
worin eine aktive Fläche zwei Endteile und ein oder
mehrere Mittelteile, die zwischen ihnen angeordnet
sind, umfaßt.
18. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 17,
worin die aktive Fläche eine Vielzahl von Schichten
umfaßt, jede Schicht zumindest zwei angrenzende
Bereiche umfaßt, welche separat hergestellt sind, und
worin die Grenze zwischen Bereichen in einer
Schicht im wesentlichen von jener in einer anderen
Schicht versetzt ist.
19. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 18,
worin die Grenze zwischen dem angrenzenden Bereich
parallel zu der Richtung des Ladungstransfers durch
die aktive Fläche in der abgeschlossenen
Vorrichtung stattfindet.
20. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 19,
worin angrenzende Bereiche einander überlappen.
21. Ein Verfahren nach irgendeinem vorhergehenden
Anspruch, worin die Bildfelder relativ zu dem
Substrat um einen vorbestimmten Abstand nach der
Ausrichtung bewegt werden, bevor sie belichtet werden.
22. Ein Verfahren nach Anspruch 21, worin das Substrat
bewegt wird, um die relative Bewegung zu erzeugen.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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GB888803171A GB8803171D0 (en) | 1988-02-11 | 1988-02-11 | Imaging apparatus |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (25)
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---|---|---|---|---|
JP2892765B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1999-05-17 | 株式会社日立製作所 | パターン構造を有する素子の製造方法 |
JP2902506B2 (ja) * | 1990-08-24 | 1999-06-07 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP3344485B2 (ja) * | 1990-11-09 | 2002-11-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3027990B2 (ja) * | 1991-03-18 | 2000-04-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2912505B2 (ja) * | 1992-10-13 | 1999-06-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5705299A (en) * | 1992-12-16 | 1998-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Large die photolithography |
JPH06224099A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR0128828B1 (ko) * | 1993-12-23 | 1998-04-07 | 김주용 | 반도체 장치의 콘택홀 제조방법 |
US5444538A (en) * | 1994-03-10 | 1995-08-22 | New Vision Systems, Inc. | System and method for optimizing the grid and intrafield registration of wafer patterns |
DE4418930B4 (de) * | 1994-05-31 | 2004-10-07 | Nawotec Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von Mustern auf Substraten mittels Korpuskularstrahl-Lithographie |
US6136517A (en) * | 1998-03-06 | 2000-10-24 | Raytheon Company | Method for photo composition of large area integrated circuits |
US6690076B1 (en) | 1999-03-10 | 2004-02-10 | Micron Technology, Inc. | Stitched circuits larger than the maximum reticle size in sub-micron process |
WO2000054336A1 (en) * | 1999-03-10 | 2000-09-14 | Photobit Corporation | Stitched circuits larger than the maximum reticle size in sub-micron process |
US6601025B1 (en) | 1999-08-10 | 2003-07-29 | International Business Machines Corporation | Method to partition the physical design of an integrated circuit for electrical simulation |
US6928184B2 (en) * | 2000-06-16 | 2005-08-09 | Jeol Ltd. | Instrument and method for metrology |
US6912435B2 (en) | 2002-08-28 | 2005-06-28 | Inficon Lt Inc. | Methods and systems for controlling reticle-induced errors |
US7459247B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5062992B2 (ja) | 2005-11-22 | 2012-10-31 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7437207B2 (en) * | 2006-06-03 | 2008-10-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for automatically processing multiple applications in a predetermined order to affect multi-application sequencing |
JP4557994B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2010-10-06 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP5111213B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 計測方法、ステージ移動特性の調整方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8728713B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-05-20 | Truesense Imaging, Inc. | Stitching methods using multiple microlithographic expose tools |
JP2012114270A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップの製造方法 |
FR2993097B1 (fr) * | 2012-07-05 | 2015-05-22 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif imageur cmos a geometrie optimisee et procede de realisation d'un tel dispositif par photocomposition |
EP3451062B1 (de) * | 2016-05-18 | 2020-08-19 | Towerjazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd. | Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung davon |
Family Cites Families (15)
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---|---|---|---|---|
JPS5538024A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-17 | Toshiba Corp | Manufacturing of semiconductor device |
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IL59629A (en) * | 1979-05-11 | 1983-03-31 | Electromask Inc | Apparatus and process for photoexposing semiconductor wafers |
DE3173163D1 (en) * | 1980-02-29 | 1986-01-23 | Eaton Optimetrix Inc | Alignment apparatus |
JPS57112021A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
US4613230A (en) * | 1981-05-06 | 1986-09-23 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Wafer exposure apparatus |
GB2146454B (en) * | 1981-05-15 | 1986-04-16 | Gen Signal Corp | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer |
JPS58107633A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Canon Inc | 特殊チツプを逃げたシヨツト配列方法 |
JPS6010672A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS6085523A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Fujitsu Ltd | マスク形成方法 |
US4883359A (en) * | 1984-02-28 | 1989-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment method and pattern forming method using the same |
US4669866A (en) * | 1985-01-28 | 1987-06-02 | Phillips Edward H | Step-and-repeat alignment and exposure system and method therefore |
JP2593440B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1997-03-26 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置 |
US4980718A (en) * | 1986-06-24 | 1990-12-25 | Salter Stephen H | Registration method in photolithography and equipment for carrying out this method |
EP0253283A3 (de) * | 1986-07-15 | 1988-07-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zur Belichtung von Halbleiterscheiben mittels Synchrotronstrahlung in einem Lithographiegerät |
-
1988
- 1988-02-11 GB GB888803171A patent/GB8803171D0/en active Pending
-
1989
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-
1991
- 1991-08-30 US US07/752,930 patent/US5132195A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10128269A1 (de) * | 2001-06-12 | 2003-01-02 | Advanced Micro Devices Inc | Eine Chipflächen-Justierstruktur |
DE10128269B4 (de) * | 2001-06-12 | 2004-05-27 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Eine Chipflächen-Justierstruktur |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2217467A (en) | 1989-10-25 |
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