DE68918773T2 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit mindestens einer kleine Kontaktlöcher enthaltenden Leiterbahn. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit mindestens einer kleine Kontaktlöcher enthaltenden Leiterbahn.

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, die mindestens eine Verdrahtungs- oder Kontaktierungsebene mit Kontaktlöchern kleiner Abmessungen enthält, wobei diese Löcher in die diese Verdrahtungsebene tragende Isolierschicht eingebaut sind und wobei dieses Verfahren unter anderem das Aufbringen einer ersten leitenden Schicht aus Aluminium oder aus einem stark aluminiumhaltigen Werkstoff mittels eines wenig benetzenden Beschichtungsverfahrens dergestalt, daß an den Kontaktlöchern Vertiefungen erhalten bleiben, enthält und daran anschließend das Aufbringen mittels Kathodenzerstäubung einer zweiten elektrisch leitenden Schicht aus einer stark aluminiumhaltigen Legierung mit konstanter Vorspannung des Substrats und mit Erhitzung dieses Substrats auf eine ausreichend hohe Temperatur, so daß diese zweite leitende Schicht eben wird.
  • Die Halbleitertechnologie unterliegt einer stetigen Entwicklung hin zur Integration von immer mehr Grundschaltungen in eine einzige monolithische Schaltung.
  • Zu diesem Zwecke und um die Funktionsgeschwindigkeit dieser Schaltungen zu steigern, müssen die Abmessungen der Grundschaltungen möglichst verringert werden. Bis in die neueste Zeit wurden bei den üblichen Kontaktierungsverfahren für Halbleiteranordnungen Kontaktlöcher und Leiterbahnen verwendet, deren Querabmessungen meistens sehr viel größer waren als die Stärke der leitenden Schicht, aus der sie bestanden. Für die Herstellung hochintegrierter Schaltungen muß man dagegen Kontaktlöcher vorsehen, deren Durchmesser in der gleichen Größenordnung liegt wie die Stärke der Isolierschicht durch die sie hindurchführen. In diesem Zusammenhang wird oft vom Verhältnis zwischen Tiefe und Durchmesser dieser Kontaktlöcher gesprochen, dem sog. Aspekt-Ratio. Liegt dieses Verhältnis in der Nähe von 1 oder ist es sogar größer als 1, bedeutet dies, daß die nach früherem Stand der Technik ausgeführten Kontaktierungen, die hauptsächlich auf dem Aufbringen einer einzigen Aluminiumschicht basierten, nicht mehr mit Erfolg eingesetzt werden können.
  • Daher wurde das eingangs erwähnte zitierte Verfahren vorgeschlagen, mit dem sich bei hochintegrierten Schaltungen Kontaktanordnungen, deren Aspekt-Ratio bei 1 oder sogar darüber liegt, herstellen lassen, indem die Vertiefungen in der ersten leitenden Aluminiumschicht an der Stelle der Kontaktlöcher aufgefüllt werden, so daß an den notwendigerweise scharfkantigen Stufen dieser Vertiefungen die elektrische Leitfähigkeit sichergestellt ist.
  • Ein Verfahren dieser Art ist aus dem Dokument EP-A-0 202 572 bekannt.
  • Bei der Kathodenzerstäubung von Aluminium oder Aluminiumlegierungen, die Kupfer und/oder Silizium enthalten, bei gleichzeitiger konstanter Vorspannung des Substrats und Erhitzung desselben auf eine bestimmte ausreichend hohe Temperatur, erhalten die aufzubringenden Metallteilchen eine ausreichende Mobilität (mittlere freie Weglänge) so daß die niedergeschlagene Schicht eben wird, da die Metallteilchen Positionen mit geringstmöglicher Energie einnehmen.
  • Daraus ergibt sich die Auffüllung der Vertiefungen, die nach dem Aufbringen der ersten leitenden Schicht aus Aluminiumlegierung noch bestehen.
  • Eine Technik der Kathodenzerstäubung, die für eine hohe Mobilität der niederzuschlagenden Teilchen sorgt, ist zum Beispiel aus dem Dokument EP-A- 0 257 277 bekannt.
  • Das aus dem Dokument EP-A-0 202 572 bekannte Verfahren wendet ebenfalls eine sehr ähnliche Technik an.
  • Bei den Fachleuten dieses technischen Bereiches ist weiterhin bekannt, daß die mit diesem Verfahren erzielten Schichten aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen einen sehr vielen geringeren Widerstand gegen Elektromigration aufweisen, als gleich aufgebaute Schichten, die mit eher klassischen Verfahren, wie beispielsweise der Argon-Zerstäubung ohne konstante Vorspannung und bei mittleren Substrattemperaturen erreicht werden. Aus diesem Grunde erscheint das im bereits genannten Dokument EP- A-0 257 277 vorgestellte Verfahren, bei dem eine einzige Metallschicht durch Zerstäubung mit hoher Mobilität aufgebracht wird, wegen der Zuverlässigkeitsprobleme bei den 50 hergestellten Anordnungen schwer anwendbar, besonders wenn diese sehr schmale Leiterbahnen enthalten. Bei hochintegrierten Schaltungen stellt sich dieses Problem der Zuverlässigkeit in noch stärkerem Maße.
  • Die vorliegende Erfindung schlägt für das bereits bekannte Verfahren eine Verbesserung vor, die die vorgenannten Schwierigkeiten in großem Umfang vermeidet.
  • Diese Verbesserung beruht auf dem Gedanken, daß als Werkstoff für die Herstellung des Verdrahtungsmusters so weit wie möglich Aluminium oder eine stark aluminiumhaltige Legierung verwendet wird.
  • Hierzu ist erfindungsgemaß ein der Einleitung entsprechendes Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein wesentlicher Teil der zweiten leitenden Schicht außerhalb der Vertiefungen abgetragen wird, bevor durch lokales Abätzen des auf der Oberfläche der Isolierschicht verbliebenen Leiterwerkstoffs das Verdrahtungsmuster gebildet wird.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß damit Anordnungen hergestellt werden können, die einen großen Widerstand gegenüber Elektromigration aufweisen, da die Leiterbahnen im wesentlichen aus dem Werkstoff der ersten leitenden Schicht bestehen, die einen hohen Elektromigrationswiderstand aufweist. Der Werkstoff der zweiten leitenden Schicht dient hauptsächlich dazu, die Ebenheit an der Oberfläche der Verdrahtungsstruktur wiederherzustellen. Ergänzend verbessert sie auch die elektrische Leitfähigkeit an ganz bestimmten Stellen, insbesondere an den Kontaktlöchern. Im Vergleich zur alleinigen Benutzung der ersten leitenden Schicht wird damit der Widerstand gegen Elektromigration an diesen eng lokalisierten Stellen verbessert.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren kann dann besonders einfach angewandt werden, wenn die Kontaktierung mit dem Vorhandensein von Aluminium verträglich ist, besonders für die Herstellung einer Verdrahtungsebene oberhalb der ersten Ebene, und wenn die untere Ebene, zumindest an der Oberfläche, eine Schicht besitzt, in der Aluminium der Hauptbestandteil ist.
  • Das Aufbringen der ersten und der zweiten leitenden Schicht kann nacheinander mit derselben Vorrichtung erfolgen, lediglich die Betriebsparameter sind nach der ersten für die zweite Beschichtung zu andern.
  • In einem anderen Anwendungsfall der Erfindung, bei dem die Verdrahtungsebene die erste Ebene darstellt und die Kontaktierung an Kontaktflächen der Anordnung erfolgt, ist das Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der ersten leitenden Schicht zunächst eine relativ dünne metallische Kontaktschicht mittels eines Beschichtungsverfahrens aufgebracht wird, das eine gute Benetzung gewährleistet.
  • Diese metallische Kontaktschicht ist dabei vorzugsweise eine durch Kathodenzerstäubung aufgebrachte Titan-Wolfram-Schicht (Ti-W).
  • Unter einer "relativ dünnen" Schicht soll hier eine Schicht verstanden werden, deren Stärke nur einen geringen Bruchteil der kleinsten Querabmessung der Kontaktlöcher darstellt, so daß diese metallische Kontaktschicht eine Sperre darstellt, die jede Wechselwirkung zwischen dem Aluminium und der Halbleiterscheibe ausschließt, jedoch die Vertiefungen an den Kontaktlöchern nicht ausfüllt. Derzeit ist die Ti-W-Legierung einer der bevorzugten Werkstoffe für diese Aufgabe. Sie besitzt hervorragende Hafteigenschaften auf den gleichzeitig am Aufbau beteiligten Werkstoffen, insbesondere auf Silizium, auf Dielektrikums-Verbindungen wie SiO&sub2;, Si&sub3;N&sub4;, Silicide von hochwarmfesten Metallen, usw . . . . , sie ist in nicht geringem Maß an der elektrischen Leitfähigkeit des Verdrahtungsmusters beteiligt und sie verringert merklich die durch Thermomigration hervorgerufenen Probleme.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren kann weiterhin in der Form angewandt werden, daß nach Aufbringen der zweiten leitenden Schicht diese Schicht in ihrer gesamten Nennstärke wieder entfernt wird, wobei unter Nennstärke diejenige Schichtstärke verstanden werden soll, die an ebenen Stellen auf der ersten Aluminiumschicht, also außerhalb der Kontaktlöcher, erreicht wird.
  • In diesem besonderen Anwendungsfall ist die Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der zweiten leitenden Schicht auf der ersten leitenden Schicht eine elektrisch leitfähige Zwischenschicht aufgebracht wird, die beim Wegätzen der zweiten leitenden Schicht als Ätzstoppschicht dient, und weiter dadurch gekennzeichnet, daß diese Zwischenschicht auf der Oberfläche der Verdrahtungs-Leiterbahnen erhalten bleibt.
  • In der Praxis wird für diese leitende Zwischenschicht eine Titan-Wolfram- Legierung verwendet.
  • Man erreicht dadurch, daß sich das Ende der Ätzstufe für die zweite leitende Schicht sehr einfach bestimmen läßt und man verhindert die Bildung von Hügeln ("hillocks") in der ersten leitenden Schicht.
  • Die nachfolgende detaillierte Beschreibung, zusammen mit den beigefügten Zeichnungen, die sich auf nicht-einschränkende Beispiele beziehen, wird verständlich machen, wie die Erfindung ausgeführt werden kann.
  • Die Fig. 1 bis 4 zeigen in schematischer Weise Schnitte durch einen Teil einer Halbleiteranordnung in verschiedenen Stufen des erfindungsgemäßen Verfahrens und in einer ersten Ausführungsform der Erfindung.
  • Die Fig. 5 bis 7 zeigen ebenfalls Schnittansichten in verschiedenen Stufen des erfindungsgemäßen Verfahrens in einer anderen Ausführungsform der Erfindung.
  • Um die Deutlichkeit der Darstellung zu verbessern, sind die verschiedenen Bestandteile nicht maßstabsgerecht abgebildet.
  • Fig. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Auf die Oberflächenschicht 10 einer Halbleiteranordnung wurde die Isolierschicht 11 aufgebracht, die beispielsweise aus Silikatglas, gegebenenfalls mit Phosphor oder mit Bor dotiert, bestehen kann.
  • Diese Oberflächenschicht 10 kann auch direkt die Oberfläche der Halbleiteranordnung sein, oder eine beliebige Metallisierungsebene, auf der eine weitere Metallisierungsebene aufgebracht werden soll. In die Isolierschicht 11 wurden die Kontaktlöcher 12 eingearbeitet. Diese Löcher sind relativ schmal, d. h. daß ihre kleinste Querabmessung in der Größenordnung der Stärke der Isolierschicht 11 liegt.
  • Das Ätzen der Kontaktlöcher 12 erfolgt mittels einer üblichen anisotropen Ätztechnik durch Plasma oder reaktive Ionen, so daß die Flanken der Löcher relativ steil abfallen.
  • Die Kontaktlöcher 12 münden an ihrem Boden in die Kontaktflächen 13, die in der Oberflächenschicht 10 der Halbleiteranordnung hierfür vorgesehen wurden.
  • Anschließend wird eine erste leitende Schicht 15 auf Aluminium-Basis, zum Beispiel aus einer in der Halbleitertechnik häufig verwendeten Aluminium-Kupfer- Legierung, mittels eines üblichen Verfahrens, zum Beispiel durch klassische Kathodenzerstäubung, aufgebracht. Es ist bekannt, daß bei diesem Verfahren keine gleichmäßige Benetzung der Flanken und der Boden der Kontaktlöcher 12 erreicht wird. Folglich wählt man für diese erste leitende Schicht 15 eine ausreichend geringe Stärke, so daß die Kontaktlöcher 12 nicht verstopfen und daß an den Flanken der Kontaktlöcher keine, in Bezug zur Senkrechten negativen Neigungswinkel auftreten. Andererseits muß die Schicht so stark sein, daß sie zumindest im Wesentlichen die Leitung des elektrischen Stroms in den Leiterbahnen übernehmen kann, wie weiter unten noch genauer erläutert wird.
  • Die Stärke dieser Schicht liegt im allgemeinen zwischen 0,3 um und 0,6 um.
  • Anschließend wird durch ein stark benetzend wirkendes Verfahren eine zweite elektrisch leitfähige Schicht 16 aufgebracht, die insbesondere die in der ersten leitenden Schicht 15 an den Kontaktlöchern 12 noch vorhandenen Vertiefungen ausfüllt. Aus diesem Grunde wird die zweite leitende Schicht 16 auch in relativ großer Stärke, d. h. in der Größenordnung von beispielsweise 0,8 um, aufgebracht.
  • Erfindungsgemaß erfolgt das Aufbringen der zweiten leitenden Schicht 16 durch Kathodenzerstäubung von reinem Aluminium oder einer Legierung auf Aluminiumgrundlage, unter konstanter Vorspannung des Substrats und bei gleichmäßiger Erhitzung des Substrats auf eine genügend hohe Temperatur, so daß für die niedergeschlagenen Teilchen eine ausreichende Oberflächenmobilität erreicht wird. Die Parameter bei der Zerstäubung sind so eingestellt, daß eine ebene Schichtoberfläche entsteht und sich die Vertiefungen in der ersten leitenden Schicht 15 somit auffüllen. Diese Parameter hängen stark von der verwendeten Vorrichtung ab und sind vorwiegend durch Erfahrungswerte bestimmt. Die Temperatur der Substrate während dieses Vorgangs wird dabei so hoch wie möglich gewählt, um eine möglichst große Oberflächenmobilität der Teilchen zu gewährleisten, sie muß jedoch in jedem Fall unter der Reaktionstemperatur des Aluminiums mit den anderen beteiligten Werkstoffen liegen, was zu einer irreversiblen Schädigung der Anordnung führen würde. In der Praxis ergibt sich meist eine Temperatureinstellung kleiner oder gleich 450ºC.
  • Die detaillierte empirische Festlegung der Parameter für die Zerstäubung bei hoher Mobilität richtet sich dabei nach den einschlägigen Fachdokumenten und besonders nach dem bereits genannten Dokument EP-A-0 257 277, das hier als Referenz eingearbeitet ist.
  • Fig. 2 zeigt das Ergebnis des nachfolgenden Arbeitsgangs, bei dem die zweite leitende Schicht 16 entfernt wird, ausgenommen in den Vertiefungen der Kontaktlöcher 12. Das Entfernen dieser zweiten leitenden Schicht 16 erfolgt vorzugsweise durch anisotropes Ätzen mit reaktiven Ionen oder durch ein Plasma. Die Dauer des Ätzvorgangs ist durch die Erfahrung bestimmt und geht von der Nennstärke der zweiten leitenden Schicht 16, sowie von der Ätzgeschwindigkeit aus. Nach dem Ätzen verbleibt in den Kontaktlöchern 12 ein lokaler Rest 16a der zweiten leitenden Schicht, der diese Vertiefungen ausfüllt.
  • Die Fig. 3 und 4 illustrieren die nun folgenden Arbeitsschritte bei denen das Verdrahtungsmuster durch Aufbringen einer Fotolackschicht 17 und lokalisiertes Abätzen der ersten leitenden Schicht 15 hergestellt wird. Da es sich um das Ätzen einer Schicht aus Aluminium oder aus einer Aluminiumlegierung handelt, kann man hierzu die in der Halbleitertechnik üblichen Verfahren anwenden, die daher nicht näher erläutert werden müssen.
  • In Fig. 4 läßt sich beobachten, daß die Leiterbahnen, wie beispielsweise Kennziffer 18, ausschließlich aus den Resten der ersten leitenden Schicht 15 aufgebaut sind, d. h. aus einem Werkstoff, der ausreichend beständig ist gegen Elektromigration. Die lokalen Reste 16a des weniger gegen Elektromigration beständigen Werkstoffs der zweiten leitenden Schicht tragen nur unwesentlich zum Aufbau des Verdrahtungsmusters bei. Sie dienen nur dazu, die Oberfläche der Metallisierungsschicht einzuebnen und verringern die Stromdichte an den Stellen der Kontaktlöcher. Diese Stromdichte wäre wesentlich höher, wenn die lokalen Reste 16a nicht vorhanden wären.
  • Die Halbleiteranordnung wird anschließend noch mit Verfahren endbearbeitet, die zum üblichen Stand der Technik gehören. Falls gewünscht, lassen sich noch weitere Verdrahtungsebenen vorzugsweise nach dem erfindungsgemäßen Verfahren aufbringen.
  • Das bisher beschriebene Verfahren, mit dem sich eine erste Verdrahtungsebene mit Durchkontaktierungen zu Kontaktbereichen der eigentlichen Anordnung realisieren läßt, kann vorteilhaft wie folgt abgeändert werden.
  • Vor Aufbringen der ersten leitenden Schicht 15 aus Aluminium oder aus einer Aluminiumlegierung wird zunächst eine relativ dünne metallische Kontaktschicht mit einem gut benetzenden Verfahren aufgebracht. Dafür empfiehlt sich besonders die Verwendung einer Schicht aus einer Titan-Wolfram-Legierung, die durch Kathodenzerstäubung aufgebracht wird. Diese metallische Kontaktschicht dient als Sperrschicht, die jede Wechselwirkung zwischen der Halbleiterscheibe und der im nächsten Verfahrensschritt aufgebrachten Aluminiumschicht ausschließt. Sie dient nicht zur Auffüllung der Vertiefungen an den Kontaktlöchern 12, trägt jedoch in gewissem Umfang zur Leitfähigkeit des Verdrahtungssystems bei.
  • Diese Schicht verringert den Kontaktwiderstand mit der Halbleiterscheibe, verhindert Oberflächenverletzungen des Halbleiterwerkstoffs durch das Aluminium und verringert die Gefahr der Knötchenbildung in der ersten leitenden Schicht.
  • Nach dem Aufbringen der metallischen Kontaktschicht schließen sich die nun folgenden und in Verbindung mit den Fig. 1 bis 4 oben beschriebenen Verfahrensschritte praktisch unverändert an. Die zu diesen Figuren gegebene Beschreibung gilt also in gleicher Weise für die vorliegende Ausführungsvariante, unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die erste leitende Schicht 15 eine Doppelschicht aus Ti-W und Al-Cu ist. Die Herstellung des Verdrahtungsmusters durch lokales Ätzen erfolgt in diesem Fall selbstverständlich in zwei aufeinander folgenden Schritten: einem ersten Schritt zum spezifischen, teilweisen Abätzen der ersten leitenden Schicht aus Aluminiumlegierung und einem zweiten Schritt zum teilweisen Abätzen der Titan-Wolfram- Schicht. In der Praxis können diese beiden Ätzstufen durch reaktive Ionen oder durch Plasma nacheinander in derselben Ätzkammer ablaufen, mit einfacher Unterbrechung des Verfahrens zur Neueinstellung der Ätzparameter und insbesondere zur Änderung der Gaszusammensetzung des Plasmas.
  • Anhand der Fig. 5 bis 7 wird im folgenden eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben. Wie in Fig. 5 gezeigt, ist die Oberfläche 10 der Halbleiteranordnung mit einer Isolierschicht 11 bedeckt, in die relativ schmale Kontaktlöcher 12 eingearbeitet sind. Anschließend wird eine ziemlich dünne metallische Kontaktschicht 24 aufgebracht, vorzugsweise aus einer Ti-W-Legierung, jedoch nicht ausschließlich, und darauf eine erste leitende Schicht 25 aus einer Aluminiumlegierung - das Ganze entsprechend der bereits oben ausgeführten Beschreibung. Dann wird eine leitende Zwischenschicht 28, vorzugsweise aus Ti-W und mittels Kathodenzerstäubung, aufgebracht. Diese Schicht dient als Ätzstoppschicht für die später folgende Entfernung der noch aufzubringenden zweiten leitenden Schicht 16. Diese leitende Zwischenschicht 28 ist sehr dünn, vorzugsweise nur zwischen 50 nm und 150 nm stark.
  • Die Gesamtstärke der Schichten 24, 25 und 28 ist ebenfalls klein genug, um die Vertiefungen an den Kontaktlöchern 12 nicht vollständig auszufüllen. Anschließend wird durch ein Zerstäubungsverfahren, das, wie oben bereits beschrieben, hohe Oberflächenmobilität gewährleistet und mit konstanter Vorspannung des Substrats arbeitet, eine zweite leitende Schicht 16 aus Al-Cu-Legierung aufgebracht. Diese zweite leitende Schicht 16 ist ausreichend dick, um die Vertiefungen an den Kontaktlöchern 12 aufzufüllen, und um eine angenähert ebene Oberfläche zu bilden. Anzumerken ist, daß bei diesem Ausführungsbeispiel eine größere Anzahl Beschichtungen notwendig sind, daß jedoch die Gleichförmigkeit der angewendeten Techniken den Einsatz von sehr ähnlichen Vorrichtungen oder sogar nur einer einzigen Vorrichtung hierfür erlaubt.
  • Anschließend wird, wie in Fig. 6 abgebildet, die gesamte zweite leitende Schicht 16 entfernt, mit Ausnahme der in den Kontaktlöchern 12 verbleibenden lokalen Reste 16a. Bei diesem Verfahrensschritt dient die leitende Zwischenschicht 28 als Ätzstoppschicht und macht das Verfahren insofern genauer und einfacher, als das Ende des Ätzvorgangs mit den üblichen Mitteln, zum Beispiel durch Emissionsstärke eines besonderen Spektralbands im Plasma, gesteuert werden kann.
  • Fig. 7 zeigt das Verdrahtungsmuster, wie es sich nach dem lokalen Abätzen der Schichten 28, 25 und 24 darstellt. Die Ätzparameter sind dabei selbstverständlich an den jeweils zu entfernenden Werkstoff angepaßt. Insbesondere werden die Schichten aus Ti-W-Legierung durch ein Schwefel-Hexafluorid-Plasma entfernt, während sich die Schicht 25 aus Aluminiumlegierung durch ein Plasma einer gasförmigen Chlor-Verbindung abätzen läßt.
  • Wie in Fig. 7 verdeutlicht, wird bei dieser Ausführungsvariante des Verfahrens die leitende Zwischenschicht 28 vorzugsweise beibehalten, um daraus die Leiterbahnen zu bilden. Sie trägt also zur elektrischen Leitfähigkeit bei. Wie bei den vorgenannten Beispielen dient der lokale Rest 16a, der von der zweiten leitenden Schicht 16 übrigbleibt, nur zum Auffüllen der Vertiefung am Kontaktloch 12 und sein Beitrag zum Transport des elektrischen Stroms ist gering. Dies erklärt auch, warum das so hergestellte Verdrahtungs- und Kontaktierungssystem bei der Elektromigration gute Eigenschaften besitzt. Ein weiterer Vorteil des Verfahrens beruht auf der leitenden Zwischenschicht 28 aus Ti-W-Legierung, die das Risiko der Bildung von Hügeln (hillocks) in der ersten leitenden Schicht 25 aus Aluminiumlegierung während der nachfolgenden Wärmebehandlungen wesentlich verringert.
  • Selbstverständlich ist das erfindungsgemäße Verfahren nicht auf die oben beschriebenen Beispiele beschränkt. Insbesondere wurde die Ti-W-Legierung als bevorzugter Werkstoff für die Herstellung der metallischen Kontaktschicht 24 und der leitenden Zwischenschicht 28 genannt. Hierfür lassen sich auch andere Werkstoffe verwenden, zum Beispiel Wolfram-Silizium-Legierungen, reines Titan, Titan-Nitrid, Kobalt oder Silicide von hochwarmfesten Metallen. Aus Gründen der Vereinfachung kann die metallische Kontaktschicht und die leitende Zwischenschicht auch aus demselben Werkstoff hergestellt werden. Auf Wunsch kann man auch in jedem dieser Fälle verschiedene Werkstoffe verwenden.
  • Durch geeignete Auswahl des Werkstoffs für die leitende Zwischenschicht und ihrer Stärke läßt sich weiterhin die Lichtreflexion auf der Metallschicht beim photolithographischen Ätzen des Verdrahtungsmusters verringern.
  • Es ist nämlich bekannt, daß solche Lichtreflexionen zu Unschärfen der Maskenkonturen im Bereich von nicht-horizontalen Strukturen der Metallschicht (z. B. an treppenförmigen Übergängen) führen.
  • Was die Stärke der ersten leitenden Schicht 15, 25 aus Aluminiumlegierung angeht, so muß in der Praxis darauf geachtet werden, daß sich an den Flanken der Kontaktlöcher keine allzu negativen Neigungswinkel bilden. Man könnte meinen, daß dies eine große Beschränkung in der Wahlmöglichkeit für die Nennstärke dieser Schicht darstellt und die elektrische Leitfähigkeit der Verdrahtungs-Leiterbahnen unter dieser Einschränkung in unpraktischer Weise leidet. Um in diesem Punkt den besten technischen Kompromiß für das erfindungsgemäße Verfahren, das sich im übrigen durch die genannten wichtigen Vorteile auszeichnet, zu erreichen, wird der Anwender auf bekannte Techniken zurückgreifen, mit denen die Bildung von negativen Neigungen beim Aufbringen der ersten leitenden Schicht verzögert werden kann, beispielsweise durch Erzeugen einer leichten positiven Neigung oder durch Verrunden der Kontaktloch-Flanken, sowie durch Auswahl der am besten geeigneten Parameter für die Beschichtung.

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, die mindestens eine Verdrahtungs- oder Kontaktierungsebene mit Kontaktlöchern (12) kleiner Abmessungen enthält, wobei diese Löcher in die diese Verdrahtungsebene tragende Isolierschicht (11) eingebaut sind und wobei dieses Verfahren unter anderem das Aufbringen einer ersten leitenden Schicht (15) aus Aluminium oder aus einem stark aluminiumhaltigen Material mittels eines wenig benetzenden Beschichtungsverfahrens dergestalt, daß an den Kontaktlöchern Vertiefungen erhalten bleiben, enthält und daran anschließend das Aufbringen mittels Kathodenzerstäubung einer zweiten elektrisch leitenden Schicht (16) aus einer stark aluminiumhaltigen Legierung mit konstanter Vorspannung des Substrats und mit Erhitzung dieses Substrats auf eine ausreichend hohe Temperatur, so daß diese zweite leitende Schicht eben wird, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite leitende Schicht (16), ausgenommen an den Vertiefungen, praktisch in ihrer gesamten Nennstärke entfernt wird, bevor durch lokales Abätzen des Leitermaterials auf der Oberfläche der Isolierschicht die Verdrahtungsleiterbahnen (18) gebildet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Verdrahtungsebene eine erste Ebene darstellt und die Kontaktierung an Kontaktflächen (13) der Anordnung erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß vor Aufbringen der ersten leitenden Schicht (25) zunächst eine relativ dünne metallische Kontaktschicht (24) mit einem stark benetzenden Verfahren aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Kontaktschicht (24) aus einer Titan-Wolfram-Legierung besteht, die durch Kathodenzerstäubung aufgebracht wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß vor Aufbringen der zweiten leitenden Schicht (16) auf der ersten leitenden Schicht (25) eine leitende Zwischenschicht (28) aufgebracht wird, die als Ätzstoppschicht beim anschließenden Abätzen der zweiten leitenden Schicht (16) dient, und daß diese leitende Zwischenschicht (28) auf der Oberfläche der Verdrahtungsleiterbahnen erhalten bleibt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Zwischenschicht (28) aus einer Titan-Wolfram-Legierung besteht.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Nennstärke für die erste leitende Schicht (15), (25) ein Wert zwischen 0,3 um und 0,6 um gewählt wird.
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