DE60230592D1 - Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür - Google Patents

Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür

Info

Publication number
DE60230592D1
DE60230592D1 DE60230592T DE60230592T DE60230592D1 DE 60230592 D1 DE60230592 D1 DE 60230592D1 DE 60230592 T DE60230592 T DE 60230592T DE 60230592 T DE60230592 T DE 60230592T DE 60230592 D1 DE60230592 D1 DE 60230592D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory device
nonvolatile memory
erase
self
error detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60230592T
Other languages
English (en)
Inventor
Rino Micheloni
Aldo Losavio
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE60230592D1 publication Critical patent/DE60230592D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
    • G11C29/816—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout
    • G11C29/82—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout for EEPROMs
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/84—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
    • G11C29/846—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by choosing redundant lines at an output stage
DE60230592T 2002-05-21 2002-05-21 Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür Expired - Lifetime DE60230592D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02425319A EP1365419B1 (de) 2002-05-21 2002-05-21 Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE60230592D1 true DE60230592D1 (de) 2009-02-12

Family

ID=29286263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60230592T Expired - Lifetime DE60230592D1 (de) 2002-05-21 2002-05-21 Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6944072B2 (de)
EP (1) EP1365419B1 (de)
JP (2) JP2003338197A (de)
DE (1) DE60230592D1 (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003063033A2 (en) * 2002-01-25 2003-07-31 Ermite Gmbh Project mapping
JP4133166B2 (ja) * 2002-09-25 2008-08-13 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
JP4130634B2 (ja) * 2004-01-20 2008-08-06 松下電器産業株式会社 半導体装置
US7177189B2 (en) * 2004-03-01 2007-02-13 Intel Corporation Memory defect detection and self-repair technique
WO2005104136A1 (ja) * 2004-04-21 2005-11-03 Spansion Llc 不揮発性半導体装置および不揮発性半導体装置の消去動作不良自動救済方法
EP1624463A1 (de) 2004-07-14 2006-02-08 STMicroelectronics S.r.l. Ein programmierbarer Speicher mit verbesserter Redundanz-Struktur
US7275190B2 (en) 2004-11-08 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Memory block quality identification in a memory device
JP4879572B2 (ja) * 2005-12-09 2012-02-22 凸版印刷株式会社 半導体メモリ
JP4879571B2 (ja) * 2005-12-09 2012-02-22 凸版印刷株式会社 半導体メモリ
US7260004B2 (en) * 2006-01-12 2007-08-21 International Busniess Machines Corporation Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit
US7304893B1 (en) * 2006-06-30 2007-12-04 Sandisk Corporation Method of partial page fail bit detection in flash memory devices
US8054691B2 (en) 2009-06-26 2011-11-08 Sandisk Technologies Inc. Detecting the completion of programming for non-volatile storage
US9043661B2 (en) * 2012-05-30 2015-05-26 Micron Technology, Inc. Memories and methods for performing column repair
US9007817B2 (en) 2013-05-06 2015-04-14 Qualcomm Incorporated Pre-charging bitlines in a static random access memory (SRAM) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods
US9442675B2 (en) 2013-05-08 2016-09-13 Qualcomm Incorporated Redirecting data from a defective data entry in memory to a redundant data entry prior to data access, and related systems and methods
CN104681097B (zh) * 2013-11-27 2017-11-21 北京兆易创新科技股份有限公司 一种非易失性存储器的修复方法
US10141065B1 (en) 2017-08-29 2018-11-27 Cypress Semiconductor Corporation Row redundancy with distributed sectors
CN117727356B (zh) * 2024-02-18 2024-05-07 悦芯科技股份有限公司 一种基于测试设备的存储芯片的修复方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4471472A (en) * 1982-02-05 1984-09-11 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor memory utilizing an improved redundant circuitry configuration
US5268870A (en) * 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor
DE69024086T2 (de) * 1989-04-13 1996-06-20 Sundisk Corp EEprom-System mit Blocklöschung
US5361227A (en) * 1991-12-19 1994-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same
JPH07235197A (ja) * 1994-02-18 1995-09-05 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPH0729392A (ja) * 1993-06-24 1995-01-31 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリおよびそれを使用した半導体ディスク装置
JP3566349B2 (ja) * 1993-09-30 2004-09-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置およびそのテスト方法
FR2716566B1 (fr) * 1994-02-23 1996-04-19 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de sélection d'éléments de mémoire redondants et mémoire "Flash Eeprom" comportant ledit circuit.
JP3076195B2 (ja) * 1994-04-27 2000-08-14 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5438546A (en) 1994-06-02 1995-08-01 Intel Corporation Programmable redundancy scheme suitable for single-bit state and multibit state nonvolatile memories
JPH07334999A (ja) * 1994-06-07 1995-12-22 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置及びデータプロセッサ
DE69426818T2 (de) 1994-06-10 2001-10-18 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Fehlertolerantes Speichergerät, insbesondere des Typs "flash EEPROM"
JPH087597A (ja) * 1994-06-24 1996-01-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US5513144A (en) * 1995-02-13 1996-04-30 Micron Technology, Inc. On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same
US5559742A (en) * 1995-02-23 1996-09-24 Micron Technology, Inc. Flash memory having transistor redundancy
DE69621770T2 (de) * 1996-03-22 2003-03-06 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz
JP3361018B2 (ja) * 1996-11-11 2003-01-07 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5928370A (en) * 1997-02-05 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure
JP2000057795A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
JP3625383B2 (ja) * 1998-08-25 2005-03-02 シャープ株式会社 不揮発性半導体メモリ装置
TW439293B (en) * 1999-03-18 2001-06-07 Toshiba Corp Nonvolatile semiconductor memory
JP2001052495A (ja) 1999-06-03 2001-02-23 Toshiba Corp 半導体メモリ
EP1083575B1 (de) * 1999-09-10 2007-11-14 STMicroelectronics S.r.l. Nicht-flüchtige Speicher mit Erkennung von Kurzschlüssen zwischen Wortleitungen
DE60020210D1 (de) * 2000-02-14 2005-06-23 St Microelectronics Srl Nichtflüchtige Speicheranordnung mit konfigurierbarer Zeilenredundanz
JP2002074978A (ja) * 2000-08-29 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置
US6459628B1 (en) * 2001-04-02 2002-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. System and method to facilitate stabilization of reference voltage signals in memory devices
JP2003036692A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置
US6498752B1 (en) * 2001-08-27 2002-12-24 Aplus Flash Technology, Inc. Three step write process used for a nonvolatile NOR type EEPROM memory
JP3708906B2 (ja) * 2002-06-24 2005-10-19 株式会社東芝 メモリシステム

Also Published As

Publication number Publication date
US20040008549A1 (en) 2004-01-15
EP1365419A1 (de) 2003-11-26
EP1365419B1 (de) 2008-12-31
US6944072B2 (en) 2005-09-13
JP2003338197A (ja) 2003-11-28
JP5013230B2 (ja) 2012-08-29
JP2010165456A (ja) 2010-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60230592D1 (de) Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür
DE60319654D1 (de) Nichtflüchtiger variabler Widerstand, Speicherelement, und Skalierungsverfahren für einen nichtflüchtigen variablen Widerstand
DE602004008833D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und deren Steuerungsverfahren
TW200707189A (en) Memory block erasing in a flash memory device
DE60319718D1 (de) Steuerverfahren für eine nichtflüchtige speichereinrichtung
DE602005012028D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Leseverfahren
DE602006001026D1 (de) Integriertes Schaltgerät, Flash-Speicherarray, nichtflüchtige Speichervorrichtung und Betriebsverfahren
DE60326116D1 (de) Nichtflüchtige Speicherzelle und nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE60300777D1 (de) Nichtflüchtiger redundanzadressen-speicher
DE602004025783D1 (de) Flash-Speicher und sein Programmierungsverfahren
EP1895418A4 (de) Nichtflüchtige speichervorrichtung sowie verfahren zum schreiben und lesen von daten
DE60300477D1 (de) Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit vertikalen Nanoröhren
DE602005007960D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher, Methode zum gleichzeitigen Löschen mehrerer Speicherblöcke und zugehörige Decoderschaltung
DE602006001812D1 (de) Speichersteuervorrichtung, Datenverwaltungssystem und Datenverwaltungsverfahren
DE602006008397D1 (de) Speichersteuervorrichtung, Datenverwaltungssystem und Datenverwaltungsverfahren
DE60041376D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiter-Speichereinrichtung und Methode zur Datenlöschkontrolle
DE60217463D1 (de) Nichtflüchtige ferroelektrische Zweitransistor-Speicherzelle
DE602005009589D1 (de) Automatisches Datenwiederaufzeichnungsverfahren für Datenspeichersystem und Plattenspieler mit Verwendung desselben
DE60324117D1 (de) Multibit Speicheranordnung und Verfahren zur Programmierung und zum Auslesen derselben
DE602004004494D1 (de) Datenverwaltungs-Vorrichtung und -Methode für einen Flash-Speicher
FR2849260B1 (fr) Cellule de memoire sram non volatile.
DE60002798D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Überlöschungskorrekturverfahren
DE602005019069D1 (de) Zugriffsverfahren beim Lesen, Schreiben und Löschen eines nicht flüchtigen NAND Speichers
DE60202312D1 (de) Speicherzelle, nichtflüchtige Speicheranordnung und Steuerungsverfahren dafür, Zulässigkeitsverbesserung bei niedriger Speisespannung
DE60222891D1 (de) Nichtflüchtige Speicheranordnung und Selbstreparatur-Verfahren

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition