DE508060T1 - Verfahren zum herstellen oxydisch supraleitender schichten und oxydisch supraleitende strukturen mit derartigen schichten. - Google Patents

Verfahren zum herstellen oxydisch supraleitender schichten und oxydisch supraleitende strukturen mit derartigen schichten.

Info

Publication number
DE508060T1
DE508060T1 DE199292102272T DE92102272T DE508060T1 DE 508060 T1 DE508060 T1 DE 508060T1 DE 199292102272 T DE199292102272 T DE 199292102272T DE 92102272 T DE92102272 T DE 92102272T DE 508060 T1 DE508060 T1 DE 508060T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
superconducting
faces
oxide film
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE199292102272T
Other languages
English (en)
Inventor
C/O Superconduct. Res. Lab Kazutoshi Higashiyama
C/O Superconductivity Res. Lab Izumi Hirabayashi
C/O Superconductivity Res. Lab Shoji 2-Chome Atsuta-Ku Nagoya-Shi Aichi Tanaka
C/O Superconductivity Res. Lab. Takahisa Ushida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Superconductivity Technology Center
Hitachi Ltd
Niterra Co Ltd
Original Assignee
International Superconductivity Technology Center
Hitachi Ltd
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Superconductivity Technology Center, Hitachi Ltd, NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical International Superconductivity Technology Center
Publication of DE508060T1 publication Critical patent/DE508060T1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0436—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by chemical vapour deposition [CVD]
    • H10N60/0464—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by chemical vapour deposition [CVD] by metalloorganic chemical vapour deposition [MOCVD]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/73—Vacuum treating or coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/734—From organometallic precursors, e.g. acetylacetonates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Claims (10)

EP 92 102 272.9 Patentansprüche
1. Verfahren zur Bildung eines supraleitenden Oxid films, umfassend die
Schritte des (1) (a) Mischens der Dämpfe von organischen Metallausgangsmaterialien (Quellengas) in solchen Verhältnissen, daß eine vorbestimmte Metallzusammensetzung erhalten wird, oder (b) Mischens der organischen Metallmaterialien in solchen Verhältnissen, dafl eine vorbestimmte Metallzusammensetzung erhalten wird, und anschließenden Verdampfens des Ausgangsmaterials, und (2) In-Kontakt-Bringens eines Quellengases mit einem erhitzten Substrat, so daß durch ein chemisches Dampfabscheidungsverfahren auf dem Substrat ein supraleitender Oxidfilm gebildet wird, bei dem während der Bildung des supraleitenden Oxidfilms auf dem Substrat Laserlicht auf das Substrat angewendet wird, wobei die kristallografische Orientierung des in dem bestrahlten Bereich des Substrats gebildeten supraleitenden Oxidfilms in einer konstanten Richtung gehalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der supraleitende Oxidfilm aus einem Y(Ln)-Ba-Cu-O-System-Oxid hergestellt ist, wobei Y(Ln) mindestens ein Element, ausgewählt aus Y und Ln (Lanthanoide), ist und die Richtung seiner kristallografischen Orientierung so ist, daß die c-Achse parallel zu dem Substrat ist
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der supraleitende Oxidfilm aus einem Bi-Sr-Ca-Cu-O-Oxid, einem Tl-Ba-Ca-Cu-O-Oxid oder einem Tl-Sr-Ca-Cu-O-Oxid hergestellt ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, bei dem das Laserlicht bei einer Wellenlänge oder mehreren in dem Bereich von 150-400 nm emittiert.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Laserlicht auf das Substrat angewendet wird, um fein verteilte Punkte, parallele Linien oder ein Netzmuster zu bilden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, bei dem mindestens die Oberfläche des Substrats von einem keramischen Material, ausgewählt aus MgO, SrTiO3, LaAlO3, -AJ2O3, LaGaO3, Si, SiO2, NdGaO3 und Yttriumoxid-stabilisiertem Zirconiumdioxid, gebildet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der supraleitende Oxidfilm auf den Flächen eines MgO-Kristalls, den Flächen eines SrTiO3-Kristalls mit Ausnahme einer (100)-Fläche, den Flächen eines LaAIO3-Kristalls mit Ausname einer (lOO)-Fläche oder den Flächen eines Yttriumoxid-stabilisierten Zirconiumdioxid(YSZ)-Kristalls ausgebildet ist, wobei die Flächen mindestens auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet sind.
8. Supraleitendes Oxidteil, das ein Substrat und einen auf dem Substrat gebildeten, supraleitenden Oxidfilm umfaßt, wobei der supraleitende Oxid film aus einem Y(Ln)-Ba-Cu-O-Oxid besteht, wobei Y(Ln) mindestens ein Element, ausgewählt aus Y und Ln (Lanthanoide), ist, die Richtung seiner kristallografischen Orientierung so ist, daß die c-Achse parallel zu dem Substrat ist und seine Oberfläche in einem solchen Ausmaß glatt ist, daß in einer bei einer Vergrößerung von 14.000 aufgenommenen elektronenmikroskopischen Aufnahme keine Unebenheiten zu erkennen sind.
9. Supraleitendes Oxidteil nach Anspruch 8, bei dem mindestens die Oberfläche des Substrats von einem keramischen Material, ausgewählt aus MgO, SrTiO3, LaAlO3, LaGaO3, Al2O3, Si, SiO2, NdGaO3 und Yttriumoxid-stabilisiertem Zirconiumdioxid, gebildet ist
10. Supraleitendes Oxidteil nach Anspruch 8, bei dem der supraleitende Oxid film auf den Flächen eines MgO-Kristalls, den Flächen eines SrTiO3-Kristalls mit Ausnahme einer (lOO)-Fläche, den Flächen eines LaAlO3-KristalIs mit Ausname einer (10O)-FIache oder den Flächen eines Yttriumoxid-stabilisierten Zirconiumdioxid(YSZ)-Kristalls ausgebildet ist, wobei die Flächen mindestens auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet sind.
U. Supraleitendes Oxidteil nach Anspruch 8, bei dem der Bereich, der aus dem supraleitenden Film besteht, dessen Richtung der kristaliografischen Orientierung so ist, dafl die c-Achse parallel zu dem Substrat ist, in solcher Weise ausgebildet ist, dafl fein
verteilte Punkte, parallele Linien oder ein Netzmuster in der Matrix erzeugt werden
oder der Teil des supraleitenden Oxidfilms, der nicht entlang der a-Achse orientiert ist
DE199292102272T 1991-02-12 1992-02-11 Verfahren zum herstellen oxydisch supraleitender schichten und oxydisch supraleitende strukturen mit derartigen schichten. Pending DE508060T1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4132691 1991-02-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE508060T1 true DE508060T1 (de) 1993-02-25

Family

ID=12605400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE199292102272T Pending DE508060T1 (de) 1991-02-12 1992-02-11 Verfahren zum herstellen oxydisch supraleitender schichten und oxydisch supraleitende strukturen mit derartigen schichten.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5276012A (de)
EP (1) EP0508060A3 (de)
DE (1) DE508060T1 (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3700177B2 (ja) * 1993-12-24 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 大気圧プラズマ表面処理装置
USH2066H1 (en) * 1995-05-26 2003-06-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Superconductor and noble metal composite films
JP2785803B2 (ja) 1996-05-01 1998-08-13 日本電気株式会社 フォトマスクの白点欠陥修正方法および装置
WO2002032588A1 (en) * 2000-10-17 2002-04-25 Neophotonics Corporation Coating formation by reactive deposition
US6952504B2 (en) * 2001-12-21 2005-10-04 Neophotonics Corporation Three dimensional engineering of planar optical structures
US20090075083A1 (en) * 1997-07-21 2009-03-19 Nanogram Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US7384680B2 (en) * 1997-07-21 2008-06-10 Nanogram Corporation Nanoparticle-based power coatings and corresponding structures
US7575784B1 (en) 2000-10-17 2009-08-18 Nanogram Corporation Coating formation by reactive deposition
US20060147369A1 (en) * 1997-07-21 2006-07-06 Neophotonics Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US6583057B1 (en) * 1998-12-14 2003-06-24 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor device having a layer deposited by varying flow of reactants
US20010022990A1 (en) * 2000-02-28 2001-09-20 Yoshimi Sato Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions
US20070062414A1 (en) * 2000-02-28 2007-03-22 Yoshimi Sato Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions
DK1335829T3 (da) * 2000-10-26 2011-12-05 Neophotonics Corp Optiske strukturer med flere lag
US6917511B1 (en) 2001-08-14 2005-07-12 Neophotonics Corporation Reactive deposition for the formation of chip capacitors
JP3511098B2 (ja) * 2001-09-14 2004-03-29 独立行政法人産業技術総合研究所 超高速光電気信号変換素子
US6809042B2 (en) * 2001-11-22 2004-10-26 Dowa Mining Co., Ltd. Oxide superconductor thick film and method for manufacturing the same
US20040016401A1 (en) * 2002-07-26 2004-01-29 Metal Oxide Technologies, Inc. Method and apparatus for forming superconductor material on a tape substrate
US20040020430A1 (en) * 2002-07-26 2004-02-05 Metal Oxide Technologies, Inc. Method and apparatus for forming a thin film on a tape substrate
US20040023810A1 (en) * 2002-07-26 2004-02-05 Alex Ignatiev Superconductor material on a tape substrate
US7521097B2 (en) * 2003-06-06 2009-04-21 Nanogram Corporation Reactive deposition for electrochemical cell production
US8865271B2 (en) * 2003-06-06 2014-10-21 Neophotonics Corporation High rate deposition for the formation of high quality optical coatings
US7491431B2 (en) * 2004-12-20 2009-02-17 Nanogram Corporation Dense coating formation by reactive deposition
US10179948B2 (en) * 2014-04-24 2019-01-15 United Technologies Corporation Method and system for controlling coating in non-line-of-sight locations

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH031584A (ja) * 1989-02-04 1991-01-08 Riken Corp ジョセフソン接合素子の製造方法
DE3919724A1 (de) * 1989-06-16 1990-12-20 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von erdalkalimetallhaltigen und/oder erdalkalimetalloxidhaltigen materialien
DE3925085C1 (de) * 1989-07-28 1991-01-10 Battelle-Institut Ev, 6000 Frankfurt, De

Also Published As

Publication number Publication date
EP0508060A3 (en) 1993-01-13
EP0508060A2 (de) 1992-10-14
US5276012A (en) 1994-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE508060T1 (de) Verfahren zum herstellen oxydisch supraleitender schichten und oxydisch supraleitende strukturen mit derartigen schichten.
DE60128253T2 (de) Precursor-lösungen und verfahren zur ihrer verwendung
DE69024916T2 (de) Verfahren und System zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus Oxyd
DE3856170T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines länglichen Festkörpers aus supraleitender Keramik
DE69125425T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer supraleitenden Einrichtung aus supraleitendem Material und dadurch hergestellte supraleitende Einrichtung
DE3855305T3 (de) Schichten von Supraleiteroxyden mit hohem Tc und Verfahren zu deren Herstellung
DE69016283T2 (de) Substrat mit einer supraleitenden Schicht.
DE69115957T2 (de) Verfahren zum Herstellen hochtemperatursupraleitender Dünnschichten
DE69209337T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Materials
DE69219941T2 (de) Verfahren zur Herstellung von mehrlagigen Dünnschichten
DE3810243C2 (de) Supraleitende Dünnfilme und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69118676T2 (de) Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht aus hochtemperatur-supraleiteroxyd
DE69017112T2 (de) Supraleitende Dünnschicht aus Oxid und Verfahren zu deren Herstellung.
DE69219191T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht aus supraleitender oxydischer Verbindung
DE69116399T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus supraleitendem Oxyd
DE69218835T2 (de) Laserablationprozess zum Herstellen supraleitender Dünnschichten aus oxydisch supraleitendem Verbindungsmaterial und Gerät zur Durchführung des Prozesses
DE69118969T2 (de) Prozess und Apparat zur Herstellung supraleitender Dünnschichten
DE112009002003T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines supraleitenden Oxid-Dünnfilms
DE69125129T2 (de) Supraleitende Quanten-Interferenz-Einrichtung aus supraleitender oxydischer Dünnschicht
DE69125584T2 (de) Eine dünne Supraleiterschicht und ein Verfahren zu deren Herstellung
DE69309830T2 (de) Supraleitende dünne Schicht und ihr Herstellungsverfahren
DE3815460C2 (de)
DE69115775T2 (de) Prozess zur Abscheidung einer anderen Dünnschicht auf einen oxydischen Supraleiter
DE69004148T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer oxydsupraleitenden Schicht.
DE69127719T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Überganges aus oxydischem Supraleiter