DE4410505C2 - Verfahren zum Herstellen eines Reliefbildes im Submikrometerbereich - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines Reliefbildes im SubmikrometerbereichInfo
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Description
Die Erfindung betrifft
ein Verfahren zum Herstellen eines Reliefbildes im
Submikrometerbereich unter Verwendung eines Silylierungspro
zesses, der die Auflösung und das Seitenwandprofil eines strahlungs
empfindlichen Materials verbessern kann.
Fortschritte in der Integrationstechnologie von Halbleiter-
Bauelementen erfordern immer höhere Genauigkeit bei jedem
Herstellschritt für Halbleiter-Bauelemente.
Insbesondere bei DRAM-Speicherelementen für die Generationen
über 64 MByte ist vorhersehbar, daß der Mikrolithographie eine
wichtige Aufgabe zukommt und daß zu lösende Detailaufgaben
bei der Herstellung gestufter Schichten aus strahlungs
empfindlichen Material die Ausbildung
gleichmäßig fester Schichten und gleichmäßige Belichtung
sind.
Bisher wurde eine Technologie für die chemische Behandlung
von strahlungsempfindlichen Material
zum Verbessern der Auflösung entwickelt, wofür der Silylie
rungsprozeß ein repräsentatives Beispiel ist.
Der Silylierungsprozeß ist ein Prozeß, der das Trockenätzen
von strahlungsempfindlichen Material mit Widerstandsfähigkeit
gegen reaktives Ionenätzen (RIE) mit O₂ gestattet.
Es wurde also als Anfangsstadium ein Prozeß entwickelt, der
Widerstandsfähigkeit gegen O₂-RIE unter Verwendung eines
Silizium enthaltenden Polymers verwendet. Eine epochemachende
Verbesserung hinsichtlich der Widerstandsfähigkeit gegen
O₂-RIE konnte gemäß der Veröffentlichung "DESIRE (Diffusion
Enhanced silylated Resist) PROCESS" in "Advances in Resist
Technology and Processing", SPIE Proceedings Vol. 631, 1986,
von G. Coopmans und B. Roland erzielt werden; demgemäß ist
es möglich, scharfe Muster von 0,5 µm sogar in gestuften
Schichten aus strahlungsempfindlichem Material zu erzielen.
Dieser Prozeß ist ein solcher zum Verbessern der Wider
standsfähigkeit bei Trockenbelichtung mit O₂, wobei nach der
Belichtung nur der belichtete Teil einer Oberflächenbehandlung
mit Silizium unterzogen wird.
Danach wurde die Auflösung eher durch Auswahl der spektralen
Linie der Lichtquelle verbessert, insbesondere durch einen
Wechsel von der g- auf die j-Linie.
Ein Verfahren zum Ausbilden eines Reliefbildes unter Ver
wendung eines Silylierungsprozesses ist im einzelnen in den
US-Patenten 4,882,008; 5,094,936; 4,810,601 und 4,803,181
beschrieben. Die Auflösung wurde aufgrund dieses Silylie
rungsprozesses zwar verbessert, jedoch entstanden demgegen
über viele Probleme. Insbesondere konnte kein genaues, kri
tisches Abmessungsverhältnis für das Reliefbild erzielt
werden.
Die Fig. 10a bis 10d veranschaulichen einen herkömmlichen
Prozeß zum Herstellen eines gestuften Reliefbildes im Sub
mikrometerbereich unter Verwendung eines Films aus einer
Silylierungsschicht.
Gemäß Fig. 10 wird ein Film aus einem anorganischen,
positiv strahlungsempfindlichen Material, im folgenden
Positivresistfilm 12 genannt,
auf der Oberfläche eines Siliziumsubstrats oder einer darunter
liegenden Halbleiterschicht 11 abgeschieden (Fig. 10a).
Dann wird der anorganische Positivresistfilm 12 durch Be
lichten unter Verwendung einer Belichtungsmaske 13 in be
lichtete Teile 12-1 und unbelichtete Teile 12-2 unterteilt,
mit einem latenten Bildmuster 14 in den belichteten Teilen
12-1 des Resistfilms (Fig. 10b).
Beim Ausführen eines Silylierungsprozesses mit dem Silylie
rungsmittel HMDS (Hexamethylsilazan) wird die Oberfläche des
belichteten Resistfilms 12-1 silyliert (Fig. 10c).
Das heißt, daß dann, wenn Erhitzen in HMDS-Atmosphäre erfolgt,
das HMDS in die Oberfläche des belichteten Resistfilms 12-1
eindiffundiert und das OH-Radikal im strahlungsempfindlichen Harz ersetzt, um
eine silylierte Schicht 15 an der Oberfläche des belichteten
Resistfilms 12-1 zu bilden. Nachfolgend ist die Reaktions
formel beim Silylierungsprozeß dargestellt:
Die silylierte Schicht 15, also eine Silizium enthaltende
Schicht, die auf dem belichteten Silizium-Resistfilm 12-1
hergestellt wurde, dient als Maske beim Trockenätzen mit O₂.
Der nicht belichtete Photoresistfilm 12-2 wird selektiv
durch Trockenätzen durch ein O₂-Plasmaätzverfahren entfernt
(Fig. 10d).
Dabei dient die silylierte Schicht 15 als Ätzmaske, da die
Widerstandsfähigkeit gegen Sauerstoff durch Umwandlung in
einen Oxidfilm beim O₂-RIE verbessert wurde.
Schließlich wird ein Reliefbild 12 im Submikrometerbereich
dadurch erhalten, daß die verbliebene silylierte Schicht 15
entfernt wird.
Wie in Fig. 10 dargestellt, ist dann, wenn ein Reliefbild
unter Verwendung eines Silylierungsprozesses hergestellt
wird, das Vertikalprofil des Reliefbildes schlecht, da es
keinen steilen Verlauf aufweist.
Auch dann, wenn die Dicke der silylierten Schicht 15, die
beim Trockenätzen als Ätzmaskenschicht dient, dünn ist, wird
ein Reliefbild mit kleinerer kritischer Abmessung als er
wünscht erhalten.
Daher ist es nicht möglich, eine genaue Musterbildung auf
einem Metallfilm oder einer Halbleiterschicht auszuführen,
wenn dies durch einen Ätzprozeß unter Verwendung eines solchen
Reliefbildes als Maske erfolgt.
Fig. 2 zeigt einen herkömmlichen Prozeß zum Herstellen eines
gestuften Reliefbildes im Submikrometerbereich unter
Verwendung einer dicken silylierten Schicht. In Fig. 2 sind
gleiche Materialien wie in Fig. 10 mit denselben Zahlen be
zeichnet.
Der in Fig. 2 dargestellte Prozeß zum Herstellen eines
Reliefbildes im Submikrometerbereich ist derselbe wie der in
Fig. 10 dargestellte, mit der Ausnahme, daß eine dicke sily
lierte Schicht 15′ ausgebildet ist. Entsprechend ist das
Vertikalprofil des Reliefbildes, wie es beim Prozeß gemäß
Fig. 2 erhalten wird, ebenfalls schlecht. Ferner ist wegen
der Verwendung der dicken silylierten Schicht 15′, die beim
Ätzen als Ätzmaskenschicht dient, die kritische Abmessung
des ausgebildeten Reliefbildes im Submikrometerbereich grö
ßer als erwünscht, so daß mit dem Reliefbild als Maske
keine genaue Musterung einer darunterliegenden Schicht in
einem anschließenden Prozeß erzielt werden kann.
Fig. 3 ist eine SEM(Scanning Electron Microscope)-Photogra
phie des in Fig. 2e dargestellten Reliefbildes 12 im Sub
mikrometerbereich.
In jüngster Zeit wurde ein Verfahren zum Verbessern der Auf
lösung durch Behandeln der Oberfläche eines gestuften Films aus
strahlungsempfindlichen Material, im folgenden Resistfilm genannt,
mit einem alkalischen Material vorgeschlagen, wie
das HARD-Verfahren, veröffentlicht in "Digest of Papers
Micro Process Conf. 164" von M. Endow et al. in Japan, 1988,
und das PRISM-Verfahren, veröffentlicht in J. Voc. Sci.
Technol. B6(6), 1988, S. 2249, von Yoshimura et al. Ein Ver
fahren zum Herstellen eines Reliefbildes im Submikrometer
bereich unter Verwendung einer alkalischen Oberflächen
behandlung ist ein Verfahren, das folgende Schritte aufweist:
Abscheiden eines Resistfilms, Ausbilden einer unlöslichen
Schicht auf der Oberfläche des Resistfilms durch Behandeln
der Oberfläche mit einem alkalischen Mittel und Ausbilden
eines Reliefbildes im Submikrometerbereich durch Ausführen
einer Belichtung und eines allmählichen Entwicklungsprozes
ses, der den Bereich der Brenntiefe erweitert, was die Auf
lösung verbessert.
Die Fig. 4a bis 4e zeigen einen herkömmlichen Prozeß zum
Ausbilden eines Reliefbildes im Submikrometerbereich unter
Verwendung einer alkalischen Oberflächenbehandlung.
Zunächst wird ein strahlungsempfindliches Material (25cp) auf eine untere
Halbleiterschicht oder ein Siliziumsubstrat 31 mit einer Dicke
von ungefähr 1,0 µm aufgetragen, um einen Resistfilm 32 aus
zubilden, der bei einer Temperatur von 110°C für 90 Sekunden
vorsichtig erhitzt wird. Dann wird die Oberfläche des aufge
tragenen Resistfilms 32 für eine vorgegebene Zeitspanne al
kalisch in einer Ausgangslösung behandelt, um
eine erste unlösliche Schicht 33 auszubilden (Fig. 4a).
Der Resistfilm 32 mit der unlöslichen Schicht 33 wird unter
Verwendung eines Steppers belichtet
(Fig. 4b). In den entwickelten Teilen 32-2 des Resistfilms
bildet sich ein Muster eines latenten Bildes 35 aus.
Nach der Belichtung wird der Resistfilm 32 bei 110°C für
90 Sekunden getempert und dann entwickelt,
um eine zweite unlösliche Schicht 36 auszubilden. Der
Resistfilm 32 wird bis zur Tiefe der ersten unlöslichen
Schicht 33 entwickelt (Fig. 4c).
Durch Ausführen einer kontinuierlichen, allmählichen Ent
wicklung, bis die Tiefe größer ist als die Tiefe der ersten
unlöslichen Schicht 33, wird eine dritte unlösliche Schicht
37 gebildet (Fig. 4d), und schließlich wird ein Reliefbild
32′ im Submikrometerbereich durch Entwickeln, bis das Sub
strat freiliegt, ausgebildet.
Wenn kontinuierlich eine allmähliche Entwicklung erfolgt,
bis die Tiefe größer ist als die Tiefe der ersten unlöslichen
Schicht 33, ergibt sich ein Überhang im oberen Teil des
Resistmusters 32.
Die Fig. 5a bis d sind SEM-Photographien von Reliefbildprofilen,
wie sie im zeitlichen Verlauf der alkalischen Oberflächen
behandlung beim Ausbilden eines Reliefbildes im Submikro
meterbereich unter Verwendung der durch Fig. 4 veranschau
lichten alkalischen Behandlung erhalten wurden. Aus ihnen
ist erkennbar, daß der Überhang um so größer wird, je länger
die Oberflächenbehandlung dauert.
Wenn ein Reliefbild im Submikrometerbereich unter Verwen
dung einer alkalischen Oberflächenbehandlung ausgeführt
wird, kann zwar ein Reliefbild mit gewünschter kritischer
Abmessung erhalten werden, jedoch besteht eine Grenze hin
sichtlich der Verbesserung bei der Auflösung, und zwar wegen
der Entstehung des Überhangs, der zu einer kleineren Brenn
tiefe und einem fehlerhaften Reliefbildprofil führt.
Fig. 6a ist eine Querschnittsdarstellung eines herkömmlichen
Reliefbilds zum Ausbilden eines Kontaktlochs, und Fig. 6b
ist eine SEM-Photographie zu Fig. 6a.
Ein anderes Problem, wie es beim Herstellen eines Musters
eines gestuften Resistfilms auftaucht, ist die Entstehung
von Mikrogräben im unteren Teil eines Reliefbildes 43 beim
Herstellen eines Kontaktlochs, und zwar abhängig von der Art
des strahlungsempfindlichen Materials, der Belichtung, der Temperung und Entwicklung.
Ferner ist es aus der DE 42 16 888 A1 bekannt, bei einem Verfahren zur Bil
dung eines Reliefbildes aus einem strahlungsempfindlichen Gemisch die auf ein
Substrat aufgebrachte Schicht in Form eines gewünschten Musters zu belichten.
In den belichteten Bereichen der Schicht wird eine silylierte Schicht gebildet,
woraufhin ein Teil, aber nicht die gesamte Schicht geätzt wird. Dann wird ein
Abschnitt der belichteten Bereiche, der durch Ätzen freigelegt wurde, silyliert.
Danach wird der Rest der unbelichteten Gebiete entfernt, um das gewünschte
Reliefbild zu erhalten.
Bei einem anderen bekannten Verfahren (US 4 988 609) zur Herstellung von
Reliefbildern für die Halbleiterherstellung wird ein Oberflächenbereich einer
Schicht aus einem strahlungsempfindlichen Gemisch nach dem Belichten einem
Wärmebehandlungsprozeß in einem Ammoniumgas ausgesetzt und anschließend
mit einem Entwickler behandelt. Anschließend wird das gewünschte Muster be
lichtet und entwickelt, um die belichteten Teile zu entfernen und ein Reliefbild
zu bilden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines
Reliefbildes im Submikrometerbereich zu schaffen, bei dem nur geringe Schwan
kungen von kritischen Abmessungen entstehen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das Verfahren nach Anspruch 1
gelöst.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren, das einen Silylierungsprozeß und eine
alkalische Oberflächenbehandlung in Kombination verwendet, lassen sich die
vorstehend beschriebenen Überhänge im Reliefbild vermeiden, so daß die ge
wünschten Abstände im Reliefbild über die gesamte Relieftiefe eingehalten wer
den können.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren
veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher beschrieben.
Fig. 1 ist eine SEM-Photographie von Fig. 9e.
Fig. 2a bis 2e veranschaulichen einen herkömmlichen Prozeß
zum Ausbilden eines Reliefbildes im Submikrometerbereich
unter Verwendung einer dicken silylierten Schicht.
Fig. 3 ist eine SEM-Photographie des in Fig. 2e dargestell
ten Reliefbildes.
Fig. 4a bis 4e veranschaulichen einen herkömmlichen Prozeß
zum Herstellen eines Reliefbildes im Submikrometerbereich
unter Verwendung einer alkalischen Oberflächenbehandlung.
Fig. 5a bis 5d sind SEM-Photographien des Profils eines Re
liefbildes, und zwar in zeitlichen Abständen während der
durch Fig. 4 veranschaulichten alkalischen Oberflächenbe
handlung aufgenommen.
Fig. 6a ist ein Querschnitt durch ein herkömmliches Relief
bildes beim Herstellen eines Kontaktlochs.
Fig. 6b ist eine SEM-Photographie zu Fig. 6a.
Fig. 7a bis 7f veranschaulichen einen Prozeß zum Herstellen
eines Reliefbildes im Submikrometerbereich gemäß einem er
sten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 8 ist eine SEM-Photographie zu Fig. 7e.
Fig. 9a bis 9f veranschaulichen einen Prozeß zum Herstellen
eines Reliefbildes im Submikrometerbereich gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 10a bis 10e veranschaulichen einen herkömmlichen Prozeß
zum Herstellen eines Reliefbildes im Submikrometerbereich
unter Verwendung einer dünnen silylierten Schicht.
Wie in Fig. 7 dargestellt, wird eine erste unlösliche
Schicht 63 dadurch hergestellt, daß ein einschichtiger,
organischer Positivresistfilm 62, also ein Film aus einem
positiv strahlungsempfindlichen Material, auf einem Siliziumsubstrat
oder einer unteren Halbleiterschicht 61 ausgebildet wird und
die Oberfläche des Resistfilms 62 mit alkalischer Lösung
behandelt wird (Fig. 7a). Als alkalische Lösung für die
Oberflächenbehandlung wird TMAH (Tetramethylammoniumhydro
xid) verwendet.
Der Resistfilm 62 wird unter Verwendung einer Maske 64 be
lichtet (Fig. 7b). Der Resistfilm 62 ist für Ultraviolett
strahlung, ferne Ultraviolettstrahlung, Elektronenstrahlen
und Röntgenstrahlen empfindlich. Dabei wird ein Muster 65
eines latenten Bilds in belichteten Teilen 62-1 bei Belich
tung mit optimaler Energie durch die Maske hindurch ausge
bildet.
Danach wird ein Naßätzvorgang ausgeführt, um den belichteten
Resistfilm 62-1 bis zur Tiefe der ersten unlöslichen Schicht
63 abzuätzen. Eine zweite unlösliche Schicht 66 wird im ab
geätzten Teil aufgrund der bei der Naßentwicklung verwende
ten alkalischen Lösung ausgebildet (Fig. 7c). Dabei erfolgt
das Ätzen nur bis zu einer Minimaltiefe kleiner als 1/2 der
Dicke des gesamten Resistfilms 62, wodurch ein Oberflächen
schritt gegenüber dem nicht belichteten Resistfilm 62-2 ent
steht. Das Ätzen bis zu dieser geringen Dicke erfolgt, weil
sich ansonsten ein Überhang im Reliefbild entwickeln wür
de.
Nachdem belichtet und entwickelt wurde, wird ein Silylie
rungsprozeß ausgeführt (Fig. 7d). Durch Erhitzen in einer
HMDS-Atmosphäre wird Silizium in die Oberfläche des belich
teten Resistfilms 62-1 eindiffundiert, um eine Silylierungs
schicht 67 an der Oberfläche des belichteten und abgeätzten
Resistfilms 62-1 auszubilden. Diese Silylierungsschicht 67
weist als Silizium enthaltende Schicht Widerstandsfähigkeit
gegen O₂-RIE auf und wirkt demgemäß bei einem folgenden Ätz
prozeß für den nicht belichteten Resistfilm 62-2 als Ätzmas
kenschicht.
Dann wird der nicht belichtete Resistfilm 62-2 durch ein O₂-
RIE-Verfahren abgeätzt (Fig. 7e). Dabei wird die Silylie
rungsschicht 67 beim Trockenentwickeln in einen Oxidfilm um
gewandelt.
Abschließend wird durch Entfernen der in einen Oxidfilm um
gewandelten Silylierungsschicht 67 ein Reliefbild 62′ er
halten (Fig. 7f).
Da das Reliefbild 62′ nur bis zu einer minimalen Tiefe
naßgeätzt wurde, und zwar bis zur Tiefe der ersten unlösli
chen Schicht 63, können die Entstehung von Überhängen bei
der alkalischen Oberflächenbehandlung und Schwankungen der
kritischen Abmessungen abhängig von der Dicke der silylier
ten Schicht 67 verhindert werden, wodurch ein Reliefbild
62′ erhalten werden kann, das ein Vertikalprofil mit steilen
Seitenwänden aufweist, wie in Fig. 8 dargestellt.
Die Fig. 9a bis 9f veranschaulichen einen Prozeß zum Her
stellen eines Reliefbildes im Submikrometerbereich gemäß
einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Wie es aus Fig. 9 erkennbar ist, stimmt das zweite Ausfüh
rungsbeispiel mit dem durch Fig. 7 veranschaulichten ersten
Ausführungsbeispiel hinsichtlich des Prozesses überein, je
doch wird statt eines positiv strahlungsempfindlichen Materials ein
negativ strahlungsempfindliches Material ver
wendet.
Demgemäß wird beim zweiten Ausführungsbeispiel ein Muster 75
eines latenten Bildes beim Belichten (Fig. 9b) im nicht ent
wickelten Film aus strahlungsempfindlichem Material, im folgenden
Resistfilm 72-2 genannt, ausgebildet, während der belichte
te Resistfilm 72-1, in dem kein latentes Bildmuster 75 aus
gebildet wurde, der Teil ist, der beim folgenden Trockenätz
prozeß zu entfernen ist.
Beim zweiten Ausführungsbeispiel wird beim Entwicklungspro
zeß (Fig. 9c) eine zweite unlösliche Schicht 76 an der Ober
fläche des nicht entwickelten Resistfilms 72-2 ausgebildet,
und wenn ein Silylierungsprozeß ausgeführt wird, bildet sich
eine silylierte Schicht 77 an der Oberfläche des nicht be
lichteten Resistfilms 72-2 (Fig. 9d).
Dabei erfolgt das Ätzen des nicht entwickelten Resistfilms
72-2 bis zu einer Tiefe, die kleiner als 1/4 der Gesamtdicke
des Resistfilms 72 ist.
Der belichtete Resistfilm 72-1 wird durch O₂-RIE (Fig. 9e)
entfernt, um ein Reliefbild 72′ (Fig. 9f) auszubilden.
Fig. 10 ist eine SEM-Photographie des Reliefbildes 72′ ge
mäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Auch
durch das zweite Ausführungsbeispiel kann ein Reliefbild
72′ mit einem Profil mit steilen Seitenwänden erhalten wer
den.
Gemäß der vorstehend beschriebenen Erfindung kann, da ein
Silylierungsprozeß nach einer alkalischen Behandlung ausge
führt wird, die Entstehung von Überhängen im Reliefbild
durch die alkalische Behandlung verhindert werden, was eine
Verbesserung des Ätzprofils wie auch die Verhinderung von
Schwankungen der kritischen Abmessungen abhängig von der
Dicke der Silylierungsschicht erlaubt, wodurch ein Relief
bild mit hoher Genauigkeit erzielt werden kann. Demgemäß kann
die Auflösung erhöht werden, für den Ätzvorgang kann die
Vorgabe der kritischen Abmessungen verringert werden, da ein
Reliefbild mit steilen Seitenwänden erhalten werden kann,
und ein Effekt in Art einer stehenden Welle in bezug auf das
Reliefbild kann verhindert werden, da die meisten
Entwicklungen von strahlungsempfindlichem Material als Trockenentwicklungen
ausgeführt werden.
Claims (14)
1. Verfahren zum Herstellen eines Reliefbildes im Submikrometerbereich, mit
den folgenden Schritten:
- - Aufbringen eines strahlungsempfindlichen Gemisches auf ein Siliziumsubstrat;
- - Behandeln der Oberfläche der Schicht mit alkalischer Lösung;
- - Bildmäßiges Belichten;
- - Entwickeln bis zu einer bestimmten Relieftiefe, die geringer als die Schichtdicke ist;
- - Silylierung der Oberfläche des Reliefbildes;
- - Vollständiges Entwickeln durch Trockenätzen und
- - Entfernen der silylierten Restschicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß ein strahlungsempfindliches Gemisch ver
wendet wird, das für Ultraviolettstrahlung, Strahlung im fernen Ultraviolett,
Elektronenstrahlen und/oder Röntgenstrahlen empfindlich ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß als alkalische Lösung für die Oberflächenbe
handlung Tetramethylammoniumhydroxid verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die gut ätzbare strahlungsempfindliche
Schicht bis zu einer Relieftiefe geätzt wird, die so ausgewählt ist, daß Ober
flächenstufen geschaffen werden, die im oberen Teil des Reliefbildes keinen
Überhang aufweisen.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das gut ätzbare Reliefbild naßgeätzt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß unter Verwendung einer alkalischen Lösung
geätzt wird.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ätztiefe der gut ätzbaren strahlungs
empfindlichen Schicht mit der Tiefe der ersten unlöslichen Schicht
übereinstimmt.
8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Silylierungsprozeß unter Verwendung
von Hexamethyldisilazan erfolgt.
9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die schlecht entwickelbare strahlungs
empfindliche Schicht mit einem reaktiven Ätzverfahren mit O₂ geätzt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die silylierte Schicht beim Ätzen mit O₂ in
einen Oxidfilm umgewandelt wird.
11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß als strahlungsempfindliches Gemisch ein or
ganisches, positiv strahlungsempfindliches Gemisch verwendet wird, was
bedeutet, daß der belichtete Teil der gut ätzbare Teil ist.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß der belichtete Teil der strahlungsempfindli
chen Schicht bis höchstens zu 1/2 seiner Dicke geätzt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß als strahlungsempfindliches Gemisch ein or
ganisches, negativ strahlungsempfindliches Gemisch verwendet wird, was
bedeutet, daß der nicht belichtete Teil der gut ätzbare Teil ist.
14. Verfahren nach Anspruch 13,
dadurch gekennzeichnet, daß der nicht belichtete Teil der strahlungs
empfindlichen Schicht bis höchstens zu 1/4 seiner Dicke geätzt wird.
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