DE4410212A1 - Elektronische Baugruppe - Google Patents

Elektronische Baugruppe

Info

Publication number
DE4410212A1
DE4410212A1 DE4410212A DE4410212A DE4410212A1 DE 4410212 A1 DE4410212 A1 DE 4410212A1 DE 4410212 A DE4410212 A DE 4410212A DE 4410212 A DE4410212 A DE 4410212A DE 4410212 A1 DE4410212 A1 DE 4410212A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electronic
integrated semiconductor
assembly
electronic assembly
components
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4410212A
Other languages
English (en)
Inventor
Andreas Dipl Ing Fritz
Gerhard Kutscher
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Conti Temic Microelectronic GmbH
Original Assignee
Temic Telefunken Microelectronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Temic Telefunken Microelectronic GmbH filed Critical Temic Telefunken Microelectronic GmbH
Priority to DE4410212A priority Critical patent/DE4410212A1/de
Publication of DE4410212A1 publication Critical patent/DE4410212A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49589—Capacitor integral with or on the leadframe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine elektronische Baugruppe nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Elektronische Baugruppen mit Streifenaufbau, wobei meh­ rere elektronische Bauteile auf einem Kontaktierstrei­ fen angeordnet sind, sind beispielsweise aus der unter dem Aktenzeichen P 42 12 948.6 angemeldeten Erfindung bekannt, jedoch wird für die darin beschriebene Bau­ gruppe ein spezielles Gehäuse und ein sehr spezieller teurer Kontaktierstreifen benötigt, der am Schluß der Montage nach der Bestückung umgeklappt wird und dadurch elektronische Bauteile elektromagnetisch abschirmen soll.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine elektro­ nische Baugruppe anzugeben, bei der ein integrierter Halbleiterkörper und seine gesamte Beschaltung kosten­ günstig auf einem Kontaktierstreifen angeordnet ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in der Mitte eines im wesentlichen unveränderten Kon­ taktierstreifens ein integrierter Halbleiterkörper auf herkömmliche Art und Weise, d. h. beispielsweise durch Kleben oder Löten befestigt und anschließend kontak­ tiert wird und daß die Beschaltung des integrierten Halbleiterkörpers, die aus wenigstens einem elektroni­ schen Bauteil, vorteilhaft in SMD-Ausführung besteht, auf die Zuleitungen, die spinnen- oder sternförmig auf den integrierten Halbleiterkörper zu- bzw. von ihm weg­ führen, angeordnet ist. Die gesamte elektronische Bau­ gruppe wird nach der Montage durch einen Mouldprozeß mit herkömmlicher und damit billiger Vergußmasse um­ hüllt und erhält dadurch genau die gleiche Form und die gleichen Dimensionen eines IC-Gehäuses (DIP, DIL, SO, TO, SIP, PLCC, . . .).
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile durch die ent­ fallende äußere Beschaltung des integrierten Halblei­ terkörpers bestehen insbesondere darin, daß eine Be­ schädigung des integrierten Halbleiterkörpers, hervor­ gerufen durch eine Beschaltung mit falsch dimensionier­ ten Bauteilen ausgeschlossen ist, daß es zu einer Platzeinsparung auf der Leiterplatte kommt und daß durch die Funktionsprüfung des integrierten Halbleiter­ körpers beim elektrischen Endmessen gleichzeitig die Funktion der Beschaltung getestet wird. Hinzu kommt eine wesentlich bessere elektromagnetische Verträglich­ keit (EMV) durch verkürzte Zuleitungen und geringere äußere Abmessungen der elektronischen Baugruppe. Insge­ samt ergibt sich durch die Erfindung eine erhebliche Einsparung an Fertigungskosten und eine höhere Zuver­ lässigkeit der aus integriertem Halbleiterkörper und zugehöriger Beschaltung bestehenden elektronischen Bau­ gruppe.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeich­ nung dargestellt und wird im folgenden näher beschrie­ ben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Kontaktierstreifen mit darauf angeord­ neten elektronischen Baugruppen und
Fig. 2 die perspektivische Darstellung einer elek­ tronischen Baugruppe, bestehend aus einem in­ tegrierten Halbleiterkörper und weiteren elektronischen Bauteilen.
Auf dem in Fig. 1 dargestellten Kontaktierstreifen 1 sind vorteilhaft jeweils zwei Baugruppen 10 nebeneinan­ der und zwölf hintereinander angeordnet, so daß eine Struktur mit vierundzwanzig leiterförmig angeordneten Baugruppen 10 entsteht. Hierbei setzt sich jede Bau­ gruppe 10 aus einem integrierten Halbleiterkörper 2, einem Kondensator in SMD-Ausführung 3 und drei Wider­ ständen 4, 5 und 6, jeweils in SMD-Ausführung zusammen. Der integrierte Halbleiterkörper 2 wird mit einem Kle­ ber auf dem Kontaktierstreifen 1 befestigt, während die elektronischen SMD-Bauelemente 3, 4, 5 und 6 auf die sogenannten Kellen 11 des Kontaktierstreifens 1 auf­ gelötet sind. Die galvanische Verbindung zwischen dem integrierten Halbleiterkörper 2 und den Kellen 11 des Kontaktierstreifens 1 erfolgt mittels Bunddrähten 7, die auf herkömmliche Art und Weise auf dem Kontak­ tierstreifen 1 bzw. den Anschlußpads des integrierten Halbleiterkörpers 2 befestigt werden.
Ein normalerweise schwarzer Vergußwerkstoff 12 (Fig. 2) umschließt die elektronische Baugruppe 10, um sie vor schädlichen Umwelteinflüssen, z. B. Feuchtigkeit zu schützen.
Nach dem hierfür notwendigen Mouldprozeß weist die auf dem Kontaktierstreifen 1 zusammengefaßte elektronische Baugruppe 10 genau die Form und Abmessungen eines stan­ dardisierten IC-Gehäuses, in diesem Fall eines Dual-In­ line-Gehäuses mit acht Anschlußpins 9 auf, so daß die elektronische Baugruppe 10 beim Bestücken einer Leiter­ platte auf konventionelle Art und Weise gehandhabt wer­ den kann.

Claims (4)

1. Elektronische Baugruppe, bestehend aus wenigstens einem integrierten Halbleiterschaltkreis und wenigstens einem weiteren elektronischen Bauteil, bei der die Kom­ ponenten der Baugruppe auf Trägerbereichen eines mit Anschlußpins versehenen Kontaktierungsstreifens ange­ ordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Gestalt des bestückten und mit einem Vergußwerkstoff umschlos­ senen Kontaktierungsstreifens mit seinen Anschlußpins der eines standardisierten IC-Gehäuses entspricht, daß ein Trägerbereich für die Aufnahme des integrierten Halbleiterkörpers vorgesehen ist, und daß die weiteren elektronischen Bauteile auf weiteren Kontaktierungsbe­ reichen angeordnet sind oder solche miteinander verbin­ den.
2. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Baugruppe mit einem Vergußwerk­ stoff (Mouldmasse) eingekapselt wird.
3. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß die elektronische Baugruppe in einem IC-Gehäuse mit mehreren Anschlüssen unterge­ bracht ist.
4. Elektronische Baugruppe nach einem der vorangegange­ nen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei den weiteren elektronischen Bauteilen um Surface-Mount­ ed-Devices (SMD) handelt.
DE4410212A 1994-03-24 1994-03-24 Elektronische Baugruppe Withdrawn DE4410212A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4410212A DE4410212A1 (de) 1994-03-24 1994-03-24 Elektronische Baugruppe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4410212A DE4410212A1 (de) 1994-03-24 1994-03-24 Elektronische Baugruppe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4410212A1 true DE4410212A1 (de) 1995-09-28

Family

ID=6513736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4410212A Withdrawn DE4410212A1 (de) 1994-03-24 1994-03-24 Elektronische Baugruppe

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4410212A1 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996008842A1 (en) * 1994-09-15 1996-03-21 National Semiconductor Corporation Electronic system circuit package
DE19536434A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Verfahren zur Montage eines Halbleiterbauelements
WO1997024764A1 (en) * 1996-01-02 1997-07-10 Texas Instruments Incorporated Integrated system package
EP0874400A1 (de) * 1997-04-21 1998-10-28 Oki Electric Industry Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
EP1091404A1 (de) * 1999-10-06 2001-04-11 Lucent Technologies Inc. Multifunktions-Leiterrahmen und Gehäuse für eine integrierte Schaltung mit demselben
EP1602130A2 (de) * 2003-02-21 2005-12-07 Advanced Interconnect Technologies Limited Bleirahmen mit inbegriffenen passiven vorrichtungen
WO2007005864A1 (en) 2005-07-01 2007-01-11 King Owyang Complete power management system implemented in a single surface mount package

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1800213A1 (de) * 1968-10-01 1970-05-14 Telefunken Patent Gehaeuse fuer integrierte Halbleiterschaltungen
DE3234668A1 (de) * 1982-01-15 1983-07-21 AVX Corp.,(n.d.Ges.d.Staates Delaware), 11022 Great Neck, N.Y. Ic-bauteil mit eigendaempfung fuer eine vielzahl von zuleitungen
DE8327377U1 (de) * 1983-09-23 1984-01-26 Metz Apparatewerke Inh. Paul Metz, 8510 Fürth Integrierter Baustein

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1800213A1 (de) * 1968-10-01 1970-05-14 Telefunken Patent Gehaeuse fuer integrierte Halbleiterschaltungen
DE3234668A1 (de) * 1982-01-15 1983-07-21 AVX Corp.,(n.d.Ges.d.Staates Delaware), 11022 Great Neck, N.Y. Ic-bauteil mit eigendaempfung fuer eine vielzahl von zuleitungen
DE8327377U1 (de) * 1983-09-23 1984-01-26 Metz Apparatewerke Inh. Paul Metz, 8510 Fürth Integrierter Baustein

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1-276655 A., E-880, Jan. 26, 1990,Vol.14, No. 45 *
JP Patents Abstracts of Japan: 55-145361 A., E- 43, Jan. 29, 1981,Vol. 5, No. 15 *

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996008842A1 (en) * 1994-09-15 1996-03-21 National Semiconductor Corporation Electronic system circuit package
DE19536434C2 (de) * 1995-09-29 2001-11-15 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaser-Bauelements
DE19536434A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Verfahren zur Montage eines Halbleiterbauelements
US5943553A (en) * 1995-09-29 1999-08-24 Siemens Aktiengesellschaft Applying semiconductor laser mirror layers after securing support plate to laser body
WO1997024764A1 (en) * 1996-01-02 1997-07-10 Texas Instruments Incorporated Integrated system package
EP0874400A1 (de) * 1997-04-21 1998-10-28 Oki Electric Industry Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US6084300A (en) * 1997-04-21 2000-07-04 Oki Electric Industry Co., Ltd. Compact resin-sealed semiconductor device
US6351033B1 (en) 1999-10-06 2002-02-26 Agere Systems Guardian Corp. Multifunction lead frame and integrated circuit package incorporating the same
EP1091404A1 (de) * 1999-10-06 2001-04-11 Lucent Technologies Inc. Multifunktions-Leiterrahmen und Gehäuse für eine integrierte Schaltung mit demselben
SG125047A1 (en) * 1999-10-06 2006-09-29 Lucent Technologies Inc Multifunction lead frame and integrated circuit package incorporating the same
KR100742104B1 (ko) * 1999-10-06 2007-07-25 루센트 테크놀러지스 인크 리드 프레임과 리드 프레임을 포함하는 집적회로 패키지
EP1602130A2 (de) * 2003-02-21 2005-12-07 Advanced Interconnect Technologies Limited Bleirahmen mit inbegriffenen passiven vorrichtungen
EP1602130A4 (de) * 2003-02-21 2008-11-05 Advanced Interconnect Tech Ltd Bleirahmen mit inbegriffenen passiven vorrichtungen
US7489021B2 (en) 2003-02-21 2009-02-10 Advanced Interconnect Technologies Limited Lead frame with included passive devices
WO2007005864A1 (en) 2005-07-01 2007-01-11 King Owyang Complete power management system implemented in a single surface mount package
US8928138B2 (en) 2005-07-01 2015-01-06 Vishay-Siliconix Complete power management system implemented in a single surface mount package
US9093359B2 (en) 2005-07-01 2015-07-28 Vishay-Siliconix Complete power management system implemented in a single surface mount package
EP1900022B1 (de) * 2005-07-01 2015-10-07 Vishay-Siliconix Vollständiges Leistungsverwaltungssystem in einer einzelnen oberflächenmontierten Packung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1997027728A2 (de) Steuergerät, insbesondere für ein kraftfahrzeug
DE4334123C2 (de) Drucksensor
DE102005041451A1 (de) Elektronische Steckeinheit
DE3708309A1 (de) Chip-packung
EP0368143A2 (de) Elektronisches Steuergerät
DE4430798A1 (de) Stanzgitter zur Verbindung von elektrischen Bauelementen
EP0297236A2 (de) Leiterplatte
DE10201710A1 (de) Halbleitersensor für eine physikalische Größe
DE69100677T2 (de) Elektrischer Tastkopf mit integraler Zugentlastung und Erdverbindung.
DE4410212A1 (de) Elektronische Baugruppe
DE10161936A1 (de) Elektroniksteuereinheit
DE19602637C1 (de) Steuergerät, insbesondere für ein Kraftfahrzeug
DE19750321A1 (de) Halbleiterbauelement-Testgerät
DE2734798C2 (de)
DE102007031562B4 (de) Gehäuse mit einem elektrischen Modul
DE102017006406B4 (de) Gehäustes IC-Bauelement
DE9007439U1 (de) Leistungshalbleitermodul mit integrierter Ansteuerungs- und Fehlerschutzplatine
DE102007035794A1 (de) Leiterplattenverbund sowie Verfahren zum Herstellen eines Leiterplattenverbundes
DE19928576C2 (de) Oberflächenmontierbares LED-Bauelement mit verbesserter Wärmeabfuhr
DE19902450A1 (de) Miniaturisiertes elektronisches System und zu dessen Herstellung geeignetes Verfahren
DE4405578B4 (de) Elektronische Baueinheit
DE4118308C2 (de) Schaltungsträger für SMD-Bauelemente
DE4021872A1 (de) Hochintegriertes elektronisches bauteil
EP3459326A1 (de) Verfahren zum ummanteln einer elektrischen einheit und elektrisches bauelement
DE69120282T2 (de) Ersetzungsverfahren für Chips

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee