DE4410211B4 - Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last - Google Patents

Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last Download PDF

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Abstract

Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last (L) mittels mindestens einer Ausgangsstufe (AS; AS'), welche einen ersten Schalter (S1; S1') und einen zweiten Schalter (S2; S2')
– mit jeweils einem ersten Schalteranschluß (SA1, SA2; SA1', SA2'), an dem ein erstes bzw. zweites Potential (US1, US2) anliegt,
– mit jeweils einem mit einem gemeinsamen Ausgangsanschluß (A; A') verbundenen zweiten Schalteranschluß, an den ein Anschluß (LA; LA') der Last (L) angeschlossen ist,
– und mit jeweils einem Steueranschluß (St1, St2; St1', St2'), an dem jeweils ein Steuersignal anliegt, aufweist, wobei die Schalter (S1, S2; S1', S2') durch die Steuersignale im Gegentakt ansteuerbar sind,
dadurch gekennzeichnet, daß
– mindestens der erste Schalter (S1) mindestens zwei bipolare Schalttransistoren (T1, T2) als bipolare Schaltelemente (SE1, SE1') mit jeweils mindestens drei Anschlüssen aufweist, wobei die bipolaren Schalttransistoren (T1, T2) bezüglich ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe geschaltet sind,
– der erste Schalter (S1)...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • Die Ausgangsstufen derartiger Schaltungsanordnungen sind durch zwei hintereinander geschaltete ansteuerbare Schalter charakterisiert, die über ein am jeweiligen Steueranschluß angelegtes Signal geschlossen bzw. geöffnet werden können. Beide Schalter sind über einen Schalteranschluß mit jeweils einer Spannungsquelle und über einen gemeinsamen Anschlußknoten – dem Ausgangsanschluß – mit einer Last verbunden. Durch Gegentaktansteuerung wird jeweils einer der beiden Schalter geschlossen und der andere geöffnet. Dadurch wird die Last mit jeweils einer der beiden Spannungsquellen verbunden.
  • Am Ausgang der Schaltung können insbesondere im Falle einer kapazitiven Last am jeweils geöffneten Schalter hohe Spannungen auftreten. Die Schalter dürfen bei diesen hohen Spannungen nicht durchbrechen und müssen daher hochspannungsfest ausgeführt sein. Falls die Schaltungsanordnung zusammen mit anderen Schaltungsteilen auf einem IC integriert werden soll, muß die Halbleitertechnologie, in der das IC hergestellt werden soll, gleichzeitig zwei komplementäre hochspannungsfeste Schalter zur Verfügung stellen. Da dieses für die üblichen Technologien nicht zutrifft, muß die Ausgangsstufe entweder mit diskreten Bauelementen oder auf einem separaten IC in einer anderen Technologie realisiert werden – dies ist jedoch mit hohen Kosten und mit einem hohem Platzbedarf verbunden.
  • Eine Schaltungsanordnung der genannten Art ist aus der Druckschrift DE 32 34 602 C2 bekannt. Der erste Schalter ist hierbei als Schaltungsanordnung mit in Reihe geschalteten Leistungsfeldeffekttransistoren ausgeführt, deren Gate- und Source-Anschlüsse an ein Widerstands-Kondensator-Netzwerk angeschlossen sind.
  • Aus der Druckschrift EP 042 512 A1 ist eine Schaltungsanordnung mit bipolaren Transistoren bekannt, deren Basen und Kollektoren jeweils über eine Schottky-Diode miteinander verbunden sind. Die Schottky-Dioden verhindern hierbei, daß die Kollektor-Emitter-Spannung des jeweiligen Transistors einen bestimmten Wert unterschreitet.
  • Eine weitere Schaltungsanordnung ist aus der Druckschrift GB 2 102 638 A bekannt. Hierbei sind bipolare Schalttransistoren sowie zu deren Ansteuerung induktive Ansteuerelemente vorgesehen.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung anzugeben, deren Schalter eine hohe Spannungsfestigkeit aufweisen.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • In der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung weist mindestens der erste Schalter mindestens zwei bipolare Schalttransistoren als bipolare Schaltelemente mit jeweils mindestens drei Anschlüssen auf, wobei die bipolaren Schalttransistoren bezüglich ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe geschaltet sind. Zur Ansteuerung dieser bipolaren Schalttransistoren weist der erste Schalter außerdem mindestens zwei Steuertransistoren als Ansteuerelemente auf, die bezüglich ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe geschaltet sind, wobei die Kollektoren der Steuertransistoren jeweils mit der Basis eines der bipolaren Schalttransistoren verbunden sind. Zum Schutz der bipolaren Schalttransistoren vor zu hohen Kollektor-Emitter-Spannungen weist der erste Schalter Schutzelemente wie z.B. Z-Dioden auf, wobei zwei Anschlüsse, vorzugsweise Basis und Kollektor, von jeweils einem der bipolaren Schalttransistoren über jeweils eines der Schutzelemente miteinander verbunden sind.
  • Bei einer Schaltungsanordnung mit zwei parallel geschalteten Ausgangsstufen und einer an deren Ausgangsanschlüssen angeschlossenen Last, d.h. bei einer Brükkenschaltung, können an den Ausgangsanschlüssen insbesondere im Falle einer kapazitiven Last beim Umschalten Überspannungen auftreten. Diese können bei Bedarf in einer Schaltungserweiterung mit zusätzlichen Ansteuerelementen, zum Beispiel mit zwischen den Basis- und Emitteranschlüssen der Schalttransistoren als Diode geschalteten bipolaren Transistoren, zu einer der an den Schaltern angeschlossenen Spannungsquelle abgeleitet werden.
  • Falls die Halbleitertechnologie, in der die Schaltung realisiert werden soll, ein hochsperrendes Schaltelement, zum Beispiel einen hochsperrenden MOS-Transistor, zur Verfügung stellt, wird der zweite Schalter vorzugsweise mit Hilfe eines solchen Elementes ausgeführt. Er kann aber auch, insbesondere wenn keine hochspannungsfesten MOS-Transistoren einsetzbar sind, den gleichen Aufbau wie der erste Schalter aufweisen, wobei die Transistoren des Schalters durch deren komplementäre Transistoren ersetzt werden und die Ansteuerung des Schalters an die komplementären Transistoren angepaßt wird.
  • In beiden Schaltern können zur Strombegrenzung zusätzlich Begrenzungselemente, vorzugsweise Widerstände vorgesehen sein.
  • Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung bietet folgende Vorteile:
    • – Die Schaltungsanordnung läßt sich in den üblichen Halbleitertechnologien realisieren und ist folglich platzsparend und kostengünstig auf einem IC integrierbar.
    • – Aufgrund der hintereinander geschalteten bipolaren Schaltelemente wird die an diesem Schalter auftretende Spannung auf mehrere bipolare Schaltelemente aufgeteilt, so daß diese Spannung höher sein darf als die zulässige Spannung der einzelnen von der Technologie zur Verfügung gestellten bipolaren Schaltelemente.
    • – Durch Verwendung von komplementären Transistoren lassen sich Schalter mit komplementärem Verhalten sehr einfach realisieren.
    • – Eine Brückenschaltung läßt sich leicht realisieren, indem zwei Ausgangsanschlüsse von zwei Ausgangsstufen mit jeweils einem Anschluß einer Last verbunden werden.
    • – Die Brückenschaltung eignet sich besonders gut zur schaltbaren Ansteuerung einer Last mit kapazitivem Verhalten, insbesondere zur Ansteuerung eines Piezo-Schallwandlers, da am Ausgangsanschluß auftretende Überschwinger über das Potential der ersten Spannungsquelle bzw. Unterschwinger unter das Potential der zweiten Spannungsquelle dadurch begrenzt werden, daß einer der beiden gesperrten Schalter leitend wird.
  • Die Schaltungsanordnung läßt sich überall dort einsetzen, wo Spannungen auftreten, die größer sind als die zulässigen Spannungen einzelner von der Halbleitertechnologie zur Verfügung gestellten Elemente.
    •
  • Anhand der 1, 2 und 3 wird die Erfindung im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1 ein Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung,
  • 2 ein Prinzipschaltbild einer Gegentaktausgangsstufe,
  • 3 ein Prinzipschaltbild einer Gegentaktausgangsstufe in Brückenschaltung.
  • Das Prinzipschaltbild aus 2 zeigt eine Ausgangsstufe AS mit zwei ansteuerbaren Schaltern S1 und S2, die über einen gemeinsamen Ausgangsanschluß A mit einem Anschluß LA der Last L verbunden sind. Der Schalter S1 stellt zusammen mit der Spannungsquelle US1 einen pull-up-Zweig und der Schalter S2 zusammen mit der Spannungsquelle US2 einen pull-down-Zweig dar. Im Gegentaktbetrieb werden die ansteuerbaren Schalter S1 bzw. S2 über deren Steuereingänge St1 bzw. St2 so angesteuert, daß die Last L entsprechend den Schalterstellungen entweder nur mit der Spannungsquelle US1 oder nur mit der Spannungsquelle US2 verbunden ist.
  • 1 zeigt einen Realisierungsvorschlag für die beiden Schalter S1 und S2 aus der 2.
  • Der Schalter S2 enthält als Schaltelement SE2 einen hochsperrenden NMOS-Transistor M1, der über seinen Gate-Anschluß, der mit dem Steueranschluß St2 verbunden ist, angesteuert wird und einen Strombegrenzungswiderstand R6. Ein Anschluß des Widerstandes R6 ist an dem Ausgangsanschluß A der Ausgangsstufe AS mit dem Schalter S1 und mit dem Anschluß LA der Last L verbunden. Der andere Anschluß des Widerstandes R6 verbindet diesen mit einem Schaltanschluß des Transistors M1. Der andere Schaltanschluß des Transistors M1 ist am Schalteranschluß SA2 mit der zweiten Versorgungsspannung US2, im Ausführungsbeispiel mit der Masse, verbunden.
  • Der Schalter S1 enthält als bipolare Schaltelemente SE1 und SE1' zwei hintereinander geschaltete Schalttransistoren T1 bzw. T2, die von zwei Ansteuerelementen, welche als zwei hintereinander geschaltete Steuertransi storen T5 bzw. T6 ausgeführt sind, angesteuert werden. Bei den Schalttransistoren T1 und T2 handelt es sich um NPN-Transistoren, bei den Steuertransistoren T5 und T6 um PNP-Transistoren. Die Hintereinanderschaltung der Schalttransistoren T1 und T2 bzw. der Steuertransistoren T5 und T6 erfolgt durch Verbinden des Emitters des Schalttransistors T1 mit dem Kollektor des Schalttransistors T2 bzw. durch Verbinden des Emitters des Steuertransistors T6 mit dem Kollektor des Steuertransistors T5. Zwei weitere Ansteuerelemente, die Transistoren T3 und T4, welche als NPN-Transistoren ausgeführt sind, sind durch Verbinden von Basis und Kollektor als Dioden beschaltet. Der Emitter dieser Transistoren T3 bzw. T4 ist jeweils mit der Basis des Schalttransistors T1 bzw. T2 verbunden. Der andere Anschluß dieser als Dioden beschalteten Transistoren T3 bzw. T4 ist jeweils mit dem Emitter der Transistoren T1 bzw. T2 verbunden. Zwei Widerstände R3 bzw. R4 sind jeweils an Basis und Emitter der Schalttransistoren T1 bzw. T2 angeschlossen. Ein Strombegrenzungswiderstand R5 verbindet den Emitter des Schalttransistors T2 mit dem Ausgangsanschluß A der Ausgangsstufe AS. Der Kollektor der Steuertransistoren T5 bzw. T6 ist jeweils mit der Basis der Schalttransistoren T1 bzw. T5 verbunden. Zwei Widerstände R1 bzw. R2 sind jeweils an Basis und Emitter der Steuertransistoren T5 bzw. T6 angeschlossen. Zwei Schutzelemente, die Z-Dioden DZ1 bzw. DZ2, sind jeweils mit Basis und Kollektor der Schalttransistoren T1 bzw. T2 verbunden. Der Emitter des Steuertransistors T5 und der Kollektor des Schalttransistors T1 sind am Schalteranschluß SA1, an den die erste Spannungsquelle US1 angeschlossen wird, miteinander verbunden. Die Ansteuerung der Steuertransistoren T5 bzw. T6 erfolgt mit zwei als MOS-Transistoren M3 bzw. M2 ausgebildeten Stromquellen einer Stromspiegelschaltung SP. Ein MOS-Transistor M4, dessen Gate-Anschluß mit dem Drain-Anschluß sowie mit dem Gate-Anschluß der beiden MOS-Transistoren M2 und M3 an einem Versorgungsanschluß IK des Schalters S1 miteinander verbunden sind, wird von einem über den Versorgungsanschluß IK eingespeisten Strom versorgt. Die Ausgangsanschlüsse der Stromspiegelschaltung SP, die Drain-Anschlüsse der MOS-Transistoren M2 bzw. M3, sind jeweils mit der Basis der Steuertransistoren T6 bzw. T5 verbunden. Die Stromspiegelschaltung SP enthält einen weiteren MOS-Transistor M5, dessen Drain-Anschluß mit dem Versorgungsanschluß IK und dessen Gate-Anschluß mit dem Steueranschluß St1 verbunden ist. Die Source-Anschlüsse der MOS-Transistoren M2, M3, M4 und M5 liegen alle auf Massepotential. Da zur Ansteuerung der Steuertransistoren T5 und T6 hohe Spannungen benötigt werden, kommen im Stromspiegel SP hochsperrende NMOS-Transistoren M2, M3 und M4 zum Einsatz.
  • Die Funktionsweise der Schaltung wird im folgenden anhand von zwei Falluntersuchungen beschrieben.
  • Fall 1: Am Steueranschluß St1 des Schalters S1 liegt ein H-Pegel an. Der MOS-Transistor M5 befindet sich folglich im leitenden Zustand und schließt den über den Versorgungsanschluß IK in die Stromspiegelschaltung SP eingespeisten Strom kurz. Die Transistoren M2, M3 und M4 sind somit stromlos und können keinen Basisstrom für die Steuertransistoren T5 und T6 liefern, die folglich beide gesperrt sind. Somit kann auch kein Basisstrom in die Transistoren T1 und T2 fließen, so daß sich auch diese im Sperrzustand befinden, d. h., der Schalter S1 befindet sich im hochohmigen Zustand. Aufgrund der Gegentaktansteuerung ist der Schalter S2 niederohmig, wodurch das Potential am Ausgang A absinkt. Dadurch baut sich am Schalter S1 eine hohe Sperrspannung auf, die sich auf die Kollektor-Emitter-Strecken der Schalttransistoren T1 und T2 aufteilt. Die obere Grenze für die Kollektor-Emitter-Spannungen wird durch die Z-Dioden DZ1 und DZ2 festgelegt. Sie liegen um eine Basis-Emitter-Flußspannung über der jeweiligen Zenerspannung. Gleichzeitig mit den Schalttransistoren T1 und T2 erhalten auch die Emitter-Kollektor-Strecken der Steuertransistoren T5 bzw. T6 einen Überspannungsschutz durch die Z-Dioden DZ1 bzw. DZ2. Die maximal am Steuertransistor T5 auftretende Emitter-Kollektor-Spannung ist gleich der Zenerspannung der Z-Diode DZ1. Die entsprechende Spannung am Steuertransistor T6 liegt um eine Basis-Emitter-Flußspannung über der Zenerspannung der Z-Diode DZ2. Die größte am Schalter S1 auftretende Spannung ist gleich der Summe der beiden Zenerspannungen zuzüglich zweier Basis-Emitter-Flußspannungen. Bei Überschreitung dieser Maximalspannung werden die Z-Dioden DZ1, DZ2 leitend; die Schalttransistoren T1 und T2 erhalten Basisstrom und werden ihrerseits leitend. Folglich kann das Potential am Ausgang A nicht weiter absinken. Mit Z-Dioden DZ1 bzw. DZ2, deren Zenerspannung zuzüglich einer Basis-Emitter-Flußspannung kleiner ist als die maximal zulässige Sperrspannung der Schalttransistoren T1 bzw. T2, wird somit die Kollektor-Emitter-Spannung der Schalttransistoren T1 bzw. T2 auf zulässige Werte begrenzt.
  • Fall 2: Am Steueranschluß St1 liegt ein L-Pegel an. Der MOS-Transistor M5 befindet sich folglich im gesperrten Zustand, wodurch die mit den MOS-Transistoren M3 bzw. M2 gebildeten Stromquellen der Stromspiegelschaltung SP die Steuertransistoren T5 bzw. T6 mit Basisstrom versorgen. Diese werden dadurch leitend und liefern ihrerseits den Basisstrom für die Schalttransistoren T1 und T2, die nun ebenfalls leitend werden. Der Schalter S1 befindet sich folglich im niederohmigen Zustand.
  • Der Strombegrenzungswiderstand R5 begrenzt den durch den Schalter S1 fließenden Strom. Die Widerstände R1 bzw. R2 und R3 bzw. R4 erfüllen zwei Aufgaben: zum einen sollen sie ein schnelles Abschalten der Steuertransistoren T5 bzw. T6 und der Schalttransistoren T1 bzw. T2 ermöglichen, indem die Basisladung abgeführt wird, zum andern legen diese Widerstände im abgeschalteten Zustand das Basispotential der Schalttransistoren T1 und T2 an den Emitter, wodurch die Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung erhöht wird. Sie kommt damit der höherliegenden Kollektor-Basis-Durchbruchspannung nahe.
  • Bei der in 3 gezeigten Brückenschaltung mit zwei Ausgangsstufen AS und AS' wird die Last L zwischen den Ausgang A der ersten Ausgangsstufe AS und den Ausgang A' der zweiten Ausgangsstufe AS' geschaltet. Aufgrund der Gegentaktansteuerung wird der Strompfad zwischen der Spannungsquelle US1 und der Spannungsquelle US2 entweder über den ersten Schalter S1 der ersten Ausgangsstufe AS, die Last L und den zweiten Schalter S2' der zweiten Ausgangsstufe AS' oder über den ersten Schalter S1' der zweiten Ausgangsstufe AS, die Last L und den zweiten Schalter S2 der ersten Ausgangsstufe AS' geschlossen.
  • Durch den Umschaltvorgang kann in bestimmten Anwendungsfällen, insbesondere bei einer Brückenschaltung mit einer kapazitiven Last L und mit Ausgangsstufen AS, AS', die entsprechend der 1 ausgeführt sind, das Ausgangspotential am Ausgangsanschluß A über das Potential der ersten Spannungsquelle US1 oder unter das Potential der zweiten Spannungsquelle US2 springen. Falls das Substratpotential des MOS-Transistors M1 auf dem Potential US2 liegt und das Potential am Ausgangsanschluß A unter das Potential US2 fällt, wird die Drain-Substrat-Diode des MOS-Transistors M1 leitend und be grenzt somit den Unterschwinger. Im umgekehrten Fall, wenn das Potential am Ausgangsanschluß A über das Potential der ersten Spannungsquelle US1 ansteigt, werden die als Diode geschalteten Transistoren T3 und T4 in Vorwärtsrichtung vorgespannt. Die Schalttransistoren T2 und T3 erhalten somit Basisstrom und gehen in den Inversbetrieb über. Es besteht folglich ein Strompfad vom Ausgangsanschluß A zur Spannungsquelle US1, wodurch der Überschwinger am Ausgang A begrenzt wird.

Claims (16)

  1. Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last (L) mittels mindestens einer Ausgangsstufe (AS; AS'), welche einen ersten Schalter (S1; S1') und einen zweiten Schalter (S2; S2') – mit jeweils einem ersten Schalteranschluß (SA1, SA2; SA1', SA2'), an dem ein erstes bzw. zweites Potential (US1, US2) anliegt, – mit jeweils einem mit einem gemeinsamen Ausgangsanschluß (A; A') verbundenen zweiten Schalteranschluß, an den ein Anschluß (LA; LA') der Last (L) angeschlossen ist, – und mit jeweils einem Steueranschluß (St1, St2; St1', St2'), an dem jeweils ein Steuersignal anliegt, aufweist, wobei die Schalter (S1, S2; S1', S2') durch die Steuersignale im Gegentakt ansteuerbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß – mindestens der erste Schalter (S1) mindestens zwei bipolare Schalttransistoren (T1, T2) als bipolare Schaltelemente (SE1, SE1') mit jeweils mindestens drei Anschlüssen aufweist, wobei die bipolaren Schalttransistoren (T1, T2) bezüglich ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe geschaltet sind, – der erste Schalter (S1) zur Ansteuerung der bipolaren Schalttransistoren (T1, T2) mindestens, zwei Steuertransistoren (T5, T6) als Ansteuerelemente aufweist, die bezüglich ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe geschaltet sind, wobei die Kollektoren der Steuertransistoren (T5, T6) jeweils mit der Basis eines der bipolaren Schalttransistoren (T1, T2) verbunden sind, – der erste Schalter (S1) Schutzelemente (DZ1, DZ2) zum Schutz der bipolaren Schalttransistoren (T1, T2) vor zu hohen Kollektor-Emitter- Spannungen aufweist, wobei zwei Anschlüsse von jeweils einem der bipolaren Schalttransistoren (T1, T2) über jeweils eines der Schutzelemente (DZ1, DZ2) miteinander verbunden sind.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für den Inversbetrieb des ersten Schalters (S1) zusätzliche Ansteuerelemente (T3 und T4) vorgesehen sind, die jeweils mit zwei Anschlüssen der bipolaren Schaltelemente (SE1 bzw. SE1') verbunden sind.
  3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzelemente (DZ1 bzw. DZ2) Z-Dioden sind, die an Basis und Kollektor der bipolaren Schalttransistoren (T1 bzw. T2) angeschlossen sind.
  4. Schaltungsanordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuertransistoren (T5 und T6) durch schaltbare Stromquellen ein- oder ausschaltbar ausgeführt sind.
  5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die schaltbaren Stromquellen als Stromspiegelquellen einer Stromspiegelschaltung (SP), die einen Versorgungsanschluß (IK) zur Einspeisung eines Stromes aufweist, ausgeführt sind.
  6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromspiegelschaltung (SP) einen Transistor (M4), der mit dem Versorgungsanschluß (IK) verbunden und als Stromsenke der Stromspiegelschaltung (SP) beschaltet ist, und zwei Transistoren (M2, M3), die als Stromspiegelquellen der Stromspiegelschaltung (SP) beschaltet sind, aufweist.
  7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromspiegelschaltung (SP) einen Transistor (M5) aufweist, der über den Steueranschluß (St1) des ersten Schalters (S1) ansteuerbar ausgeführt ist, und der parallel mit dem als Stromsenke beschalteten Transistor (M4) verbunden ist.
  8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der als Stromsenke der Stromspiegelschaltung (SP) beschaltete Transistor (M4) und die als Stromspiegelquellen der Stromspiegelschaltung (SP) be schalteten Transistoren (M2, M3) als hochspannungsfeste Transistoren ausgeführt sind.
  9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren (M2, M3, M4, M5) der Stromspiegelschaltung (SP) als MOS-Transistoren ausgebildet sind.
  10. Schaltungsanordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine kapazitive Last (L) an den Ausgangsanschluß (A, A') angeschlossen ist.
  11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Last (L) ein Piezo-Schallwandler ist.
  12. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Schalter (S2, S2') den gleichen Aufbau wie der erste Schalter (S1, S1') aufweist, wobei die Transistoren des Schalters (S1, S1') durch deren komplementäre Transistoren ersetzt sind und die schaltbaren Stromquellen umgepolt sind.
  13. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Schalter (S2, S2') mindestens ein Schaltelement (SE2) aufweist, das als ein hochspannungsfester MOS-Transistor (M1) ausgeführt ist.
  14. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schalter (S1, S1' bzw. S2, S2') mindestens ein Strombegrenzungselement (R5 bzw. R6) aufweist.
  15. Schaltungsanordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Strombegrenzungselement als Widerstand (R5, R6) ausgeführt ist.
  16. Schaltungsanordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Ausgangsstufen (AS, AS') in der Art mit der Last (L) verbunden sind, daß der eine Anschluß (LA) der Last (L) mit dem Ausgangsanschluß (A) der ersten Ausgangsstufe (AS) und der andere Anschluß (LA') der Last (L) mit dem Ausgangsanschluß (A') der zweiten Ausgangsstufe (AS') verbunden ist.
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