DE3234602C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3234602C2 DE3234602C2 DE19823234602 DE3234602A DE3234602C2 DE 3234602 C2 DE3234602 C2 DE 3234602C2 DE 19823234602 DE19823234602 DE 19823234602 DE 3234602 A DE3234602 A DE 3234602A DE 3234602 C2 DE3234602 C2 DE 3234602C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- effect transistors
- field
- series
- diodes
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Wechselrichterschal
tung gemäß dem Oberbegriff des vorliegenden Patentan
spruches 1.
In der Fig. 1 ist ein derartiger Wechselrichter schema
tisch dargestellt. Mit T 1 und T 2 sind die beiden in
Reihe geschalteten Feldeffekt-Transistoren (FETs) be
zeichnet, mit U E die speisende Gleichspannung und mit
1 und 2 die Treiberbaugruppen für die Transistoren. Mit
D T 1 ist die integrierte Inversdiode des FETs T 1, mit D T 2
die integrierte Inversdiode des FETs T 2 dargestellt.
Mit I A ist der Ausgangsstrom des Wechselrichters bezeichnet.
Bei der Verwendung von Leistungs-Feldeffekt-Transistoren
(FETs) in solchen Wechselrichterschaltungen, die rück
wärts leitfähige Schalter genötigen, entstehen durch
schlechte dynamische Eigenschaften der in den FETs vorhan
denen integrierten Inversdioden Schwierigkeiten.
Besonders stört der langsame Übergang vom Durchlaß- in
den Sperrbetrieb (= Reverse Recovery) dieser Dioden. Bei
der schnellen Stromübernahme durch einen zweiten FET aus
solch einer langsamen integrierten Inversdiode fließt
kurzzeitig starker Sperrstrom durch die Diode:
Der einschaltende FET wird mit der Summe aus Laststrom und Sperrstrom unter Umständen unzulässig stark belastet. Die abschaltende Diode wird während ihres Sperrstromab falles mit der Summe aus Eingangsspannung und induktiver (Leitungs-) Zusatzspannung unter Umständen unzulässig belastet, vgl. dazu die Applikationsschrift AN 934 der Firma International Rectifier "The Hexfet's Integral Reverse Rectifier - A "Hidden" Bonus for the Circuit Design".
Der einschaltende FET wird mit der Summe aus Laststrom und Sperrstrom unter Umständen unzulässig stark belastet. Die abschaltende Diode wird während ihres Sperrstromab falles mit der Summe aus Eingangsspannung und induktiver (Leitungs-) Zusatzspannung unter Umständen unzulässig belastet, vgl. dazu die Applikationsschrift AN 934 der Firma International Rectifier "The Hexfet's Integral Reverse Rectifier - A "Hidden" Bonus for the Circuit Design".
Es ist bekannt, die Stromführung in einer integrierten (parasitären)
Inversdiode durch eine zum FET in Reihe geschaltete Diode zu verhin
dern, doch erhält man dadurch höhere Durchlaßverluste.
Es ist auch bekannt, die Auswirkung des Recovery-Vorganges der inte
grierten Inversdiode dadurch abzuschwächen, daß ein langsames Ein
schalten des Transistors durch gezielt langsames Ansteuern erfolgt;
doch ergibt diese Maßnahme erhebliche Einschaltverluste. Die Auswir
kung des Recovery-Vorganges kann auch durch das Abflachen des Strom-
Nulldurchganges in der Diode durch eine Beschaltungsinduktivität ab
geschwächt werden; diese Induktivität bedeutet jedoch eine zusätz
liche Masse.
Es ist bereits ein Transistor-Wechselrichter der eingangs genannten Art mit Feldeffekttransisto
ren bekannt, der eine antiparallele diskrete Zusatzdiode zum Feld
effekttransistor enthält, wobei dieser den parasitären Inversdioden-
Effekt aufweist. In diesem bekannten Transistor-Wechselrichter sind
die beiden reihengeschalteten Feldeffekttransistoren Bestandteil
einer Vollbrücke (EP-OS 38 624).
Es zeigt
die
Fig. 2a eine Schaltung nach dem Stand der Technik,
an welcher das Problem erläutert wird,
die
Fig. 2b eine zugehörige Kennlinie,
die
Fig. 3 eine weitere Ausführung.
In der Fig. 2a sind gleiche Bezugszeichen wie in der Fig. 1 gewählt.
Der Strom durch die integrierte Inversdiode D T 1 ist mit I DT 1, der
Strom durch die integrierte Inversdiode D T 2 ist mit I DT 2 bezeichnet.
Parallel zur Source-Drain-Strecke des FETs T 1 ist eine schnelle dis
krete Diode D 1 geschaltet; ferner ist parallel zur Source-Drain-Strec
ke des FETs T 2 eine schnelle diskrete Diode D 2 geschaltet. Die an der
Diode D 1 liegende Spannung ist mit U D , der Strom durch sie mit I D 1,
der Strom durch die Diode D 2 mit I D 2 bezeichnet.
Als Dioden D 1 und D 2 werden Typen mit sehr guten niedrigen Durchlaß
kennwerten, d. h. Schleusenspannung und Ersatzwiderstand verwendet,
derart, daß die Durchlaßspannung der schnellen Zusatzdioden D 1, D 2
die Schleusenspannung der integrierten Inversdioden D T 1, D T 2 der Feld
effekt-Transistoren T 1, T 2 nicht erreicht.
Die Fig. 2b zeigt die Kennlinien einer geeigneten Kombination einer
schnellen Diode D (D 1 respektive D 2) mit einer Inversdiode D T (D T 1
respektive D T 2); I D und I DT stehen für die entsprechenden Ströme.
Als Paralleldioden können Schottky-Dioden und Dioden aus Germanium
verwendet werden, sofern die Eingangsspannung U E auf U E ≲ 50 V be
schränkt bleibt.
Bei höheren Eingangsspannungen U E < 50 V werden wegen ihrer höheren
Sperrfähigkeit Siliziumdioden, deren Durchlaßkennlinie üblicherweise
derjenigen der integrierten Dioden ähnelt, eingesetzt, wobei jedoch
das einfache Parallelschalten noch nicht reicht, um die gewünschte
Stromverteilung I D » I DT zu erzielen.
Eine bekannte Lösung dieses Problems besteht darin, daß die schnelle
Diode (D 1, D 2) nicht direkt parallel zu dem entsprechenden FET (T 1, T 2)
geschaltet wird, sondern parallel zu einer Reihenschaltung des betref
fenden FETs mit einer die Stromführung der parasitären Dioden verhin
dernden Diode D 1′ respektive D 2′, wie es in der Fig. 3 dargestellt ist.
In dieser Schaltung entstehen jedoch zusätzliche Durchlaßverluste in
den Reihendioden (D 1′, D 2′) während der Einschaltdauer der zugehörigen
FETs.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Wechselrichter
schaltung der eingangs genannten Art die integrierten Inversdioden der
Feldeffekt-Transistoren auch bei höheren Eingangsspannungen in obigem Sinne nicht an der Stromführung zu beteiligen.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe durch die im Kennzeichen des
Patentanspruches 1 aufgeführten Merkmale gelöst.
Die Vorteile der Schaltung gemäß der Erfindung bestehen darin, daß
keine Notwendigkeit besteht, hochsperrende FETs zu verwenden und daß
geringe Durchlaß- und Einschaltverluste auftreten. Es wird erreicht,
daß das im Vergleich zu den langsamen integrierten Inversdioden er
heblich günstigere Verhalten schneller diskreter Dioden genutzt wer
den kann.
Die Schaltung gemäß der Erfindung wird im nachstehend beschriebenen
Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
Die dargelegten Schwierigkeiten werden nach der erfinderischen Lösung
dadurch behoben, daß anstelle der Reihendioden FETs T 1′ und T 2′ in Reihe
mit den FETs T 1 bzw. T 2 geschaltet werden, die gleichzeitig mit den
FETs T 1 bzw. T 2 angesteuert werden.
Diese Schaltung ist in der Fig. 4a dargestellt; mit D T 1′ ist die para
sitäre Inversdiode des FETs T 1′ bezeichnet, mit D T 2′ die parasitäre
Inversdiode des FETs T 2′.
Wie es die Kennlinie gemäß Fig. 4b zeigt, erhöht die Reihenschaltung
zweier (oder mehrerer) Inversdioden D T und D T ′ die Schleusenspannung
erheblich, so daß sich I D » I DT einstellt.
Im Durchlaßbetrieb der FETs T, T′ können die Verluste in T′ kleiner sein
als in der Diode D′ nach Fig. 3, da die für T′ einsetzbaren FETs sehr
geringer Sperrfähigkeit besonders niedrige Durchlaßwiderstände auf
weisen.
In der Fig. 4c ist eine Ansteuervariante für die gemein
same Ansteuerung der FETs T 1, T 1′ dargestellt, die ent
sprechend auch für die gemeinsame Ansteuerung der FETs
T 2, T 2′ Verwendung finden kann.
Für den Einsatz von FET-Schaltern bei hohen Spannungen
(U E ≳ 400 V) sind wegen der hohen Durchlaßwiderstän
de R ON und der geringen Strombelastbarkeit I Dmax hoch
sperrender FETs häufig Parallelschaltungen notwendig.
Bei solchen Parallelanordnungen wirken sich die inte
grierten Inversdioden ebenfalls schädlich aus, so daß
auch hier der Stromfluß in diesen Bauelementen in ange
gebener Weise verhindert werden muß.
Anstelle einer solchen Parallelanordnung wird in Ausge
staltung der Erfindung eine Reihenschaltung von FETs
verwendet, die so betrieben wird, daß die Reihentransi
storen T 1′, T 2′ im Aus-Zustand einen nennenswerten Anteil
von U E , z. B. ≈1/2 U E bei der Reihenschaltung von zwei FETs
mit übernehmen und die Transistoren T 1, T 2 entsprechend
entlasten. Sowohl T 1, T 2 als auch T 1′, T 2′ sind dann nur
für Teilspannungen zu bemessen. Es können niedriger sperr
fähige Bauelemente mit erhöhter Strombelastbarkeit ver
wendet werden.
Entsprechende Schaltungsanordnungen sind in Fig. 5 und
Fig. 6 dargestellt. In der Fig. 5 werden die FETs T 1
und T 1′ von je einer Treiberbaugruppe 1 a, 1 b gesteuert,
ebenso die FETs T 2 und T 2′ von je einer Treiberbaugruppe 2 a,
2 b. Ein angedeutetes Netzwerk N sorgt für die passende
Spannungsaufteilung zwischen den Reihentransistoren T 1, T 1′
und T 2, T 2′ (und eventuell weiteren Reihentransisto
ren T 1′′ . . .; T 2′′ . . .).
In der Fig. 6 ist das Netzwerk gemäß der Fig. 5 durch
eine spannungssymmetrierende Beschaltung an den Gate-An
schlüssen der FETs, die aus kleinen bzw. hochohmigen
Bauteilen besteht, ersetzt (parallel zu den Gate-Drain-
Strecken von T 1 bzw. T 2 liegt je ein Widerstand und je ein Kondensator,
parallel zu den Gates von T 1, T 1′ bzw. T 2, T 2′ zusätzlich
noch eine Diode). Es wird dann nur noch eine Treiberbau
stufe 1 für die FETs T 1 und T 1′ und eine Treiberbaustufe 2
für die FETs T 2 und T 2′ benötigt.
Mit dem Ersetzen der Parallel- durch die erläuterte Rei
hen-Schaltung wird normalerweise kein Mehraufwand an FETs
erforderlich. Nach der Literaturstelle: Hu, C. "A Parame
tric Study of Power Mosfets", IEEE Device Research Confe
rence, 1979, Denver, steigt der Durchlaßwiderstand R ON
mit der Durchbruchspannung U BR (für konstante Chipfläche)
theoretisch nach der Beziehung
R ON = k· U BR 2,5.
Hieraus folgt, daß mit dem Übergang auf eine Reihenschal
tung von Bauteilen kleinerer Sperrfähigkeit bei gleich
bleibender Gesamtbauteilanzahl sogar eine Verringerung
des Gesamtdurchlaßwiderstandes verbunden sein kann.
Claims (5)
1. Wechselrichterschaltung, bei der zwei in Reihe geschaltete rück
wärts leitfähige Leistungs-Feldeffekt-Transistor-Schalter mit je
weils diskreter antiparalleler Zusatzdiode mit einer Gleichspan
nungsquelle verbunden sind und die Last am Verbindungspunkt der
beiden Transistoren angeschlossen ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß jede Zusatz-Diode (D 1; D 2) antiparallel zu einer Reihenschal tung von Feldeffekt-Transistoren (T 1, T 1′; T 2, T 2′) geschaltet ist, und
daß als Zusatzdioden schnelle Dioden (D 1, D 2) mit sehr guten niedrigen Durchlaßkennwerten, d. h. Schleusenspannung und Ersatz widerstand, verwendet werden, wobei die Durchlaß-Spannung der schnellen Zusatzdioden (D 1; D 2) die Summe der Schleusen-Spannun gen der integrierten (parasitären) Inversdioden (D T 1, D T 1′; D T 2, D T 2′) der Feldeffekttransistoren (T 1, T 1′; T 2, T 2′) nicht erreicht.
daß jede Zusatz-Diode (D 1; D 2) antiparallel zu einer Reihenschal tung von Feldeffekt-Transistoren (T 1, T 1′; T 2, T 2′) geschaltet ist, und
daß als Zusatzdioden schnelle Dioden (D 1, D 2) mit sehr guten niedrigen Durchlaßkennwerten, d. h. Schleusenspannung und Ersatz widerstand, verwendet werden, wobei die Durchlaß-Spannung der schnellen Zusatzdioden (D 1; D 2) die Summe der Schleusen-Spannun gen der integrierten (parasitären) Inversdioden (D T 1, D T 1′; D T 2, D T 2′) der Feldeffekttransistoren (T 1, T 1′; T 2, T 2′) nicht erreicht.
2. Wechselrichterschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Feldeffekt-Transistoren (T 1, T 1′; T 2, T 2′) jeder dieser
Reihenschaltungen durch eine Treiberbaugruppe (1 und 2) gemein
sam angesteuert werden.
3. Wechselrichterschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweiten Feldeffekt-Transistoren (T 1′; T 2′) jeder solchen
Reihenschaltung derart betrieben werden, daß sie im Aus-Zustand
einen nennenswerten Anteil der Eingangsspannung (U E ) übernehmen.
4. Wechselrichterschaltung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein der passenden Spannungsaufteilung dienendes Netzwerk (N)
vorgesehen ist, das zwischen den Zuleitungen der Gleichspannungs
quelle geschaltet und mit den Verbindungspunkten der in Reihe ge
schalteten Feldeffekt-Transistoren (T 1, T 1′ bzw. T 2, T 2′), die paral
lel zur Diode (D 1 bzw. D 2) liegen, verbunden ist, und die Feld
effekt-Transistoren jeder dieser Reihenschaltungen getrennte Trei
berbaugruppen (1 a, 1 b; 2 a, 2 b) besitzen.
5. Wechselrichterschaltung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine spannungssymmetrierende Beschaltung an den Gate-Anschlüs
sen der Feldeffekt-Transistoren vorhanden ist, die aus einer Paral
lelschaltung je eines Widerstandes und eines Kondensators zu den Gate-Drain-Strecken der ersten Feldeffekt-
Transistoren (T 1; T 2) sowie der Parallelschaltung
je eines Widerstandes, eines Kondensators und
einer zusätzlichen Diode zwischen den Gates
beider Feldeffekttransistoren (T 1, T 1′ bzw. T 2, T 2′)
besteht, wobei die Feld
effekt-Transistoren (T 1, T 1′ bzw. T 2, T 2′) jeder Reihenschaltung eines
ersten und zweiten Feldeffekttransistors durch eine Treiberbau
gruppe (1 bzw. 2) gemeinsam angesteuert werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823234602 DE3234602A1 (de) | 1982-09-15 | 1982-09-15 | Wechselrichterschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823234602 DE3234602A1 (de) | 1982-09-15 | 1982-09-15 | Wechselrichterschaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3234602A1 DE3234602A1 (de) | 1984-03-22 |
DE3234602C2 true DE3234602C2 (de) | 1989-12-07 |
Family
ID=6173534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823234602 Granted DE3234602A1 (de) | 1982-09-15 | 1982-09-15 | Wechselrichterschaltung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3234602A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4410211A1 (de) * | 1994-03-24 | 1995-10-05 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last |
DE10204882A1 (de) * | 2002-02-06 | 2003-08-14 | Compact Dynamics Gmbh | Halbbrückenschaltung |
DE10335787A1 (de) * | 2003-08-05 | 2005-03-10 | Siemens Ag | Steuerbares Diodenmodul |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4649467A (en) * | 1985-07-31 | 1987-03-10 | United Technologies Corporation | High efficiency MOSFET sine wave generator |
US5202820A (en) * | 1991-12-16 | 1993-04-13 | Ford Motor Company | Saturable inductor protection circuit for inductive load driver |
DE102020201810B4 (de) * | 2020-02-13 | 2023-01-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Stromrichter-Schaltung |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2074799A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-04 | Marconi Co Ltd | Transistor inverters |
DE3032379C2 (de) * | 1980-08-28 | 1983-06-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Zweiweg-Gleichrichterschaltung |
-
1982
- 1982-09-15 DE DE19823234602 patent/DE3234602A1/de active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4410211A1 (de) * | 1994-03-24 | 1995-10-05 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last |
DE4410211B4 (de) * | 1994-03-24 | 2005-07-21 | Atmel Germany Gmbh | Schaltungsanordnung zur schaltbaren Ansteuerung einer Last |
DE10204882A1 (de) * | 2002-02-06 | 2003-08-14 | Compact Dynamics Gmbh | Halbbrückenschaltung |
DE10335787A1 (de) * | 2003-08-05 | 2005-03-10 | Siemens Ag | Steuerbares Diodenmodul |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3234602A1 (de) | 1984-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0108283B1 (de) | Elektronischer Schalter | |
DE19628131C2 (de) | Gatespannungsbegrenzung für eine Schaltungsanordnung | |
DE112017006120B4 (de) | Bootstrap-kondensator-überspannungs-überwachungsschaltung für wandler auf gan-transistorbasis | |
EP0278432B1 (de) | Brückenzweig mit Freilaufdioden | |
WO2010108292A2 (de) | Schalteinrichtung mit einer kaskodeschaltung | |
DE10344572A1 (de) | Gateansteuerungseinrichtung zur Reduktion einer Stoßspannung und einem Schaltverlust | |
DE3490296T1 (de) | Leistungsschalterkreis mit parallelen MOS-Feldeffekttransistoren | |
DE3718309A1 (de) | Schaltungsanordnung zur getakteten ansteuerung von halbleiterschaltern | |
DE102014114085B3 (de) | Ansteuerschaltung für rückwärtsleitfähige IGBTs | |
DE3234602C2 (de) | ||
DE3741394A1 (de) | Schaltungsanordnung zum schutz vor verpolungsschaeden fuer lastkreise mit einem mos-fet als schalttransistor | |
EP0743126B1 (de) | Lichtbogenschweissgerät mit verbesserter Dynamik | |
DE19606100C2 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Leistungs-MOSFET mit sourceseitiger Last, insbesondere geeignet für die Verwendung im Kraftfahrzeugbereich | |
DE68926147T2 (de) | Mit einer begrenzten Anzahl von Bauteilen aufgebaute Schaltungsvorrichtung zum gleichzeitigen Leitendschalten einer Vielzahl von Leistungstransistoren | |
DE102008035075A1 (de) | Schalteinrichtung und Schaltungsanordnungen zum Schalten bei einer hohen Betriebsspannung | |
DE4313882C1 (de) | Halbleiterrelais zum Schalten einer Wechselstromlast | |
DE19726765C2 (de) | Gatespannungsbegrenzung für eine Schaltungsanordnung | |
DE3727948A1 (de) | Flip-flop-schaltung | |
DE3229426C2 (de) | Reihenschaltung zweier Leistungs-Halbleiterschalter | |
DE3880621T2 (de) | Spannungsbegrenzungsschaltung fuer leistungstransistor und wechselrichter. | |
DE4439301C1 (de) | Schaltungsanordnung mit einem Gate-gesteuerten Haupt- und einem Gate-gesteuerten Hilfsschalter | |
DE3303103A1 (de) | Leistungs-halbleitermodul und verfahren zu seiner ansteuerung | |
DE4127706C2 (de) | Verfahren zur Vermeidung von Kommutierungsstörungen bei im Gegentakt gesteuerten Leistungs-MOSFET-Transistoren | |
EP0600179A2 (de) | Leistungshalbleiter-Schaltungsanordnung | |
EP3462614A1 (de) | Optimierte kaskodenstrukturen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8120 | Willingness to grant licenses paragraph 23 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |