DE4403932C2 - Magnetoresistive Sensoreinrichtung mit einem magnetisch anisotropen Sensorteil - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine magnetoresistive Sen­ soreinrichtung mit einem magnetisch anisotropen, eine Vor­ zugsachse der Magnetisierung aufweisenden Sensorteil, der eine bezüglich eines zu erfassenden äußeren Magnetfeldes auszurichtende flächenhafte Oberseite hat.

Eine solche Sensoreinrichtung ist aus dem Buch "Sensors", Vol. 5: Magnetic Sensors, Hrsg. R. Boll und K. J. Overshott VCH- Verlagsgesellschaft, Weinheim (DE), 1989, Seiten 343 bis 378, insbesondere Seiten 350 bis 353 bekannt.

Bei einer magnetoresistiven Sensoreinrichtung wird die Anisotropie des Magnetowiderstandes ihres magnetisch anisotropen, häufig schichtförmigen Sensorteils ausge­ nutzt. Dieser Sensorteil weist einen Magnetisierungsvektor FA## in einer vorgegebenen Richtung auf, welche im allge­ meinen die Hauptausdehnungsrichtung des Sensorteils ist und beispielsweise im Falle eines schichtförmigen Sensor­ teils in der Schichtebene liegt. Der spezifische Wider­ stand RHO eines solchen, von einem Strom durchflossenen Sensorteils ist abhängig von dem Winkel PHI zwischen dem Magnetisierungsvektor M und dem Stromvektor I:

RHO(PHI) = RHO_V + RHO . cos²(PHI)
RHO = RHO_P - RHO_V.

Dabei sind RHO_V = RHO(PHI = 90°) der isotrope Anteil des spezifischen Widerstandes und Δ RHO = RHO_P - RHO_V mit RHO_P = RHO(PHI = 0°) die Änderung des Widerstandes beim Drehen des Magnetisierungsvektors FA## um 90° aus der Richtung des Stromes I. Das Verhältnis Δ RHO/ROH_V nennt man den aniso­ tropen magnetoresistiven Effekt des entsprechenden Mate­ rials, der bis zu einige Prozent betragen kann. Ein äuße­ res Magnetfeld mit einer Komponente H_s senkrecht zum Magnetisierungsvektor M dreht nun den Magnetisierungs­ vektor M und verändert damit den Winkel PHI zwischen dem Magnetisierungsvektor M und dem Strom I. Die daraus re­ sultierende Widerstandsänderung von RHO(PHI) stellt ein Maß für die Größe der Magnetfeldkomponente H_s dar (vgl. "Sensors", siehe oben, Seiten 343 und 344).

In einem Meßbereich um PHI = ± 45° und PHI = ± 135° ist die Kennlinie des Sensorteils in guter Näherung jeweils li­ near. Bei den Winkeln PHI = -45° und PHI = +135° ist die Steigung der Kennlinie positiv und bei PHI = +45° und PHI = -135° negativ. Zum Linearisieren stellt man daher den Winkel PHI zwischen dem Magnetisierungsvektor M und dem Stromvektor I auf einen dieser Werte ein, wenn kein äußeres Magnetfeld mit der Komponente H_s vorhanden ist.

Einen entsprechenden Aufbau zeigt ein sogenannter Barber- Pole-Sensor. Dieser Sensor enthält als magnetisch und geometrisch anisotropen Sensorteil einen in Längsrichtung magnetisierten Streifen aus der NiFe-Legierung "Permalloy" mit einer Länge l, einer Breite w und einer Dicke d, wobei 1 < w << d gilt. Auf diesem Streifen sind schmale Strei­ fenleiter aus einem elektrisch gut leitenden Material wie Au unter einem Winkel von β = +45° oder β = -45° zur Magne­ tisierung M des Streifens angeordnet. Beim Anlegen einer Spannung an den Längsenden des Streifens bildet sich zwischen den Streifenleitern in dem magnetoresistiven Streifen ein Stromfluß I aus, der im wesentlichen senk­ recht zu den Streifenleitern und damit je nach Polung der Spannung unter einem Winkel PHI = β +90° oder PHI = β -90° zur Magnetisierung M verläuft.

Im Idealfall ist der Permalloy-Sensorteil einer solchen Sensoreinrichtung uniform magnetisiert. Es zeigt sich jedoch, daß diese Magnetisierungsverteilung im allgemeinen nicht sehr stabil ist, weil die Konfiguration einen Zu­ stand mit hoher magnetostatischer Energie darstellt. Klei­ ne Störfelder, vor allem parallel zum Magnetisierungsvek­ tor M können dazu führen, daß eine Umwandlung zu einem stabilen Domänenzustand stattfindet. Solche Domänen haben zur Folge, daß eine quer zur Magnetisierungsrichtung gerichtete Magnetfeldkomponente kein oder nur ein ver­ mindertes Signal hervorruft. Man ist deshalb bestrebt, die erwünschte uniforme Magnetisierungsverteilung zu stabilisieren.

Hierzu ist in der EP 0 279 535 A1 vorgeschlagen, die magnetisch anisotrope Meßschicht aus Permalloy einer als Barber-Pole gestalteten magnetoresistiven Sensoreinrich­ tung über den eigentlichen Meßbereich hinaus in Form von zipfelartigen Endstücken auslaufen zu lassen. In einem solchen zipfelartigen Endstück wird die durch ein Magnet­ feld hervorgerufene Magnetisierung entlang der Bisetrix des Zipfelwinkels gezwungen. Der Rest der Magnetisierung im zipfelartigen Endstück wird sich danach ausrichten, und es entsteht eine Verteilung der Magnetisierung, die parallel zur Symmetrieachse des Meßelements ausge­ richtet ist. Weiter entfernt von dem zipfelartigen End­ stück hat das Magnetfeld in der Meßschicht die entgegen­ gesetzte Richtung und neigt hier dazu, die Magnetisierung zu destabilisieren. Diese Destabilisierung tritt aber we­ gen des Anisotropiefeldes vorerst in dem mittleren Teil der Meßschicht nicht auf. Am Rande des Ladungsbereiches heben sich die Anisotropie und das entmagnetisierende Feld gegenseitig auf, und es entsteht ein periodisches Muster von Neel'schen Domänenwänden. Diese Wände erzeugen ein die ursprüngliche Magnetisierung stabilisierendes Feld. Wenn nun ein äußeres Magnetfeld der Magnetisierung entgegenge­ setzt gerichtet vorliegt, wird sich der Neel'sche Wandbe­ reich ausbreiten und zur Mitte der Meßschicht hin bewegen. Auf diese Weise wird die Magnetisierungsverteilung in dem Meßbereich beeinträchtigt. Eine weitere Erhöhung des Fel­ des führt dann zu einer weiteren Beeinträchtigung und so­ gar zum Umklappen der Magnetisierung in dem Mittenbereich.

Eine weitere Möglichkeit der Festlegung der Magnetisierung an den stirnseitigen Endstücken eines magnetoresistiven Meßelements geht aus "IEEE Trans. Magn.", Vol. 25, No. 5, Sept. 1989, Seiten 3692 bis 3694 hervor. Bei der bekann­ ten Sensoreinrichtung ist an diesen stirnseitigen End­ stücken des Meßelements jeweils eine Schicht aus einem antiferromagnetischen Material wie z. B. aus einer Fe-Mn- Legierung aufgebracht. Durch Erhitzen dieses Aufbaus über die Neel-Temperatur des antiferromagnetischen Materials in einem Magnetfeld und durch anschließendes Wiederabkühlen wird in den stirnseitigen Endstücken eine Magnetisierung mit einer Vorzugsrichtung, eine sogenannte Grundeinstell­ richtung, eingeprägt.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, im Meßbereich der Sensoreinrichtung den Effekt sowohl des entmagnetisie­ renden Feldes wie auch der unerwünschten äußeren Magnet­ feldkomponente parallel oder antiparallel zur Grundein­ stellrichtung der Magnetisierung im Meßbereich zumindest weitgehend zu kompensieren. Außerdem soll die Magnetisie­ rung weiter stabilisiert sein.

Diese Aufgabe wird mit den in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.

Da die Fläche der Kompensationsschicht zumindest in senk­ rechter Richtung bezüglich der Hauptausdehnungsrichtung bzw. der Grundeinstellrichtung der Magnetisierung des feldsensitiven Sensorteils über die Ränder der Unterseite dieses Sensorteils hinausragt, wird vorteilhaft die Ver­ drehung der Magnetisierung durch die Meßfeldkomponente nur wenig beeinträchtigt, während die Störkomponente parallel zur Grundeinstellrichtung der Magnetisierung zumindest weitgehend kompensiert wird.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Sensoreinrichtung nach der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird nachfolgend auf die schematische Zeichnung Bezug genommen, in deren Fig. 1 ein Sensorteil in einem äußeren Magnetfeld ver­ anschaulicht ist. Die Fig. 2 und 3 zeigen als Auf- bzw. Seitenansicht eine erfindungsgemäße Sensoreinrich­ tung mit einem solchen Sensorteil. Aus den Fig. 4 und 5 sowie 6 und 7 gehen zwei weitere Ausführungsformen von erfindungsgemäßen Sensoreinrichtungen jeweils in Auf- bzw. Seitenansicht hervor. In Fig. 8 ist eine andere erfindungsgemäße Sensoreinrichtung mit mehreren Sensor­ teilen dargestellt. In den Figuren sind sich entsprechende Teile mit denselben Bezugszeichen versehen.

Fig. 1 zeigt die Aufsicht auf einen beliebigen, flächen­ haft ausgebildeten magnetoresistiven Sensorteil 2, der einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung zugrundezulegen ist. Dieser Sensorteil hat insbesondere eine ebene, gege­ benenfalls aber auch gekrümmte, flächenhafte Oberseite 3. Er kann in an sich bekannter Weise, beispielsweise gemäß der genannten EP 0 279 535 A1 nach Art eines Barber-Pole gestaltet sein. Ebensogut sind jedoch auch andere Aus­ führungsformen von flächenhaften magnetoresistiven Sen­ sorteilen für eine erfindungsgemäße Sensoreinrichtung geeignet. Gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel hat der Sensorteil 2 eine Streifenform, wobei seine Hauptausdeh­ nungsrichtung in die x-Richtung eines in der Fläche der Oberseite 3 liegenden x-y-Koordinatensystems weist. In dieser Richtung gesehen endet der feldsensitive Bereich des Sensorteils 2 gemäß der dargestellten Ausführungs­ form in zipfelartigen Endstücken 2a und 2b (vgl. die ge­ nannte EP 0 279 535 A1). Statt solcher zipfelartigen End­ stücke oder auch zusätzlich zu diesen können die stirn­ seitigen Endstücke auch mit antiferromagnetichem Material gemäß dem sogenannten "Exchange Biasing" überdeckt sein (vgl. die genannte Literaturstelle aus "IEEE Trans. Magn.", Vol. 25). Der Sensorteil 2 hat so eine magnetische Anisotropie, wobei die Richtung der Magnetisierung M ins­ besondere in die Hauptausdehnungsrichtung (x-Richtung) des Sensorteils weist. Die entsprechende Grundeinstellung der Magnetisierung kann auch in anderer Weise, beispielsweise durch eine Materialanisotropie erreicht werden.

Der Sensorteil 2 besitzt deshalb senkrecht zu dieser Grundeinstellrichtung seine größte Sensitivität bzgl. eines äußeren, zu erfassenden Magnetfeldes H. Von diesem äußeren Magnetfeld H wird somit die senkrecht zur Magne­ tisierung M, in y-Richtung weisende, in der Ebene der Oberseite 3 verlaufende Komponente H_s mit der größten Sen­ sitivität detektiert. Die parallel zur Magnetisierung M in x-Richtung weisende Komponente H_p des äußeren Magnet­ feldes H stellt hingegen eine das Meßergebnis gegebenen­ falls verfälschende Störkomponente dar, die erfindungsge­ mäß zumindest weitgehend zu kompensieren ist. Hierzu soll vorgesehen werden, daß auf der der Oberseite 3 gegenüber­ liegenden Unterseite des Sensorteils 2 parallel zu dieser eine magnetisch isotrope Kompensationsschicht aus weich­ magnetischem Material angeordnet wird, welche eine Fläche mit Abmessungen einnehmen soll, die zumindest senkrecht bezüglich der Grundeinstellrichtung der Magnetisierung, also zumindest in y-Richtung größer als die entsprechenden Abmessungen der Unterseite des feldsensitiven Sensorteils sind. Ein entsprechendes Ausführungsbeispiel einer solchen Sensoreinrichtung geht aus den Fig. 2 und 3 hervor.

Die in den Fig. 2 und 3 schematisch als Aufsicht bzw. als Seitenansicht auf einen Querschnitt veranschaulichte Sensoreinrichtung nach der Erfindung ist allgemein mit 6 bezeichnet. Sie enthält ein an sich bekannten, beispiels­ weise als Barber-Pole ausgeführten, flächenhaften Sensor. Dieser Sensor weist eine Meßschicht als feldsensitiven Sensorteil 2 auf. Auf der Meßschicht ist mittels einer Haftschicht 7 ein für einen Barber-Pole typisches Strei­ fenmuster 8 aus einem elektrisch gut leitenden Material wie z. B. aus Gold angeordnet. In der Aufsicht der Fig. 2 sind die Ränder der Meßschicht 2 in deren zipfelartigen Endstücken 2a und 2b durch eine gestrichelte Linie veran­ schaulicht. Parallel zur Unterseite 10 des Sensorteils 2 bzw. der Meßschicht befindet sich eine Kompensations­ schicht 11, die bezüglich der Unterseite durch eine dünne elektrische Isolationsschicht 12 beabstandet ist. Die Oberseite 3 der Meßschicht 2 habe eine Ausdehnung L_m in Längsrichtung x eines x-y-Koordinatensystems und eine ver­ gleichsweise geringere, in y-Richtung weisende Breite B_m. Erfindungsgemäß soll nun zumindest die Breite B_k der Kom­ pensationsschicht 11 in y-Richtung größer als die ent­ sprechende Abmessung der Meßschicht 2 sein. Dabei wird vorgesehen, daß B_k ≧ 2 . B_m, vorzugsweise ≧ 3 . B_m ist. Im Falle einer Ausführungsform mit antiferromagnetischem Material an den Endstücken wird vorteilhaft auch die Länge L_k in x-Richtung größer, insbesondere um mindestens 10% größer gewählt als die Länge L_m. Beispielsweise können die Schichtdicken D_m und D_k der Meßschicht 2 bzw. der Kompen­ sationsschicht 11 in derselben Größenordnung, insbesondere jeweils unter etwa 0,03 µm liegen. Dann wird der Magnet­ fluß in der Meßschicht über die Kompensationsschicht ge­ schlossen. Dies hat zur Folge, daß entmagnetisierende, parallel zur Richtung der Magnetisierung M gerichtete Feldkomponenten in der Meßschicht deutlich reduziert wer­ den.

Ferner wird die Kompensationsschicht 11 nicht von dem magnetischen Fluß in der Meßschicht 2 gesättigt. Wird ein äußeres Magnetfeld H_p parallel zur x-Richtung angelegt, dann wird nämlich in erster Linie die Magnetisierungsver­ teilung in der Kompensationsschicht 11 davon betroffen sein. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn das Magnetfeld H_p parallel zur Grundeinstellrichtung der Magnetisierung M in der Meßschicht 2 gerichtet ist. Diese Schicht ist gesättigt, während in der Kompensationsschicht 11 eine Umwandlung der Magnetisierung erfolgt, die so ein entmagnetisierendes Feld hervorruft, welches das angelegte Feld in der Kompensationsschicht 11 aufhebt. Dieses ent­ magnetisierende Feld wird aber auch fast unverändert die Meßschicht 2 erfassen und bewirkt auch hier eine Kompensa­ tion. Diese Kompensation ist nur solange wirksam, wie die Kompensationsschicht nicht gesättigt ist. Der Wert der Sättigungsmagnetisierung liegt relativ hoch wegen der ver­ hältnismäßig großen Breite B_k der Kompensationsschicht 11. Zu einer weiteren Erhöhung der Sättigungsmagnetisierung in der Kompensationsschicht 11 kann man für diese Schicht eine höhere Magnetisierung oder eine größere Dicke D_k vor­ sehen. Auch wenn ein äußeres Magnetfeld in die Gegenrich­ tung angelegt wird, wird die Kompensationsschicht 11 domi­ nieren. Es gibt hierfür zwei Gründe, nämlich

• 1. wegen der Fixierung der Magnetisierung in der Meß­ schicht durch die Ausbildung der zipfelartigen End­ stücke 2a und 2b und
• 2. wegen der verhältnismäßig geringen Breite B_m der Meßschicht im Vergleich zu der Breite B_k der Kompen­ sationsschicht.

Es ist zu erwarten, daß wegen des Vorhandenseins der Kom­ pensationsschicht 11 die Empfindlichkeit einer Sensorein­ richtung verringert wird. Nimmt man z. B. an, daß die Dicken D_m und D_k sowie die Breiten B_m und B_k jeweils gleich sind und die Dicke D_i der Isolationsschicht 12 sehr klein ist, dann wird die Empfindlichkeit für ein zu detek­ tierendes äußeres Feld H_s (in y-Richtung) bei gleicher Magnetisierung von Meß- und Kompensationsschicht um etwa einen Faktor 2 kleiner. Auch bei der in den Fig. 2 und 3 gezeigten Ausführungsform der Sensoreinrichtung 6 ist eine Empfindlichkeitsabnahme für Feldverhältnisse zu er­ warten, bei denen die Kompensationsschicht 11 noch nicht magnetisch gesättigt ist. Jedoch wird vorteilhaft wegen der kleineren D_k/B_k- und L_k/B_k-Verhältnisse die magneti­ sche Sättigung der Kompensationsschicht 11 bereits bei verhältnismäßig niedrigen Feldstärken des zu erfassenden Magnetfeldes erreicht.

Aus den Fig. 4 und 5 ist eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung in den Fig. 2 bzw. 3 entsprechender Darstellung ersichtlich. Dabei unterscheidet sich die Sensoreinrichtung 15 von der Sen­ soreinrichtung 6 nach den Fig. 2 und 3 im wesentlichen nur dadurch, daß die Länge L_k' ihrer Kompensationsschicht 17 etwas geringer gewählt worden ist als die Länge L_m der Meßschicht bzw. des Sensorteils 2. In diesem Fall bleibt die Fixierung der Magnetisierung in den zipfelartigen End­ stücken 2a und 2b der Meßschicht 2 unbeeinträchtigt. Dann ist es vorteilhaft, die Kompensationsschicht 17 in ein Substrat 18 zu versenken. Mit dieser Maßnahme sind zwei Vorteile verbunden:

• 1. treten praktisch keine zusätzlichen Streufelder in der Meßschicht auf und
• 2. sind Goldkontakte eines Streifenmusters 8 auf der Meß­ schicht 2 verhältnismäßig einfach zu realisieren.

Die Fig. 6 und 7 zeigen eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung 25 in einer der Fig. 2 bzw. 3 entsprechenden Darstellung. Wie aus den Fig. 6 und 7 hervorgeht, sind die mit 2c und 2d be­ zeichneten Endstücke eines magnetoresistiven Sensorteils bzw. einer Meßschicht 2 von Schichtteilen 26a bzw. 26b aus einem antiferromagnetischen Material gemäß der genannten Literaturstelle aus "IEEE Trans. Magn.", Vol. 25 abge­ deckt. Zwei Anschlußstreifen aus Gold sind mit 27a und 27b bezeichnet.

Bei einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung wird von der Kompensationsschicht 11 bzw. 17 verhältnismäßig viel Sen­ soroberfläche in Anspruch genommen. Gegebenenfalls kann man deshalb die Fläche der Kompensationsschicht für wei­ tere Sensorteile bzw. Meßschichten nutzen. Einen entspre­ chenden Aufbau zeigt Fig. 8 schematisch als Aufsicht. Bei der dort dargestellten Sensoreinrichtung 20 sind auf einer Kompensationsschicht 21 drei Sensorteile 22a, 22b und 22c in einer Mäanderform mittels eines Goldstreifens 24 hin­ tereinandergeschaltet.

Eine weitere Möglichkeit der erfindungsgemäßen Ausbildung einer Sensoreinrichtung mit mehreren Sensorteilen auf einer gemeinsamen Kompensationsschicht wäre die Anordnung dieser Sensorteile zu einer Wheatstone'schen Brückenschal­ tung.

Bei den in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen von erfindungsgemäßen Sensoreinrichtungen wird davon aus­ gegangen, daß den streifenförmigen Sensorteilen (Meß­ schichten) eine Materialanisotropie in Längsrichtung des jeweiligen Sensorteils aufgeprägt wird. Bei fehlendem äußeren Magnetfeld wird dann die Magnetisierung M übli­ cherweise parallel zur Längsrichtung verlaufen. Dies ist nicht nur eine Folge der Materialanisotropie, sondern auch bedingt durch eine magnetostatische Wirkung des Randes der Meßschicht, der eine zum Rand parallele Magnetisierungs­ orientierung bewirkt. In dem länglichen Sensorteil trägt dies zur gewünschten Ausrichtung des Magnetisierung bei. Eine Ausrichtung der Magnetisierung parallel zum Rand läßt sich noch folgendermaßen zusätzlich unterstützen:

Die Meßschicht ist auf einer Unterlage angeordnet, wobei die Kristallgitter der Schicht bzw. der Unterlage nicht völlig aneinander angepaßt sind. Diese Fehlanpassung führt zunächst zu einer isotropen Zug- oder Druckspannung in der Ebene der Meßschicht. Am Rande hingegen werden die symme­ trischen Verhältnisse unterbrochen. Wenn z. B. weit weg vom Rand Zugspannung in der Meßschicht vorliegt, wird diese Zugspannung senkrecht zum Rand relaxieren. Es wird sich so eine Vorzugsachse der Magnetisierung entlang des Randes bilden, wenn die Magnetostriktionskonstante ein positives Vorzeichen hat. Ein negatives Vorzeichen ist erwünscht, wenn Druckspannungen in der Meßschicht wegen Fehlanpas­ sungen vorliegen. Bei Sensoreinrichtungen mit Sensorteilen in Form von Barber-Poles können diese Fehlanpassungen zu Anisotropien schräg zur Längsrichtung der jeweiligen Sen­ sorteile führen. An den Rändern der elektrischen Streifen­ leiter 8 z. B. aus Gold werden dann Spannungen sowohl in diesen Streifenleitern wie auch in der darunterliegenden Meßschicht relaxieren und zu einer schrägen lokalen An­ isotropie führen. Häufig rühren solche Spannungen von der Haftschicht 7 zwischen Gold und der Meßschicht her. In diesem Fall kann man diese Anisotropien beheben, indem man die Haftschicht 7 nicht gemäß den in den Fig. 2 und 4 gezeigten Seitenansichten entsprechend dem Streifenmuster 8 unterbricht, sondern über die gesamte Ausdehnung dieses Streifenmusters durchgehend gestaltet. Weil die Haft­ schicht ein Kurzschluß der Meßschicht darstellen würde, müssen selbstverständlich ihre elektrische Leitfähigkeit und ihre Dicke genügend gering sein.

Claims (13)

1. Magnetoresistive Sensoreinrichtung mit einem eine Grundeinstellung der Magnetisierung aufweisenden Sensor­ teil, der eine bezüglich eines zu erfassenden Magnetfeldes auszurichtende flächenhafte Oberseite hat, dadurch gekennzeichnet, daß auf der der Oberseite (3) gegenüberliegenden Unterseite (10) des Sensorteils (2; 22a bis 22c) parallel zu dieser eine Kompensationsschicht (11, 17, 21) aus weichmagnetischem Material angeordnet ist, deren Abmessung (B_k) zumindest senkrecht bezüglich der Grundeinstellungsrichtung der Magnetisierung (M) größer als die entsprechende Abmessung (B_m) des Sen­ sorteils ist.

2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die senkrechte Abmessung (B_k) der Kompensationsschicht (11, 17, 21) mindestens 2-mal, vorzugsweise mindestens 3-mal größer ist als die entsprechende Abmessung des jeweils zugeordneten Sensor­ teils (2, 22a bis 22c).

3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekenn­ zeichnet durch eine Einprägung der Grundeinstel­ lung der Magnetisierung (M) mittels einer Materialaniso­ tropie oder einer Formanisotropie oder einer entsprechend magnetisierten Hilfsschicht.

4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die Ab­ messung (L_k) der Kompensationsschicht (17) parallel zur Richtung der Grundeinstellung der Magnetisierung (M) kleiner als die entsprechende Abmessung (L_m) des Sensorteils (2) ist.

5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß auch die Abmessung (L_k) der Kompensationsschicht (11, 21) parallel zur Richtung der Grundeinstellung der Magneti­ sierung (M) größer als die entsprechende Abmessung (L_m) des Sensorteils (2; 22a bis 22c) ist.

6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß der Sensorteil (2; 22a bis 22c) streifenartig ausgebildet ist.

7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß die Grund­ einstellung der Magnetisierung (M) in die Hauptausdehnungs­ richtung des Sensorteils (2; 22a bis 22c) weist.

8. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Grundeinstellung der Magnetisierung (M) festlegende Endstücke (2a, 2b) des Sensorteils (2; 22a bis 22c) zipfelartig ausgebildet sind.

9. Einrichtung nach Anspruch 3 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß zur Grundeinstellung der Magnetisierung (M) Endstücke (2c, 2d) des Sensorteils (2; 22a bis 22c) jeweils mit einem Schichtteil (26a bzw. 26b) aus einem antiferromagnetischen Material versehen sind.

10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da­ durch gekennzeichnet, daß der Sen­ sorteil (2; 22a bis 22c) als Barber-Pole gestaltet ist.

11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Meßschicht des Sensorteils (2; 22a bis 22c) mittels einer Haftschicht (7) ein Streifenmuster (8) aus einem elektrisch gut lei­ tenden Material aufgebracht ist, wobei die Haftschicht durchgehend unter dem Streifenmuster ausgebildet ist.

12. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, da­ durch gekennzeichnet, daß einer Kompensationsschicht (21) mehrere Sensorteile (22a bis 22c) zugeordnet sind.

13. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, da­ durch gekennzeichnet, daß die Kom­ pensationsschicht (17) in einem Substrat (18) versenkt an­ geordnet ist.