DE9312674U1 - Magnetoresistiver Sensor - Google Patents
Magnetoresistiver SensorInfo
- Publication number
- DE9312674U1 DE9312674U1 DE9312674U DE9312674U DE9312674U1 DE 9312674 U1 DE9312674 U1 DE 9312674U1 DE 9312674 U DE9312674 U DE 9312674U DE 9312674 U DE9312674 U DE 9312674U DE 9312674 U1 DE9312674 U1 DE 9312674U1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- field
- longitudinal direction
- equilibrium
- magnetization
- axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 14
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010615 ring circuit Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
G 3 4 5 1 DE
Magnetoresistiver Sensor
Die Erfindung betrifft einen magnetoresistiven Sensor gemäß
dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
5
5
Magnetoresistive Sensoren (MR-Sensoren) messen Magnetfelder und enthalten im allgemeinen ein streifenförmiges magnetoresistives
Dünnschichtelement (MR-Element) aus einem ferromagnetischen Übergangsmetall, das einen anisotropen Magnetowiderstand
(AMR) aufweist. Das MR-Element wird über Elektroden mit einem elektrischen Strom I einer konstanten Richtung
versorgt. Die Widerstandsänderung des MR-Elements ist abhängig von dem Winkel &phgr; zwischen der Magnetisierung M des MR-Elements
und dem Strom I und gehorcht im wesentlichen einer cos2(&phgr;)-Abhängigkeit. Bei &phgr; = 0° oder &phgr; = 180°, d.h. bei
einer parallelen bzw. antiparallelen Ausrichtung der Magnetisierung M und des Stromes I , ist die Widerstandsänderung
des MR-Elements null, so daß sein Widerstand dem normalen isotropen ohmschen Widerstand entspricht, und bei &phgr; = ± 90°,
0 d.h. bei einer orthogonalen Ausrichtung der Magnetisierung M und des Stromes I , ist die Widerstandsänderung gegenüber dem
normalen isotropen Widerstand am größten. In einem Bereich um &phgr; = ± 45° ist die Widerstandsänderung weitgehend linear
vom Winkel &phgr; abhängig und die Empfindlichkeit des Sensors am größten. Die Magnetisierung M des MR-Elements richtet sich
ohne äußere Magnetfelder entlang einer Gleichgewichtslage niedrigster Energie aus, die von der Geometrie des Streifens
abhängt und als Ruhe- oder Gleichgewichtsmagnetisierung Mg bezeichnet wird. Ein äußeres Magnetfeld mit einer Meßfeldkomponente
Hjj senkrecht zur Magnetisierung M dreht nun die Magnetisierung
M aus ihrer Gleichgewichtslage und verursacht dadurch eine Widerstandsänderung in dem MR-Element, die als
Meßsignal erfaßt werden kann.
In zwei bekannten Ausführungsformen ist die Stromrichtung des
Stroms I parallel zur Längsrichtung des MR-Elements gerichtet. In einer ersten dieser beiden Ausführungsformen ist das
S3 G 3 * 5 1 OE
MR-Element mit einer Vorzugsachse versehen, die parallel zur
Längsrichtung des MR-Elements verläuft. Man erhält in dieser
Ausführungsform eine weitgehend quadratisch vom Meßfeld HM
abhängende Sensorkennlinie. In einer zweiten Ausführungsform
ist die Vorzugsachse unter einem Winkel von 45° zur Längsrichtung des MR-Elements gerichtet. Dieser MR-Sensor zeichnet
sich durch eine weitgehend lineare Kennlinie aus.
Es ist noch eine weitere Möglichkeit bekannt, eine lineare Kennlinie zu erreichen. Dabei wird die Richtung der Vorzugsachse
und damit der Gleichgewichtsmagnetisierung Mq parallel
zur Längsrichtung eingestellt , und die Stromrichtung des Stromes I wird gegen diese Vorzugsachse gedreht. Dies wird
bewerkstelligt durch das Aufbringen von dünnen Leiterstreifen aus einem elektrisch gut leitenden Metall wie Gold auf das
MR-Element, die alle unter einem Winkel von ±45° gegen die Längsrichtung des MR-Elements geneigt sind. Der Strom I
fließt dann in dem MR-Element zwischen diesen Leiterstreifen im wesentlichen unter einem Winkel von -45° bzw. +45° zur
0 Längsrichtung und damit zur Gleichgewichtsmagnetisierung Mq .
Solche MR-Sensoren werden als Barber-pole-Sensoren bezeichnet (BoIl und Overshott, "Sensors, Vol.5 Magnetic Sensors"
(1989) , Seiten 350-355) .
Im allgemeinen wird das MR-Element zur Stabilisierung der Sensorkennlinie in einem äußeren Biasfeld Hg angeordnet ist.
Bei den beiden erstgenannten Ausführungsformen mit einfachen
MR-Elementen ist das Biasfeld Hg entweder senkrecht oder parallel
zur Vorzugsachse des MR-Elements gerichtet. Es hat sich bei der Ausführungsform mit einer um ±45° zur Längsrichtung
geneigten Vorzugsachse gezeigt, daß bei einem senkrecht zur Vorzugsachse eingestellten Biasfeld HB die Meßempfindlichkeit
für ein senkrecht zum Biasfeld Hg angelegtes Meßfeld Hjj deutlich
größer ist als bei einem parallel zur Vorzugsachse gerichteten Biasfeld HB ("Phys. stat. sol. (a)", Band 60, 1980,
Seiten 467-473).
G 3 4 5 1 DE
Bei Barber-pole-Sensoren ist hingegen das Biasfeld Hg immer
parallel zur Vorzugsachse und damit zur Längsrichtung gerichtet (BoIl und Overshott, "Sensors, Vol.5 Magnetic Sensors"
(1989), Seiten 350-355).
5
5
Die bekannten MR-Sensoren haben eine Richtung maximaler Meßempfindlichkeit.
Der MR-Sensor spricht also auf eine MeSfeldkomponente eines äußeren Magnetfelds in dieser
Richtung am empfindlichsten an.
Gemäß der mit den Merkmalen des Anspruchs 1 beanspruchten Erfindung
wird eine alternative Ausführungsform eines magnetoresistiven
Sensors mit wenigstens einem MR-Element angegeben, bei der insbesondere die Richtung maximaler Meßempfindlichkeit
für eine beliebig vorgegebene Vorzugsachse des MR-EIements
in einer beliebig vorgegebenen Richtung eingestellt werden kann.
Vorteilhafte Ausgestaltungen gemäß der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in deren
FIG. 1 ein Ausführungsbeispiel eines MR-Sensors ohne äußere Felder und
FIG. 2 und 3 jeweils eine Ausführungsform eines MR-Sensors
mit einem in einem Biasfeld angeordneten MR-Element jeweils in einer Draufsicht schematisch dargestellt sind. Einander
entsprechende Teile sind mit denselben Bezugszeichen verse-0 hen.
In der Ausführungsform des MR-Sensors gemäß FIG.l sind ein
MR-Element mit 2, seine Längsrichtung mit x, seine Länge mit 1, seine Breitenrichtung mit y und Breite mit w, seine Vor-5
zugsachse mit A, der von der Vorzugsachse A und der Längsrichtung eingeschlossene Winkel mit &agr;, ein Anisotropiefeld
mit 1% , der von diesem Anisotropiefeld Hj^ und der Längsrich-
S 3 &eegr; 5 &iacgr; DE
tung eingeschlossene Winkel mit K, ein sich durch die Projektion dieses Anisotropiefeldes H^ auf die Vorzugsachse A ergebendes
Drehmomentfeld mit H^, ein senkrecht zur Längsrichtung
gerichtetes entmagnetisierendes Feld mit H^, ein charakteristisches
Feld mit Hg, eine Gleichgewichtsmagnetisierung mit Mq und eine Achse maximaler Meßempfindlichkeit mit D bezeichnet.
Alle betrachteten Richtungen, Achsen und Felder liegen dabei in einer durch die x-Richtung und die y-Richtung
aufgespannten Schichtebene des MR-Elements 2.
Das MR-Element 2 besteht aus einem mit einer permanenten Magnetisierung
M magnetisierten magnetoresistiven Material, vorzugsweise einem ferromagnetisehen Übergangsmetall wie Eisen
(Fe) oder Nickel (Ni) oder einer Legierung aus solchen Metallen wie beispielsweise einer NiFe-Legierung und ist vorzugsweise
streifenförmig ausgebildet. In das MR-Element 2 ist die Vorzugsachse A eingeprägt, die unter einem beliebigen
Winkel &agr; zur Längsrichtung (x-Achse) geneigt sein kann. Die Vorzugsachse A entspricht einer Stabilitätslage geringster
0 magnetischer Energie, in der auf die Magnetisierung M des MR-Elements 2 kein Drehmoment mehr wirkt. Die Länge 1 des MR-Elements
2 ist größer als seine Breite w. Vorzugsweise ist auch die nicht dargestellte Dicke t des MR-Elements 2 kleiner
gewählt als seine Breite w. Die Länge 1 des MR-Elements 2 wird vorzugsweise zwischen 200|im und 3000&mgr;&tgr;&eegr;, die Breite w
vorzugsweise zwischen 50&mgr;&idiagr;&eegr; und 500|±m und die Dicke t
vorzugsweise zwischen 15nm und lOOnm gewählt. Bei vorgegebenen geometrischen Abmessungen des MR-Elements 2,
d.h. bei Vorgabe von Länge 1, Breite w und Dicke t bei einem 0 streifenförmigen MR-Element 2, und einer vorgegebenen
Anxsotropiekonstanten K der Vorzugsachse A stellen sich die Magnetisierung M und das entsprechende parallel zur Magnetisierung
M gerichtete Anisotropiefeld H^ in dem MR-Element 2
ohne äußere Felder in einer Gleichgewichtsrichtung ein, die im allgemeinen zwischen der Vorzugsachse A und der
Längsrichtung liegt. Der Winkel K des Anisotropiefeldes Hj^
zur Längsrichtung ist somit im allgemeinen betragsmäßig
kleiner als der Winkel &agr; der Vorzugsachse A zur Längsrichtung. Die Feldstärke H^ des Anisotropiefeldes H^ ist
gleich 2K/Mg mit der Sättigungsmagnetisierung Mg des MR-Materials.
Diese Sättigungsmagnetisierung Mg Die Magnetisierung M in dieser Gleichgewichtsrichtung ist als
Gleichgewichtsmagnetisierung Mq bezeichnet. Das entmagnetisierende Feld Hj) entspricht der Projektion der
Gleichgewichtsmagnetisierung Mq auf eine äußere Normale zur Längsrichtung und hat den Betrag N-Mg-sin(K) mit dem entmagnetisierenden
Faktor N. Dieser entmagnetisierende Faktor N hängt von der Geometrie des MR-Elements 2 ab und ist bei
streifenförmiger Geometrie proportional zum Verhältnis von Dicke t zu Breite w des MR-Elements 2. Je kleiner das entmagnetisierende
Feld H-Q1 desto näher an der Vorzugsachse A
liegt die Gleichgewichtsmagnetisierung Mq.
Durch ihre von der Vorzugsachse A abweichende Lage wird auf die Gleichgewichtsmagnetisierung Mq ein Drehmoment hin zur
Vorzugsachse ausgeübt, das durch das parallel zur Vorzugsachse gewählte Drehmomentfeld H^ repräsentiert werden kann und
gleich dem Kreuz- oder Vektorprodukt aus der Magnetisierung und dem Drehmomentfeld multipliziert mit der absoluten Permeabilitätskonstanten
ist. Das für das MR-Element 2 vorgegebener geometrischer Abmessungen und Materialeigenschaften charakteristische
Feld Hg ist gleich der Summe Hj^ + Hj) aus dem
Drehmoment feld H^ und dem entmagnetisierenden Feld Hq .
Um nun die Stabilitätslage der Magnetisierung M des MR-Elements 2, d.h. seine Gleichgewichtsmagnetisierung Mq, und somit
die orthogonal zu dieser Stabilitätslage gerichtete Achse D maximaler Meßempfindlichkeit entlang einer vorgegebenen
Richtung auszurichten, wird das MR-Element 2 in einem Biasfeld angeordnet.
In den Ausführungsbeispielen gemäß den FIG. 2 und 3 sind für
ein MR-Element 2 mit gleichem charakteristischen Feld Hg wie in dem Ausführungsbeispiel gemäß FIG. 1 zwei unterschiedliche
6 3 A 5 t DE
Achsen D maximaler Meßempfindlichkeit eingestellt. Es sind
jeweils sind ein äußeres Biasfeld mit Hg und der von diesem Biasfeld Hg und der Längsrichtung (x-Richtung)
eingeschlossene Winkel mit &bgr; bezeichnet. Das Biasfeld Hg ist gemäß der Erfindung so auszurichten, daß sich in der
vektoriellen Summe des Biasfeldes Hg zusammen mit dem charakteristischen Feld Hg des MR-Elements 2 ein Gleichgewichtsfeld
HT = Hg + Hg = Hg + HD + HA ergibt, das parallel
zu der vorgegebenen Richtung gerichtet ist. Die Gleichgewichtsmagnetisierung Mg des MR-Elements 2 richtet
sich nun parallel zu diesem Gleichgewichtsfeld Hip aus. Die
Achse D maximaler Meßempfindlichkeit ist orthogonal zum Gleichgewichtsfeld HT gerichtet. Das bedeutet, daß der MR-Sensor
für ein Meßfeld HM in dieser zum Gleichgewichtsfeld HT
senkrechten Achse D am empfindlichsten ist. Das Gleichgewichtsfeld
Hip und das Anisotropiefeld H^ sind parallel
zueinander gerichtet.
Bei Vorgabe der in an sich bekannter Weise einstellbaren Sättigungsmagnetisierung
Mg, der geometrischen Abmessungen , insbesondere der Längsrichtung, der Vorzugsachse A und ihres
Winkels &agr; zur Längsrichtung sowie der Anisotropiekonstanten K des MR-Elements 2 kann somit eine beliebige Achse D
maximaler Meßempfindlichkeit des MR-Sensors durch eine 5 entsprechende Wahl der Richtung und Größe des externen
Biasfeldes Hg eingestellt werden. Zur Einstellung des Biasfeldes Hg kann eine relativ zum MR-Element 2 in einer zu
dessen Schichtebene (x-y-Ebene) parallelen Ebene drehbare und in ihrer Stärke steuerbare Magnetfeldquelle, beispielsweise
0 eine Magnetfeldspule oder ein auch in seiner Entfernung zum
MR-Element steuerbarer Permanentmagnet, vorgesehen sein.
Dabei können nur die Magnetfeldquelle oder nur das MR-Element oder auch beide gedreht und/oder in ihrem Abstand zueinander
variiert werden.
35
35
Die Feldstärke H<p des Gleichgewichtsfeldes Hip wird in einer
besonders vorteilhaften Ausführungsform kleiner als die Feld-
S3 G l<\ S \ OE
stärke H^ des Anisotropiefeldes HK eingestellt. Das Verhältnis
Hrp/&EEgr;&kgr;; der beiden Feldstärken liegt vorzugsweise zwischen
0,01 und 0,9. In dieser Ausführungsform erreicht man neben
der Einstellung der Achse D maximaler Meßempfindlichkeit eine
zusätzliche Erhöhung der Meßempfindlichkeit insbesondere in
Richtung der Achse D, da die Gleichgewichtsfeldstärke HT
näher an dem kritischen Punkt liegt, in dem die stabile Gleichgewichtslage der Magnetisierung M in eine labile
Gleichgewichtslage übergeht. In einer besonderen Ausführungsform kann durch eine entsprechende Änderung des
Biasfeldes Hg die Achse D maximaler Empfindlichkeit einem
sich mit der Zeit in seiner Richtung ändernden Meßfeld angepaßt werden. Dies kann bei bekanntem zeitlichen Verlauf
der Meßfeldrichtung durch eine entsprechende Steuerung und bei nicht bekanntem Verlauf beispielsweise durch eine
Regelung des Biasfeldes Hg erfolgen.
Das MR-Element 2 ist mit nicht näher dargestellten elektrischen Kontakten versehen, über die in dem MR-Element 2 ein
0 elektrischer Strom I mit einer wenigstens annähernd konstanten Richtung erzeugt werden kann. Die Stromrichtung
kann parallel zur Längsrichtung des MR-Elements 2 verlaufen, jedoch auch gegen die Längsrichtung geneigt sein. Um eine lineare
Kennlinie des MR-Sensors zu erhalten, sind das Gleichgewichtsfeld Hip und damit die Gleichgewichtsmagnetisierung Mg
gegen den Strom I vorzugsweise unter einem Winkel von ±45° oder ±135° geneigt.
In einer nicht dargestellten Ausführungsform ist das MR-EIe-0
ment 2 mit schräg zur Längsrichtung und parallel zueinander angeordneten Streifen aus einem elektrisch besser leitfähigen
Material als das MR-Material wie beispielsweise Gold (Au) versehen, die beispielsweise photolithographisch aufgebracht
werden. Der Neigungswinkel dieser Streifen zur Längsrichtung beträgt vorzugsweise ein ungeradzahliges Vielfaches von 45°.
In dieser Ausführungsform eines sogenannten Barber-pole-Sensors
ist der Strom I durch das MR-Element 2 um einen Winkel
G S A 5 1 OE
gegen die Längsrichtung geneigt, der von der Polung der an den Kontakten angelegten Spannung und dem Neigungswinkel der
Leiterstreifen abhängt. Bei einem Neigungswinkel der Streifen, der einem ungeradzahligen Vielfachen von 45° entspricht,
ist der Winkel der Stromrichtung zur Längsrichtung ebenfalls ein ungeradzahliges Vielfaches von 45°.
In einer nicht dargestellten Ausführungsform ist das Biasfeld
Hg antiparallel zum charakteristischen Feld Hg gerichtet und
in seinem Betrag gleich groß, d.h. Hg = — Hg. In diesem Fall
gilt für das Gleichgewichtsfeld Hrp = 0.
In einer ebenfalls nicht dargestellten, besonders vorteilhaften Ausführungsform des MR-Sensors ist das MR-Element
mit einer Vorzugsachse A versehen, die wenigstens annähernd senkrecht zur Längsrichtung gerichtet ist, d.h.
deren Winkel &agr; zur x-Achse etwa gleich 90° ist. Es wird ferner das charakteristische Feld Hg = 0 gewählt. Man erhält
so ein isotropes Verhalten des MR-Elements 2 ohne äußere Felder. Das Gleichgewichtsfeld HT entspricht dann direkt dem
Biasfeld Hg.
In einer vorteilhaften, ebenfalls nicht dargestellten Ausführungsform
des MR-Sensors sind zwei oder vier Teilsensoren aus einer vorzugsweise gleichen Anzahl von elektrisch in Reihe
geschalteten MR-Elementen 2 in eine Wheatstonebrücke geschaltet. Die Gleichgewichtsmagnetisierungen Mq der
einzelnen MR-Elemente eines Teilsensors sind dabei parallel 0 zueinander gerichtet. Vorzugsweise wechseln sich bei einer
Ausführungsform mit vier Teilsensoren in der Ringschaltung
der Brücke Teilsensoren mit einer in Abhängigkeit vom Meßfeld positiven Widerstandsänderung und Teilsensoren mit einer
negativen Widerstandsänderung ab. Solche Brückenschaltungen sind an sich bekannt, beispielsweise aus der bereits
genannten Literaturstelle "Sensors a.a.O." auf den Seiten 352 und 367-370. Die unterschiedlichen Vorzeichen der
93 6 3 4 5 1 OE
Widerstandsänderungen der einzelnen Teilsensoren werden durch eine entsprechende Ausrichtung der in jedem Teilsensor
vorzugsweise zueinander parallelen Stromrichtungen in den MR-Elementen
und der Gleichgewichtsmagnetisierungen Mq dieser MR-Elemente zueinander eingestellt. Bei Einprägen eines
konstanten Stromes in die Brücke erhält man ein an einer Diagonalen der Brücke abgreifbares Sensorsignal mit einer
linearen Kennlinie und mit hoher Empfindlichkeit.
Claims (4)
1. Magnetoresistiver (MR) Sensor mit
a) wenigstens einem in einer Längsrichtung bevorzugt
ausgedehnten MR-Element (2) vorgegebener geometrischer Abmessungen (l,w,t), das mit einer magnetischen
Vorzugsachse (A) mit einer vorgegebenen Anisotropiekonstanten K versehen ist und in einem Biasfeld (Hg)
angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
dadurch gekennzeichnet, daß
b) die Achse (D) maximaler Meßempfindlichkeit bei beliebiger
Richtung der Vorzugsachse (A) durch ein in seiner Stärke und Richtung steuerbares Biasfeld (Hg)einstellbar
ist.
2. MR-Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das MR-Element mit zu seiner Längsrichtung
geneigten Streifen aus einem elektrisch gut leitenden Material versehen ist.
3. MR-Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß vier Teilsensoren mit jeweils wenigstens einem MR-Element vorgesehen sind
und diese Teilsensoren in eine Wheatstone-Brücke geschaltet sind.
4. MR-Sensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß in der Brückenschaltung Teilsensoren
mit unterschiedlichen Vorzeichen ihrer Widerstandsänderung einander abwechseln.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE9312674U DE9312674U1 (de) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | Magnetoresistiver Sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE9312674U DE9312674U1 (de) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | Magnetoresistiver Sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE9312674U1 true DE9312674U1 (de) | 1994-12-22 |
Family
ID=6897166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE9312674U Expired - Lifetime DE9312674U1 (de) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | Magnetoresistiver Sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE9312674U1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19507303A1 (de) * | 1995-03-02 | 1996-09-05 | Siemens Ag | Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Sensorelementen |
DE19520206A1 (de) * | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Siemens Ag | Magnetfeldsensor mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Brückenelementen |
US6020738A (en) * | 1995-06-01 | 2000-02-01 | Siemens Aktingesellschaft | Device for magnetizing magnetoresistive thin film-sensor elements in a bridge connection |
-
1993
- 1993-08-24 DE DE9312674U patent/DE9312674U1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19507303A1 (de) * | 1995-03-02 | 1996-09-05 | Siemens Ag | Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Sensorelementen |
DE19520206A1 (de) * | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Siemens Ag | Magnetfeldsensor mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Brückenelementen |
US6020738A (en) * | 1995-06-01 | 2000-02-01 | Siemens Aktingesellschaft | Device for magnetizing magnetoresistive thin film-sensor elements in a bridge connection |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3148754C2 (de) | ||
DE3820475C1 (de) | ||
DE3878281T2 (de) | Sensor mit einem magneto-elektrischen messwandler. | |
EP0674769B1 (de) | Magnetowiderstands-sensor mit künstlichem antiferromagneten und verfahren zu seiner herstellung | |
DE69631917T2 (de) | Magnetsensor mit einem Riesenmagnetowiderstand und sein Herstellungsverfahren | |
DE2923863C3 (de) | Magnetowiderstandslesekopf | |
DE19520206C2 (de) | Magnetfeldsensor mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Brückenelementen | |
EP0875000B1 (de) | Magnetisierungsvorrichtung für magnetoresistive dünnschicht-sensorelemente in einer brückenschaltung | |
DE69106334T2 (de) | Mehrsicht Film mit magnetoresistiven Effekt und magnetoresitives Element. | |
DE102006024722B4 (de) | Magnetfelddetektor sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2614165C2 (de) | Magnetowiderstandsmagnetkopf | |
WO1994017426A1 (de) | Vorrichtung zum erfassen einer winkelposition eines objektes | |
CH651151A5 (de) | Messwandler zum messen eines insbesondere von einem messstrom erzeugten magnetfeldes. | |
DE102006035661A1 (de) | Magnetfelderfassungsvorrichtung und Verfahren zu deren Einstellung | |
DE19539722A1 (de) | Magnetowiderstandstyp-Sensorvorrichtung zum Erfassen einer Änderung eines Magnetfeldes | |
WO1994015224A1 (de) | Magnetowiderstands-sensor mit verkürzten messschichten | |
EP0290811B1 (de) | Vorrichtung zur Erfassung von Stärke und Richtung eines Magnetfeldes, insbesondere des Erdmagnetfeldes | |
EP0905523A2 (de) | Sensoreinrichtung zur Richtungserfassung eines äusseren Magnetfeldes mittels eines magnetoresistiven Sensorelementes | |
DE2409323C3 (de) | ||
DE4232244A1 (de) | Magnetowiderstands-Sensor | |
DE69924598T2 (de) | Linearer winkelpositionssensor mit magnetfeldabhängigen widerständen | |
DE69432967T2 (de) | Magnetfeldsonde in Dünnschichtechnik | |
DE19650078A1 (de) | Sensorelement zur Bestimmung eines Magnetfeldes oder eines Stromes | |
EP0730162A2 (de) | Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Sensorelementen | |
DE102015100226A1 (de) | Magnetfeldsensor und Magnetfelderfassungsverfahren |