DE4403552C2 - Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung - Google Patents
Elektronencyclotron-ResonanzvorrichtungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung (ECR:
electron cyclotron resonance; Elektronencyclotronresonanz) zur Herstellung von
Halbleitergeräten durch Behandlung eines Wafers mit Plasma, welches unter Verwendung
von Elektronencyclotron-Resonanz erzeugt wird.
Im allgemeinen sind ECR-Ätzgeräte Geräte zur Durchführung eines Ablagerungsvorgangs
und eines Ätzvorgangs für Wafer unter Verwendung von Plasma. Sie sollten einen solchen
Aufbau aufweisen, daß Wafer gekühlt werden können, um eine Erhöhung einer
Wafertemperatur infolge einer hohen verwendeten Temperatur zu verhindern.
Bei konventionellen ECR-Geräten ist eine Kühlvorrichtung in einem Waferständer
vorgesehen, auf welchem ein Wafer aufsitzt, um so die Wärme abzuführen, die auf
den Wafer von dem heißen Plasma übertragen wird, und so den Anstieg der
Wafertemperatur zu verhindern.
Während des Ätzens wird der Wafer auf Zimmertemperatur durch die Kühlvorrichtung
gehalten. Allerdings tritt bei der Wafertemperatur eine Unregelmäßigkeit auf, infolge eines
Spaltes, der zwischen dem Wafer und dem Waferständer vorhanden ist, auf welchem der
Wafer aufsitzt, und infolge einer irregulären Temperatur des Waferständers. Dies führt
dazu, daß eine Ätzcharakteristik, die sich auf dem Wafer ergibt, unregelmäßig wird, was zu
einer schlechten Ätzcharakteristik des Wafers führt.
In der Druckschrift EP 04 52 779 A2 ist bereits eine Klemmvorrichtung für eine PVD-Anlage
beschrieben. Diese Anlage zeigt eine erste Kühlleitung und zusätzlich zu dieser Kühlleitung
wird Gas, wie z. B. Argon über einen weiteren Gaseinlaß und eine weitere Gasleitung so
zugeführt, daß die thermische Kopplung zwischen einem Wafer und einer Waferauflage
verbessert wird.
Auch aus den Druckschriften DE 39 43 482 A1, EP 350 752 A2, US 516 94 08, US 51 55 331,
US 4 993 355, US 485 64 56 und US 46 47 361 sind bereits diverse
Waferhaltersysteme bekannt.
Der vorliegenden Erfindung liegt Aufgabe zugrunde, eine ECR-Vorrichtung
bereitzustellen, die eine gleichmäßige Temperaturverteilung des Wafers ermöglicht und
gleichzeitig einen effektiven und einfachen Klemmmechanismus aufweist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Dadurch, daß zusätzlich zu dem Kühlmittelumwälzteil auch noch ein Axialkanal für ein
Wärmeübertragungsgas zum Übertragen von Wärme von einem Wafer zu einem Kühlmittel
vorgesehen ist und der Axialkanal für das Wärmeübertragungsgas in vorteilhafter Weise in
der Hohlwelle vorgesehen ist wobei die Hohlwelle so angeordnet ist, daß ihre vertikale
Bewegung die Klemmhebevorrichtung betätigt, kann einerseits eine gleichmäßige
Temperatur des Wafers erzielt werden und gleichzeitig ein effektiver und einfacher
Klemmmechanismus. Die zuvorgenannte Merkmalskombination ist im Stand der Technik
nicht gezeigt.
Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch dargestellter Ausführungsbeispiele
näher erläutert, aus welchen weitere Vorteile und Merkmale hervorgehen. Es zeigt:
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Waferständer, welcher ein Teil einer ECR-Vorrichtung gemäß
der vorliegenden Erfindung bildet;
Fig. 2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A' von Fig. 1 mit einer Darstellung des
Gesamtaufbaus der ECR-Vorrichtung;
Fig. 3 eine Ansicht des Waferständers von unten, wobei ge
zeigt wird, daß Helium als Wärmeübertragungsgas die
untere Oberfläche eines Wafers durch den Waferstän
der erreicht;
Fig. 4 eine Draufsicht auf den Waferständer, mit einer Dar
stellung einer Kühlwasser-Umwälzleitung zum Kühlen
des Waferständers; und
Fig. 5 eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B' von
Fig. 4.
In den Fig. 1 bis 5 ist eine ECR-Vorrichtung gemäß der vor
liegenden Erfindung gezeigt.
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf die ECR-Vorrichtung. Wie aus
Fig. 1 hervorgeht, weist die ECR-Vorrichtung einen Waferstän
der 8 auf, auf welchem ein zu bearbeitender Wafer 4 aufsitzt.
Weiterhin weist die ECR-Vorrichtung Klemmen 7 auf, die zum
Haltern des Wafers 4 an einem gewünschten Ort während der
Bearbeitung ausgebildet sind. Weiterhin weist die ECR-Vor
richtung eine Klemmenhebevorrichtung 14 auf, um die Klemmen
7 in Vertikalrichtung zu bewegen, um den Wafer 4 zu befesti
gen, sowie eine Waferhebevorrichtung 16, zur Aufnahme eines
Wafers, der in eine Bearbeitungskammer eintritt, durch einen
Roboterarm 32 und zum Aufsetzen des Wafers auf den Waferständer
8. Diese Bauteile werden im einzelnen im Zusammenhang mit
Fig. 2 beschrieben.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' von
Fig. 1. Fig. 2 zeigt den Gesamtaufbau der ECR-Vorrichtung,
welche so aufgebaut ist, daß sie eine gleichmäßige Tempera
turverteilung eines Wafers dadurch fördert, daß Helium als
Wärmeübertragungsmedium zwischen den Wafer und den Waferstän
der eingespritzt wird, und hierdurch Wärme von dem Wafer auf
den Waferständer 8 übertragen wird.
Der Waferständer 8, auf welchem ein Wafer aufsitzt, weist ein
Loch mit vorbestimmten Abmessungen auf. Durch das Loch des
Waferständers 8 bewegt sich die Waferhebevorrichtung 16 in
Vertikalrichtung. Der Waferständer 8 ist an seiner oberen
Oberfläche mit einem O-Ring 31 (Fig. 5) versehen, auf welchen
der Wafer aufgelegt wird. Ein Wärmeübertragungsgas wird in
Richtung auf die obere Oberfläche des Wafers zugeführt. Das
Wärmeübertragungsgas sollte zur Verringerung der Temperatur
des Wafers zugeführt werden, da eine Bearbeitungskammer, in
welcher der Wafer behandelt wird, im Vakuumzustand gehalten
wird.
Zum Zuführen des Wärmeübertragungsgases wie beispielsweise
Helium in Richtung auf die untere Oberfläche des Wafers weist
die ECR-Vorrichtung den nachstehend geschilderten Aufbau auf.
Eine koaxial zur Waferhebevorrichtung 16 angeordnete Hohl
welle 15 ist zum Zuführen von Helium durch ihr Inneres vorge
sehen. Die Hohlwelle 15 weist an ihrem oberen Ende eine Ver
längerung auf, um gleitbeweglich den unteren Abschnitt der
Waferhebevorrichtung 16 aufzunehmen. Ein Spalt 33 wird zwi
schen dem unteren Ende der Waferhebevorrichtung 16, welches
in der Verlängerung aufgenommen ist, und dem oberen Ende der
Hohlwelle 15 ausgebildet.
Weiterhin ist die Hohlwelle 15 an ihrem unteren Ende mit
einem Heliumrohr-Halterungsteil 12 versehen, welches einen
Heliumeinlaß 22 zum Empfang von Helium von einer externen,
nicht gezeigten Heliumquelle aufweist. In seinem Inneren
ist das Heliumrohr-Halterungsteil 12 mit einem Heliumrohr
versehen, welches mit der Hohlwelle 15 verbunden ist. Das
Heliumrohr ist in einem vorbestimmten Winkel so angeordnet,
daß jede Entladung an seinem Abschnitt verhindert wird, an
welchen Hochfrequenz (Radiofrequenz) angelegt wird.
Unterhalb des Heliumrohr-Halterungsteils 12 ist ein Doppel
hubzylinder 13 angeordnet, um das Heliumrohr-Halterungsteil
12 und daher die Hohlwelle 15 anzuheben. Wenn der Zylinder
13 das Heliumrohr-Halterungsteil 12 anhebt, wird die Hohlwel
le 15 nach oben bewegt, so daß die Waferhebevorrichtung 16
nach oben bewegt werden kann, um nach einer vorbestimmten
Zeit einen Wafer aufzunehmen oder anzuheben.
Am oberen Abschnitt der Hohlwelle 15 ist zumindest eine Hebe
vorrichtung fest angebracht, um so die Klemmenhebevorrichtung
14 zu bilden, welche zusammen mit der Hohlwelle 15 eine Y-
förmige Anordnung darstellt. Wenn ein Wafer einem Ort zuge
führt wird, an welchem er oberhalb des Waferständers 8 liegt,
und zwar durch eine Zufuhrvorrichtung, wird die Hohlwelle 15
durch den Zylinder 13 nach oben bewegt, der zwei Hübe auf
weist. Durch die nach oben gerichtete Bewegung der Hohlwelle
15 wird die Klemmenhebevorrichtung 14 einmal nach oben bewegt,
wodurch bewirkt wird, daß sich die Klemmen 7 nach oben bewe
gen. Nach Verstreichen eines vorbestimmten Zeitraums wird die
Waferhebevorrichtung 16 durch die nach oben gerichtete Bewe
gung der Hohlwelle 15 nach oben bewegt. Dies geschieht des
wegen, da der Spalt zwischen dem oberen Ende der Hohlwelle 15
und dem unteren Ende der Waferhebevorrichtung 16 vorgesehen
ist.
Mit anderen Worten bewegt sich die Hohlwelle 15 um einen Pri
märhub des Zylinders 13 nach oben, so daß die Klemmen 7 durch
eine Vertikalbewegungs-Übertragungskonstruktion angehoben
werden, um so einen Waferaufnahmeweg auszubilden.
Nach Beendigung des voranstellend geschilderten Vorgangs wird
der Wafer durch eine Waferzufuhrvorrichtung einem Ort zuge
führt, an welchem er horizontal in der Bearbeitungskammer
angeordnet ist, so daß sein Zentrum zum Zentrum der ECR-Vor
richtung ausgerichtet ist. Die Bearbeitungskammer wird unter
Vakuum gehalten. Bewegt sich die Hohlwelle 15 weiter nach
oben infolge eines Sekundärhubs des Zylinders 13, so wird
die Waferhebevorrichtung 16, die zentral in dem Waferständer
1 angeordnet ist, angehoben, um den Wafer von der Waferzu
fuhrvorrichtung zu empfangen. Auf diese Weise kann der von
einer äußeren Quelle zugeführte Wafer auf den Waferständer
aufgesetzt werden, der in der Bearbeitungskammer angeordnet
ist. Nach Beendigung der Bearbeitung wird der Wafer aus der
Bearbeitungskammer auf umgekehrte Weise als voranstehend be
schrieben herausgenommen.
Eine Kühlwasser-Umwälzleitung 23 ist neben der Hohlwelle 15
so angeordnet, daß sie sich vertikal parallel zur Hohlwelle
15 erstreckt. Die Kühlwasser-Umwälzleitung 23 ist an ihrem
unteren Ende mit einem Kühlwassereinlaß 27 versehen, der an
eine nicht gezeigte, externe Kühlwasserquelle angeschlossen
ist. Ein Kühlwasser-Umwälzteil 25 ist unterhalb des Wafer
ständers 8 angeordnet und an das obere Ende der Kühlwasser-
Umwälzleitung 23 angeschlossen. An seiner unteren Oberfläche
weist der Waferständer 8 eine Kühlwasser-Umwälzleitung auf,
in welcher Kühlwasser umläuft, welches von dem Kühlwasser-
Umwälzteil 25 zugeführt wird.
Die Hohlwelle 15 und die Kühlwasser-Umwälzleitung 23 sind
von einem T-förmigen Halterungsgehäuse 17 umgeben, welches
aus Aluminium hergestellt ist. Zwischen der oberen Oberfläche
des Halterungsgehäuses 17 und dem Waferständer 8 ist ein
Hebeblock 18 angeordnet, der einen Führungskanal aufweist,
der zur Führung der Bewegung der Klemmen-Hebevorrichtung 14
ausgebildet ist. Das Halterungsgehäuse 17 ist elektrisch mit
einer nicht gezeigten Hochfrequenzquelle (Radiofrequenzquelle)
verbunden. Eine Radiofrequenz, die an das Halterungsgehäuse
17 angelegt wird, fließt entlang dem Aluminium des Halterungs
gehäuses 17 zu dem Waferständer 8. Die Außenoberfläche des
Halterungsgehäuses 17, an welches die Radiofrequenz angelegt
wird, ist durch Isolierteile 10 und 19 isoliert. Das Isolier
teil 10 ist unterhalb des oberen, horizontalen Abschnitts des
Halterungsgehäuses 17 vorgesehen, wogegen das Isolierteil 19
so angeordnet ist, daß es den unteren, vertikalen Abschnitt
des Halterungsgehäuses 17 umgibt. Eine sich in Vertikalrich
tung erstreckende Erdungsstange 20 ist vorgesehen, die in Be
rührung mit der Außenumfangskante des Waferständers 8 steht.
Weiterhin ist eine Pumpleitung 26 vorgesehen, die dazu ausge
bildet ist, die Bearbeitungskammer in einem Hochvakuumzustand
zu halten. Mit anderen Worten dient die Pumpleitung 26 dazu,
zu verhindern, daß die Bearbeitungskammer mit dem Atmosphären
druck in Verbindung tritt, infolge ihrer Pumpfunktion. Die
Pumpleitung 26 erstreckt sich in Vertikalrichtung zwischen
der Hohlwelle 15, die sich zwischen dem Atmosphärendruck und
der Hochvakuum-Bearbeitungskammer hin- und herbewegt, und
dem Halterungsgehäuse 17. Am unteren Abschnitt der Hohlwelle
15 ist eine Halterungsplatte 29 angebracht, die dazu ausge
bildet ist, zum Teil den Kühlwassereinlaß 27, die Pumpleitung
26 und die Hohlwelle 15 abzustützen. Mit der Halterungsplat
te 29 ist eine Linearführungseinheit 30 gekuppelt, die so aus
gebildet ist, daß sie die Linearbewegung der Hohlwelle 15
führt. Eine Schraubendruckfeder 11 ist zwischen der Halte
rungsplatte 29 und dem Heliumrohr-Halterungsteil 12 so ange
ordnet, daß sie sich in Vertikalrichtung parallel zur Hohl
welle 15 erstreckt. Die Schraubendruckfeder 11 dient dazu, zu
verhindern, daß sich die Hohlwelle 15 nach unten bewegt, in
folge des in der Bearbeitungskammer herrschenden Hochvakuums.
Die Schraubendruckfeder 11 dient weiterhin dazu, daß die
Klemmen 7 einen konstanten Druck auf den Wafer ausüben.
Ein Zufuhrgehäuse 9 ist weiterhin vorgesehen, welches die
Isolierteile 10 und 19 umgibt. Ein Außengehäuse 28 ist me
chanisch an das Zufuhrgehäuse 9 angeschlossen. Das Außen
gehäuse 28 bildet die Bearbeitungskammer zur Behandlung des
Wafers in dieser Kammer, und weist einen Vakuumkanal 21 und
einen Pumpauslaß 24 auf, um in der Bearbeitungskammer ver
wendetes Plasma auszustoßen. Durch die mechanische Verbin
dung zwischen dem Zufuhrgehäuse 9 und dem Außengehäuse 28
kann das Gesamtsystem der ECR-Vorrichtung gewünschten Orten
zugeführt werden.
In Fig. 2 bezeichnet die Bezugsziffer 6 einen Quarzring zum
Schutz der Klemmen 7 gegenüber dem Plasma, und die Bezugs
ziffern 3, 3' und 3" bezeichnen Kugelbuchsen zur Erzielung
eines glatten Betriebs des gesamten Zufuhrsystems. Die Be
zugsziffer 1 bezeichnet einen Schrittmotor zur Erzeugung ei
ner Antriebskraft zum Antrieb des gesamten Zufuhrsystems,
während die Bezugsziffer 2 ein Kupplungsgehäuse bezeichnet.
Nachstehend werden im Zusammenhang mit den Fig. 3 bis 5 die
Anordnungen der Heliumleitung an der oberen Oberfläche des
Waferständers 8 und der Kühlwasser-Umwälzleitung in der
Waferhalterungsform 8 beschrieben.
In Fig. 3 ist die Anordnung der Heliumleitung dargestellt.
Wie aus Fig. 3 hervorgeht, erfolgt die Anordnung der Helium
leitung so, daß ein Heliumgas radial entlang der oberen Ober
fläche des Waferständers 8 verteilt wird, wenn die
Waferhebevorrichtung 16 angehoben wird.
Fig. 4 zeigt die Anordnung des Kühlwasser-Umwälzteils 25.
Durch das Kühlwasser-Umwälzteil 25 wird Kühlwasser in dem
Waferständer 8 umgewälzt. Infolge eines derartigen Kreislaufs
des Kühlwassers ist es möglich, ein Phänomen zu verhindern,
daß auf dem Wafer vorgesehene Photolacke infolge eines Tem
peraturanstiegs des Wafers verbrannt werden, der durch Wärme
hervorgerufen wird, die vom Plasma auf den Wafer während ei
nes Ätzens des Wafers übertragen wird.
Wie aus Fig. 5 hervorgeht, welche eine Querschnittsansicht
entlang der Linie B-B' von Fig. 4 ist, sitzt der Wafer auf
dem O-Ring 31 auf, der auf der oberen Oberfläche des Wafer
ständers 8 angeordnet ist, so daß er nicht in Berührung mit
dem Waferständer 8 gelangt. Zu diesem Zweck weist der Wafer
ständer 8 einen Krümmungsradius p von 7300 bis 7500 mm auf,
um so den Raum, der zwischen dem Waferständer 8 und dem Wafer
vorhanden ist, soweit wie möglich zu verringern. Obwohl dies
nicht gezeigt ist, weist der Waferständer 8 an seiner oberen
Oberfläche Nuten zur Ausbildung eines gleichförmigen Plasma
stroms auf.
Infolge der voranstehend geschilderten Konstruktion kann He
lium zwischen den Wafer und den Waferständer 8 eingespritzt
werden. Das eingespritzte Helium überträgt Wärme von dem Wafer
auf den Waferständer 8. Die auf den Waferständer 8 übertrage
ne Wärme wird in dem Kühlwasser aufgenommen, welches in dem
Waferständer 8 umläuft, so daß der Waferständer 8 auf diese
Weise gekühlt wird.
Wie aus der voranstehenden Erläuterung deutlich wird, kann
die ECR-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung eine
gleichförmige Temperatur erzielen, infolge der Verwendung von
Helium, und hierdurch einen Unterschied in der Ätzcharakte
ristik ausschälten. Weiterhin kann die ECR-Vorrichtung ihren
Gesamtaufbau gewünschten Orten zuführen. Dies führt dazu,
daß es möglich wird, Halbleitereinrichtungen mit besserer
Leistung herzustellen.
Zwar wurden die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung
zum Zwecke der Erläuterung beschrieben, jedoch wird Fachleu
ten auf diesem Gebiet deutlich werden, daß verschiedene Ände
rungen, Hinzufügungen und Ersetzungen möglich sind, ohne vom
Umfang und Wesen der Erfindung abzuweichen, die sich aus der
Gesamtheit der vorliegenden Anmeldeunterlagen ergeben, insbe
sondere den beigefügten Patentansprüchen.
Claims (11)
1. Elektronencyclotron-Resorianzvorrichtung, umfassend
einen kreisförmigen Waferständer (8), der ein zentrales Loch und einen O-Ring (31) aufweist, der auf einer oberen Oberfläche des Waferständers angeordnet und zum Haltern ei nes Wafers ausgebildet ist;
eine Waferhebevorrichtung (16), die gleitbeweglich in das zentrale Loch des Waferstän ders (8) eingepasst ist und zum Anheben des auf dem O-Ring aufliegenden Wafers ausge bildet ist;
eine sich in Achsrichtung erstreckende Hohlwelle (15), an deren oberem Ende eine obere Verlängerung vorgesehen ist, die zur Aufnahme eines unteren Abschnitts der Waferhebe vorrichtung (16) ausgebildet ist, und die einen Axialkanal für ein Wärmeübertragungsgas zur Übertragung von Wärme von dem Wafer auf ein Kühlmittel aufweist, wobei das obere Ende der Hohlwelle (15) gegenüber einem unteren Ende der Waferhebevorrichtung (16) einen Spalt (33) ausbildet;
ein Kühlmittel-Umwälzteil (25) in dem Waferständer;
eine Kühlmittel-Umwälzleitung (23), die sich parallel zur Hohlwelle (15) erstreckt, und zum Zuführen des Kühlmittels zu dem Kühlmittel-Umwälzteil ausgebildet ist;
ein Halterungsgehäuse (17), welches sowohl die Hohlwelle (15) als auch die Kühlmittel- Umwälzleitung (23) umgibt;
eine Klemmenhebevorrichtung (14), welche betriebsmäßig mit der Hohlwelle (15) verbun den ist, und an einem oberen Ende mit mehreren beabstandeten Klemmen (7) versehen ist, die zum Klemmen des auf den Waferständer (8) aufgelegten Wafers ausgebildet sind, wenn die Klemmenhebevorrichtung durch eine Vertikalbewegung der Hohlwelle in Vertikal richtung bewegt wird;
ein Außengehäuse (28), welches sowohl das Halterungsgehäuse (17) als auch den Waferstän der (8) umgibt und mit einer Kammer zur Behandlung des auf den Waferständer aufgeleg ten Wafers durch das Plasma versehen ist, sowie mit einer Vakuumkanalleitung (21, 24) zum Abpumpen des Plasmas und
einen Schrittmotor (1) zur Vertikalbewegung des Gesamtsystems der Vorrichtung und zur Einstellung einer Vertikalposition des Außengehäuses.
einen kreisförmigen Waferständer (8), der ein zentrales Loch und einen O-Ring (31) aufweist, der auf einer oberen Oberfläche des Waferständers angeordnet und zum Haltern ei nes Wafers ausgebildet ist;
eine Waferhebevorrichtung (16), die gleitbeweglich in das zentrale Loch des Waferstän ders (8) eingepasst ist und zum Anheben des auf dem O-Ring aufliegenden Wafers ausge bildet ist;
eine sich in Achsrichtung erstreckende Hohlwelle (15), an deren oberem Ende eine obere Verlängerung vorgesehen ist, die zur Aufnahme eines unteren Abschnitts der Waferhebe vorrichtung (16) ausgebildet ist, und die einen Axialkanal für ein Wärmeübertragungsgas zur Übertragung von Wärme von dem Wafer auf ein Kühlmittel aufweist, wobei das obere Ende der Hohlwelle (15) gegenüber einem unteren Ende der Waferhebevorrichtung (16) einen Spalt (33) ausbildet;
ein Kühlmittel-Umwälzteil (25) in dem Waferständer;
eine Kühlmittel-Umwälzleitung (23), die sich parallel zur Hohlwelle (15) erstreckt, und zum Zuführen des Kühlmittels zu dem Kühlmittel-Umwälzteil ausgebildet ist;
ein Halterungsgehäuse (17), welches sowohl die Hohlwelle (15) als auch die Kühlmittel- Umwälzleitung (23) umgibt;
eine Klemmenhebevorrichtung (14), welche betriebsmäßig mit der Hohlwelle (15) verbun den ist, und an einem oberen Ende mit mehreren beabstandeten Klemmen (7) versehen ist, die zum Klemmen des auf den Waferständer (8) aufgelegten Wafers ausgebildet sind, wenn die Klemmenhebevorrichtung durch eine Vertikalbewegung der Hohlwelle in Vertikal richtung bewegt wird;
ein Außengehäuse (28), welches sowohl das Halterungsgehäuse (17) als auch den Waferstän der (8) umgibt und mit einer Kammer zur Behandlung des auf den Waferständer aufgeleg ten Wafers durch das Plasma versehen ist, sowie mit einer Vakuumkanalleitung (21, 24) zum Abpumpen des Plasmas und
einen Schrittmotor (1) zur Vertikalbewegung des Gesamtsystems der Vorrichtung und zur Einstellung einer Vertikalposition des Außengehäuses.
2. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Hohlwelle (15) einstückig mit der Klemmenhebevorrichtung (14) ausgebildet ist.
3. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Waferständer (8) einen Krümmungsradius zwischen 7300 und 7500 mm aufweist.
4. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
jede der Klemmen (7) durch einen Quarzring abgedeckt ist.
5. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Waferständer (8) Nuten aufweist, die auf einer oberen Oberfläche des Waferständers
vorgesehen sind.
6. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
eine Pumpleitung (26) vorgesehen ist.
7. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
ein Hebeblock (18) vorgesehen ist, welcher die Hohlwelle (15) und die Kühlmittel-
Umwälzleitung (23) umgibt, und einen Axialkanal aufweist, um eine Bewegung der Klemmenhe
bevorrichtung zuzulassen.
8. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
ein Doppelhubzylinder (13) zur Vertikalbewegung der Hohlwelle (15) vorgesehen ist.
9. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
ein Wärmeübertragungsgasrohr vorgesehen ist, welches mit dem Axialkanal der
Hohlwelle (15) in Verbindung steht, und an die Hohlwelle in einem solchen Winkel ange
schlossen ist, dass eine Entladung an einem Abschnitt des Wärmeübertragungsgasrohrs
verhindert wird, an welchem Hochfrequenz angelegt wird, und ein Gasrohrhalterungsteil (12)
vorgesehen ist, welches zur Halterung eines Verbindungsbereiches zwischen dem Wärme
übertragungsgasrohr und der Hohlwelle ausgebildet ist.
10. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, dass
eine Feder (11) vorgesehen ist, die eine Rückdruckkraft auf die Hohlwelle (15) er
zeugt.
11. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Feder (11) ihre Federkraft auf das Gasrohrhalterungsteil (12) ausübt.
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