DE4332653C1 - Monolithisch integriertes Halbleiterelement, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterelementes - Google Patents
Monolithisch integriertes Halbleiterelement, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen HalbleiterelementesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein monolithisch integriertes Halb
leiterelement gemäß den Merkmalen des Oberbegriffs des
Anspruchs 1, dessen Verwendung sowie ein Verfahren zur
Herstellung eines solchen Halbleiterelementes.
Ein solches monolithisch integriertes Halbleiterelement mit
einem über einer Membran angeordneten und auf Trägerstegen
sitzenden Balken ist bereits in einem Artikel
in Sensors and Actuators A, 25-27, 1991, auf den Seiten
717 bis 722 beschrieben worden. Das dort vorgestellte Halb
leiterelement ist zum Einsatz als Drucksensor vorgesehen und
durch anisotropes Ätzen von zwei zunächst voneinander ge
trennten Halbleitersubstraten hergestellt. Auf dem ersten
Halbleitersubstrat wird durch anisotropes Ätzen eine recht
eckförmige Membran mit Seitenlängen von 5 und 2,5 mm Länge
und einer Dicke zwischen 50 und 80 µm hergestellt, wobei auf
der Membran zwei voneinander beabstandete Trägerstege durch
eine geeignete Maskierungstechnik stehenbleiben. Im zweiten
Halbleitersubstrat wird ein von einem Rahmen gehalterter
Balken ebenfalls durch anisotropes Ätzen hergestellt. Die
beiden Halbleitersubstrate werden dann so miteinander ver
bunden, daß der Balken des zweiten Halbleitersubstrates auf
den Trägerstegen des ersten Halbleitersubstrates zum Liegen
kommt und dann in einem Ofen bei 1100°C mit diesem verbun
den wird. In einem weiteren Schritt wird der auf den Träger
stegen liegende Balken dann von seinem Rahmen des zweiten
Halbleitersubstrates mechanisch abgetrennt.
Auf diese Weise wird eine sog. BOD-(Bridge-On-Diaphragm)-
Struktur hergestellt, die sich durch eine hohe Empfindlich
keit gegenüber Verformungen der Membran auszeichnet. Die
Druckempfindlichkeit des Halbleiterelementes wird durch die
Dicke der Membran und die Höhe der Trägerstege und der
Balkendicke bestimmt, welche nach Art einer Hebelwirkung die
Verformung der Membran an den Balken weitergeben. Der auf
den Trägerstegen liegende Balken dient dabei als Resonator
element.
Problematisch bei diesem bekannten Halbleiterelement ist
dessen verhältnismäßig komplizierte Herstellung, da zwei
Halbleiterplättchen zunächst bearbeitet und schließlich
ausgerichtet miteinander verbunden werden müssen.
Ein monolithisch integriertes Halbleiterelement, das eben
falls als Drucksensor zu verwenden ist, allerdings aus einem
einzigen Halbleitersubstrat gebildet wird, ist in der EP 0 244 086 A2
sowie der Druckschrift J. Phys. E: Sc. Instrum.
Volumen 17, 1984, auf den Seiten 650 bis 652 beschrieben. Das
dort beschriebene monolitisch integrierte Halbleiterelement weist eben
falls auf einer Membran angeordnete Trägerstege auf, welche
ein parallel zu den Trägerstegen liegendes Resonatorelement
über Verbindungsleisten halten. Die gesamte Halbleiterstruk
tur wird dabei durch Dotieren und anschließendes anisotropes
Ätzen hergestellt. Im einzelnen wird die Struktur des Reso
nators durch Bordiffusion über eine Oxydmaske auf einer
Seite des Wafers erzeugt und die Membran durch Bordiffusion
auf der anderen Seite des Wafers zur gleichen Zeit herge
stellt. Nach der Bordiffusion wird Siliziumnitrid über den
gesamten Wafer abgeschieden und Fenster mit Hilfe einer
geeigneten Maskierung für den ersten Ätzschritt, in dem die
Resonatorstruktur weitgehend unterätzt wird, geöffnet. Das
Siliziumnitrid wird dann durch Plasmaätzen entfernt und das
Siliziumätzen in einem zweiten Schritt vervollständigt.
Problematisch bei diesem Herstellungsverfahren des inte
grierten Halbleiterelementes ist, daß der hergestellte
Resonator verhältnismäßig dünn ist und aufgrund der Dotie
rung der Resonator mechanisch vorgespannt ist. Dies kann
dazu führen, daß die Zuordnung von Druck und Resonanzfre
quenz nicht mehr eindeutig ist. Darüber hinaus steht
durch die dünne Resonatorstruktur lediglich ein einge
schränkter Meßbereich bei der Verwendung des Halbleiterele
mentes als Drucksensor zur Verfügung. Zudem zeichnet sich
der in dieser Form hergestellte Drucksensor durch eine
weitgehend nicht lineare Kennlinie infolge der dünnen Reso
natorstruktur aus.
Aus IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 35, Nr. 6,
Juni 1988, S. 764-770, ist ein Beschleunigungssensor in Form
eines monolithisch integrierten Siliziumelementes mit einer
quadratischen Membran bekannt. Dort ist allerdings von
keiner BOD-Struktur die Rede, sondern eine Membran vorgese
hen, die selbst von vier jeweils seitlich an der Membran
angeordneten Haltestegen an einem Siliziumrahmen gehalten
ist.
Aus DD 2 72 737 A1 ist darüber hinaus ein Drucksensor be
schrieben, der eine schmale rechteckige Membran aus mono
kristallinem Silizium aufweist. Die Membran des Drucksensors
ist in einen Siliziumrahmen mit erhöhter Steifigkeit einge
spannt. Eine über der Membran angeordnete Balkenstruktur zur
Erhöhung der Empfindlichkeit des Drucksensors ist nicht
beschrieben.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
monolithisch integriertes Halbleiterelement zu schaffen, das
die vorgenannten Nachteile nicht aufweist und mit reproduzierbaren Eigenschaften, insbesondere
durch eine einfache Herstellungstechnik realisierbar ist.
Diese Aufgabe wird für das monolithisch integrierte Halblei
terelement durch die Merkmale des Anspruchs 1 und für das
Herstellungsverfahren durch die Merkmale des Anspruchs 16
gelöst.
Die Verwendung des erfindungsgemäßen monolithisch integrierten
Halbleiterelementes ist Gegenstand der Ansprüche 14 und
15.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteran
sprüche.
Die Erfindung beruht also im wesentlichen darauf, die Mem
bran, die Trägerstege und die Balkenstruktur für einen
Sensor einstückig aus einem gemeinsamen Halbleitersubstrat
zu bilden und dabei solche Berandungsflächen vorzusehen, die
durch eine unterschiedliche Ätzrate in verschiedenen Kri
stallorientierungen des Halbleitersubstrates bestimmt sind.
Ein solches monolithisch integriertes Halbleiterelement wird
im wesentlichen durch folgende Verfahrensschritte herge
stellt:
- - Aufbringung einer Maskierschicht, z. B. einer Oxydschicht, auf gegenüberliegenden Oberflächen eines Halbleitersub strates, das vorzugsweise ein Siliziumsubstrat ist, mit einer vorgegebenen Oberflächen-Kriststallorientierung,
- - gleichmäßige flächige Zerstörung oder teilweise Zerstörung der Kristallstruktur des Halbleitersubstrates ausgehend von einer Oberfläche, um nach einem nachfolgenden Ätzvor gang eine sich im Halbleitersubstrat ausbildende Membran mit einer darüber angeordneten und auf Trägerstegen sit zenden Balkenstruktur zu erhalten, und
- - anisotropes Ätzen, bis die Balkenstruktur freigeätzt ist und unter der Balkenstruktur eine Membran mit einer vorge gebenen Dicke verbleibt.
Es hat sich als besonders vorteilhaft erwiesen, als Halblei
tersubstrat hierfür einkristallines Silizium mit einer
⟨110⟩-Kristallorientierung zu verwenden. Die gleichmäßige
flächige Zerstörung bzw. teilweise Zerstörung bis zu einer
vorgegebenen Tiefe des Halbleitersubstrates erfolgt darüber
hinaus in einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung mit
einem Laser, d. h. mit Laserstrahlung. Hierbei ist jedoch
anzumerken, daß grundsätzlich auch andere Verfahren einsetz
bar sind. Zur Zerstörung der Kristallstruktur kann innerhalb
des Halbleitersubstrates in den vorgegebenen Bereichen
grundsätzlich auch ein Ultraschallbohren, eine Bearbeitung
mittels eines geeigneten mechanischen Fräsers oder eine
Zerstörung mit hochenergetischen Teilchen vorgesehen werden.
Bei der Verwendung von einkristallinem ⟨110⟩-Silizium als
Halbleitersubstrat wird die Oberfläche des Siliziumsubstra
tes derart zerstört bzw. teilweise zerstört, daß sich nach
dem erfolgten Ätzvorgang ein Balken bzw. eine Balkenstruktur
innerhalb des Siliziumsubstrates ausbildet, welche längs
einer [10]-Kristallrichtung angeordnet ist. Die Zerstörung
bzw. teilweise Zerstörung der Kristallstruktur des Silizium
substrates erfolgt derart, daß die Trägerstege vorzugsweise
orthogonal zur Balkenstruktur angeordnet sind.
Das anisotrope Ätzen erfolgt vorzugsweise in einer 30%igen
Kaliumhydroxyd-Lösung bei einer Temperatur von annähernd 60°C.
Um darüber hinaus feststellen zu können, wann die Balken
struktur beim anisotropen Ätzen freigeätzt ist und somit
freitragend über der Membran liegt, wird auf dem Halbleiter
wafer ein Testbereich mit einer weiteren Balkenstruktur
vorgesehen, die der über der Membran liegenden Balkenstruk
tur entspricht, allerdings keine Trägerstege aufweist.
Sobald beim anisotropen Ätzen diese weitere Balkenstruktur -
im einfachsten Fall ein einzelner Balken - herabfällt, ist
dies ein Signal für die Beendigung des Ätzvorganges.
Bei hohen Anforderungen an die Strukturauflösung wird vor
der Zerstörung bzw. teilweisen Zerstörung der Kristallord
nung des Halbleitersubstrates, die zuvor auf dem Halbleiter
substrat aufgebrachte Oxydschicht in vorgegebenen Bereichen
zur Definition der Membran, der Trägerstege und des Balkens
mit Hilfe eines Lithographieschrittes geöffnet. Darüber
hinaus ist es auch möglich, die beim Lithographieschritt
unmaskierten Bereiche vor der Zerstörung bzw. teilweisen
Zerstörung der Kristallordnung des Halbleitersubstrates
anisotrop anzuätzen.
Bei der Verwendung von ⟨110⟩-Silizium als Halbleitersubstrat
zum Herstellen eines solchen Halbleiterelementes kann zur
Massenproduktion ein ⟨110⟩-Siliziumwafer, der beidseitig
poliert ist und eine niedrige Dotierung (ca. 10 Ohm cm)
aufweist, vorgesehen werden. Die Dicke des Siliziumwafers
kann zwischen 300 µm und 600 µm, vorzugsweise etwa bei 380 µm
liegen. Danach erfolgt eine thermische Oxydation, so daß
eine etwa 1 µm dicke Maskierschicht auf den beiden Oberflä
chen des Siliziumwafers aufgebracht wird. Anschließend
erfolgt die oben bereits diskutierte Zerstörung bzw. teil
weise Zerstörung einer Oberfläche des Siliziumwafers in
vorgegebenen Bereichen, wobei ein Lithographieschritt vorge
sehen werden kann. Anschließend wird der Siliziumwafer
anisotrop geätzt und das Abtragen der Oxydschicht
in gepufferter Flußsäure, also in einem Naßätzprozeß, durch
geführt. Letztlich wird der Siliziumwafer in einzelne Halb
leiterelemente geteilt und eine geeignete Kontaktierung
aufgebracht.
Es hat sich bei der Verwendung von ⟨110⟩-Silizium als Aus
gangssubstrat als besonders günstig erwiesen, die Zerstörung
bzw. teilweise Zerstörung der Kristallordnung des Silizium
substrates so vorzusehen, daß ein H-förmiger Bereich der
Oberfläche des Siliziumsubstrates nicht zerstört wird. Der
mittlere Schenkel der H-Struktur ist dabei so auszurichten,
daß dieser längs zur [10]-Kristallrichtung liegt. Hierdurch
wird gewährleistet, daß der Balken beim anisotropen Ätzvor
gang so freigeätzt wird, daß seine sich gegenüberliegenden
Schenkel jeweils {111}-Berandungsflächen aufweisen. Bei
geeigneter Tiefe der Zone gestörter Kristallordnung bildet
sich je nach Ätzdauer beim anisotropen Ätzen die Balken
struktur mit einem Balken aus, der einen trapezförmigen oder
dreieckförmigen Querschnitt aufweist, wobei sich {111}-Be
randungsflächen einstellen.
Obwohl die Balkenstruktur im einfachsten Fall aus einem
einzigen Balken bestehen kann, hat es sich auch als zweckmä
ßig erwiesen, für eine Momentenkompensation mehrere Balken
parallel zueinander anzuordnen. Als günstig hat sich hierbei
eine Balkenstruktur mit drei oder vier parallel zueinander
angeordneten Balken herausgestellt.
Darüber hinaus ist es zweckmäßig, zur Reduzierung der Luft
dämpfung das Halbleiterelement mit einer Verkapselungsein
richtung zu versehen. Das Innere der Verkapselungseinrich
tung wird hierfür zweckmäßigerweise evakuiert.
Darüber hinaus ist es auch möglich, das Resonatorelement, d. h.
die Balkenstruktur, mit einer zusätzlichen seismischen
Masse zu versehen (beispielsweise durch Aufdampfen). Eine
solche zusätzliche Masse dient als Basisstruktur für Be
schleunigungssensoren.
Zusätzlich ist auf den Trägerstegen eine Leitungsführung
aufgebracht, so daß eine leitende Verbindung zur Balken
struktur möglich ist.
Die wesentlichen Vorteile des erfindungsgemäßen Halbleiter
elementes bzw. dessen Herstellungsverfahrens sind folgende:
- - das Herstellungsverfahren benötigt keine zusätzlichen Dotierungsschritte oder Epitaxieschritte, um Ätzstopp schichten herzustellen,
- - das Halbleitersubstrat braucht nur von einer Oberfläche her bearbeitet zu werden,
- - es sind im Vergleich zum Stand der Technik dickere Balken strukturen realisierbar, wodurch eine höhere mechanische Belastbarkeit des Halbleiterelementes erreicht wird,
- - eine dreieckige bzw. trapezförmige Querschnittsform der Balkenstruktur sorgt für eine hohe Meßempfindlichkeit,
- - bei der Bearbeitung mit Laserstrahlung zur flächigen Zerstörung bzw. teilweisen Zerstörung der Kristallstruktur bestehen große Variationsmöglichkeiten bei der Auswahl der Geometrie der zu zerstörenden Bereiche. Im Vergleich zu mechanischen Bearbeitungsverfahren, wie z. B. Schleifen, Sägen o. ä., zeichnen sich die bearbeiteten Halbleitersub strate durch eine höhere Bruchsicherheit aus,
- - beim Einsatz des Halbleiterelementes als Drucksensor ergibt sich ein weiter Meßbereich mit einer nahezu line aren Kennlinie.
Das erfindungsgemäße monolithisch integrierte Halbleiterele
ment ist als Basisstruktur für zahlreiche mikromechanische
Sensoren und Aktoren verwendbar. Als Wandlerprinzipien
können z. B. eingesetzt werden: elektrothermisch, elektrosta
tisch, elektromagnetisch, resistiv, piezoresistiv, magneto
striktiv, elektroakustisch, piezoelektrisch zur Realisierung
von Sensoren und Aktoren mit analogem und frequenzanalogem
Funktionsprinzip.
Das erfindungsgemäße Halbleiterelement eignet sich insbeson
dere als Drucksensor, Kraftsensor, Beschleunigungssensor
sowie als taktiler Sensor mit analogem oder frequenzanalogem
Ausgangssignal. Darüber hinaus kann das erfindungsgemäße
Halbleiterelement für die Realisierung von Aktorbauelemen
ten, wie Schalter, Ventile, Klappenanzeigen, Antriebe usw.
eingesetzt werden.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei
spielen im Zusammenhang mit der Erläuterung der einzelnen
Herstellungsschritte beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 eine prinzipielle Darstellung eines erfindungs
gemäßen monolithisch integrierten Halbleiter
elementes,
Fig. 2 ein Beispiel für eine mögliche Prozeßabfolge
zur Herstellung eines erfindungsgemäßen mono
lithisch integrierten Halbleiterelementes,
dargestellt anhand der einzelnen Prozeßschrit
te,
Fig. 3 eine Schnittansicht eines durch die in Fig. 2
dargestellte Prozeßabfolge hergestellten Halb
leiterelementes,
Fig. 4 eine Darstellung ähnlich zu Fig. 1 mit einer
Balkenstruktur, die mehrere zueinander parallel
liegende Balken aufweist,
Fig. 5 ein Ausführungsbeispiel mit Balkenstruktur,
Schichtaufbau und Leitungsführung und
Fig. 6 die Darstellung eines erfindungsgemäßen Halb
leiterelementes mit Verkapselungseinrichtung.
In Fig. 1 ist eine Prinzipdarstellung des erfindungsgemäßen
monolithisch integrierten Halbleiterelementes dargestellt.
Das Halbleiterelement weist eine über einer Membran 5 ange
ordnete und auf zwei Trägerstegen 15, 16 sitzende Balken
struktur 10 auf. Die Balkenstruktur 10 besteht in der Dar
stellung von Fig. 1 aus einem einzigen Balken. Die Membran
5, die Trägerstege 15, 16 und der Balken 10 sind aus einem
gemeinsamen Halbleitersubstrat 1, das beispielsweise einkri
stallines Silizium sein kann, gebildet und damit einstückig
aneinandergeformt. Die Membran 5, die Trägerstege 15, 16 und
die Balkenstruktur 10 weisen Berandungsflächen 20, 21 auf,
die durch unterschiedliche Ätzraten in verschiedenen Kri
stallorientierungen des Halbleitersubstrates 1 bestimmt
sind. Diese besonders ausgebildeten Berandungsflächen 20, 21
sind in der Darstellung von Fig. 1 der Einfachheit halber
nicht maßstabsgetreu dargestellt. Es ist jedoch deutlich zu
erkennen, daß die Querschnitte der Trägerstege 15, 16 einen
mittleren Abschnitt mit parallel zueinander liegenden Beran
dungsflächen 20 aufweisen, an denen sich nach oben und unten
verbreiternde Wandungen anschließen. Im Zusammenhang mit den
nachfolgenden Fig. 2 und 3 und der dazugehörenden Erläu
terung wird die Ausbildung dieser Berandungsflächen 20, 21
deutlich.
Obwohl prinzipiell jedes Halbleitermaterial, wie z. B. GaAs,
zur Herstellung eines erfindungsgemäßen monolithisch inte
grierten Halbleiterelementes geeignet ist, wird die Erfin
dung im folgenden anhand eines einkristallinen Siliziumsub
strates erläutert, das im Sinne der Millerschen Indizes eine
⟨110⟩-Kristallorientierung an seiner Oberfläche aufweist.
Die Balkenstruktur 10 ist dabei längs der [10]-Richtung
angeordnet. In diesem speziellen Ausführungsbeispiel stehen
die beiden Trägerstege 15, 16 orthogonal zur Ausrichtung der
Balkenstruktur 10, also in [001]-Richtung. Die Balkenstruk
tur 10 sitzt dabei mit ihren beiden Enden 11, 12 jeweils auf
einem der beiden Trägerstege 15, 16 auf.
In Fig. 2 ist eine mögliche Prozeßabfolge zur Herstellung
des erfindungsgemäßen monolithisch integrierten Halbleiter
elementes am Beispiel eines einkristallinen Siliziumsubstra
tes und anschließender Laserbearbeitung sowie anisotropem
Ätzen beschrieben. Die einzelnen Prozeßschritte a)-e) sind
in der Darstellung von Fig. 2 anhand einer Schnittdarstel
lung sowie der Draufsicht auf das zu bearbeitende Silizium
substrat 1 gezeigt. Zusätzlich sind in Fig. 2 noch die
dazugehörenden Kristallrichtungen anhand der Millerschen
Indizes aufgeführt.
Als Ausgangssubstrat dient ein ⟨110⟩-Siliziumwafer, der
beidseitig poliert ist, eine niedrige Dotierung (Leitfähigkeit ca. 10 Ohm
cm) sowie eine Dicke von etwa 380 µm aufweist. Das Halblei
tersubstrat ist in Fig. 2 wieder mit dem Bezugszeichen 1
gekennzeichnet. In einem ersten Verfahrensschritt - vgl. a)
- wird auf die beiden Oberflächen 2, 3 des Halbleitersub
strates 1 eine Maskierschicht 41 bzw. 42, z. B. eine Oxyd
schicht mittels thermischer Oxydation, aufgebracht. Die
Dicke der beiden Oxydschichten 41, 42 beträgt jeweils etwa 1 µm.
In einem nächsten Schritt b) wird die obere Oxydschicht 41
in vorgegebenen Bereichen 44 wieder entfernt. Dies wird
durch an sich bekannte Lithographieprozesse erreicht. Die
Oxydschicht wird an denjenigen Bereichen geöffnet, an denen
anschließend die Kristallstruktur des Halbleitersubstrates 1
zerstört bzw. teilweise zerstört werden soll, um nach einem
anisotropen Ätzvorgang eine sich im Halbleitersubstrat
ausbildende Membran mit darüber angeordneter und eine auf
Trägerstegen 15, 16 sitzende Balkenstruktur 10 zu erhalten.
Im Ausführungsbeispiel von Fig. 2 und dem dort verwendeten
⟨110⟩-Siliziumsubstrat wird die Oxydschicht 41 so geöffnet,
daß ein H-förmiger Bereich auf der Oberfläche 2 des Silizi
umsubstrates weiterhin mit der Markierschicht bzw. Oxydschicht abgedeckt ist.
Der mittlere Schenkel der H-Struktur ist so auszurichten,
daß dieser längs zur [10]-Kristallrichtung liegt. Das eben
beschriebene Öffnen der Oxydschicht 41 wird aus der Drauf
sicht auf das Halbleitersubstrat 1 in Fig. 2, Schritt b),
deutlich.
Im nächsten Schritt c) wird der von der Oxydschicht 41
freigelegte unmaskierte Bereich 44 einer gleichmäßigen
flächigen Zerstörung bzw. teilweisen Zerstörung der Kri
stallordnung unterzogen. Hierfür kann beispielsweise mittels
einer Laserbearbeitung die Kristallstruktur bis zu einer
definierten Tiefe von etwa 150 bis 200 µm gezielt beein
trächtigt werden. Zur Laserbestrahlung dieses unmaskierten
Bereiches 44 kann beispielsweise ein Nd:YAG-Laser eingesetzt
werden. Um eine Zerstörung der Kristallordnung unterhalb des
unmaskierten Bereiches 44 bis zu einer vorgegebenen Tiefe zu
erreichen, ist die Leistungsdichte des Laserstrahls entspre
chend einzustellen. Wesentlich ist hierbei, daß die Kri
stallordnung bei der Laserbearbeitung unterhalb des unmas
kierten Bereiches 44 jeweils gleichtief zerstört wird.
Anzustreben ist dabei, daß der Bereich mit einer gestörten
Kristallordnung eine ebene, zur unteren Oberfläche des Sili
ziumsubstrates parallele Fläche aufweist. Der zerstörte
Bereich ist in Fig. 2, Schritt c), punktiert dargestellt
und mit dem Bezugszeichen 45 versehen.
Durch die Behandlung des unmaskierten Bereichs 44 mit Laser
strahlung entsteht in dem punktierten Bereich 45 eine Zone
mit zerstörter Kristallordnung. Diese zerstörten Bereiche 45
werden in einem nächsten Schritt d) anisotrop geätzt. Beim
anisotropen Ätzen von Silizium, beispielsweise in 30%igen
Kaliumhydroxyd-Lösungen bei 60°C, treten bei Verwendung von
geeigneten Maskierschichten, wie z. B. thermischem Silizium
dioxyd, Ätzgruben auf, die nach einer gewissen Ätzdauer nur
noch von sehr langsam ätzenden {111}-Berandungsflächen
begrenzt werden.
Dies wird zur Herstellung des erfindungsgemäßen Halbleiter
elementes gezielt ausgenutzt. Das Ergebnis des anisotropen
Ätzens ist in Fig. 2, Schritt d), zu erkennen. Der aniso
trope Ätzvorgang wird so lange durchgeführt, bis der Balken
der Balkenstruktur 10 mit Berandungsflächen 21 freigeätzt
ist und damit frei über der Membran 5 des Halbleitersubstra
tes 1 liegt und von den Trägerstegen 15, 16 gehaltert wird.
In einem darauffolgenden Schritt e) werden die beiden Oxyd
schichten 41, 42 vom Halbleitersubstrat 1 wieder entfernt,
beispielsweise durch Abtragen der Oxydschichten 41, 42 in
gepufferter Flußsäure.
Anzumerken ist in diesem Zusammenhang noch, daß das teilwei
se Entfernen der Oxydschicht 41 mit Hilfe einer geeigneten
Maskierung nicht unbedingt vorgesehen werden muß. Dieser
Schritt kann nämlich bei geringeren Anforderungen an die
Strukturauflösung ersatzlos entfallen. Dann wird beispiels
weise mit Laserlicht die Oxydschicht 41 in den vorgegebenen
Bereichen gleichzeitig mitstrukturiert bzw. zerstört.
Wesentlich für das so hergestellte erfindungsgemäße monoli
thisch integrierte Halbleiterelement sind die sich ergeben
den Berandungsflächen von Balkenstruktur 10, Membran 5 und
Trägerstege 15, 16. Durch das gezielte Ausnutzen von langsam
ätzenden {111}-Kristallflächen wird erreicht, daß die Bal
kenstruktur 10, die Membran 5 und die Trägerstege 15, 16
Berandungsflächen aufweisen, die durch die unterschiedliche
Ätzrate in verschiedenen Kristallorientierungen des Halblei
tersubstrates bestimmt sind.
Diese Berandungsflächen werden in den Darstellungen der
Fig. 2, Schritt e), sowie der Darstellung von Fig. 3
besonders deutlich. Eine Draufsicht auf das fertige Halblei
terelement rechts in Fig. 2, Schritt e), zeigt, daß das
Halbleiterelement eine auf der Membran 5 liegende H-förmige
erhöhte Mikrostruktur enthält. Anhand der Schnittlinie A-A
und B-B und der dazugehörenden Schnittdarstellungen in Fig.
2, Schritt e) sowie Fig. 3 ist die Orientierung der Beran
dungsflächen des erfindungsgemäßen Halbleiterelementes
ersichtlich.
In der linken Darstellung von Fig. 2, Schritt e) weist der
Balken der Balkenstruktur 10 eine dreieckförmige Quer
schnittsgestalt auf, wobei die innerhalb des Halbleitersub
strates 1 liegenden Seitenflächen {111}-Kristallflächen
sind. Auf der Membran 5 bildet sich gegenüberliegend zum
Balken ein in etwa zum Balken 10 symmetrisch liegender Grat
6 aus, der ebenfalls {111}-Berandungsflächen enthält. Die
beim anisotropen Ätzen freigelegten Bereiche weisen eben
falls zunächst eine {111}-Berandungsfläche auf, die durch
aufeinanderfolgende {100}, {111}, {110}-Flächen, den Grat 6
und den nachfolgenden {110}, {111} und {100}-Flächen mitein
ander in Verbindung sind. Die zur Innenseite des Halbleiter
substrates 1 weisende Oberfläche der Membran 5 weist, bis
auf den Grat 6, eine [110]-Orientierung auf. Wie aus der
Schnittdarstellung von Fig. 2, Schritt e), deutlich zu
erkennen ist, ist zwischen dem Balken der Balkenstruktur 10
und dem Halbleitersubstrat 1, abgesehen vom Grat 6, eine
nahezu achteckförmige Öffnung vorgesehen, die durch die
erwähnten Berandungsflächen begrenzt ist.
Die den unterschiedlichen Ätzraten der verschiedenen Kri
stallorientierungen entsprechenden Berandungsflächen des
erfindungsgemäßen Halbleiterelementes sind auch in der
Darstellung von Fig. 3 deutlich zu erkennen. Gleiche Be
zugszeichen bezeichnen wieder gleiche Teile. Hier sind jetzt
deutlich die beiden Trägerstege 15, 16 zu erkennen, zwischen
denen die Balkenstruktur 10 angeordnet ist. Aufgrund der
gewählten Kristallorientierung ist an den Trägerstegen 15,
16 wieder die Unterschneidung ersichtlich, die durch {100}-
Kristallflächen definiert ist. Im übrigen ist auch hier ein
oktagonaler Querschnitt der beiden Öffnungen 25, 26 deutlich
zu erkennen. Die Berandungsflächen dieser beiden Öffnungen
25, 26 sind ausschließlich durch die Kristallebenen {100}
sowie {110} gegeben.
Wesentlich beim erfindungsgemäßen Verfahren ist eine exakte
Abstimmung zwischen der gewählten Dicke des Halbleitersub
strates, der Breite des Balkens der Balkenstruktur 10 sowie
der Dicke der Membran 5, so daß das ausgewählte Halbleiter
substrat ausschließlich von einer Oberfläche her bearbeitet
werden muß.
Um festzustellen, wann die Balkenstruktur 10 beim anisotro
pen Ätzen freigelegt ist, ist es möglich, auf dem Halblei
terwafer einen Testbereich vorzusehen, auf dem ebenfalls
eine freizuätzende weitere Balkenstruktur angeordnet ist,
die der Balkenstruktur entspricht, welche zwischen den
beiden Trägerstegen 15, 16 vorgesehen wird. Diese weitere
Balkenstruktur weist dagegen keine Trägerstege auf. Sobald
aufgrund der fehlenden Stützen die Balken dieser Balken
struktur beim anisotropen Ätzen herabfallen, was ohne weite
res optisch detektierbar ist, wird der Vorgang des anisotro
pen Ätzens beendet.
Eine weitere Abwandlung des erfindungsgemäßen Verfahrens,
das in Fig. 2 vorgestellt wurde, besteht darin, den unmas
kierten Bereich vor der Laserbehandlung anisotrop zu ätzen.
In Fig. 4 ist eine Darstellung eines erfindungsgemäßen
Halbleiterelementes ähnlich zu Fig. 1 gezeigt. Im Gegensatz
zur Darstellung von Fig. 1 weist dieses Halbleiterelement,
bei dem der Einfachheit halber die Berandungsflächen der
Balkenstruktur 10, der Trägerstege 15, 16 und der Membran
nicht maßstäblich gezeigt sind, anstatt eines einzigen
Balkens, jetzt drei parallel zueinander angeordnete Balken
10a, 10b und 10c auf. Eine Ausführung mit vier Balken hat
sich als zweckmäßig erwiesen, um eine günstige Momentenkom
pensation zu erreichen. Es sind auch hier die aufgrund der
unterschiedlichen Ätzraten in den Kristalloberflächen sich
ausbildenden Berandungsflächen deutlich zu erkennen.
In Fig. 5 ist ein möglicher Schichtaufbau der Balkenstruk
tur 10 für Sensoranwendungen dargestellt. Zur Herstellung
einer unteren Elektrode (vgl. Fig. 5 unten) wird auf der
Balkenstruktur 10, die niedrig n-dotiert ist, eine hochdo
tierte p⁺-Siliziumschicht 36 eingebracht. Auf dieser
hochdotierten p⁺-Siliziumschicht 36 wird eine piezoelek
trische Wandlerschicht, z. B. Zinkoxyd-Schicht 37 (ZnO),
aufgebracht und strukturiert. Zusätzlich wird auf diese
Schicht 37 als obere Elektrode (vgl. Fig. 5 oben) eine
Aluminium-Schicht 38 abgeschieden und ebenfalls struktu
riert. Die Aluminium-Schicht 38 ist mit einer Passivierungs
schicht 39 abgedeckt. Die beiden Elektroden werden mit Hilfe
von Leitungsführungen 35 (z. B. Leiterbahnen) über die Trä
gerstege 15, 16 hinweg zu entsprechenden Anschlußmetallisie
rungen auf dem Halbleitersubstrat 1 geführt und damit elek
trisch kontaktiert.
Die Darstellung in Fig. 6 entspricht weitgehend der Dar
stellung von Fig. 1. Zusätzlich ist hier noch eine Verkap
selungseinrichtung 70 angedeutet, innerhalb der das erfin
dungsgemäße Halbleiterelement angeordnet ist. Eine solche
evakuierte Verkapselungseinrichtung 70 dient zur Reduzierung
der Luftdämpfung des Halbleiterelementes.
Anzumerken ist weiter, daß das Resonatorelement, d. h. die
Balkenstruktur 10, mit einer zusätzlichen seismischen Masse
versehen werden kann. Eine solche zusätzliche Masse ist
insbesondere bei der Verwendung des erfindungsgemäßen Halb
leiterelementes als Beschleunigungssensor vorteilhaft.
Untersuchungen haben gezeigt, daß eine Balkenlänge von etwa
2 mm und eine Balkenbreite von etwa 120 µm sehr gute Sensor
eigenschaften aufweist. Die Membran 5 sollte etwa 150 µm
dick sein.
Bezugszeichenliste
1 Halbleitersubstrat
2 Oberfläche
3 Oberfläche
5 Membran
6 Grat
10 Balkenstruktur
11 ein Ende der Balkenstruktur
12 anderes Ende der Balkenstruktur
15 Trägersteg
16 Trägersteg
20 Berandungsflächen
21 Berandungsflächen der Balkenstruktur
25 Öffnung
26 Öffnung
35 Leitungsführung
36 hochdotierte Halbleiterschicht
37 Zinkoxyd-Schicht
38 Aluminium-Schicht
39 Passivierungs-Schicht
41 Maskierschicht
42 Maskierschicht
44 unmaskierter Bereich
45 Bereich mit zerstörter Kristallorientierung
70 Verkapselungseinrichtung
10a erster Balken
10b zweiter Balken
10c dritter Balken
2 Oberfläche
3 Oberfläche
5 Membran
6 Grat
10 Balkenstruktur
11 ein Ende der Balkenstruktur
12 anderes Ende der Balkenstruktur
15 Trägersteg
16 Trägersteg
20 Berandungsflächen
21 Berandungsflächen der Balkenstruktur
25 Öffnung
26 Öffnung
35 Leitungsführung
36 hochdotierte Halbleiterschicht
37 Zinkoxyd-Schicht
38 Aluminium-Schicht
39 Passivierungs-Schicht
41 Maskierschicht
42 Maskierschicht
44 unmaskierter Bereich
45 Bereich mit zerstörter Kristallorientierung
70 Verkapselungseinrichtung
10a erster Balken
10b zweiter Balken
10c dritter Balken
Claims (21)
1. Monolithisch integriertes Halbleiterelement mit einer
über einer Membran angeordneten und auf Trägerstegen
sitzenden Balkenstruktur (BOD-Struktur), dadurch gekennzeichnet, daß
die Membran (5), die Trägerstege (15, 16) und die Bal
kenstruktur (10) einstückig aus einem gemeinsamen Halb
leitersubstrat (1) gebildet sind und Berandungsflächen
(20) aufweisen, die durch unterschiedliche Ätzraten in
verschiedenen Kristallorientierungen des Halbleitersub
strates (1) bestimmt sind.
2. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach An
spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersub
strat (1) ein einkristallines Siliziumsubstrat ist.
3. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach An
spruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das einkristalline
Siliziumsubstrat eine [110]-Oberflächenkristallorientie
rung aufweist und die Balkenstruktur (10) längs einer
[10]-Richtung angeordnet ist.
4. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach An
spruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerstege
(15, 16) jeweils orthogonal an einem der beiden Enden
(11, 12) der Balkenstruktur (10) angeordnet sind.
5. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach einem
der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Balkenstruktur (10) mindestens einen Balken mit dreieck
förmigem Querschnitt aufweist, der mit zwei {111}-Beran
dungsflächen (21) versehen ist.
6. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach einem
der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Balkenstruktur (10) mindestens einen Balken mit trapez
förmigem Querschnitt aufweist, der mit zwei gegenüber
liegenden {111}-Berandungsflächen (21) versehen ist.
7. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach einem
der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
Balkenstruktur (10) mindestens einen Balken mit in
Längsrichtung veränderlichem Querschnitt aufweist.
8. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach einem
der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf
mindestens einem Balken der Balkenstruktur (10) eine
seismische Masse aufgebracht ist.
9. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach einem
der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
Balkenstruktur (10) aus einem Balken besteht.
10. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach einem
der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
Balkenstruktur (10) aus mindestens zwei, vorzugsweise
vier, zueinander parallel angeordneten Balken (10a, 10b,
10c) besteht.
11. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach einem
der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die
Membran (5), die Trägerstege (15, 16) und die Balken
struktur (10) innerhalb einer Verkapselungseinrichtung
(70) angeordnet sind.
12. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach einem
der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß auf
der Balkenstruktur ein Schichtaufbau (36, 37, 38, 39)
angeordnet ist, der über eine Leitungsführung (35)
kontaktiert wird, die über die Trägerstege (15, 16) nach
außen geführt sind.
13. Monolithisch integriertes Halbleiterelement nach An
spruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß für den Schicht
aufbau (36, 37, 38, 39) eine auf der Balkenstruktur (10)
versehene hochdotierte Halbleiterschicht (36) und eine
darüber angeordnete ZnO- und Al-Schicht (37, 38) und
eine Passivierungsschicht (39) vorgesehen sind.
14. Verwendung des monolithisch integrierten Halbleiterele
mentes nach einem der Ansprüche 1 bis 13 als Sensor,
insbesondere für Druck, Kraft und Beschleunigung, sowie
als taktiler Sensor.
15. Verwendung des monolithisch integrierten Halbleiterele
mentes nach einem der Ansprüche 1 bis 13 als elektrome
chanischer Wandler zum Umwandeln von elektrischer Ener
gie in Bewegung der Balkenstruktur (10) und Membran (5)
des Halbleiterelementes.
16. Verfahren zur Herstellung des monolithisch integrierten
Halbleiterelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
- - Aufbringung einer Maskierschicht (41, 42) auf gegen überliegende Oberflächen (2, 3) eines Halbleitersub strates (1), das eine vorgegebene Oberflächenkristall orientierung aufweist,
- - gleichmäßige, flächige Zerstörung oder teilweise Zerstörung der Kristallstruktur des Halbleitersubstra tes (1) ausgehend von einer der Oberflächen (2, 3), um nach einem erfolgten Ätzvorgang eine sich im Halblei tersubstrat (1) ausbildende Membran (5) mit einer darüber angeordneten und auf Trägerstegen (15, 16) sitzenden Balkenstruktur (10) zu erhalten, und
- - anisotropes Ätzen, bis die Balkenstruktur (10) freige ätzt ist und unter der Balkenstruktur (10) eine Mem bran (5) mit einer vorgegebenen Dicke verbleibt.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
die gleichmäßige flächige Zerstörung oder teilweise
Zerstörung der Kristallstruktur des Halbleitersubstrates
(1) mittels Laserstrahlung erfolgt.
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeich
net, daß das anisotrope Ätzen in einer Kaliumhydroxyd
lösung erfolgt.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch
gekennzeichnet, daß im Halbleitersubstrat (1) ein Test
bereich mit einer freizuätzenden weiteren Balkenstruktur
vorgesehen ist, welche der Balkenstruktur (10) ent
spricht, allerdings keine Trägerstege (15, 16) aufweist,
und ein Herabfallen der weiteren Balkenstruktur als
Signal für die Beendigung des Ätzvorganges herangezogen
wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch
gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen der Maskier
schicht (41, 42) auf das Halbleitersubstrat (1) und vor
dem Zerstörungsschritt eine Strukturierung der Maskier
schicht (41) auf der ersten Oberfläche (2) erfolgt und
die Kristallordnung des Halbleitersubstrates (1) in den
unmaskierten Bereichen (44) zerstört bzw. teilweise
zerstört wird.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß
die unmaskierten Bereiche (44) vor dem Zerstörungs
schritt anisotrop geätzt werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934332653 DE4332653C1 (de) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Monolithisch integriertes Halbleiterelement, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterelementes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934332653 DE4332653C1 (de) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Monolithisch integriertes Halbleiterelement, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterelementes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4332653C1 true DE4332653C1 (de) | 1994-09-01 |
Family
ID=6498593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19934332653 Expired - Fee Related DE4332653C1 (de) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Monolithisch integriertes Halbleiterelement, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterelementes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4332653C1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0878835A1 (de) * | 1992-10-23 | 1998-11-18 | Ricoh Seiki Company, Ltd. | Ätzverfahren für Silizium-Substrat |
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EP0244086A2 (de) * | 1986-04-26 | 1987-11-04 | Stc Plc | Resonatorvorrichtung |
DD272737A1 (de) * | 1988-05-18 | 1989-10-18 | Teltov Geraete Regler | Verfahren zur herstellung einer schmalen (100)-orientierten rechteckigen membran aus monokristallinem silizium |
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1993
- 1993-09-24 DE DE19934332653 patent/DE4332653C1/de not_active Expired - Fee Related
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Date | Code | Title | Description |
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8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
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