DE4325518A1 - Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben - Google Patents

Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben

Info

Publication number
DE4325518A1
DE4325518A1 DE4325518A DE4325518A DE4325518A1 DE 4325518 A1 DE4325518 A1 DE 4325518A1 DE 4325518 A DE4325518 A DE 4325518A DE 4325518 A DE4325518 A DE 4325518A DE 4325518 A1 DE4325518 A1 DE 4325518A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
edge
semiconductor wafer
smoothing
cloth
notch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4325518A
Other languages
English (en)
Inventor
Anton Dipl Ing Huber
Joachim Dipl Ing Junge
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Priority to DE4325518A priority Critical patent/DE4325518A1/de
Priority to MYPI94001563A priority patent/MY130149A/en
Priority to CN94107806A priority patent/CN1103511A/zh
Priority to TW083106329A priority patent/TW260812B/zh
Priority to JP6189009A priority patent/JPH0760624A/ja
Priority to KR1019940017541A priority patent/KR950004435A/ko
Priority to ITRM940495A priority patent/IT1272345B/it
Publication of DE4325518A1 publication Critical patent/DE4325518A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben im Anschluß an eine Kantenverrundung durch Schleifen mit gebundenem Schleifkorn.
Die Kanten von Halbleiterscheiben werden üblicherweise nach dem Abtrennen der Scheibe vom zylinderförmig zugeschliffenen Einkristall überschliffen, wobei Ausbrüche und Beschädigun­ gen im Kristall beseitigt werden. Weitere Ziele dieser Kan­ tenverrundung sind, die Halbleiterscheiben mit einem defi­ nierten Kantenprofil zu versehen und eine möglichst glatte und widerstandsfähige Kantenoberfläche zu erzeugen. Durch die Verminderung der Rauhigkeit der Scheibenkanten soll ver­ hindert werden, daß es schon bei geringer Stoßbelastung zu Ausbrüchen kommt und daß sich Partikel auf der Kantenober­ fläche festsetzen können, die sich im weiteren Verlauf der Verarbeitung der Scheiben zu elektronischen Bauelementen störend auswirken.
Die Arbeitsfläche der üblicherweise verwendeten, mechani­ schen Schleifwerkzeuge besteht aus einem starren, inkom­ pressiblen Trägermaterial, in das das Diamantkorn fest ein­ gebunden ist. Zum Schleifen der gewünschten Kontur der Scheibenkante muß die Form der Arbeitsfläche einer Abformung dieser Kontur entsprechen. In der Patentschrift US-4,344,260 ist ein Verfahren zum Kantenverrunden von Halbleiterscheiben durch Schleifen beschrieben.
Nach einer Kantenverrundung durch Schleifen der Scheiben­ kanten bleibt eine bestimmte Mindestrauhigkeit der Kanten­ oberfläche bestehen. Ferner läßt es sich nicht vermeiden, daß das Schleifen eine Beschädigung (damage) des Kristall­ gitters bis in die Tiefe von einigen µm verursacht.
Üblicherweise wird im Anschluß an die Kantenverrundung mit Hilfe eines chemischen Ätzmittels soviel Material abgetra­ gen, daß die beschädigten Kristallbereiche mitentfernt wer­ den. Eine ausreichende Glättung der Kante wird durch die Ätzbehandlung jedoch nicht erreicht.
Man ist deshalb dazu übergegangen, die bereits nach einem herkömmlichen Verfahren geschliffenen und gegebenenfalls an­ schließend geätzten Kanten von Halbleiterscheiben chemisch­ mechanisch zu polieren und dabei zu glätten. Bei dieser Art der Behandlung wird unter Beaufschlagung eines chemisch wir­ kenden Ätzmittels ein Poliertuch auf die Kante einer sich zentrisch drehenden Halbleiterscheibe gedrückt.
Die chemisch-mechanische Glättung der Scheibenkanten hat den Nachteil, daß der Materialabtrag nur mit sehr geringer Rate erfolgt und entsprechend lange Behandlungszeiten pro Halbleiterscheibe erforderlich sind. Ungünstig ist ferner, daß das verwendete Ätzmittel unbeabsichtigt auf eine der beiden Seitenflächen der Halbleiterscheibe geraten und dort nicht erwünschte Oberflächenverätzungen bewirken kann.
In den Randbereich von Halbleiterscheiben sind häufig ker­ benförmige Markierungen eingeschliffen, die das Positionie­ ren der Halbleiterscheibe erleichtern und Aufschluß über die Kristallorientierung geben sollen. Diese Markierungen sind unter der Bezeichnung Notch bekannt. Für das Glätten der Kante der Halbleiterscheibe im Notch gibt es noch keine zufriedenstellenden Lösungen.
Die Aufgabe der Erfindung bestand deshalb darin, ein Verfah­ ren anzugeben, mit dem die geschliffenen Kanten einer Halb­ leiterscheibe, gegebenenfalls auch im Notch, geglättet wer­ den können, ohne daß die genannten Nachteile auftreten.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben, gegebenenfalls auch im Notch einer Halbleiterscheibe, das dadurch gekennzeichnet ist, daß ein kompressibles, mit Diamanten imprägniertes Tuch als Ar­ beitsfläche eines Polierwerkzeugs mit einer bestimmten Kraft gegen die Kante einer Halbleiterscheibe gedrückt wird und die Halbleiterscheibe und/oder die Arbeitsfläche eine Rota­ tionsbewegung ausführen.
Diamantenimprägnierte Tücher sind bekannt. Sie werden mit verschiedenen Diamantenkörnungen von 0,25 bis 30 µm angebo­ ten. Es ist ferner bereits bekannt, mit Diamanten impräg­ nierte Tücher auf Läppscheiben zu kleben und zum Polieren großflächiger, sprödharter Werkstoffe aus oxidischer und nichtoxidischer Keramik, gehärtetem Stahl oder Nicht-Eisen­ metallen zu verwenden (Industrie Diamanten Rundschau 3/92, S. 115-117).
Es wurde nun ein Polierverfahren entwickelt, mit dem unter Verwendung diamantimprägnierter Tücher bereits geschliffene Kanten von Halbleiterscheiben mit einer Qualität geglättet werden können, die an das Polierergebnis beim chemisch- mechanischen Polieren heranreicht. Darüber hinaus ist das Verfahren auch zur Glättung der Kante im Notch der Halb­ leiterscheibe geeignet.
Zum besseren Verständnis der Erfindung wird das Verfahren im folgenden an Hand zweier Figuren näher erläutert. Fig. 1 zeigt schematisch die Seitenansicht und Fig. 2 eine Drauf­ sicht der Anordnung des Werkzeugs und der Halbleiterscheibe während des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Zum Glätten der Kante wird die Halbleiterscheibe (1) auf ei­ ner flachen Scheibenhalterung, einem sogenannten Chuck (2), fixiert. Die Kante (3) der Halbleiterscheibe ragt über den Rand des Chucks hinaus, so daß sie für das Polierwerkzeug frei zugänglich ist. Die Arbeitsfläche (4) des Polierwerk­ zeugs ist ein mit Diamanten imprägniertes Tuch mit einer Diamantenkörnung von vorzugsweise 1 bis 6 µm.
Das Werkzeug zur Glättung der Scheibenkante im Notch (5) besitzt vorzugsweise eine um die Drehachse (6) rotierende, mit dem diamantimprägnierten Tuch belegte Umlaufscheibe (7). Das mit Diamanten imprägnierte Tuch ist so auf die Umlauf­ scheibe gespannt, geklebt oder anderweitig fixiert, daß es den gesamten Umfang und zumindest einen Teil der Seiten­ flächen der Umlaufscheibe bedeckt. Das Tuch ist ferner so profiliert, daß der Querschnitt der mit dem Tuch belegten Umlaufscheibe im Bereich des Rands der Umlaufscheibe zumin­ dest annähernd die Form der den Notch (5) bildenden Einker­ bung der Halbleiterscheibe aufweist. Zur Glättung der Kante im Notch wird die sich zentrisch drehende Umlaufscheibe mit ihrem Umfang in den Notch der ruhenden Halbleiterscheibe eingeführt und mit einer bestimmten Kraft gegen die Kante der Halbleiterscheibe gedrückt. Dabei stehen die Seiten­ flächen der Halbleiterscheibe und der Umlaufscheibe in einem 90° Winkel zueinander. Die Druckkraft wird vorzugsweise pneumatisch oder über eine Feder übertragen. Gegebenenfalls reicht es auch aus, wenn das Werkzeug mit seinem Eigen­ gewicht gegen die Kante der Halbleiterscheibe drückt. Um sicherzustellen, daß die Kante der Halbleiterscheibe im Notch vollständig von der Arbeitsfläche des Polierwerkzeugs erfaßt wird, ist es zweckmäßig, eine weitere Drehachse (8) parallel zur Oberfläche der Halbleiterscheibe vorzusehen und die sich drehende Umlaufscheibe in einer Pendelbewegung um diese Drehachse etwas anzuheben und abzusenken.
Grundsätzlich kann eine Umlaufscheibe mit einer flachen Ar­ beitsfläche aus diamantimprägniertem Tuch auch zur Glättung der Kante einer Halbleiterscheibe außerhalb vom Notch ver­ wendet werden. Voraussetzung dafür ist allerdings, daß sich die Halbleiterscheibe dreht, wenn die Umlaufscheibe mit ihrem Umfang gegen die Kante der Halbleiterscheibe gedrückt wird.
Bevorzugt wird zu diesem Zweck jedoch mit einem Polierwerk­ zeug geglättet, das die in den Figuren gezeigten und im fol­ genden beschriebenen Merkmale aufweist. Dieses Polierwerk­ zeug besteht im wesentlichen aus einer um die Achse (9) drehbaren Spindel (10) mit einer trompetenförmig aufgeweite­ ten, ebenen Stirnfläche. Auf diese Stirnfläche wird das mit Diamanten imprägnierte Tuch geklebt, gespannt oder anderwei­ tig fixiert. Es bildet die Arbeitsfläche (4) des Polierwerk­ zeugs. Zur Glättung der Kante wird die Halbleiterscheibe auf dem Chuck (2) fixiert und zentrisch oder exzentrisch ge­ dreht. Die sich um die Achse (9) drehende Spindel (10) wird so gegen die Halbleiterscheibe zugestellt, daß die Arbeits­ fläche mit einer bestimmten Kraft gegen die Kante der Halb­ leiterscheibe drückt. Vorzugsweise wird die notwendige Druckkraft pneumatisch, von einer Feder oder von der Schwer­ kraft des Polierwerkzeugs erzeugt. Die Drehachse der Spindel steht dabei senkrecht zur Drehachse der Halbleiterscheibe oder senkrecht zu einer gedachten Tangentialfläche, die an die obere oder untere gekrümmte Seitenfläche der Kante der Halbleiterscheibe angelegt ist. Diese drei Positionen können nacheinander von einem Polierwerkzeug angesteuert werden. Es ist jedoch von Vorteil, die Glättung der Kante in einem Arbeitsgang zu vollenden, indem gleichzeitig mit drei, diese Positionen einnehmenden Polierwerkzeugen gearbeitet wird.
Wenn die Halbleiterscheibe während der Glättung der Kante zentrisch gedreht wird, wird nur ein punktförmiger Bereich der Arbeitsfläche des Polierwerkzeugs beansprucht. Zur Ver­ längerung der Betriebszeiten der Arbeitsfläche ist es des­ halb zweckmäßiger, die Halbleiterscheibe exzentrisch zu dre­ hen, wobei der zur Glättung beanspruchte Bereich der Arbeitsfläche ringförmig aufgeweitet wird.
Der besondere Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, daß durch die Kompressibilität des diamantimprägnier­ ten Tuchs die Glättung der gesamten gekrümmten Kantenober­ fläche während eines Arbeitsgangs erreicht werden kann. Wenn die Arbeitsfläche des Polierwerkzeugs gegen die Kante ge­ drückt wird, schmiegt sich das diamantimprägnierte Tuch an die Kante der Halbleiterscheibe an. Das Polierwerkzeug braucht infolgedessen während des Glättens der Kante nicht nach dem üblicherweise durch eingeschliffene Facetten kom­ plizierten Kantenprofil ausgerichtet werden. Darüber hinaus ist das im Tuch gebundene Diamantkorn bei Druckbelastung ausreichend nachgiebig, so daß die Glättung der Kante nahezu keine Beschädigung des Kristallgitters verursacht. Der beim Glätten der Kante erzeugte Materialabtrag läßt sich auf ein­ fache Weise in Abhängigkeit der Kraft, mit der die Arbeits­ fläche des Polierwerkzeugs gegen die Kante gedrückt wird, der Schnittgeschwindigkeit und der Bearbeitungszeit variie­ ren. Die Glättung der Kante nach dem erfindungsgemäßen Ver­ fahren erfolgt wesentlich schneller als mit chemisch-mecha­ nischen Glättungsmethoden.
Das erfindungsgemäße Verfahren wurde an einem Beispiel ge­ testet.
Beispiel
Die Kante einer Siliciumscheibe mit 200 mm Durchmesser wurde auf herkömmliche Weise durch Schleifen kantenverrundet. Der die Rauhigkeit der Scheibenkante anzeigende Wert Rmax betrug danach 1,5 µm, im Notch ca. 2-3 µm. Bei der anschließenden Glättung des Scheibenumfangs mit einem diamantimprägnierten Tuch nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wurde durch ge­ zielte exzentrische Klemmung der Halbleiterscheibe auf dem Chuck der Eingriffsdurchmesser des Tuchs zwischen 50 und 80 mm variiert, um eine ringförmige Verschleißfläche zu erhal­ ten. Das Tuch wurde mit einer Kraft von 10 N gegen die Kante der Halbleiterscheibe gedrückt. Die Umlaufgeschwindigkeit des Polierwerkzeugs betrug 20 m/s und die Drehzahl des Chucks 4 min-1. Nach einer Bearbeitungszeit von 2×45 s mit einem diamantimprägnierten Tuch mit Diamantkörnungen von 6 µm und 1 µm wurde eine verbleibende Kantenrauhigkeit von 0,8 nm gemessen. Zur Glättung der Kante im Notch wurde ein Tuch mit einer Diamantkörnung von 3 µm verwendet. Die Umlauf­ geschwindigkeit des Polierwerkzeugs betrug 11 m/s, die Zustellkraft 10 N. Zur Beseitigung der meßbaren Rauhigkeit reichte eine Bearbeitungszeit von 15 s aus.

Claims (5)

1. Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben, gegebenenfalls auch im Notch einer Halbleiterscheibe, dadurch gekennzeichnet, daß ein kompressibles, mit Diamanten imprägniertes Tuch als Arbeitsfläche eines Polierwerkzeugs mit einer bestimmten Kraft gegen die Kante einer Halbleiterscheibe gedrückt wird und die Halbleiterscheibe und/oder die Arbeitsfläche eine Rotationsbewegung ausführen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Halbleiterscheibe zentrisch dreht.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Halbleiterscheibe exzentrisch dreht.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Arbeitsfläche pneumatisch, über Federkraft oder Schwerkraft gegen den zu bearbeitenden Bereich der Halb­ leiterscheibe gedrückt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Arbeitsfläche ein Tuch mit einer Diamantenkörnung von 1 bis 6 µm verwendet wird.
DE4325518A 1993-07-29 1993-07-29 Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben Withdrawn DE4325518A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4325518A DE4325518A1 (de) 1993-07-29 1993-07-29 Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben
MYPI94001563A MY130149A (en) 1993-07-29 1994-06-16 Process for smoothing the edge of semiconductor wafers.
CN94107806A CN1103511A (zh) 1993-07-29 1994-06-30 精磨半导体晶片的边沿的方法
TW083106329A TW260812B (de) 1993-07-29 1994-07-12
JP6189009A JPH0760624A (ja) 1993-07-29 1994-07-20 半導体円板のエッジを研磨する方法
KR1019940017541A KR950004435A (ko) 1993-07-29 1994-07-20 반도체웨이퍼의 에지를 다듬질하는 방법
ITRM940495A IT1272345B (it) 1993-07-29 1994-07-27 "procedimento per la levigatura dello spigolo di fette di semiconduttori".

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4325518A DE4325518A1 (de) 1993-07-29 1993-07-29 Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4325518A1 true DE4325518A1 (de) 1995-02-02

Family

ID=6494026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4325518A Withdrawn DE4325518A1 (de) 1993-07-29 1993-07-29 Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPH0760624A (de)
KR (1) KR950004435A (de)
CN (1) CN1103511A (de)
DE (1) DE4325518A1 (de)
IT (1) IT1272345B (de)
MY (1) MY130149A (de)
TW (1) TW260812B (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0950466A2 (de) * 1998-04-13 1999-10-20 Nippei Toyama Corporation Verfahren zum Anfasen einer Halbleiterscheibe
EP0993907A1 (de) * 1998-02-27 2000-04-19 Speedfam Co., Ltd. Vorrichtung zum polieren des umfangs eines werkstückes
EP1004400A1 (de) * 1998-11-27 2000-05-31 SpeedFam- IPEC Co., Ltd. Verfahren zum Polieren der Einschittteil einer Halbleiterscheibe
EP1043120A1 (de) * 1999-03-31 2000-10-11 Nippei Toyama Corporation Verfahren und Vorrichtung zum Schleifen eines Werkstücks
DE10219450B4 (de) * 2001-05-02 2005-06-09 Speedfam Co., Ltd., Ayase Poliervorrichtung zum Polieren des Umfangs eines Wafers
DE10153813B4 (de) * 2000-11-07 2005-08-04 Speedfam Co., Ltd., Ayase Poliervorrichtung zum Polieren von äußeren Umfangsabschnitten eines plattenförmigen Werkstücks
DE102009030294A1 (de) * 2009-06-24 2011-01-05 Siltronic Ag Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe
DE102013210057A1 (de) 2013-05-29 2014-12-04 Siltronic Ag Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3949941B2 (ja) * 2001-11-26 2007-07-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および研磨装置
JP5112703B2 (ja) * 2007-01-18 2013-01-09 ダイトエレクトロン株式会社 ウェーハ面取り加工方法およびその装置
JP2011194561A (ja) * 2010-02-26 2011-10-06 Nakamura Tome Precision Ind Co Ltd 円盤状ワークの面取装置
CN102642253B (zh) * 2012-05-04 2014-12-10 上海华力微电子有限公司 一种硅片切边方法及其装置
US9358655B2 (en) 2012-05-07 2016-06-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Outer periphery polishing apparatus for disc-shaped workpiece
CN113182971B (zh) * 2021-05-12 2022-11-25 四川雅吉芯电子科技有限公司 一种单晶硅外延片高精度磨边装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4588473A (en) * 1982-09-28 1986-05-13 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor wafer process
US5128281A (en) * 1991-06-05 1992-07-07 Texas Instruments Incorporated Method for polishing semiconductor wafer edges
EP0515036A2 (de) * 1991-05-24 1992-11-25 Shin-Etsu Handotai Company Limited Gerät zum Abschrägen des Randes einer Scheibe mit spiegelndem Finish
DE4120003A1 (de) * 1991-06-18 1992-12-24 Mueller Georg Nuernberg Vorrichtung und verfahren zum kantenverrunden von halbleiterronden
DE4138087A1 (de) * 1991-07-12 1993-05-27 Daito Shoji Co Ltd Verfahren zum schleifen der kanten eines scheibenfoermigen gekerbten werkstuecks

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57184662A (en) * 1981-05-09 1982-11-13 Hitachi Ltd Chamfering method and device of wafer

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4588473A (en) * 1982-09-28 1986-05-13 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor wafer process
EP0515036A2 (de) * 1991-05-24 1992-11-25 Shin-Etsu Handotai Company Limited Gerät zum Abschrägen des Randes einer Scheibe mit spiegelndem Finish
US5128281A (en) * 1991-06-05 1992-07-07 Texas Instruments Incorporated Method for polishing semiconductor wafer edges
DE4120003A1 (de) * 1991-06-18 1992-12-24 Mueller Georg Nuernberg Vorrichtung und verfahren zum kantenverrunden von halbleiterronden
DE4138087A1 (de) * 1991-07-12 1993-05-27 Daito Shoji Co Ltd Verfahren zum schleifen der kanten eines scheibenfoermigen gekerbten werkstuecks

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 4-57678 A2. In: Patent Abstracts of Japan, M-1261, Vol. 16, No. 248, 5.6.1992 *
JP 62-292367 A2. In: Patent Abstracts of Japan, M-702, 27.5.1988, Vol. 12, No. 182 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0993907A1 (de) * 1998-02-27 2000-04-19 Speedfam Co., Ltd. Vorrichtung zum polieren des umfangs eines werkstückes
EP0993907A4 (de) * 1998-02-27 2001-04-25 Speedfam Co Ltd Vorrichtung zum polieren des umfangs eines werkstückes
EP0950466A3 (de) * 1998-04-13 2003-03-05 Nippei Toyama Corporation Verfahren zum Anfasen einer Halbleiterscheibe
EP0950466A2 (de) * 1998-04-13 1999-10-20 Nippei Toyama Corporation Verfahren zum Anfasen einer Halbleiterscheibe
EP1004400A1 (de) * 1998-11-27 2000-05-31 SpeedFam- IPEC Co., Ltd. Verfahren zum Polieren der Einschittteil einer Halbleiterscheibe
EP1043120A1 (de) * 1999-03-31 2000-10-11 Nippei Toyama Corporation Verfahren und Vorrichtung zum Schleifen eines Werkstücks
SG91268A1 (en) * 1999-03-31 2002-09-17 Nippei Toyama Corp Method and apparatus for grinding a workpiece
DE10153813B4 (de) * 2000-11-07 2005-08-04 Speedfam Co., Ltd., Ayase Poliervorrichtung zum Polieren von äußeren Umfangsabschnitten eines plattenförmigen Werkstücks
DE10219450B4 (de) * 2001-05-02 2005-06-09 Speedfam Co., Ltd., Ayase Poliervorrichtung zum Polieren des Umfangs eines Wafers
DE102009030294A1 (de) * 2009-06-24 2011-01-05 Siltronic Ag Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe
US8388411B2 (en) 2009-06-24 2013-03-05 Siltronic Ag Method for polishing the edge of a semiconductor wafer
DE102009030294B4 (de) * 2009-06-24 2013-04-25 Siltronic Ag Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe
DE102013210057A1 (de) 2013-05-29 2014-12-04 Siltronic Ag Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe

Also Published As

Publication number Publication date
KR950004435A (ko) 1995-02-18
ITRM940495A0 (it) 1994-07-27
TW260812B (de) 1995-10-21
MY130149A (en) 2007-06-29
CN1103511A (zh) 1995-06-07
JPH0760624A (ja) 1995-03-07
IT1272345B (it) 1997-06-16
ITRM940495A1 (it) 1996-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19626396B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung und zum Schleifen von Siliziumscheiben
DE4325518A1 (de) Verfahren zur Glättung der Kante von Halbleiterscheiben
DE602005001842T2 (de) Schleifelement
DE19845166B4 (de) Rotationswerkzeug in der Ausführungsform einer Ringscheibe zur Oberflächenbearbeitung
DE10322360A1 (de) Vorrichtung zum Feinbearbeiten von ebenen Flächen
DE3035635C2 (de) Verfahren zum Abrichten von Schleifscheiben mit Diamant oder kubisch kristallinen Bornitrid
EP1120198B1 (de) Schleifwerkzeug, Bearbeitungsmaschine mit Schleifwerkzeug und Verfahren zum Bearbeiten von Werkstücken mittels Schleifwerkzeug
DE2825852A1 (de) Verfahren und werkzeug zum abrichten einer schleifscheibe
EP0881035A1 (de) Verfahren zur materialabtragenden Bearbeitung der Kante einer Halbleiterscheibe
WO2001047665B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum schleifen von genuteten werkzeugen
EP1754569A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Konditionieren von Schleifwerkzeugen
US20090191793A1 (en) Method of and device for abrasive machining and abrasive tool provided therefor
DE1805307C3 (de) Schleifmaschine für ringförmige Werkstücke
DE3128262C2 (de) Vorrichtung zum Abrichten einer in einer Honmaschine aufgenommenen Honahle
DE10354767B4 (de) Feinschleifmaschine
DE69700374T2 (de) Polierscheibe-Träger und Polierverfahren
DE10222956A1 (de) Feinschleifmaschine
DE3314453A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum profilieren und/oder abrichten von schleifkoerpern
DE3047626C2 (de) Verfahren zur Bearbeitung von Werkstücken mittels eines Rotationsschneidenwerkzeugs
WO2006072452A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum polieren von wafer mit in schaumplastomer gebundenem korn
DE10007444C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten von Schleifscheiben, sowie Verwendung der Vorrichtung
EP1470894B1 (de) Vorrichtung zum Konditionieren einer topfförmigen Schleifscheibe einer Schleifmaschine
DE202020000786U1 (de) Polierwerkzeug
DE102020001283A1 (de) Polierwerkzeug
EP4110552A1 (de) Polierwerkzeug

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FUER HALBLEITERMATER

8139 Disposal/non-payment of the annual fee