DE4313625C2 - Gleichrichterkontakt zwischen einer halbleitenden Diamantschicht und einer amorphen Siliciumschicht und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Gleichrichterkontakt zwischen einer halbleitenden Diamantschicht und einer amorphen Siliciumschicht und Verfahren zu seiner Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft einen hochtemperaturbeständigen Gleichrichterkontakt für Halbleiterbauelemente zwischen einer halbleitenden Diamantschicht und einer dotierten amorphen Si­ liciumschicht.
Diamant ist ein bevorzugtes Material für Halbleiterbauelemen­ te, weil er Halbleitereigenschaften hat, die besser sind als die Halbleitereigenschaften von üblicherweise verwendetem Si­ licium (Si), Germanium (Ge) oder Galliumarsenid (GaAs). Dia­ mant liefert einen höheren Energiebandabstand, eine höhere Durchbruchspannung und eine höhere Sättigungsgeschwindigkeit als diese herkömmlichen Halbleitermaterialien. Diese Eigen­ schaften von Diamant führen im Vergleich zu Bauelementen, die unter Verwendung von herkömmlichem Si, Ge oder GaAs herge­ stellt sind, zu einer wesentlichen Erhöhung der geplanten Grenzfrequenz und der maximalen Arbeitsspannung.
Silicium als Halbleitermaterial wird typischerweise nicht bei Temperaturen verwendet, die höher als etwa 200°C sind, und GaAs wird typischerweise nicht oberhalb von 300°C verwendet. Diese Temperaturbeschränkungen werden zum Teil verursacht, weil die Energiebandabstände für Si (1,12 eV bei Umgebungs­ temperatur) und GaAs (1,42 eV bei Umgebungstemperatur) ver­ hältnismäßig klein sind. Diamant hat im Gegensatz dazu einen großen Bandabstand von 5,47 eV bei Umgebungstemperatur und ist bis zu etwa 1400°C wärmebeständig.
Diamant hat bei Raumtemperatur die höchste Wärmeleitfähigkeit aller Feststoffe und zeigt über einen weiten Temperaturbe­ reich eine gute Wärmeleitfähigkeit. Die hohe Wärmeleitfähig­ keit von Diamant kann vor allem deshalb, weil die Integrati­ onsdichte integrierter Schaltungen zunimmt, vorteilhaft ange­ wandt werden, um Abwärme aus einer integrierten Schaltung ab­ zuführen. Diamant hat außerdem einen kleineren Neutronenwir­ kungsquerschnitt, wodurch seine Verschlechterung in radioak­ tiver Umgebung vermindert wird, d. h., Diamant ist ein strah­ lungsfestes Material.
Wegen der Vorteile von Diamant als Material für Halbleiter­ bauelemente besteht derzeit ein Interesse an der Züchtung und Verwendung von Diamant für hochtemperaturbeständige und strahlungsfest gemachte elektronische Vorrichtungen bzw. Bau­ elemente. Die Herstellung von Gleichrichterkontakten, d. h. Schottky-Kontakten, auf Diamant wird folglich bei der Ent­ wicklung zukünftiger Vorrichtungen bzw. Bauelemente auf Dia­ mantbasis eine wichtige Rolle spielen.
Es ist früher gezeigt worden, daß Kontakte aus Gold (Au) oder Wolfram (W) auf einer Diamantschicht bei Temperaturen bis zu 400°C eine Gleichrichtung liefern. Leider ist die Haftung dieser Schichten an dem Diamanten vor allem bei hohen Tempe­ raturen oft schlecht. Es sind auch andere Gleichrichterkon­ takte bekannt. In der US 4 982 243 ist beispielsweise ein Schottky-Kontakt offenbart, der ein einkristallines Diamant­ substrat, eine auf dem Substrat befindliche einkristalline Epitaxial-Diamantschicht und eine auf der Diamantschicht ge­ bildete Schottky-Elektrodenschicht enthält. Die Schottky- Elektrodenschicht hat eine bevorzugte Dicke von 0,05 bis 5 µm und besteht aus Wolfram, Molybdän, Niob, Tantal, Aluminium, polykristallinem Silicium, Nickel, Gold, Platin, Wolframcar­ bid, Wolframsilicid oder Molybdänsilicid. Ferner kann die Schottky-Elektrodenschicht durch Aufdampfung im Vakuum, che­ mische Aufdampfung (CVD) oder Plasma-CVD auf der Epitaxial- Diamantschicht gebildet werden. Die Diamantschicht wird auf die Oberfläche des einkristallinen Diamantsubstrats epitaxial aufwachsen gelassen, wobei diese Oberfläche in einem Winkel von nicht mehr als 10° zu der (100)-Ebene geneigt ist. Die Oberfläche des Substrats wird poliert, damit die erforder­ liche Gleichmäßigkeit des Diamantsubstrats erzielt wird.
Die bekannten Gleichrichterkontakte sind auf den Gleichrich­ tungsbetrieb bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen ein­ geschränkt gewesen und sind auch durch schlechte Haftung der Metallkontaktschicht an dem Diamanten bei erhöhten Temperatu­ ren beschränkt gewesen. Außerdem ist ein besseres Betriebs­ verhalten des Bauelements notwendig, das durch eine niedrige­ re Leckstromstärke in Sperrichtung und eine höhere Durch­ bruchspannung gekennzeichnet ist.
Des weiteren ist aus dem Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 31 (1992), S. L388 bis L391 ein Heteroübergang zwischen polykristallinem Diamant vom p-Typ und amorphem, mit Wasserstoff versetztem Silicium (a-Si : H) vom n-Typ bekannt. Auf diese Weise ist ein pn-Heteroübergang verwirklicht worden. Zufriedenstellende Gleichrichteigenschaften dieser Vorrichtung werden bei Umge­ bungstemperaturen im Bereich von 273 bis 373 K erzielt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen stabilen, hochtemperaturbeständigen Gleichrichterkontakt auf Diamant und ein Verfahren zur Herstellung des Kontaktes bereitzustel­ len.
Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe durch einen Gleich­ richterkontakt für ein Halbleiterbauelement gelöst, wobei der Gleichrichterkontakt zwischen einer halbleitenden Diamant­ schicht, deren Dotierungskonzentration etwa 1018 Atome/cm3 nicht überschreitet, und einer dotierten im wesentlichen was­ serstofffreien amorphen Siliciumschicht, die sich auf der Diamantschicht befindet, gebildet ist.
Ferner wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Gleichrichterkontaktes gelöst, das die folgen­ den Schritte aufweist: Bereitstellung eines Substrats, Bil­ dung einer halbleitenden polykristallinen Diamantschicht auf dem Substrat und Bildung der dotierten amorphen Silicium­ schicht auf einem vorher festgelegten Teil der halbleitenden polykristallinen Diamantschicht.
Des weiteren wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Her­ stellung eines solchen Gleichrichterkontaktes gelöst, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellung einer halbleiten­ den Diamantschicht und Bildung einer dotierten amorphen Sili­ ciumschicht auf einem vorher festgelegten Teil der halblei­ tenden Diamantschicht.
Die halbleitende Diamantschicht kann durch einen natürlichen einkristallinen IIb-Diamanten bereitgestellt werden oder kann auch eine dotierte polykristalline Diamantschicht sein, die durch herkömmliche chemische Aufdampfung (CVD) auf einem tra­ genden Substrat gebildet wird. Bei einer bevorzugten Ausfüh­ rungsform der Erfindung wird die halbleitende Diamantschicht vorzugsweise durch eine Bor-dotierte polykristalline Schicht bereitgestellt, die durch herkömmliche CVD-Verfahren auf ei­ nem Substrat, wie z. B. Silicium, gebildet wird. Der Gleich­ richterkontakt auf Basis von polykristallinem Diamanten ist weniger teuer als ein Gleichrichterkontakt, bei dem ein ge­ eigneter einkristalliner Diamant verwendet wird.
Als Dotierungssubstanz für den halbleitenden polykristallinen Diamanten wird vorzugsweise Bor verwendet. Die polykristalli­ ne Diamantschicht oder der natürliche Diamant haben vorzugs­ weise eine Konzentration der Dotierungssubstanz, die im Be­ reich von etwa 1016 bis 1018 Atomen/cm3 liegt. Wenn die Dia­ mantschicht stark dotiert ist, ist es wahrscheinlich, daß die amorphe Siliciumschicht mit der stark dotierten Diamant­ schicht nicht als Gleichrichterkontakt wie im Rahmen der Er­ findung, sondern als ohmscher Kontakt wirkt. Ein ohmscher Kontakt, bei dem amorphes Silicium und andere Arten von Sili­ cium auf Diamant verwendet werden, ist in der US 5 075 757 mit dem Titel "Ohmic Contact Electrodes for Semiconductor Diamonds" offenbart.
Die dotierte, im wesentlichen wasserstofffreie amorphe Sili­ ciumschicht im Rahmen der Erfindung ist entweder mit einer p- oder einer n-Dotierungssubstanz vorzugsweise stark dotiert, und zwar in einer Konzentration von mehr als etwa 1019 Ato­ men/cm3. Die p-Dotierungssubstanz für die amorphe Silicium­ schicht wird vorzugsweise aus Elementen der Gruppe IIIb wie z. B. Bor und Aluminium ausgewählt, und die n-Dotierungs­ substanz wird vorzugsweise aus den Elementen der Gruppe Va, wie z. B. Arsen, Phosphor und Antimon, ausgewählt.
Silicium als Halbleitermaterial ist zwar wegen seines ver­ hältnismäßig niedrigen Energiebandabstandes typischerweise auf einen Betrieb bei weniger als etwa 200°C eingeschränkt, jedoch wird die amorphe Siliciumschicht bei dem erfindungsge­ mäßen Gleichrichterkontakt nicht als Halbleiter, sondern als Leiter verwendet. Durch die amorphe Siliciumschicht auf Dia­ mant ist infolgedessen ein Betrieb bei einer verhältnismäßig hohen Temperatur bis zu etwa 400°C erzielbar.
Ein weiterer Gesichtspunkt der Erfindung ist die Verminderung des Durchlaßwiderstandes des Gleichrichterkontaktes durch ei­ nen anschließenden Erhitzungsschritt, der zur Aktivierung von zusätzlichen Dotierungssubstanzatomen dient, die sich inner­ halb der amorphen Siliciumschicht befinden. Das Erhitzen wird bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 550°C und für eine Zeit von etwa 0,5 h bis 1 h durchgeführt.
Der erfindungsgemäße Gleichrichterkontakt ist in vielen Halb­ leiterbauelementen, wie z. B. Dioden oder Gate-Kontakten für Feldeffekttransistoren, und in anderen Bauelementen bzw. Vor­ richtungen, wo ein stabiler Gleichrichterkontakt benötigt wird, der mindestens bis zu etwa 400°C hochtemperaturbestän­ dig ist, anwendbar. Der erfindungsgemäße Gleichrichterkontakt hat im Unterschied zu bestimmten bekannten Metall-Gleich­ richterkontakten eine gute mechanische Haftung zwischen der amorphen Siliciumschicht und der halbleitenden Diamant­ schicht. Außerdem zeigt der Gleichrichterkontakt, der die amorphe Siliciumschicht enthält, eine niedrige Leckstromstär­ ke in Sperrichtung und eine hohe Durchbruchspannung.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden, nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben.
Fig. 1 ist eine Seitenschnittzeichnung einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Gleichrichterkontaktes.
Fig. 2 ist eine Seitenschnittzeichnung einer anderen Ausfüh­ rungsform eines erfindungsgemäßen Gleichrichterkontaktes.
Fig. 3 ist eine graphische Darstellung, die die Strom-Span­ nungs-Kennlinie eines erfindungsgemäßen Gleichrichterkontak­ tes, der eine Bor-dotierte amorphe Siliciumschicht enthält, bei Temperaturen von etwa 25°C und etwa 400°C zeigt.
Fig. 4 ist eine graphische Darstellung, die die Strom-Span­ nungs-Kennlinie eines erfindungsgemäßen Gleichrichterkontak­ tes, der eine Arsen-dotierte amorphe Siliciumschicht enthält, bei Temperaturen von etwa 25°C und etwa 400°C zeigt.
Zur Bezeichnung gleicher Bauelemente werden durchgehend glei­ che Zahlen ohne Striche bzw. mit Strichen (') verwendet. Die Dicken der Schichten und Regionen sind in den Zeichnungen zur Verdeutlichung übertrieben.
Wie in der Schnittzeichnung von Fig. 1 gezeigt ist, wird der Gleichrichterkontakt allgemein mit der Bezugszahl 5 bezeich­ net. Der Gleichrichterkontakt 5 enthält eine halbleitende Diamantschicht 6 und eine darauf befindliche amorphe Silici­ umschicht 7, die stark dotiert ist. Die dotierte amorphe Si­ liciumschicht 7 bildet mit der halbleitenden Diamantschicht 6 einen Gleichrichterkontakt.
Die halbleitende Diamantschicht 6 kann ein natürlicher ein­ kristalliner IIb-Diamant sein, kann jedoch auch eine Bor­ dotierte, einkristalline oder polykristalline Diamantschicht sein, die durch herkömmliche CVD-Verfahren gebildet wird. Wie in der veranschaulichten Ausführungsform von Fig. 2 gezeigt ist, kann ein erfindungsgemäßer Gleichrichterkontakt 5' ein Siliciumsubstrat 8' enthalten, auf dem durch herkömmliche CVD-Verfahren eine Bor-dotierte polykristalline Diamant­ schicht 6' gebildet worden ist. Der Gleichrichterkontakt 5' enthält auf der polykristallinen Diamantschicht 6' auch die dotierte amorphe Siliciumschicht 7'. Den Fachleuten wird klar sein, daß die polykristalline Diamantschicht 6' weniger teuer ist als ein geeigneter einkristalliner Diamant.
Den Fachleuten wird klar sein, daß die dotierte amorphe Sili­ ciumschicht 7 bzw. 7' bei beiden veranschaulichten Ausfüh­ rungsformen der Erfindung vorzugsweise durch Zerstäubung aus einem oder mehr als einem stark dotierten Siliciumtarget (nicht gezeigt) abgeschieden wird. Eine p-Dotierungssubstanz für die amorphe Siliciumschicht 7 bzw. 7' wird aus den Ele­ menten der Gruppe IIIb wie z. B. Bor (B) oder Aluminium (Al), ausgewählt. Eine n-Dotierungssubstanz wird aus den Elementen der Gruppe Va, wie z. B. Arsen (As), Phosphor (P) und Antimon (Sb), ausgewählt.
Es ist gefunden worden, daß die Konzentration der p- oder der n-Dotierungssubstanz in der Siliciumschicht für einen guten Gleichrichtungsbetrieb des Kontaktes 5 bzw. 5' nicht weniger als etwa 1019 Atome/cm3 beträgt. Solche Werte der Konzentrati­ on der Dotierungssubstanz können durch Zerstäubungsabschei­ dung unter Verwendung von handelsüblichen dotierten Silici­ umtargets leicht erzielt werden.
Bei den bevorzugten Ausführungsformen der Gleichrichterkon­ takte 5 bzw. 5' liegt die Konzentration der Dotierungssub­ stanzatome in entweder der natürlichen Diamantschicht 6 oder der dotierten polykristallinen Diamantschicht 6' im Bereich von etwa 1016 bis 1017 Atomen/cm3. Es ist wahrscheinlich, daß eine stark dotierte Diamantschicht nicht als Gleichrichter­ kontakt, sondern als ohmscher Kontakt wirkt.
Es ist auch gefunden worden, daß der Gleichrichterkontakt 5 bzw. 5' vorteilhaft für eine vorher festgelegte Zeit auf eine vorher festgelegte Temperatur erhitzt werden kann, um dadurch den Durchlaßwiderstand des Kontaktes zu vermindern. Insbeson­ dere ist gefunden worden, daß der Kontakt 5 bzw. 5' vorteil­ haft auf eine Temperatur von etwa 400°C bis 550°C für eine Zeit von etwa 0,5 h bis 1 h erhitzt werden kann, um zusätz­ liche Dotierungssubstanzatome innerhalb der amorphen Silici­ umschicht 7 bzw. 7' zu aktivieren und dadurch den Widerstand des Kontaktes zu vermindern.
Die Erfindung wird durch das folgende Beispiel erläutert.
Beispiel
Substrate aus natürlichem halbleitendem IIb-Diamant wurden poliert und gründlich gereinigt, um eine etwaige graphitierte Schicht, die wegen des Polierens auf der Oberfläche zurückge­ blieben war, zu entfernen. Zur Entfernung von etwaigem Gra­ phit, der sich auf den Oberflächen des einkristallinen Dia­ mantsubstrats befand, wurde eine auf etwa 200°C erhitzte Lö­ sung aus Cr03 + H2S04 verwendet. Diese Proben wurden anschlie­ ßend in Königswasser (3 HCl + HNO3) und Standard-RCA-Lösungen gereinigt. Die RCA-Lösungen waren (1) H2O2 : NH4OH : H2O (1 : 1 : 5) und (2) H2O2 : HCl : H2O (1 : 1 : 5), und die Lösungen wurden nachein­ ander bei einer Temperatur von 75°C bis 80°C verwendet, wobei zwischendurch mit vollentsalztem Wasser gespült wurde [siehe Kern u. a., RCA Review, Bd. 31 (1970), S. 187]. Zur Entfernung etwaiger zurückgebliebener Feuchtigkeit von den Proben wurde 20 min lang eine zur Entwässerung dienende Wärmebehandlung bei 120°C durchgeführt.
Auf den Proben aus natürlichem IIb-Diamant wurden durch Zer­ stäubung abgeschiedene Kontakte aus B-dotiertem und As-do­ tiertem amorphem Silicium mit einer Dicke von etwa 200 nm ge­ bildet. Die amorphen Siliciumschichten wurden durch Hochfre­ quenzzerstäubung von Targets (Zerstäubungskathoden) mit nied­ rigem spezifischem, Widerstand unter Verwendung von Argon (Ar) als Zerstäubungsgas abgeschieden. Die Targets, die zur Abscheidung des B-dotierten Siliciums und des As-dotierten Siliciums verwendet wurden, waren stark B-dotiertes Silicium (<100<) bzw. stark As-dotiertes Silicium (<100<). Ein Photo­ resist-Abhebeverfahren wurde angewandt, um kreisförmige (100 µm) aktive Diodenflächen festzulegen, die von Feldregionen durch 100 µm breite Kreisringe getrennt waren. Von Raumtempe­ ratur bis zu etwa 400°C wurden Strom-Spannungs-Messungen durchgeführt.
Die spezifischen Widerstände der auf diese Weise abgeschiede­ nen B-dotierten und As-dotierten amorphen Siliciumschichten wurden gemessen und betrugen 224 ± 12 bzw. 326 ± 53 Ωcm. Die As-Atomkonzentration in der durch Zerstäubung abgeschiedenen, As-dotierten amorphen Siliciumschicht, die durch Sekundär­ ionen-Massenspektrometrie-Analyse (SIMS-Analyse) gemessen wurde, betrug etwa 2 . 1019 Atome/cm3. Diese Arsenkonzentration war über die gesamte Dicke der durch Zerstäubung abgeschiede­ nen, amorphen Siliciumschicht gleichmäßig. Die SIMS-Analyse der durch Zerstäubung abgeschiedenen, B-dotierten amorphen Siliciumschicht zeigte wieder eine gleichmäßige Boratom­ konzentration von etwa 8 . 1019 Atomen/cm3 über die gesamte Schichtdicke.
Fig. 3 und 4 zeigen graphische Darstellungen von Strom-Span­ nungs-Messungen für die B-dotierte amorphe Siliciumschicht bzw. die As-dotierte amorphe Siliciumschicht bei Temperaturen von etwa 25°C und 400°C, wie sie in den graphischen Darstel­ lungen angegeben sind. Die Leckstromstärke in Sperrichtung betrug für den Kontakt aus B-dotiertem amorphem Silicium 0,1 pA bei 25°C und 72 pA bei 400°C. Die Leckstromstärke in Sper­ richtung betrug für den Kontakt aus As-dotiertem amorphem Si­ licium 0,2 pA bei 25°C und 132,0 pA bei 397°C.
Strom-Spannungs-Messungen der durch Zerstäubung abgeschiede­ nen Kontakte aus amorphem Silicium zeigten eine ausgezeichne­ te Gleichrichtung. Für den B-dotierten Kontakt und den As-do­ tierten Kontakt wurden bei etwa 400°C und 20 V Leckstromdich­ ten in Sperrichtung gemessen, die 9 . 10-7 A/cm2 bzw. 2 . 10-6 A/cm2 betrugen.

Claims (18)

1. Gleichrichterkontakt (5, 5') für ein Halbleiterbauele­ ment, wobei der Gleichrichterkontakt zwischen einer halblei­ tenden Diamantschicht (6, 6'), deren Dotierungskonzentration etwa 1018 Atome/cm3 nicht überschreitet, und einer dotierten, im wesentlichen wasserstofffreien amorphen Siliciumschicht (7, 7'), die sich auf der Diamantschicht (6, 6') befindet, gebildet ist.
2. Gleichrichterkontakt (5, 5') nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die halbleitende Diamantschicht (6, 6') ei­ ne Konzentration einer Dotierungssubstanz hat, die im Bereich von etwa 1016 bis 1017 Atomen/cm3 liegt.
3. Gleichrichterkontakt (5, 5') nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die dotierte amorphe Siliciumschicht (7, 7') eine p-Dotierungssubstanz mit einer Konzentration der Do­ tierungssubstanz, die nicht weniger als etwa 1019 Atome/cm3 beträgt, enthält.
4. Gleichrichterkontakt (5, 5') nach Anspruch 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die p-Dotierungssubstanz aus Elementen der Gruppe IIIb ausgewählt ist.
5. Gleichrichterkontakt (5, 5') nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die dotierte amorphe Siliciumschicht (7, 7') eine n-Dotierungssubstanz mit einer Konzentration der Do­ tierungssubstanz, die nicht weniger als etwa 1019 Atome/cm3 beträgt, enthält.
6. Gleichrichterkontakt (5, 5') nach Anspruch 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die n-Dotierungssubstanz aus Elementen der Gruppe Va ausgewählt ist.
7. Gleichrichterkontakt (5, 5') nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Diamantschicht (6, 6') einkristallinen Diamanten umfaßt.
8. Gleichrichterkontakt (5, 5') nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die einkristalline Diamantschicht (6, 6') natürlicher IIb-Diamant ist.
9. Gleichrichterkontakt (5, 5') nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die halbleitende Diamant­ schicht (6, 6') polykristallin ist.
10. Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichterkontaktes (5, 5') nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Bereitstellung eines Substrats,
Bildung der halbleitenden polykristallinen Diamantschicht (6, 6') auf dem Substrat, und
Bildung der dotierten amorphen Siliciumschicht (7, 7') auf einem vorher festgelegten Teil der halbleitenden polykri­ stallinen Diamantschicht (6, 6').
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Bildung der dotierten amorphen Silicium­ schicht (7, 7') den Schritt der Zerstäubung von dotiertem Si­ licium aus mindestens einem Target auf die halbleitende poly­ kristalline Diamantschicht (6, 6') umfaßt.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner den Schritt des Erhitzens des auf diese Weise ge­ bildeten Gleichrichterkontaktes (5, 5') zur Aktivierung von zusätzlichen Dotierungssubstanzatomen in der amorphen Silici­ umschicht (7, 7') umfaßt, um dadurch den Durchlaßwiderstand des Gleichrichterkontaktes (5, 5') zu vermindern.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Erhitzens des auf diese Weise gebildeten Gleichrichterkontaktes (5, 5') den Schritt des Erhitzens des Gleichrichterkontaktes bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 550°C für eine Zeit von etwa 0,5 h bis 1 h umfaßt.
14. Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichterkontaktes (5, 5') nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Bereitstellung einer halbleitenden Diamantschicht (6, 6') und
Bildung einer dotierten amorphen Siliciumschicht (7, 7') auf einem vorher festgelegten Teil der halbleitenden Diamant­ schicht (6, 6').
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Bereitstellung der halbleitenden Diamantschicht (6, 6') auf einem Substrat erfolgt und dabei die Diamantschicht (6, 6') mit der Dotierungssubstanz versehen wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Bildung der dotierten amorphen Silicium­ schicht (7, 7') den Schritt der Zerstäubung von dotierten Si­ licium aus mindestens einem Target auf die halbleitende Dia­ mantschicht (6, 6') umfaßt.
17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner den Schritt des Erhitzens des auf diese Weise ge­ bildeten Gleichrichterkontaktes (5, 5') zur Aktivierung von zusätzlichen Dotierungssubstanzatomen in der amorphen Silici­ umschicht (7, 7') umfaßt, um dadurch den Durchlaßwiderstand des Gleichrichterkontaktes (6, 6') zu vermindern.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Erhitzens des auf diese Weise gebildeten Gleichrichterkontaktes (5, 5') den Schritt des Erhitzens des Gleichrichterkontaktes (5, 5') bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 550°C für eine Zeit von etwa 0,5 h bis 1 h umfaßt.
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