DE4313487C2 - Anordnung zur Verbindung mindestens eines lichtaussendenden Elementes mit mindestens einem lichtempfangenden Element - Google Patents
Anordnung zur Verbindung mindestens eines lichtaussendenden Elementes mit mindestens einem lichtempfangenden ElementInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur insbesondere
wahlweisen Verbindung mindestens eines lichtaussendenden
Elementes mit mindestens einem lichtempfangenden Element.
Aus der DE 39 14 835 ist eine Anordnung zur Ankopplung eines
Lichtwellenleiters an ein optisches Sende- oder
Empfangselement bekannt. Der Lichtwellenleiter und das
optische Sende- bzw. Empfangselement sind auf verschiedenen
Trägern fixiert, die verschiebbar aufeinanderliegen. Das
Lichtbündel gelangt durch zweimalige Spiegelung an je einer
auf einem Träger befindlichen Spiegelebene vom
Lichtwellenleiter zum optisch aktiven Element. Durch
Verschieben der Träger wird eine Justierung erreicht.
In der deutschen Patentanmeldung P 43 01 455 ist
vorgeschlagen, einen einteiligen Träger aus einkristallinem
Silizium zu verwenden, auf dessen Unterseite mindestens ein
Lichtwellenleiterende in einer Nut fixiert ist und auf dessen
Oberseite mindestens ein Sende- oder Empfangselement
vorgesehen ist, dessen lichtempfindliche bzw. aussendende
Fläche der Unterseite zugewandt ist. Der Lichtwellenleiter ist
dabei in der V-Nut befestigt. Das Licht gelangt vom
Lichtwellenleiter durch den Träger zum Empfangselement (bzw.
vom Sendeelement durch den Träger zum Lichtwellenleiter),
wobei es an einer Fläche totalreflektiert wird.
Es ist Aufgabe der Erfindung eine Anordnung anzugeben, mit
der mindestens ein lichtaussendendes mit mindestens einem
lichtempfangenden Element, insbesondere wahlweise, verbunden
werden kann.
Die Aufgabe wird mit einer Anordnung mit den Merkmalen des
Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind
den Unteransprüchen zu entnehmen.
Als lichtaussendende bzw. -empfangende Elemente können
sowohl optoelektronische Sende- bzw. Empfangselemente, aber
auch lichtausstrahlende Lichtwellenleiter bzw.
Lichtwellenleiter, in die Licht eingestrahlt wird,
eingesetzt sein. Somit sind auch rein optische Anordnungen
denkbar. Bei dem Einsatz optoelektronischer Elemente, können
neben diesen Elementen auch Zuleitungen und elektronische
Schaltungen z. B. zur Ansteuerung auf der Oberfläche eines
Trägers vorgesehen sein.
Es wird ein modulares Montagekonzept zur Verbindung einer
Vielzahl von optischen Sendeelementen mit einer Vielzahl von
optischen Empfangselementen unter Einschluß von optischen
Verteilebenen zwischen diesen elektrooptischen Elementen und
von elektrischen Verdrahtungs- und Montageebenen für die
elektrooptischen Elemente sowie für Elektronikebenen für die
Treiber- und Signalverarbeitungsschaltungen vorgeschlagen.
Solch eine optoelektronische Verknüpfung ist beispielsweise
für den Einsatz in Cross-Connect-Systemen, für optische
Vermittlungstechnik oder in neuralen Netzen erforderlich.
Nach dem Stand der Technik werden hierzu Einzelkomponenten
über Fasern miteinander verbunden. Angestrebt wird die
Verknüpfung von räumlich voneinander getrennten Arrays von
Sende- und Empfangselementen über Freistrahloptiken mit
Strahlführung über Hologramme. Solche Systeme konnten aber
wegen der damit verbundenen technologischen Schwierigkeiten
noch nicht realisiert werden.
Die angegebene Anordnung macht Gebrauch von einigen
vorteilhaften Eigenschaften des Siliziums. Silizium ist durch
anisotrope Ätzung mikromechanisch strukturierbar, es besitzt
eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ist für IR-Licht ab 1200 nm
Wellenlänge gut transparent. Aufgrund dieser Eigenschaften
bietet Silizium die ideale Montageplattform zur Aufnahme von
Fasern, Streifenwellenleitern, optischen Sende- und Empfangs
elementen und optischen Abbildungssystemen. Wegen der Transpa
renz des Siliziums kann dabei der Lichtweg durch das Substrat
geführt werden, so daß die Aufnahmeebenen für die Sende-,
Empfangs- und Lichtverteilelemente sowie die elektronischen
Schaltebenen auf verschiedenen Seiten von übereinander
gestapelten Siliziumsubstraten angebracht werden können.
Ein erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel wird anhand von
Fig. 1 erläutert. Ein erster Siliziumträger 1, dessen (100)-
Ebene in der Waferebene liegt, hat auf seiner Unterseite eine
anisotrop geätzte Vertiefung 2 mit rechteckförmigem Grundriß,
ebenem Boden und schrägen Seitenflächen 3 und 3′, die durch
(111)-Ebenen gebildet werden. Der ebene Boden wird durch
zeitliche Begrenzung der Tiefenätzung oder durch eine
Ätzstoppschicht als (100)-Ebene gebildet. Die Seitenflächen 3
und 3′ schließen wegen der kristallografischen Eigenschaften
des Siliziums einen Böschungswinkel von
α = arctan(√(2)) = 54,74°
mit der Waferoberfläche ein. Die Vertiefung 2 ist mit einem
lichtleitenden Material 4 bis zu einer Tiefe t unterhalb der
Waferoberfläche ausgefüllt. Dieses lichtleitende Material 4
reicht bis an die schrägen Böschungsränder 3 und 3′ der
Vertiefung 2. Hierfür wird ein Stoff gewählt, der sich gut in
die Vertiefung 2 einbringen läßt und in welchem durch
geeignete Prozesse Streifenwellenleiter 5 erzeugt werden
können. Beispielsweise läßt sich hierfür PMMA (Plexiglas) oder
ORMOCERE (organisch modifizierbare Keramik) einsetzen. Bei
beiden Materialien ist bekannt, daß sich bei ihnen nach
Hinzufügen von Photoinitiatoren durch Belichtung mit UV-Licht
der Brechungsindex erhöhen läßt. Auf diese Weise lassen sich
durch geeignete Maskierung und ganzflächige Beleuchtung oder
durch Laser-Schreibprozesse ohne Maskierung
Streifenwellenleiter mit höherem Brechungsindex als der ihrer
Umgebung herstellen. Bei PMMA ist eine Erhöhung des
Brechungsindexes nach dem Stand der Technik auch ohne Zusatz
von Photoinitiatoren nur durch UV-Belichtung möglich.
Erfindungsgemäß müssen die so erzeugten Streifenwellenleiter
unter dem Rand der Vertiefung 2 liegen. Beim Auffüllen der
Vertiefung 2 mit dem zunächst flüssigen Wellenleitermaterial
beispielsweise durch Gießen oder Schleudern wird zunächst die
Vertiefung 2 mindestens bis zum Rand aufgefüllt werden. Durch
Planarisieren kann erreicht werden, daß die Auffüllung gerade
bis zur Waferoberfläche reicht. In diesem Zustand können
bereits die Wellenleiter durch die oben genannten Verfahren
erzeugt werden, da durch die Belichtung die Wellenleiter
innerhalb des Materials erzeugt werden. Der Kern des
Wellenleiters wird dann gerade mit der oberen Kante der Rand
flächen der Vertiefung 2 abschließen. Sicherer ist es, den
Wellenleiter etwas tiefer in die Vertiefung 2 zu legen damit
durch eventuelle Unschärfen im Rand der Böschungsflächen 3 und
3′ keine Streuverluste auftreten. Hierzu wird das Material 4
an seiner Oberfläche vor Erzeugen der Wellenleiter bis zu
einer Tiefe von einigen µm abgetragen. Dies kann
beispielsweise durch Naßätzen, Trockenätzen oder Laserablation
geschehen. Nach Erzeugen der Wellenleiter kann eine
Mantelschicht 6 mit geringerem Brechungsindex als der
Brechungsindex der Wellenleiter aufgebracht werden um die
Lichtführung zu verbessern. Die Wellenleiter 5 können in der
Ebene dem gewünschten Einsatzfall entsprechend als Verzweiger,
Strahlteiler, Koppler, elektrooptische Schalter usw.
strukturiert werden, um verschiedene Lichtpfade in der
gewünschten Weise miteinander zu kombinieren.
An den Wellenleiterenden, also den Ein- und Ausgängen der
Wellenleiter 5 wird das Licht an den Grenzflächen 3 und 3′
schräg nach oben in das Siliziumsubstrat hineingebrochen. Die
Winkel sind in einem vergrößerten Ausschnitt in Fig. 2
dargestellt. Der Brechungswinkel im Silizium errechnet sich
nach dem Snellius′schen Brechungsgesetz mit dem Einfallswinkel
von
α1 = 90-α = 35,26°
zu
β1 = arcsin((nf/nSi)*sin(α1))
wobei nf der Brechungsindex des Streifenwellenleiters und nSi
der Brechungsindex von Silizium ist. Nimmt man nf für PMMA mit
1,5 und nSi mit 3,4777 für eine Wellenlänge von 1,55 µm an, so
ergibt sich für β1 = 14,420°.
Zur Berechnung der Strahlaufweitung nach Austritt aus der
Lichtführung durch den Wellenleiter müssen auch die
Randstrahlen des austretenden Lichtbündels verfolgt werden.
Zur Rechnung wird ein Wellenleiter angenommen, der beim
Übergang in Luft eine NA von 0,1 hätte und damit einer
Standard-Einmodenfaser angepaßt wäre. Die Strahltaille hat
dann einen Radius von
wo = /(π*tan(θL))
wobei
θL = arcsin(NA) = 5,74°
der Divergenzwinkel des Strahls in Luft wäre. Damit erhält man
aus (4) wo = 4,91 µm.
Hier tritt jedoch der Strahl nicht in Luft aus sondern in
Silizium mit einem höheren Brechungsindex. Der Divergenzwinkel
in Silizium ist
θSi = arctan (/π * wo * nSi)) = 1,655°.
Nach Brechung an der Grenzfläche 3 hat der Zentralstrahl des
Bündels den Richtungswinkel gegenüber der Waferoberfläche von
τ₂ = 90°-α-β₁ = 20,845°.
Für die Richtungswinkel des oberen und unteren Randstrahls
ergibt sich durch Addition bzw. Subtraktion von θSi
τ2ob = τ₂ + θSi = 22,50°
τ2un = τ₂-θSi = 19,19°.
In geringer Entfernung vor und hinter der Vertiefung 2 sind
zwei weitere Vertiefungen 7 und 7′ durch anisotropes Ätzen
hergestellt. Das Lichtbündel trifft auf deren Böschungsflächen
8 bzw. 8′ und wird dort total reflektiert. Danach verläuft das
Lichtbündel nahezu senkrecht nach oben. Die Richtungswinkel
errechnen sich aus den zuvor berechneten Richtungswinkeln τ2un,
τ₂ und τ2ob zu
τ3un = 90°-2*α + τ2un = -0,281°
τ₃ = 90°-2*α + τ₂ = 1,347°
τ3ob = 90°-2*α + τ2ob = 3,029°
gegenüber der Flächennormalen der Waferoberseite. Wegen der
geringen Divergenz des Strahls im Silizium hat der Strahl nach
Durchdringen eines 525 µm dicken Wafers auf der Waferoberseite
nur eine Aufweitung von 31 µm. Bei dieser geringen
Strahlaufweitung könnte beispielsweise eine Fotodiode ohne
Einkoppeloptik direkt auf die Waferoberfläche von Substrat 1
gesetzt werden. In Fig. 1 ist statt dessen oberhalb des
Substrates 1 ein zweites Substrat 10 angebracht, das auf
seiner Oberfläche 11 einen oberflächenemittierenden Laser
(SELD) und eine Photodiode 13 trägt. Außerdem trägt die Ebene
11 des Substrates 10 die elektrischen Leiterbahnen 14 sowie
die erforderlichen elektronischen Bauelemente 15 zur
Ansteuerung und Signalauswertung der elektrooptischen
Bauelemente.
Zwischen den beiden Substraten 1 und 10 sind zur Fokussierung
der nahezu senkrecht durch die Substrate verlaufenden Strahlen
16 und 17 zwei Abbildungselemente 18 und 19 angebracht.
Vorzugsweise können hier planar aufgebrachte Fresnellinsen
eingesetzt werden. Die Übergangsstellen der Strahlen von den
Substraten in Luft bzw. in den Wellenleiter 5 werden mit
Antireflexionsschichten versehen, um Reflexionsverluste zu
vermeiden.
Die Fig. 3 zeigt die Ansicht des Substrates 1 von unten mit
Blick auf die Wellenleiterstruktur 5. Hier ist beispielhaft
eine Verzweigerstruktur von Streifenwellenleitern zwischen
einer Eingangsseite und einer Ausgangsseite dargestellt.
Ebenso können andere Wellenleiterstrukturen wie Koppler,
Sternkoppler oder aktive Schaltelemente verwirklicht werden.
Neben der Verteilung der Signalpfade in der Ebene, wie in
Fig. 3 gezeigt, läßt sich mit der Stapeltechnik, also dem
aufeinanderstapeln mehrerer Träger auch eine Verteilung der
Signalpfade in verschiedenen Ebenen verwirklichen. Ein
Ausführungsbeispiel hierfür ist in Fig. 4 dargestellt. Hier
sind 4 Si-Substrate 101, 102, 103 und 104 übereinander
gestapelt. Die Ansicht ist hier von der Stirnseite her auf
einen Schnitt durch die Randflächen der jeweiligen
Vertiefungen 3, die mit dem Wellenleitermaterial 4 gefüllt
sind, und jeweils optische Verzweigungsnetzwerke 51, 52, 53,
54 tragen. Die senkrecht durch die Substrate verlaufenden
Strahlbündel 16 sind schematisch als Linien dargestellt. Die
Wellenleiterstrukturen reichen in den jeweiligen Substraten
unterschiedlich weit nach vorn, so daß die Strahlen von den
vier Sendern 121, 122, 123 und 124 zu den einzelnen optischen
Verteilebenen gerichtet werden können. Ebenso reichen die
optischen Verteilebenen 51 bis 54 unterschiedlich weit nach
hinten, so daß jeweils eine Empfangsdiode 131, 132, 133 und
134 mit einer Verteilebene 51 bis 54 verbunden ist (siehe
Fig. 5). Die Verbindung beliebiger Verteilebenen
untereinander läßt sich in den einzelnen optischen
Verteilebenen durch Umschalten auf die mit den gewünschten
Ebenen verbundenen Lichtpfade erreichen. Auf diese Weise läßt
sich jeder der Eingänge 121 bis 124 mit jedem der Ausgänge 131
bis 134 wahlfrei verbinden.
Anstelle der aktiven elektrooptischen Bauelemente 121 bis 124
und 131 bis 134 können auch je nach Einsatzzweck
Faseranschlüsse vorgesehen werden. Fig. 6 zeigt ein
Ausführungsbeispiel, bei welchem in der Eingangsseite die
Laser durch Faseranschlüsse ersetzt sind. Auf gleiche Weise
können auch die Empfangsdioden auf der Ausgangsseite durch
Fasern ersetzt werden. Die Faser 22 liegt dabei in einer V-Nut
20, die durch anisotrope Ätzung so tief hergestellt wurde, daß
der Faserkern und das aus der Faser austretende divergente
Lichtbündel ganz unterhalb der Waferoberfläche bleibt. An der
Stirnseite 21 der V-Nut 20 wird das Lichtbündel schräg nach
unten in das Silizium hineingebrochen. Nach kurzer Entfernung
trifft das Lichtbündel wieder auf eine Grenzfläche 8 einer
Vertiefung 7, an der es totalreflektiert wird und nahezu
senkrecht in das Substrat umgelenkt wird. Die weitere
Strahlführung geschieht wie in Fig. 1 beschrieben.
Anstelle der in Fig. 1 gezeigten SELD-Laser lassen sich auch
normale kantenemitierende Laser einsetzen. Fig. 7 zeigt ein
Ausführungsbeispiel mit einem kantenemittierenden Laser 125.
Hier ist eine Kollimierungsoptik 126 erforderlich, für die
beispielsweise eine Kugellinse in einer anisotrop geätzten
Vertiefung 127 verwendet werden kann. Die Strahlführung nach
der Kollimierung ist wie in Fig. 6 beschrieben.
Zur exakten Positionierung dem verschiedenen Substrate
zueinander läßt sich ebenfalls die hochgenaue Strukturierung
durch die anisotrope Ätztechnik verwenden. Hierfür werden zwei
Möglichkeiten vorgeschlagen. Fig. 8 zeigt eine
Detailzeichnung eines Ausführungsbeispiels, bei welchem auf
zwei zueinander zu justierenden Substraten 101 und 102 jeweils
an korrespondierenden Stellen je eine pyramidenförmige
Vertiefung 141 und 142 mit quadratischer Grundfläche anisotrop
geätzt ist. In diese Vertiefungen wird eine Präzisionskugel
143 beispielsweise aus Glas oder Stahl eingelegt. Die Größe
der beiden Vertiefungen wird so gewählt, daß die Kugel gerade
die acht Seitenflächen der beiden Vertiefungen berührt wenn
die Substratoberflächen miteinander in Kontakt sind. Zur
Positionierung zweier Substrate zueinander sind mindestens 2
solcher Positionierhilfen an möglichst weit voneinander
entfernten Stellen erforderlich.
Eine weitere Möglichkeit zur Positionierung ist in Fig. 9
gezeigt. Hier sind keine zusätzlichen Hilfskörper wie Kugeln
erforderlich. In das eine Substrat 103 wird eine V-Nut 151
eingeätzt. Die Oberfläche des anderen Substrates 104 wird
ganzflächig bis auf einen Steg 152 abgeätzt. Dieser Steg hat
an seinen Enden konvexe Ecken, die während des Ätzens
angegriffen werden, so daß der Steg 152 in seiner Länge an
jedem Ende um etwa die Ätztiefe kürzer wird. Die
Positionierung läßt sich an einem Steg mit dazugehöriger V-Nut
nur in der Richtung senkrecht zur Stegrichtung erreichen. Zur
Festlegung der Positionierung in der Stegrichtung ist daher
ein zweiter Steg 152′ mit V-Nut 151′ benötigt, deren Richtung
senkrecht zur ersten Positionierstruktur 151 und 152 verläuft.
Die Fixierung der verschiedenen Substrate eines Stapels
aufeinander kann nach einem bekannten Verfahren durch Kleben
oder anodisches Bonden geschehen.
Neben den in Fig. 1 gezeigten Fresnellinsen zur
Lichtbündelung lassen sich auch Fresnellinsen zur
Lichtstreuung 181 zwischen den einzelnen Substratebenen des
Stapels einsetzen, wie in einem Ausführungsbeispiel in Fig.
10 gezeigt ist. Auf diese Weise läßt sich das Licht aus der
nahezu senkrechten Durchdringungsrichtung 17 in bestimmte
vorgewählte Richtungen 171 bis 173 aufteilen und auf mehrere
Kanäle verteilen. Bei Bedarf können durch flächenhafte
elektrooptisch oder thermooptisch schaltbare Elemente,
beispielsweise LCDs, 174 bis 176 zwischen den Ausgängen das
Licht beliebig schalten.
Claims (19)
1. Anordnung zur Verbindung mindestens eines
lichtaussendenden Elements (12) mit mindestens einem
lichtempfangenden Element (13) mit folgenden Merkmalen:
- a) die lichtaussendenen und -empfangenden Elemente (12, 13) befinden sich auf der einer Grundfläche gegenüberliegenden Kehrseite (11) eines lichtdurchlässigen Trägers (10),
- b) ein zweiter lichtdurchlässiger Träger (1) befindet sich auf dem ersten Träger (10), indem die Grundflächen der Träger einander zugewandt sind,
- c) der zweite Träger (1) trägt auf der der Grundfläche gegenüberliegenden Kehrseite eine Lichtwellenleiterstruktur (5) und mindestens zwei Reflexionsflächen (8, 8′),
- d) der Verlauf des Lichtbündels geht von einem lichtsendenden Element (12) aus, kreuzt die Grundflächen, trifft auf eine Reflexionsfläche, durchläuft die Lichtwellenleiterstruktur (5), trifft auf die zweite Reflexionsfläche (8′), kreuzt die Grundflächen nochmals und endet an einem lichtempfangenden Element (13).
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen den Trägern (1, 10) eine lichtdurchlässige
Zwischenlage (18, 19) und/oder wenigstens ein weiterer
lichtdurchlässiger Träger dazwischengeschaltet ist.
3. Anordnung nach Patentanspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß als Zwischenlage (18, 19) eine Linse, insbesondere eine
Fresnellinse vorgesehen ist.
4. Anordnung nach Patentanspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß an mindestens einem Lichtwellenleiterende mehrere
lichtaussendende und/oder -empfangende Elemente vorgesehen
sind und das Lichtbündel zwischen Zwischenlage und diesen
Elementen aufgeteilt ist.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß sich zwischen den Trägern (1, 10)
weitere lichtdurchlässige Träger befinden.
6. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Reflexionsflächen (8, 8′)
totalreflektierend sind.
7. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Lichtwellenleiterstruktur (5) ein
Lichtwellenleiterabschnitt, insbesondere ein Faserabschnitt
in einer V-Nut ist.
8. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Lichtwellenleiterstruktur (5) eine
Verzweigerstruktur, ein Schalter oder eine Schaltmatrix mit
Streifenwellenleitern ist.
9. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Lichtwellenleiterstruktur (5) ein
Koppler, insbesondere ein Sternkoppler ist.
10. Anordnung nach Patentanspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen der Zwischenlage und diesen Elementen
mindestens ein zwischen den Zuständen
lichtdurchlässig/lichtundurchlässig schaltbares Element
vorgesehen ist.
11. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Träger (1, 10) verschiebbar
aufeinander angeordnet sind.
12. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Träger (1, 10) nach Justage
miteinander fixiert sind, insbesondere durch Verkleben oder
Bonden.
13. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß sich auf den Grundflächen der
Träger (103, 104) anisotrop geätzte komplementäre Strukturen
(151, 151′, 152, 152′) befinden, deren Flanken zur Auflage der
Träger (103, 104) aufeinander dienen.
14. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß sich auf den Grundflächen der
Träger (101, 102) anisotrop geätzte Strukturen (141, 142)
befinden, deren Flanken jeweils zur Auflage mindestens eines
den beiden Trägern (101, 102) gemeinsamen Hilfselementes
(143) dienen.
15. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, daß mehrere lichtdurchlässige Träger
(101 bis 104) vorgesehen sind, von denen mindestens einer
mindestens zwei Reflexionsflächen und eine
Lichtwellenleiterstruktur (51 bis 54) trägt.
16. Anordnung nach Patentanspruch 15, dadurch
gekennzeichnet, daß auf mehreren lichtdurchlässigen Trägern
(101 bis 104) Lichtwellenleiterstrukturen (51, 54) vorgesehen
sind, wobei die Lichtwellenleiterenden der
Lichtwellenleiterstrukturen auf den Trägern gegeneinander
versetzt angeordnet sind derart, daß die Lichtbündel zu/von
den jeweiligen Trägern nicht in Lichtwellenleiterstrukturen
anderer Träger einstrahlen.
17. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 16,
dadurch gekennzeichnet, daß für jedes Lichtwellenleiterende
eine Reflexionsfläche vorgesehen ist.
18. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 17,
dadurch gekennzeichnet, daß als lichtaussendende und/oder
empfangende Elemente optoelektronische Sende- bzw.
Empfangselemente vorgesehen sind.
19. Anordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 18,
dadurch gekennzeichnet, daß als lichtaussendende und/oder
empfangende Elemente Lichtwellenleiterenden vorgesehen sind.
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