DE4308510A1 - Integriert optische Anordnung zur Transformation eines in einem ingetrierten streifenartigen optischen Wellenleiter geführten optischen Modes in einen anderen Mode - Google Patents

Integriert optische Anordnung zur Transformation eines in einem ingetrierten streifenartigen optischen Wellenleiter geführten optischen Modes in einen anderen Mode

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DE4308510A1 DE19934308510 DE4308510A DE4308510A1 DE 4308510 A1 DE4308510 A1 DE 4308510A1 DE 19934308510 DE19934308510 DE 19934308510 DE 4308510 A DE4308510 A DE 4308510A DE 4308510 A1 DE4308510 A1 DE 4308510A1
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Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Transformation eines in einem integrierten streifenartigen optischen Wellenleiter geführten optischen Modes in einen anderen Mode nach dem Ober­ begriff des Patentanspruchs 1.
Eine Anordnung der genannten Art ist aus Electronics Letters, 26. März 1992, Vol. 28, Nr. 7, S. 631 und 632 bekannt. Bei die­ ser bekannten Anordnung weist der Wellenleitertaper zwei geta­ perte wellenleitende Kerne auf, den sich längs der definierten Längsachse von dem bestimmten größten rechteckförmigen Kern­ querschnitt an dem definierten wellenleiterseitigen Ende auf den bestimmten kleinsten rechteckförmigen Querschnitt am defi­ nierten anderen Ende taperförmig verjüngenden wellenleitenden Kern und einen zu diesem Kern parallel verlaufenden und sich von einem bestimmten kleinsten rechteckförmigen Kernquerschnitt an dem definierten wellenleiterseitigen Ende des einen Kerns auf einen bestimmten größten rechteckförmigen Kernquerschnitt am definierten anderen Ende des einen Kerns taperförmig erweiternden anderen wellenleitenden Kern auf. Die Breite des kleinsten Kernquerschnitts des anderen Kerns entspricht etwa der Breite des größten Kernquerschnitts des einen Kerns, während die Breite des größten Kernquerschnitts des anderen Kerns bedeutend größer als die Breite seines kleinsten Kern­ querschnitts ist. An den größten Kernquerschnitt des anderen Kerns ist optisch ein entsprechend breiter wellenleitender Kern eines den transformierten anderen Mode fortführenden optischen Wellenleiters angekoppelt.
Aus Optics Letters, Vol. 16, Nr. 5, 1. März, 1991, 5. 306-308, ist eine Anordnung zur Transformation eines in einem integrier­ ten streifenartigen optischen Wellenleiter geführten optischen Modes in einen anderen Mode bekannt, bei welcher der Wellenlei­ ter, ein Wellenleitertaper und ein Wellenleiter zum fortführen des transformierten anderen Modes jeweils aus einem Rippenwel­ lenleiter bestehen. Jeder Rippenwellenleiter besteht im wesent­ lichen aus einer flächenhaften wellenleitenden Schicht und aus einer über der Schicht angeordneten Rippe, deren Breite im we­ sentlichen die Breite des Wellenleiters bzw. dessen Kerns defi­ niert. Die Rippe des den Wellenleitertaper und den fortführen­ den Wellenleiter bildenden Rippenwellenleiters ist zweistufig, wobei der Wellenleitertaper eine sich in Ausbreitungsrichtung des geführten Modes taperförmig verbreiternde Rippe aufweist.
In einem Aufsatz von R. Boudreau et al. in Electronics Letters 27, 1991, S. 1845 und 1946 ist die beidseitige Ankopplung von Glasfasern an optische Verstärker beschrieben. Die Fasern müs­ sen mit Toleranzen im Bereich unter einem Mikrometer bezüglich eines Verstärkungswellenleiters ausgerichtet werden. Insbeson­ dere muß auch die Lage der zuerst justierten Faser auch beim Ausrichten der zweiten Faser aufrechterhalten werden.
In einem Aufsatz von T.L. Koch et al. in Photonic Techn. Lett. 2, 1990, S. 88 bis 90 mit dem Titel "Tapered Waveguide In- GaAs/InGaAsP Multiple-Quantum-Well-Lasers" ist die Anwendung von dünnsten Ätzstop-Herstellungstechniken zur adiabatischen Ausdehnung der optischen Modengröße senkrecht zur Ebene von Epitaxieschichten in 1500 nm InGaAs/InGaAsP-Mehrfach-Quantum- Well-Laserdioden mit getapertem Wellenleiterkern innerhalb des Laserresonators beschrieben.
In einem Aufsatz von G. Müller et al. in Electronics Letters 1992 mit dem Titel "Tapered InP/InGaAsP-Waveguide Strukture for Efficient Fiber-Chip Coupling" ist eine neue passive InP/InGaAsP-Wellenleiterstruktur zur verlustarmen Kopplung von Monomodefasern an Halbleiterbauelemente mit Wellenleitern mit schmalen elliptischen Moden beschrieben.
In Electronics Letters, Vol. 29, 1990, S. 825-827 ist von P.E. Barnsley et al. ein optischer Halbleiterverstärker beschrieben, dessen Wellenleiter um bis zu 10° geneigt zur Normalen einer Halbleiterspaltfläche verläuft. Zum Erreichen geringer Restre­ flexion muß ein großer Ablenkwinkel von bis zu 45° der Lichtem­ mission bezüglich der Normalen zur Halbleiterspaltfläche in Kauf genommen werden. Große Ablenkwinkel sind für die Ankopp­ lung einer Faser an den Chip von Nachteil.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine auf einfache Weise herstellbare Anordnung der eingangs genannten Art anzu­ geben, die insbesondere dazu geeignet ist, in optischen Über­ tragungsstrecken optische Halbleiterbauelemente, wie bei­ spielsweise Laserdioden, optische Schalter, Verstärker und Mo­ dulatoren an optische Fasern anzukoppeln.
Die erfindungsgemäße Anordnung ist vorteilhafterweise dazu ge­ eignet, Chip-Faser-Kopplungen für optische Verstärker herzu­ stellen, die reproduzierbar hohe Koppelwirkungsgrade, gepaart mit geringster Rückreflexion, aufweisen.
Ein besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung besteht darin, daß sie mittels Epitaxieschichten herstellbar ist, wobei die Ausdehnung des geführten Modes quer zu den Epitaxieschich­ ten durch eine Einengung des wellenleitenden Kerns des Wellen­ leiters in der Ebene der Epitaxieschichten erfolgt und wobei die Epitaxieschichten nur Teil der Epitaxieschichten eines optoelektronischen integrierten Schaltkreises sein können.
Der Wellenleitertaper der erfindungsgemäßen Anordnung ist zur Anpassung der Modenbilder bzw. -querschnitte des in einem wel­ lenleitergeführten Modes an das größere Modenbild bzw. den grö­ ßeren Querschnitt des in einer Glasfaser geführten Modes geeig­ net.
Bevorzugte und vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemä­ ßen Anordnung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
Die Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung anhand der Figuren beispielhaft näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch eine Draufsicht und
Fig. 2 schematisch einen Schnitt längs der Linie II-II in Fig. 1 durch ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen An­ ordnung.
Gemäß der Figuren besteht das Ausführungsbeispiel aus einer an den einen Wellenleiter 2 optisch angekoppelten zweistufigen Wellenleitertaperstruktur mit den sich in Ausbreitungsrichtung des geführten Modes in der Zeichenebene der Figuren von links nach rechts verjüngenden Wellenleitertapern 3 und 4 und dem sich in dieser Ausbreitungsrichtung erweiternden Wellenleiter­ taper 5.
Der den optischen Mode führende und auf dem Substrat 1 inte­ grierte streifenartige Wellenleiter 2 weist einen zwischen op­ tischen Mantelschichten 11 und 12 eingebetteten, längs der Längsachse 20 verlaufenden und einen zur Längsachse 20 und zur Zeichenebene senkrechten rechteckförmigen Kernquerschnitt auf­ weisenden wellenleitenden Kern 21 auf, in welchem der optische Mode längs der Längsachse 20 in der Zeichenebene von links nach rechts in Richtung zu einem Ende 210 des Kerns 21 geführt ist.
An dieses Ende 210 erschließt sich ein Wellenlängentaper 3 mit einem zwischen optischen Mantelschichten 11 und 12 eingebette­ ten, längs einer Längsachse 30 und in der Zeichenebene von links nach rechts sich von einem größten rechteckförmigen Kern­ querschnitt an einem dem Ende 210 des einen Wellenleiters 2 ge­ genüberliegenden Ende 310 auf einen kleinsten rechteckförmigen Kernquerschnitt an einem anderen Ende 311 taperförmig verjün­ genden wellenleitenden Kern 31 an. Die Längsachsen 20 und 30 fallen beispielsweise zusammen.
Der rechteckförmige Kernquerschnitt des Wellenleiters 2 weist eine Breite b auf, die größer als seine Höhe h ist. Der größte Kernquerschnitt des Wellenleitertapers 3 weist die gleiche Breite b und Höhe h wie der Kernquerschnitt des Wellenleiters 2 auf, während der kleinste Kernquerschnitt des Wellenleiterta­ pers 3 eine Breite b1 aufweist, die kleiner oder gleich seiner Höhe h ist.
Beispielsweise bestehen das Substrat 1 aus InP, die Mantel­ schichten 11, 12 aus n⁻-InP bzw. InP und die Kerne 21 und 31 aus InGaAsP. Beispielsweise beträgt die Breite b etwa 1,4 Mi­ krometer und die Höhe h etwa 0,4 Mikrometer.
Der Wellenleiter 2 und der Wellenleitertaper 3 sind auf dem Substrat 1 epitaktisch in Form einer buried-hetero-Struktur aufgewachsen. Diese Form des Wellenleiters 2 und Wellenleiter­ tapers 3 ist typisch für Laserdioden, optische Schalter, Ver­ stärker und Modulatoren, die mit planaren Herstellungstechniken realisiert werden.
Das Modenbild bzw. der Modenquerschnitt des im Wellenleiter 2 geführten Modes ist elliptisch, wobei die größere Halbachse der Ellipse in der Ebene der Epitaxieschichten 11, 12 und 21 liegt, d. h. in Fig. 2 senkrecht zur Längsachse 20 und zur Zeichen­ ebene ist.
Die Breite des Kerns 31 des Wellenleitertapers 3 verringert sich gemäß Fig. 1 in der Zeichenebene von links nach rechts allmählich von der Breite b = 1,4 Mikrometer beispielsweise auf die Breite b1 = 0,2 bis 0,3 Mikrometer, während die Höhe h = 0,4 Mikrometer gleichbleibt. Jedenfalls sollte sich der Kern 31 so weit verjüngen, daß seine Breite in die Größenordnung seiner Höhe kommt oder sogar geringer als die Höhe wird. Dadurch er­ folgt eine Ausdehnung des optischen Modes senkrecht zur Längs­ achse sowohl in Richtung senkrecht als auch parallel zur Zei­ chenebene etwa um den Faktor 2-3. Das Modenbild wird mehr kreissymmetrisch oder sogar elliptisch mit der größeren Halb­ achse in Fig. 1 senkrecht zur Zeichenebene bzw. senkrecht zur Ebene der Epitaxieschichten 11, 12, 21 und 31.
Durch einen mehrschichtigen Aufbau des Wellenleiterkerns 31 oder der Kerne 21 und 31, beispielsweise durch einen Aufbau mit einer zwischen zwei beispielsweise 0,2 Mikrometer dicken Schichten 22 und 24 aus beispielsweise InGaAsP mit einer Gap- Wellenlänge von 1,3 Mikrometer angeordneten, beispielsweise 0,1 Mikrometer dicken Schicht 23 aus beispielsweise InGaAsP mit ei­ ner Gap-Wellenlänge von 1,55 Mikrometer, kann die Ausdehnung des optischen Modes zusätzlich kontrolliert werden, z. B. um eine übermäßige Ausdehnung in Richtung senkrecht zur Ebene der Epitaxieschichten 11, 12, 21 und 31 zu verhindern.
An das andere Ende 311 des Kerns 31 des Wellenleitertapers 3 ist ein zweiter Wellenleitertaper 4 mit einem sich taperförmig verjüngenden wellenleitenden Kern 41 optisch angekoppelt. Bei­ spielsweise ist die Kopplung dadurch realisiert, daß das Ende 311 mit dem kleinsten Kernquerschnitt des Kerns 31 des Wellen­ leitertapers 3 an einem Ende 410 des wellenleitenden Kerns 41 des zweiten Wellenleitertapers 4 anliegt, an welchem Ende 410 der Kernquerschnitt des Kerns 41 des Wellenleitertapers 4 am größten ist. Die Kopplung könnte aber auch dadurch realisiert werden, daß sich die Kerne 31 und 41 zumindest in der Ebene der Epitaxieschichten 11, 12, 21 und 31 teilweise überlappen, bei­ spielsweise so, wie es beim Kern 41 und dem wellenleitenden Kern 51 des später zu beschreibenden weiteren Wellenleiters 5 der Fall ist.
Der Kern 41 des zweiten Wellenleitertapers 4 weist eine Brech­ zahl auf, die niedriger ist als die Brechzahl des Kerns 31 des Wellenleitertapers 3 und des Kerns 21 des Wellenleitertapers 2. Beispielsweise weist der Wellenleitertaper 4 eine mittels Epitaxie herstellbare buried-hetero-Struktur mit einem Kern 41 aus InGaAsP auf.
Der Kern 41 des zweiten Wellenleitertapers 4 verjüngt sich längs der Längsachse 40 in der Zeichenebene von links nach rechts von einer größten Breite b2 an dem Ende 410 allmählich auf eine kleinere Breite b3 am anderen Ende 411 dieses Kerns 41, während seine Höhe h1 gleichbleibt. Die größte Breite b2 am einen Ende 410 ist größer als die Breite b des Kerns 21 des ei­ nen Wellenleiters 2, und die Höhe h1 ist größer als die Höhe h des Kerns 21. Beispielsweise beträgt die größte Breite b2 etwa 2 Mikrometer und die Höhe h1 etwa 0,9 Mikrometer, so daß das Modenbild dieses Wellenleitertapers 4 in der Nähe seines einen Endes 410 elliptisch ist, wobei die größere Halbachse der El­ lipse senkrecht zur Längsachse 40 und in Fig. 2 senkrecht zur Zeichenebene ist. Die Breite b3 des Kerns 41 am anderen Ende 411 liegt in der Größenordnung der Höhe h1 oder ist sogar ge­ ringer als die Höhe h1. Beispielsweise beträgt die Breite b3 am anderen Ende 411 etwa 0,3 bis 0,5 Mikrometer.
Durch die Verjüngung des Kerns 41 auf die angegebene Breite b3 erfolgt eine weitere Ausdehnung des optischen Modes senkrecht zur Längsachse 40 sowohl senkrecht als auch parallel zur Zei­ chenebene bzw. zur Ebene der Epitaxieschichten um etwa den Fak­ tor 2 bis 3. Das Modenbild wird wieder mehr kreissymmetrisch oder sogar elliptisch mit der größeren Halbachse senkrecht zur Zeichenebene der Fig. 1.
Durch einen mehrschichtigen Aufbau des wellenleitenden Kerns 41, beispielsweise durch einen Aufbau mit einer zwischen zwei beispielsweise 0,5 Mikrometer dicken Schichten 42 und 44 aus beispielsweise InGaAsP mit einer Gap-Wellenlänge von 1,0 Mikro­ meter angeordneten, beispielsweise 0,8 Mikrometer dicken Schicht 43 aus beispielsweise InGaAsP mit einer Gap-Wellenlänge von 1,05 Mikrometer kann die Ausdehnung des optischen Modus zu­ sätzlich kontrolliert werden, z. B. um eine übermäßige Ausdeh­ nung in Richtung senkrecht zur Zeichenebene der Fig. 1 bzw. senkrecht zu den Epitaxieschichten 42, 43 und 44 zu verhindern.
An das andere Ende 411 des Kerns 41 des zweiten Wellenlängenta­ pers 4 ist ein weiterer Wellenleiter mit einem sich taperförmig verbreiternden wellenleitenden Kern 51 optisch angekoppelt. Die Kopplung ist beispielsweise dadurch realisiert, daß das andere Ende 411 an einem Ende 510 des wellenleitenden Kerns 51 des weiteren Wellenleiters 5 anliegt, und daß der Kern 41 des zwei­ ten Wellenleitertapers 4 auf einer Seite vom Kern 51 des weite­ ren Wellenleiters 5 ganz überlappt wird, so daß auf dieser Seite des Kerns 41 der Kern 51 ein Ende 520 aufweist, das mit dem einen Ende 410 des Kerns 51 des zweiten Wellenlängentapers 4 zusammenfällt.
Der weitere Wellenleiter 5 ist beispielsweise dadurch reali­ siert, daß er eine Stegstruktur in einer Mantelschicht 12 aus schwach dotiertem InP aufweist, und daß der Kern 51 aus einer Schicht aus undotiertem InP auf dem Substrat 1 aus schwach n- dotierten InP oder auf einer auf dem Substrat 1 aufgebrachten Schicht aus diesem Material besteht, wobei die Breite des Kerns 51 durch die Breite des Stegs definiert ist.
Der Kern 51 des weiteren Wellenleiters 5 verbreitert sich von einer kleinsten Breite b4 an seinem einen Ende 510 längs seiner mit der Längsachse 40 des zweiten Wellenleitertapers 4 zusam­ menfallenden Längsachse 50 in der Zeichenebene der Fig. 1 und 2 von links nach rechts allmählich auf eine größte Breite b5 an seinem anderen Ende 511, während seine Höhe h4 gleich bleibt. Die kleinste Breite b4 des Kerns 51 ist größer als die größte Breite b2 des zweiten Wellenlängentapers 4 und die Höhe h4 des Kerns 51 des weiteren Wellenleiters 5 ist größer als die Höhe h1 des Kerns 41 des zweiten Wellenlängentapers 4 gewählt.
Zur Vermeidung von Streuverlusten sind die Kernquerschnitte der Wellenleitertaper 3 und 4 an den Enden 311 und 410 und die Kernquerschnitte des zweiten Wellenleitertapers 4 und des wei­ teren Wellenleiters 5 an den Enden 411 und 510 so zu dimensio­ nieren, daß die Ausdehnung der Moden etwa gleich groß ist oder die Ausdehnung der Moden nur geringfügig zunimmt.
Ein an das eine Ende 410 angrenzender Anfangsbereich des Kerns 41 des zweiten Wellenleitertapers 4 ist bogenförmig ausgeführt und definiert einen zwischen dem Wellenleitertaper 3 und dem zweiten Wellenleitertaper 4 angeordneten gekrümmten optischen Wellenleiter 6, der eine Umlenkung des entlang der Längsachsen 20 und 30 des Wellenleiters 2 und des Wellenleitertapers 3 ge­ führten Modes um einen Winkel α bewirkt, in welchem die Längs­ achsen 40 und 50 des zweiten Wellenlängentapers 4 und des wei­ teren Wellenleiters 5 relativ zu den Längsachsen 20 und 30 an­ geordnet sind. Dadurch wird eine Schrägstellung des mit dem En­ de des Halbleiterchips zusammenfallenden und als Lichtaus­ trittsfläche dienenden anderen Endes 511 des weiteren Wellen­ leiters 5 relativ zu dessen Längsachse 50 erreicht, wodurch ei­ ne Rückreflexion des austretenden Lichts in den weiteren Wel­ lenleiter 5 vermieden werden kann. Da mit zunehmender Moden­ größe in der erfindungsgemäßen Anordnung die Stärke der Wellen­ führung von Wellenleitertaper zu Wellenleitertaper oder zum weiteren Wellenleiter 5 hin abnimmt, benötigt eine Krümmung im Anfangsbereich der Anordnung, beispielsweise im Wellenleiter 2 oder im Wellenleitertaper 3, weniger Platz.
Zur weiteren Verringerung von Rückreflexionen am Ende 511 des weiteren Wellenleiters 5 ist auf dieses Ende 511 eine Entspie­ gelungsschicht 7 aufgebracht.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die Wellenleiter 2 und 5 und die Wellenleitertaper 3 und 4 mit In- GaAsP/InP-Struktur ausgeführt. Die erfindungsgemäße Anordnung kann auch beispielsweise Quantum-Well-Schichten oder AlGaAs, InGaAs oder GaAs enthalten.
Zur Herstellung der Erfindungsgemäßen Anordnung mit buried-he­ tero-Struktur-Wellenleitern ist die litographische Erzeugung einer bis zu 0,2 Mikrometer schmalen dielektrischen Streifen­ maske auf Halbleitermaterial erforderlich, beispielsweise durch Projektionsbelichtung oder Elektronenstrahl-Lithographie. Die Ausbildung des Stegs aus Halbleitermaterial kann mit reaktivem Ionenätzen durchgeführt werden. Die Überwachsung kann mit nicht rücklösender Epitaxie durchgeführt werden, z. B. mit metal or­ ganic Vapor deposition (MOVPE) oder metal organic molecular beam epitaxie (MOMBE).
Ein besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung liegt darin, daß die vertikale Ausdehnung der Modengröße durch planare Herstellungstechniken und Ionenätzen erfolgen kann, die techno­ logisch gut beherrschbar sind. Ein anderer besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung ist die Möglichkeit der Ent­ spiegelung der Lichtaustrittsfläche des weiteren Wellenleiters durch nur geringfügiges Schrägstellen der Längsachse dieses Wellenleiters bezüglich dieser meist mit einer Halbleiterend­ fläche zusammenfallenden Lichtaustrittsfläche um nur wenige Winkelgrade.

Claims (10)

1. Integriert optische Anordnung zur Transformation eines in einem auf einem Substrat (1) integrierten streifenartigen opti­ schen Wellenleiters (2) geführten optischen Modes in einen an­ deren Mode, insbesondere zur Anpassung des im Wellenleiter (2) geführten Modes an einen in einer optischen Faser geführten Mo­ de,
  • - wobei der Wellenleiter (2) einen zwischen optischen Mantel­ schichten (11, 12) eingebetteten, längs einer definierten Längsachse (20) verlaufenden, einen bestimmten Kernquer­ schnitt aufweisenden wellenleitenden Kern (21) aufweist, in welchem der optische Mode längs der Längsachse (20) in Rich­ tung zu einem definierten Ende (210) des Kerns (21) geführt ist, und
  • - wobei die Anordnung einen auf dem Substrat (1) integrierten Wellenleitertaper (3) mit einem zwischen optischen Mantel­ schichten (11, 12) eingebetteten, längs einer definierten Längsachse (30) sich von einem bestimmten größten Kernquer­ schnitt an einem definierten wellenleiterseitigen Ende (310) auf einen bestimmten kleinsten Kernquerschnitt an einem definierten anderen Ende (311) taperförmig verjüngenden wel­ lenleitenden Kern (31) aufweist,
  • - wobei das eine Ende (310) des Kerns (31) des Wellenleiterta­ pers (3) und das eine Ende (210) des Kerns (20) des einen Wellenleiters (2) optisch aneinandergekoppelt sind, und
  • - wobei der größte Kernquerschnitt des Wellenleitertapers (3) im wesentlichen gleich dem Kernquerschnitt des einen Wellen­ leiters (2) ist,
dadurch gekennzeichnet,
  • - daß das andere Ende (311) des Kerns (31) des Wellenleiterta­ pers (3) optisch an einen zwischen optischen Mantelschichten (11, 51) eingebetteten, längs einer definierten Längsachse (40) verlaufenden und einen bestimmten Kernquerschnitt auf­ weisenden Kern (41) eines auf dem Substrat (1) integrierten weiteren streifenartigen optischen Wellenleiters (4) ange­ koppelt ist, wobei der Kernquerschnitt des weiteren Wellen­ leiters (4) größer als der Kernquerschnitt des einen Wellen­ leiters (2) ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß an das eine Ende (210) des Kerns (21) des einen Wellen­ leiters (2) optisch eine Folge aus zwei oder mehrere hin­ tereinander angeordneten und optisch aneinandergekoppelten Wellenleitertapern (3; 4) mit je einem zwischen optischen Mantelschichten (11, 12; 11, 51) eingebetteten, längs einer definierten Längsachse (30, 40) sich von einem bestimmten größten Kernquerschnitt an einem definierten Ende (310, 410) auf einen bestimmten kleinsten Kernquerschnitt an einem de­ finierten anderen Ende (311, 411) taperförmig verjüngenden wellenleitenden Kern (31, 41) angekoppelt ist,
  • - wobei der Kern (31) eines ersten Wellenleitertapers (3) der Folge mit seinem einen Ende (210) optisch an den Kern (21) des einen Wellenleiters (2) gekoppelt ist,
  • - wobei mit Ausnahme eines letzten Wellenleitertapers (4) der Kern (31) jedes Wellenleitertapers (3) mit seinem anderen Ende (311) optisch an das eine Ende (410) des Kerns (41) des folgenden Wellenleitertapers (4) gekoppelt ist,
  • - wobei mit Ausnahme des ersten Wellenleitertapers (3) der Folge, dessen größter Kernquerschnitt im wesentlichen gleich dem Kernquerschnitt des einen Wellenleiters (2) ist, der größte Kernquerschnitt jedes Wellenleitertapers (4) größer ist als der größte Kernquerschnitt des diesem Wellenleiter­ taper (4) vorhergehenden Wellenleitertapers (3) ist, und
  • - wobei der letzte Wellenleitertaper (4) der Folge mit dem an­ deren Ende (411) seines Kerns (41) an einen zwischen opti­ schen Mantelschichten (11, 12) eingebetteten, längs einer definierten Längsachse verlaufenden und einen bestimmten Kernquerschnitt aufweisenden Kern (51) eines weiteren opti­ schen Wellenleiters (5) gekoppelt ist, dessen Kernquer­ schnitt größer als der größte Kernquerschnitt des letzten Wellenleitertapers (4) ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Querschnitt des weiteren Wellenleiters (5) von ei­ nem kleinsten Querschnitt an einem wellenleitertaperseitigen Ende (510) seines Kerns (51) längs seiner Längsachse (50) in Richtung von dem oder den Wellenleitertapern (3, 4) fort taper­ förmig auf einen größten Kernquerschnitt an einem anderen Ende (511) seines Kerns (51) vergrößert, wobei der kleinste Kern­ querschnitt des weiteren Wellenleitertapers (5) größer als der größte aller größten Kernquerschnitte sämtlicher Wellenleiter­ taper (3, 4) ist.
4. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Längsachse (20, 30) des einen Wellenleiters (2) und des daran angekoppelten Wellenleitertapers (3) und/oder die Längs­ achsen (30, 40) zweier aneinandergekoppelter Wellenleitertaper (3, 4) und/oder die Längsachsen (40, 50) des letzten Wellenlei­ tertapers (4) und des daran angekoppelten weiteren Wellenlei­ ters (5) zueinander in einem Winkel (α) größer als 0° angeord­ net sind.
5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem einen Wellenleiter (2) und dem daran angekop­ pelten Wellenleitertaper (3), und/oder zwischen zwei aneinan­ dergekoppelten Wellenleitertapern (3, 4) und/oder zwischen dem letzten Wellenleitertaper (4) und dem weiteren Wellenleiter (5) ein gekrümmter optischer Wellenleiter (6) zum Umlenken des längs einer Längsachse (30) zugeführten optischen Modes in Richtung einer anderen Längsachse (40) angeordnet ist.
6. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Kernquerschnitt jedes optischen Wellenleiters (2, 5) und jedes Wellenleitertapers (3, 4, 5) rechteckförmig ist.
7. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der rechteckförmige Kernquerschnitt des einen Wellenleiters (2) eine größere Breite (b) als Höhe (h) aufweist, daß der rechteckförmige größte Kernquerschnitt des an diesen einen Wel­ lenleiter (2) angekoppelten Wellenleitertapers (3) am wellen­ leiterseitigen Ende (310) seines Kerns (31) die gleiche Breite (b) und Höhe (h) wie der Kernquerschnitt des einen Wellenlei­ ters (2) aufweist, und daß der rechteckförmige kleinste Querschnitt des Wellenleitertapers (3) am anderen Ende (311) seines Kerns (31) die gleiche Höhe (h) wie der Kernquerschnitt des einen Wellenleiters (2) und eine Breite (b1) aufweist, die gleich oder kleiner als die Höhe (h) ist.
8. Anordnung nach Anspruch 2 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß in der Folge zweier oder mehrerer hintereinander angeordne­ ter und optisch aneinandergekoppelter Wellenleitertaper (3, 4) der größte und kleinste rechteckförmige Kernquerschnitt jedes Wellenleitertapers (4) eine Höhe (h1) aufweist, die größer ist als die Höhe (h) des größten und kleinsten rechteckförmigen Kernquerschnitts des vorhergehenden Wellenleitertapers (3), daß der größte rechteckförmige Kernquerschnitt jedes Wellenleitert­ apers (4) eine Breite (b2) aufweist, die größer ist als die Breite (b) des größten rechteckförmigen Kernquerschnitts des vorhergehenden Wellenleitertapers (3), und daß der kleinste rechteckförmige Kernquerschnitt jedes Wellenleitertapers (4) eine Breite (b3) aufweist, die kleiner oder gleich seiner Höhe (h1) ist.
9. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Kern (21, 31, 41) eines Wellenleiters (2) und/oder We­ llenleitertapers (3, 4) mehrschichtig ist.
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