DE4136075C2 - - Google Patents

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verbinden eines scheibenförmigen Isolierkörpers mit einem scheibenförmi­ gen, leitfähigen Körper durch anodisches Bonden, bei dem der Isolierkörper und der leitfähige Körper mit ihren zu verbindenden Flächen unter Bildung einer sandwichartigen Anordnung aneinander gelegt werden, die aneinander gelegten Körper mittels zweier Heizplatten erwärmt werden, die außen an die sandwichartige Anordnung gedrückt werden, und an die zu verbindenden Körper eine elektrische Spannung angelegt wird.
Ein Verfahren dieser Art ist in der OE-34 36 001 A1 beschrieben. Bei diesem bekannten Verfahren ist der Isolier­ körper ein Tragkörper aus einem beliebigen Material, das auf seiner Oberfläche mit einer dünnen Schicht eines alkali­ haltigen Glases überzogen ist. Bei dem leitfähigen Körper handelt es sich um eine Waferscheibe mit Halbleiterbauteilen. Aus dem Isolierkörper und dem leitfähigen Körper wird eine sandwichartige Anordnung gebildet, die zwischen zwei Metall­ scheiben gelegt wird. An die Metallscheiben wird eine Gleich­ spannungsquelle angeschlossen, und es wird anschließend der gesamte Aufbau in einem Ofen erwärmt. Die Erwärmung der an­ einander gelegten Körper erfolgt dabei bis zu einer Tempe­ ratur, bei der der Isolierkörper schwach leitend wird. In diesem Zustand erfolgt aufgrund der angelegten elektrischen Spannung ein Stromfluß durch die aneinander gelegten Körper, wodurch die Körper fest miteinander verbunden werden (anodisches Bonden).
Der Erfindung liegt die Aufgebe zugrunde, das bekannte Verfahren so weiter zu entwickeln, daß mit ihm ein Verbund­ körper aus mehr als einem scheibenförmigen Isolierkörper und einem scheibenförmigen, leitfähigen Körper hergestellt werden kann.
Zur Lösung dieser Aufgebe wird bei einem Verfahren der eingangs angegebenen Art erfindungsgemäß die sandwichartige Anordnung mit einem weiteren scheibenförmigen Isolierkörper derart gebildet, daß der leitfähige Körper zwischen den Isolierkörpern liegt, und es wird die an die Heizplatten angelegte elektrische Spannung während des Bondprozesses einmal umgepolt.
Unter "Isolierkörper" wird dabei nicht nur eine durchgängig aus Isolierstoff bestehende Scheibe, z. B. aus Glas, verstanden, sondern auch ein Mehrschichten-Körper, der aus einer Glas­ schicht an der Bondfläche mit darüber befindlicher Halbleiter­ schicht, aus einer Glasschicht an der Bondfläche mit darüber befindlicher Metallschicht und Halbleiterscheibe, aus einer Glasschicht an der Bondfläche mit darüber angeordneten Metall- und Glasschichten sowie einer Halbleiterscheibe oder aus einer Glasschicht an der Bondfläche mit darüber befindlicher Metall­ scheibe und Glasscheibe besteht.
Unter "leitfähiger Körper" wird nicht nur eine durchgängig aus Metall oder Halbleitermaterial bestehende Scheibe verstanden, sondern ebenfalls ein Mehrschichten-Körper, der aus einer Metallschicht an der Bondfläche und darüber befindlicher Halb­ leiterscheibe oder aus einer Metallschicht mit darüber ange­ ordneter Glasschicht ggf. in wiederholter Folge und Halbleiter­ scheibe besteht. Allerdings muß bei einem Mehrschichten-Körper als leitfähiger Körper mit einer Metallschicht und darüber befindlicher Glasscheibe letztere auf beiden Seiten mit einer Metallschicht versehen sein.
Eine weitere Lösung der oben aufgeführten Aufgabe besteht darin, deß die sandwichartige Anordnung mit einem weiteren scheibenförmigen Isolierkörper derart gebildet wird, daß der leitfähige Körper zwischen den Isolierkörpern liegt, und die elektrische Spannung wird einerseits an den leitfähigen Körper und andererseits an die beiden Heizplatten angelegt. Bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ergibt sich eine besonders gleichmäßige Stromverteilung beim Bonden.
Bei beiden Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die drei scheibenförmigen Körper in einem einzigen Bondvorgang fest und verzugsfrei miteinander verbunden.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungs­ gemäßen Verfahrens wird die sandwichartige Anordnung mit mindestens einem zusätzlichen scheibenförmigen, leitfähigen Körper gebildet, der außen an einen Isolierkörper angedrückt wird, und die angelegte elektrische Spannung wird während des Bondprozesses einmal umgepolt. Soll ein weiterer zusätzlicher scheibenförmiger, leitfähiger Körper in einem einzigen Bond­ prozeß mit den übrigen Körpern verbunden werden, dann wird dieser weitere scheibenförmige, leitfähige Körper außen an den anderen Isolierkörper der sandwichartigen Anordnung ange­ drückt. Mit diesem Verfahren läßt sich dann eine Verbindung eines scheibenförmigen, leitfähigen Körpers mit einer beispielsweise als Folie ausgebildeten Glasscheibe, einem weiteren scheibenförmigen, leitfähigen Körper, einer weiteren als Glasfolie ausgebildeten Scheibe und einem weiteren scheiben­ förmigen, leitfähigen Körper herstellen.
Als vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn gemäß einer weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens als Heizplatten Edelstahlheizplatten verwendet werden. Der­ artige Heizplatten lassen sich nämlich mit sehr ebenen Flächen herstellen und sind frei von plastischer Verformung beim Bonden. Außerdem gewährleisten Edelstahlheizplatten einen guten Wärmeübergang; sie sind außerdem mechanisch ausreichend hart. Darüber hinaus führen die Edelstahlheizplatten zu einer gleichmäßigen Stromverteilung an der Bond-Fläche.
Vorteilhaft kann es ferner sein, wenn mit basisch beständigen Metallen beschichtete Edelstahlheizplatten verwendet werden. Durch eine derartige Beschichtung wird die chemische Beständig­ keit der Heizplatten an ihrer Kontaktfläche zu den Körpern beim Bonden wesentlich erhöht.
Zur Erläuterung der Erfindung sind in
Fig. 1 eine Einrichtung zur Durchführung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens zum anodischen Bonden von zwei Isolierkörpern und einem leitfähigen Körper, in
Fig. 2 eine weitere Einrichtung zum Bonden von fünf scheibenförmigen Körpern, in
Fig. 3 verschiedene Ausführungen der Isolierkörper und in
Fig. 4 unterschiedliche Ausgestaltungen des leitfähigen Körpers dargestellt.
Bei der Einrichtung nach Fig. 1 ist eine sandwichartige Anordnung 30 gebildet aus einem scheibenförmigen leitfähigen Körper 31, einem scheibenförmigen Isolierkörper 32 und einem weiteren scheibenförmigen Isolierkörper 33, die zwischen Heizplatten 34 und 35 angeordnet sind; die Heizplatten 34 und 35 sind als Edelstahlheizplatten mit einer basisch beständigen Metallbeschichtung 8 als elektrisch leitender Oberfläche aus­ geführt. Über Anschlußleitungen 36 und 37 bzw. 38 und 39 sind die Heizplatten 34 und 35 mit einer nicht dargestellten Strom­ versorgungseinrichtung zum Zwecke ihrer elektrischen Beheizung verbunden.
An die Heizplatten 34 und 35 ist ein Pol 40 einer weiteren Stromversorgungsquelle 41 angeschlossen. Der andere Pol 42 der weiteren Stromversorgungsquelle ist direkt an den scheiben­ förmigen, leitfähigen Körper 31 angeschlossen.
Ist die sandwichartige Anordnung 30 durch die Heizplatten 34 und 35 ausreichend erwärmt, dann ergibt sich aufgrund der an die Heizplatten 34 und 35 einerseits und an den scheiben­ förmigen, leitfähigen Körper 31 andererseits angelegten elektrischen Spannung ein anodisches Bonden des scheiben­ förmigen, leitfähigen Körpers 31 mit den beiden scheibenförmigen Isolierkörpern 32 und 33; dieses Bonden tritt gleichzeitig auf, so daß gewissermaßen in einem einzigen Bondvorgang die Bondverbindungen innerhalb der sandwichartigen Anordnung 30 hergestellt werden.
Das Verbinden der Körper durch anodisches Bonden erfolgt - wie an sich bekannt - in vorteilhafter Weise zum Beispiel in einer Wasserstoffatmosphäre, wodurch eine sehr hohe thermische Leitfähigkeit gewährleistet ist. Dadurch Ist die Qualität der Verbindung auch dann gewährleistet, wenn die zu verbindenden Körper an ihrer Verbindungsfläche kleine Hohlräume aufweisen. Die Wasserstoffatmosphäre wird in ebenfalls bekannter Weise in einem Ofen geschaffen, in den die zu verbindenden Teile eingebracht werden. Anstelle von Wasserstoff kann auch ein anderes Formiergas benutzt werden.
Die Einrichtung nach Fig. 2 zeigt in weiten Teilen wesent­ liche Übereinstimmung mit der nach Fig. 1, so daß für gleiche Einzelteile hier gleiche Bezugszeichen verwendet worden sind. Die wesentliche Abweichung der Einrichtung nach Fig. 2 von der nach Fig. 1 besteht darin, daß hier eine sandwichartige Anordnung 50 nicht nur aus einem inneren scheibenförmigen, leitfähigen Körper 31 und beiderseits dieses leitfähigen Körpers befindlichen scheibenförmigen Isolierkörper 32 und 33 besteht, sondern noch zusätzlich aus jeweils einem weiteren scheibenförmigen, leitfähigen Körper 51 und 52, die die sandwichartige Anordnung 50 nach außen hin abschließen. Außen an der sandwichartigen Anordnung 50 liegen die Heizplatten 34 und 35, die - wie im Zusammenhang mit der Erläuterung der Fig. 1 beschrieben - beschaltet sind. Entsprechendes gilt für den Anschluß des scheibenförmigen, leitfähigen Körpers 31 an die weitere Stromversorgungsquelle 41. Nach Aufheizen der sandwichartigen Anordnung 50 wird beispielsweise die elektri­ sche Spannung mit der gleichen Polarität wie in Fig. 1 gezeigt angelegt. Danach wird innerhalb desselben Bond­ prozesses die elektrische Spannung einmal umgepolt. Beim ersten Vorgang werden die Körper 31 bis 33 durch Bonden miteinander verbunden, während beim zweiten Vorgang (umgepolte Spannung) die Körper 51 und 52 mit dem bereits gebondeten Verbund verbunden werden.
Fig. 3 zeigt verschiedene Ausgestaltungsformen der bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendbaren Isolierkörper. In den Einzeldarstellungen dieser Figur ist jeweils durch eine Schräg- Schraffur mit abwechselnd durchgezogenen und strichlierten Linien Glas, durch eine Schrägschraffur mit durchweg strich­ lierten Linien Halbleiter-Werkstoff und durch eine Schräg­ schraffur mit durchgehenden Linien Metall gekennzeichnet.
Eine entsprechende Kennzeichnung der unterschiedlichen Materialien für die verschiedenen Ausführungsformen des scheibenförmigen, leitfähigen Körpers ist in Fig. 4 gewählt.

Claims (7)

1. Verfahren zum Verbinden eines scheibenförmigen Isolier­ körpers mit einem scheibenförmigen, leitfähigen Körper durch anodisches Bonden, bei dem
  • a) der Isolierkörper und der leitfähige Körper mit ihren zu verbindenden Flächen unter Bildung einer sandwichartigen Anordnung aneinander gelegt werden,
  • b) die aneinander gelegten Körper mittels zweier Heizplatten erwärmt werden, die außen an die sandwichartige Anordnung gedrückt werden, und
  • c) an die zu verbindenden Körper eine elektrische Spannung angelegt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
  • d) die sandwichartige Anordnung (30) mit einem weiteren scheibenförmigen Isolierkörper (33) derart gebildet wird, daß der leitfähige Körper (31) zwischen den Isolierkörpern (32, 33) liegt, und
  • e) die an die Heizplatten angelegte elektrische Spannung während des Bondprozesses einmal umgepolt wird.
2. Verfahren zum Verbinden eines scheibenförmigen Isolier­ körpers mit einem scheibenförmigen, leitfähigen Körper durch anodisches Bonden, bei dem
  • a) der Isolierkörper und der leitfähige Körper mit ihren zu verbindenden Flächen unter Bildung einer sandwichartigen Anordnung aneinander gelegt werden,
  • b) die aneinander gelegten Körper mittels zweier Heizplatten erwärmt werden, die außen an die sandwichartige Anordnung gedrückt werden, und
  • c) an die zu verbindenden Körper eine elektrische Spannung angelegt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
  • f) die sandwichartige Anordnung (30) mit einem weiteren scheibenförmigen Isolierkörper (33) derart gebildet wird, daß der leitfähige Körper (31) zwischen den Isolierkörpern (32, 33) liegt, und
  • g) die elektrische Spannung einerseits an den leitfähigen Körper (31) und andererseits an die beiden Heizplatten (34, 35) angelegt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
  • h) die sandwichartige Anordnung (50) mit mindestens einem zu­ sätzlichen scheibenförmigen, leitfähigen Körper (51) ge­ bildet wird, der außen an einen Isolierkörper (32) ange­ drückt wird, und
  • i) die angelegte elektrische Spannung während des Bondprozesses einmal umgepolt wird.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
  • j) als Heizplatten Edelstahlheizplatten (34, 35) verwendet werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
  • k) mit basisch beständigen Metallen beschichtete Edelstahlheiz­ platten (34, 35) verwendet werden.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6475326B2 (en) 2000-12-13 2002-11-05 Applied Materials, Inc. Anodic bonding of a stack of conductive and glass layers
EP1460037A1 (de) * 2003-03-18 2004-09-22 SensoNor asa Mehrlagiges Bauelement und dessen Herstellungsverfahren
JP4380264B2 (ja) 2003-08-25 2009-12-09 カシオ計算機株式会社 接合基板及び基板の接合方法
EP1727766A1 (de) 2004-03-23 2006-12-06 Casio Computer Co., Ltd. Stapelkonstruktion und herstellungsverfahren dafür
JP2005270727A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Casio Comput Co Ltd スタック構造の製造方法及びスタック構造

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1138401A (en) * 1965-05-06 1969-01-01 Mallory & Co Inc P R Bonding
US3615946A (en) * 1967-12-01 1971-10-26 Gen Electric Method of embedding semiconductor chip within a dielectric layer flush with surface
JPS5516228A (en) * 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
US4424713A (en) * 1982-06-11 1984-01-10 General Signal Corporation Silicon diaphragm capacitive pressure transducer
DE3436001A1 (de) * 1984-10-01 1986-04-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrostatisches glasloeten von halbleiterbauteilen

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