DE4124747C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE4124747C2 DE4124747C2 DE4124747A DE4124747A DE4124747C2 DE 4124747 C2 DE4124747 C2 DE 4124747C2 DE 4124747 A DE4124747 A DE 4124747A DE 4124747 A DE4124747 A DE 4124747A DE 4124747 C2 DE4124747 C2 DE 4124747C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor control
- control device
- semiconductor
- power supply
- main circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
- H03K17/127—Modifications for increasing the maximum permissible switched current in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/165—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/168—Modifications for eliminating interference voltages or currents in composite switches
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine
Halbleiter-Steuerungsvorrichtung, in welcher zum Beispiel
Transistoren verwendet werden.
Einen allgemeinen Überblick über derartige Vorrichtungen
findet man beispielsweise in dem Artikel: "IGBT-Module
anwendungsgerecht einsetzen" in DER ELEKTRONIKER, 1988,
Nr. 7, S. 30-35.
Fig. 7 ist ein Schaltplan, der zur Veranschaulichung der
Problematik eine Halbleiter-Steuerungsvorrichtung zeigt.
In der Figur bezeichnen Bezugsziffern 1a und 1b jeweils
einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate, der ein
Halbleiter-Steuerungselement darstellt (im folgenden als
IGBT) bezeichnet. Jeder IGBT weist ein Paar von
Hauptstromkreiselektroden auf, das heißt einen Kollektor C
und einen Emitter E. Jeder IGBT ist ferner mit einem
Anschluß (e) auf der Seite des Emitters E ausgestattet,
der sich auf einem Bezugspotential befindet, und hat eine
Steuerelektrode (g), die vom Kollektor C und von dem
Emitter E isoliert ist. Bezugsziffer 2 bezeichnet eine
Busleitung auf der Seite einer Stromversorgung;
Bezugsziffer 3 bezeichnet eine Busleitung auf der
Lastseite; Bezugsziffer 4 bezeichnet einen ersten
Verbindungsleiter auf der linken Seite; Bezugsziffer 5
bezeichnet die Induktivität des Verbindungsleiters 4 auf
der linken Seite in schematischer Darstellung;
Bezugsziffer 6 bezeichnet einen ersten Verbindungsleiter
auf der rechten Seite; und Bezugsziffer 7 bezeichnet die
Induktivität des Verbindungsleiters 6 auf der rechten
Seite in einer schematischen Darstellung. Bei zwei IGBTs 1
auf der rechten und linken Seite sind ihre Kollektoren C
mit der Stromversorgungsbusleitung 2 jeweils über zweite
Verbindungsleiter 4a und 6a verbunden; ihre Emitter E sind
mit der lastseitigen Busleitung 3 jeweils über die ersten
Verbindungsleiter 4 und 6 verbunden.
Die Bezugsziffer 10 bezeichnet eine Steuerstromversorgung,
die für beide IGBTs 1 gemeinsam vorgesehen ist. Die
Steuerstromversorgung 10 schließt zwei Stromversorgungen
ein: eine Stromversorgung 11 zum Schließen und eine
Stromversorgung 12 zum Öffnen, die wie in Fig. 7 geschaltet
sind. Die negative Seite der Stromversorgung 11 zum
Schließen und die positive Seite der Stromversorgung 12
zum Öffnen sind mit einem Anschluß 13 verbunden. Die
positive Seite der Stromversorgung 11 zum Schließen und
die negative Seite der Stromversorgung 12 zum Öffnen sind
mit einem Anschluß 14 über einen nicht dargestellten
Schalter-Schaltkreis verbunden.
Die Bezugsziffern 15 und 18 bezeichnen jeweils eine erste
Verbindungsleitung, und die Bezugsziffern 17 und 20
bezeichnen jeweils eine zweite Verbindungsleitung. Die
Verbindungsleitungen verbinden jeweils die Anschlüsse 13
und 14 der Steuerstromversorgung 10 mit den Anschlüssen
(e) und Steuerelektroden (g) der IGBTs 1 auf der rechten
und linken Seite, wie in Fig. 7 gezeigt. Die Bezugsziffer
16 bezeichnet schematisch die Induktivität der
Verbindungsleitung 15; die Bezugsziffer 19 bezeichnet
schematisch die Induktivität der Verbindungsleitung 18.
Als nächstes wird der Betrieb der obigen
Halbleiter-Steuerungsvorrichtung erläutert. Die Spannung
der Schließ-Stromversorgung 11 wird durch Schließen eines
nicht dargestellten Schalter-Schaltkreises angelegt, so
daß die Anschlüsse (e) negativ werden, und die
Steuerelektroden (g) positiv werden. Demzufolge leiten die
Abschnitte zwischen den Kollektoren C und den Emittern E
auf die angelegte Spannung hin, wodurch bewirkt wird, daß
ein Laststrom von der Stromversorgungsbusleitung 2 zu der
lastseitigen Busleitung 3 fließt. Falls eine vorbestimmte
Spannung der Öffnungs-Stromversorgung 12 angelegt wird, so
daß die Anschlüsse (e) positiv werden und die
Steuerelektroden (g) negativ, wird die Leitung zwischen
dem Kollektor C und dem Emitter E blockiert, wodurch ein
Strom, der von der Stromversorgungsbusleitung 2 zu der
lastseitigen Busleitung 3 fließt, abgeschaltet wird.
Halbleiter-Steuerelemente weisen im allgemeinen Streuungen
der Zeit (Einschalt/Ausschalt-Zeit) zwischen dem Anlegen
eines Öffnungs-/Schließ-Signals an ihren Steuerelektroden
bis zum Öffnen/Schließen des Abschnittes zwischen den
Hauptschaltkreiselektroden auf. Außerdem weisen
Anschlußleiter und Verbindungsleitungen zum Verbinden von
Halbleiter-Steuerungselementen oder ähnlichem
Induktivitäten auf.
Es sei nun angenommen, daß die IGBTs 1a und 1b sowohl auf
der rechten als auch auf der linken Seite durch ein
Spannungssignal von der Steuerstromversorgung 10 öffnen,
wodurch ein Strom vom Kollektor C jedes IGBTs 1a und 1b zu
dem Emitter E desselben geschaltet wird. Falls die
Abschaltzeit des linken IGBTs 1a kürzer ist als die
Abschaltzeit des rechten IGBTs 1b, wird der Strom durch
den IGBT 1a schneller kleiner. Deshalb entsteht eine
Spannung über den beiden Enden der Induktivität 5 mit
einer Polarität wie in Fig. 7 gezeigt, die proportional zu
dem Produkt der Änderungsrate des Stromes, die von den
Eigenschaften des IGBTs 1a abhängt, und der Induktivität 5
des Verbindungsleiters 4 auf der linken Seite ist, das
heißt, die lastseitige Busleitung 3 wird positiv, und der
Emitter E des IGBTs 1a wird negativ. Diese entstehende
Spannung wird in eine Vielzahl von Spannungen unterteilt,
proportional zu den jeweiligen Induktivitäten einer
Serienschaltung der Induktivität 7, der Induktivität 19
und der Induktivität 16, mit Polaritäten, die durch die
Symbole + und - in Fig. 7 angedeutet sind. Dementsprechend
wird eine Spannung auf die Steuerelektrode (g) der IGBTs
1a oder 1b gegeben, die kleiner oder größer ist als die
von der Steuerstromversorgung 10 angelegte Spannung.
Weil die Halbleiter-Steuervorrichtung wie
oben beschrieben konstruiert ist, wird eine von den
Induktivitäten 5 und 7 zum Steuerzeitpunkt induzierte
Spannung, zum Beispiel im Öffnungs-/Schließ-Zeitpunkt, auf
die Induktivitäten 16 und 19 zwischen der
Steuerstromversorgung 10 und den Anschlüssen (e) der IGBTs
gegeben, was dazu führt, daß eine höhere oder eine
niedrigere Spannung auf die Steuerelektrode (g) des IGBTs
gegeben wird als die von der Steuerstromversorgung 10
gelieferte Spannung. Deshalb sind Fälle aufgetreten, in
welchen IGBTs nicht ordnungsgemäß funktionierten, oder in
einigen Fällen IGBTs zerstört worden sind, weil eine
Spannung oberhalb einer zulässigen Spannung für IGBTs auf
diese gegeben wurde.
Die vorliegende Erfindung zielt darauf ab, die oben
erwähnten Probleme zu lösen. Dementsprechend ist es eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine hochzuverlässige
Halbleiter-Steuerungsvorrichtung zu schaffen, die in der
Lage ist, eine Vielzahl von
Halbleiter-Steuerungselementen, von denen die
entsprechenden einen Hauptschaltkreiselektroden
zusammengeschaltet sind, mittels einer gemeinsamen
Steuerstromversorgung stabil zu steuern.
Erfindungsgemäß wird die obige Aufgabe gelöst nach
Anspruch 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in
den Unteransprüchen 2 bis 16.
In der Halbleiter-Steuerungsvorrichtung der vorliegenden
Erfindung ist ein Transformator mit einer ersten Wicklung
und einer zweiten Wicklung angeordnet, die dieselbe
Polarität wie die erste Wicklung hat. Die erste Wicklung
ist zwischen die Steuerstromversorgung und eine der
Hauptschaltkreiselektroden eines
Halbleiter-Steuerelementes eingefügt. Die zweite Spule ist
zwischen die Steuerstromversorgung und die Steuerelektrode
des Halbleiter-Steuerungselements eingefügt.
Bei dem Transformator der vorliegenden Erfindung erzeugt
eine erste Wicklung eine Spannung an einer der
Hauptschaltkreiselektroden eines Halbleiter-
Steuerungselements, wenn das Halbleiter-Steuerungselement
gesteuert wird. Eine Spannung mit derselben Polarität wie
die obige Spannung wird von einer zweiten Wicklung
zwischen der Steuerstromversorgung und der Steuerelektrode
des IGBTs erzeugt. Somit wird die auf einer Seite der
Hauptschaltkreiselektroden erzeugte Spannung gelöscht oder
kompensiert, wodurch bewirkt wird, daß keine abnormale
Spannung auf die Steuerelektroden gegeben wird.
Im folgenden soll die vorliegende Erfindung unter Bezug
auf die Zeichnungen näher beschrieben werden.
Fig. 1 ist ein Schaltplan, der ein
Ausführungsbeispiel einer Halbleiter-
Steuerungsvorrichtung der vorliegenden
Erfindung zeigt;
Fig. 2 ist ein Schaltplan, der ein anderes
Ausführungsbeispiel der Halbleiter-
Steuerungsvorrichtung der vorliegenden
Erfindung zeigt;
Fig. 3 bis 6 sind Ansichten, die andere Elemente
zeigen, die als Halbleiter-
Steuerungselemente in der vorliegenden
Erfindung verwendet werden; und
Fig. 7 ist ein Schaltplan, der diesen Typ einer
herkömmlichen Halbleiter-
Steuerungsvorrichtung zeigt.
Fig. 1 ist ein Schaltplan, der ein Ausführungsbeispiel
einer Halbleiter-Steuerungsvorrichtung der vorliegenden
Erfindung zeigt. Transformatoren 31 und 35 sind zwischen
einer Steuerstromversorgung 10 und jeweiligen IGBTs 1a und
1b angeordnet. Der Transformator 31 umfaßt eine erste
Wicklung 32 und eine zweite Wicklung 33, von denen beide
um einen Eisenkern 34 mit gleicher Windungszahl und
gleicher Polarität gewickelt sind, wie in Fig. 1 gezeigt.
Die erste Wicklung 32 ist in eine erste Verbindungsleitung
15 eingefügt, um einen Anschluß 13 der Steuerstromquelle
10 mit einem Anschluß (e) des IGBTs 1a zu verbinden. Die
zweite Wicklung 33 ist in eine zweite Verbindungsleitung
17 zum Verbinden eines Anschlusses 14 der
Steuerstromversorgung 10 mit der Steuerelektrode (g) des
IGBTs 1a eingefügt. Die Konstruktion des Transformators 35
ist dieselbe wie die des Transformators 31. Eine erste
Wicklung 36 und eine zweite Wicklung 37 sind um einen
Eisenkern 38 mit der gleichen Windungszahl und der
gleichen Polariät gewickelt. Diese Wicklungen sind mit der
in Fig. 1 gezeigten Polarität zwischen die
Steuerstromversorgung 10 und den rechten IGBT 1b
geschaltet. Weil die anderen Komponenten in Fig. 1
dieselben sind wie jene des in Fig. 7 gezeigten Standes
der Technik, werden dieselben Bezugsziffern für
entsprechende Komponenten verwendet, und diesbezügliche
Erläuterungen ausgelassen.
Als nächstes wird der Betrieb der Halbleiter-
Steuerungsvorrichtung erläutert. Es sei nun angenommen,
daß der Zustand der beiden IGBTs 1a und 1b von einem
leitenden Zustand in einen nicht leitenden Zustand
wechselt, mittels eines Signals von der
Steuerstromversorgung 10 in der gleichen Weise, wie im
Stand der Technik nach Fig. 7, wodurch die
Hauptschaltkreiselektroden der IGBTs 1a und 1b einen Strom
abschalten, der von dem Kollektor C zum Emitter E fließt.
Wenn zum Beispiel die Abschaltzeit des IGBTs 1a kürzer ist
als die Abschaltzeit des IGBTs 1b, wird der Strom durch
den IGBT 1a schneller kleiner. Durch eine in der
Induktivität 5 induzierte Spannung, wie in Fig. 1 gezeigt,
hat die Seite des IGBTs 1a eine negative Polarität, und
die Seite der lastseitigen Busleitung 3 hat eine positive
Polarität, ähnlich wie im Stand der Technik. Diese
entstehende Spannung wird durch das Impedanzverhältnis
einer Induktivität 7, einer Induktivität 19, der ersten
Wicklung 36 des Transformators 35, der ersten Wicklung 32
des Transformators 31 und der Induktivität 16 in einer
Serienschaltung, die einen ersten Anschlußleiter 6 auf
ihrer rechten Seite, erste Anschlußleiter 18 und 15, und
Transformatoren 35 und 31 einschließt, aufgeteilt. Es
werden erregende Impedanzwerte der Transformatoren 31 und
35 gewählt, die ausreichend größer sind als die Impedanz
der Induktivitäten 16 und 19, mit dem Ergebnis, daß die
erste Wicklung 32 des Transformators 31 und die erste
Wicklung 36 des Transformators 35 mit dem größten Teil der
in der Induktivität 5 induzierten Spannung belastet sind.
Dieselbe Spannung, die dieselbe Polarität hat wie die auf
diese ersten Wicklungen 32 und 36 gegebene Spannung, wird
jeweils in den zweiten Wicklungen 33 und 37 induziert. Als
Ergebnis löschen sich die jeweiligen Spannungsbeträge, die
auf die Abschnitte zwischen den Emittern E und die
Steuerelektroden (g) der IGBTs 1a und 1b gegeben werden,
gegenseitig durch die erste Wicklung 32 und die zweite
Wicklung 33 des Transformators 31, bzw. durch die erste
Wicklung 36 und die zweite Wicklung 37 des Transformators
35. Weil die jeweiligen Impedanzbeträge der
Transformatoren 31 und 35, gesehen von der
Steuerstromversorgung 10, zu Null werden, wird deshalb ein
Signal, das auf den Abschnitt zwischen der Steuerelektrode
(g) und den Anschlüssen (e) eines jeden der IGBTs 1a und
1b gegeben wird, nicht behindert. Ein gewünschtes Signal
kann an den Abschnitt zwischen der Steuerelektrode (g) und
den Anschlüssen (e) geliefert werden.
Fig. 2 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung. Die Stromversorgungsseiten der
IGBTs 1a und 1b, das heißt, die Seite der Kollektoren C,
sind jeweils mit Busleitungen 41 und 42 verbunden, die mit
einzelnen Stromversorgungsteilen verbunden sind. Die IGBTs
1a und 1b werden mit verschiedenen Zeitverläufen durch die
Steuerstromversorgung 10 gesteuert. In diesem Fall sind
Anschlüsse 43 und 44 in der Steuerstromversorgung 10
zusätzlich zu den Anschlüssen 13 und 14 untergebracht, und
die Stromversorgung 11 zum Schließen und die
Stromversorgung 12 zum Öffnen sind wie gezeigt geschaltet,
so daß rechte und linke IGBTs 1a und 1b von der
Steuerstromversorgung 10 individuell gesteuert werden
können. Die Spannung der Stromversorgung 11 zum Schließen
oder die der Stromversorgung 12 zum Öffnen wird
individuell durch Schließen eines Schalter-Schaltkreises
(nicht gezeigt) zwischen die Steuerelektroden (g) und die
Anschlüsse (e) der IGBTs 1a und 1b gegeben. Kondensatoren
45 und 46 sind Kondensatoren zum Absorbieren von
Spannungsspitzen und sind jeweils zwischen der
Steuerelektrode (g) und den Anschlüssen (e) eines jeden
der IGBTs 1a und 1b angeordnet, das heißt, jeder
Kondensator ist zwischen die ersten und zweiten
Verbindungsleitungen geschaltet.
In der Halbleiter-Steuerungsvorrichtung, wie in Fig. 2
gezeigt, die wie oben beschrieben konstruiert ist, werden
die IGBTs 1a und 1b voneinander unabhängig gesteuert. Eine
Spannung, die über der Induktivität 5 oder der
Induktivität 7 entsteht, wenn jeder der IGBTs 1a und 1b
geöffnet/geschlossen wird, wird jeweils durch
Transformatoren 31 und 35 kompensiert. Somit entsteht die
Spannung nicht zwischen der Steuerelektrode (g) und den
Anschlüssen (e), ähnlich wie im Ausführungsbeispiel der
Fig. 1.
In den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde ein
Fall gezeigt, in welchen Transformatoren 31 und 35 jeweils
einzeln zwischen die Steuerstromversorgung 10 und die
Steuerelektrode (g) eines jeden der IGBTs 1a bzw. 1b
eingefügt werden. Jedoch kann derselbe Effekt erzielt
werden, wenn andere Impedanzelemente zusätzlich zu den
Transformatoren 31 und 35 in Serie eingefügt werden. Das
Windungsverhältnis der ersten und zweiten Wicklungen der
Transformatoren 31 und 35 braucht nicht notwendigerweise
1 : 1 zu sein.
Obwohl ein Fall dargestellt wurde, in welchem in jedem der
oben beschriebenen Ausführungsbeispiele Halbleiter-
Steuerungselemente IGBTs sind, ist es überflüssig zu
sagen, daß derselbe Effekt erzielt werden kann, (a) wenn
Spannungs-gesteuerte Halbleiter-Steuerungselemente
verwendet werden, die dasselbe sind wie IGBTs, wie etwa
bipolare Transistoren mit isoliertem Gate, die ähnlich
MOSFETs sind, wie in Fig. 3 gezeigt, (b) wenn
Strom-getriebene Halbleiter-Steuerungselemente, wie etwa
in Fig. 4 gezeigte bipolare Transistoren verwendet werden,
und (c) wenn Halbleiter-Steuerungselemente, wie etwa in
den Fig. 5 und 6 gezeigte Thyristoren oder
Gate-abschaltbare Thyristoren (GTO) verwendet werden.
Wie oben erläutert wurde, ist gemäß der vorliegenden
Erfindung ein Transformator zwischen jedem Halbleiter-
Steuerungselement und einer Steuerstromversorgung jeweils
angeordnet, um eine Spannung zu löschen, die zu der Zeit
entsteht, wenn die Halbleiter-Steuerungselemte gesteuert
werden, wodurch bewirkt wird, daß keine abnormale Spannung
auf die Steuerelektrode der Halbleiter-Steuerungselemente
gegeben wird. Deshalb kann eine hochzuverlässige
Halbleiter-Steuerungsvorrichtung erhalten werden, in
welcher Halbleiter-Steuerungselemente nicht
fehlfunktionieren, und kein Isolationsdurchbruch auftritt.
Claims (16)
1. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung, mit
- - einer Vielzahl von Halbleiter-Steuerungselementen (1a, 1b), von denen jedes eine Steuerelektrode (g) und ein Paar von Hauptschaltkreiselektroden (C, E) aufweist;
- - ersten Verbindungsleitern (4, 6) zum Verbinden von jeweils der einen Hauptschaltkreiselektrode (E) der Paare von Hauptschaltkreiselektroden (C, E) der Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) mit einer ersten Busleitung (3);
- - zweiten Verbindungsleitern (4a, 6a) zum Verbinden von jeweils der anderen Hauptschaltkreiselektrode (C) der Paare von Hauptschaltkreiselektroden (C, E) der Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) mit wenigstens einer zweiten Busleitung (2; 41, 42);
- - einer Steuerstromversorgungseinrichtung (10) zum Liefern positiver und/oder negativer Spannungen bezüglich einer an den einen Hauptschaltkreiselektrode (E) zu abgegriffenen Referenzspannung an die jeweiligen Steuerelektrode (g) der Halbleiter-Steuerungselementes (1a, 1b);
- - Verbindungseinrichtungen, die erste Verbindungsleitungen (15, 18) einschließen, die die einen Hauptschaltkreiselektroden (E) von jedem der Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) gemeinsam mit der Steuerstromversorgung (10) verbinden, um die Referenzspannung zu liefern, und die zweite Verbindungsleitungen (17, 20) einschließen, die die Steuerelektrode (g) eines jeden Halbleiter-Steuerungselementes (1a, 1b) mit der Steuerstromversorgung (10) verbinden, um die positiven und/oder negativen Spannungen zu liefern; und
- - Transformatoren (31, 35), die für jedes der Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) vorgesehen sind, von denen jeder erste Wicklungen (32, 36), die in die erste Verbindungsleitung (17, 18) eingefügt sind und zweite Wicklungen (33, 37), die in die zweite Verbindungsleitung (17, 20) eingefügt sind, und mit derselben Polarität wie die der ersten Wicklung (32, 36) gewickelt sind, umfaßt.
2. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Busleitung (3) auf der Lastseite und die
wenigstens eine zweite Busleitung (2; 41, 42) auf der
Stromversorgungsseite vorgesehen sind.
3. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die anderen Hauptschaltkreiselektroden (C) der
Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) gemeinsam mit
einer einzelnen zweiten Busleitung (2) verbunden sind.
4. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die zweiten Verbindungsleitungen (17, 20) der
Verbindungseinrichtungen gemeinsam mit der
Steuerstromversorgung (10) verbunden sind, und
dadurch, daß eine Spannung gemeinsam auf die
Steuerelektrode (g) eines jeden Halbleiter-
Steuerungselements (1a, 1b) gegeben wird.
5. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die anderen Hauptschaltkreiselektroden (C) der
Halbleiter-Steuerungselements (1a, 1b) mit
verschiedenen zweiten Busleitungen (41, 42) verbunden
sind.
6. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die zweiten Verbindungsleitungen (17, 20) der
Verbindungseinrichtungen einzeln mit der
Steuerstromversorgung (10) verbunden sind und dadurch,
daß jeweils eine Spannung mit einer gewünschten
Polarität einzeln auf die Steuerelektrode (g) eines
jeden Halbleiter-Steuerungselements (1a, 1b) gegeben
wird.
7. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
Spannungsspitzen absorbierende Einrichtungen (45, 46)
zwischen der einen Hauptschaltkreiselektrode (E) und
der Steuerelektrode (g) eines jeden Halbleiter-
Steuerungselements (1a, 1b) angeordnet sind.
8. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Spannungsspitzen absorbierenden Einrichtungen (45,
46) Kondensatoren sind, die jeweils zwischen die erste
Verbindungsleitung (15, 18) und die zweite
Verbindungsleitung (17, 20) geschaltet sind.
9. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b)
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate sind.
10. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b)
Feldeffekttransistoren des Typs mit isoliertem Gate
sind.
11. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b)
stromgetriebene Halbleiter-Steuerungselemente sind.
12. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) Thyristoren
sind.
13. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b)
GTO-Thyristoren sind.
14. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
jeder der Transformatoren (31, 35) einen Eisenkern
aufweist, um welchen die ersten und zweiten Wicklungen
(32, 33; 36, 37) herumgewickelt sind.
15. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Wicklungsverhältnis der ersten und zweiten
Wicklungen (32, 33; 36, 37) eines jeden der
Transformatoren (31, 35) ein Verhältnis ist, bei
welchem eine zum Steuerungszeitpunkt entstehende
Spannung gelöscht wird.
16. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Wicklungsverhältnis der ersten und zweiten
Wicklungen (32, 33; 36, 37) eines jeden der
Transformatoren (31, 35) 1 : 1 ist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2200708A JP2855816B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 半導体制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4124747A1 DE4124747A1 (de) | 1992-01-30 |
| DE4124747C2 true DE4124747C2 (de) | 1993-06-24 |
Family
ID=16428904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4124747A Granted DE4124747A1 (de) | 1990-07-25 | 1991-07-25 | Halbleiter-steuerungsvorrichtung |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5166541A (de) |
| JP (1) | JP2855816B2 (de) |
| KR (1) | KR940011278B1 (de) |
| CA (1) | CA2047771C (de) |
| DE (1) | DE4124747A1 (de) |
| FR (1) | FR2665309B1 (de) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2680925B1 (fr) * | 1991-08-27 | 1993-12-17 | Sextant Avionique | Interrupteur statique a faibles pertes. |
| JP2837054B2 (ja) * | 1992-09-04 | 1998-12-14 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
| JP2793946B2 (ja) * | 1993-08-26 | 1998-09-03 | 三菱電機株式会社 | 電力用スイッチング装置 |
| EP1292027B1 (de) * | 2000-05-18 | 2011-07-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Leistungshalbleiter-bauelement |
| DE10152879B4 (de) * | 2001-10-26 | 2005-11-24 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Halbleiterschalteranordnung |
| EP1480339A1 (de) * | 2003-05-19 | 2004-11-24 | ABB Technology AG | Halbleiterschalteranordnung |
| US20060006849A1 (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Haslett James W | Inductor compensating circuit |
| DE102008055157A1 (de) * | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Infineon Technologies Ag | Ansteuerschaltung für eine Leistungshalbleiteranordnung und Leistungshalbleiteranordnung |
| DE102010063274B3 (de) * | 2010-12-16 | 2012-01-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleiterschalters über eine Gleichtaktdrossel |
| US9793889B2 (en) | 2011-03-15 | 2017-10-17 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including a circuit to compensate for parasitic inductance |
| WO2013032906A1 (en) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Efficient Power Conversion Corporation | Parallel connection methods for high performance transistors |
| DE102012112391B4 (de) * | 2012-12-17 | 2018-10-04 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Schaltnetzteil mit einer Kaskodenschaltung |
| DE102013106801B4 (de) * | 2013-06-28 | 2016-06-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleiterschaltung |
| US10312897B2 (en) * | 2013-11-29 | 2019-06-04 | Nissan Motor Co., Ltd. | Switching device |
| DE102014117385B4 (de) | 2014-11-27 | 2021-12-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleiterschaltung und Verfahren zum Betrieb einer Leistungshalbleiterschaltung |
| DE102017125548A1 (de) | 2017-11-01 | 2019-05-02 | Sma Solar Technology Ag | Schaltungsanordnung und leistungselektronische wandlerschaltung |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB949481A (en) * | 1961-04-27 | 1964-02-12 | Dehavilland Aircraft | Improvements in or relating to safety devices for electrical switches |
| US3325598A (en) * | 1963-09-18 | 1967-06-13 | Bell Telephone Labor Inc | Remote condition monitoring circuit with ringing current actuated switch connecting twomode oscillator to telephone line |
| US3297911A (en) * | 1964-04-14 | 1967-01-10 | Tung Sol Electric Inc | Capacitive discharge ignition circuit using a gate controlled semiconductor switch |
| GB1233961A (de) * | 1969-01-08 | 1971-06-03 | ||
| US3715608A (en) * | 1970-09-23 | 1973-02-06 | Teletype Corp | Programmable circuit and method |
| NL7101794A (de) * | 1971-02-11 | 1972-08-15 | ||
| US3778639A (en) * | 1972-05-12 | 1973-12-11 | Ibm | Transistor switch using a current sharing pulse transformer |
| US3921034A (en) * | 1972-12-29 | 1975-11-18 | Canon Kk | Stroboscopic device with electric shock preventive circuit |
| US3855518A (en) * | 1973-12-26 | 1974-12-17 | Honeywell Inf Systems | Switching regulator using gate-turn-off scr |
| JPS5453954A (en) * | 1977-10-07 | 1979-04-27 | Fuji Electric Co Ltd | Parallel connection mthod of transistor |
| US4823023A (en) * | 1982-06-01 | 1989-04-18 | Nippon Chemi-Con Corporation | Transistor with differentiated control switching circuit |
| JPS61230519A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路 |
| DE3717253A1 (de) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Hitachi Ltd | Direkte parallelschaltung von abschaltbaren halbleiterelementen |
| US4816984A (en) * | 1987-02-06 | 1989-03-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Bridge arm with transistors and recovery diodes |
| US4775925A (en) * | 1987-11-23 | 1988-10-04 | General Electric Company | Method and apparatus for determining the control electrode to cathode junction voltage of a control turn-off semiconductor device and use of such determined voltage in the control of the device |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP2200708A patent/JP2855816B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-07-24 CA CA002047771A patent/CA2047771C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-24 US US07/735,253 patent/US5166541A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-25 DE DE4124747A patent/DE4124747A1/de active Granted
- 1991-07-25 FR FR9109426A patent/FR2665309B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-25 KR KR1019910012266A patent/KR940011278B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2665309B1 (fr) | 1994-02-04 |
| FR2665309A1 (fr) | 1992-01-31 |
| JP2855816B2 (ja) | 1999-02-10 |
| US5166541A (en) | 1992-11-24 |
| JPH0483416A (ja) | 1992-03-17 |
| KR920003646A (ko) | 1992-02-29 |
| CA2047771A1 (en) | 1992-01-26 |
| KR940011278B1 (ko) | 1994-12-03 |
| DE4124747A1 (de) | 1992-01-30 |
| CA2047771C (en) | 1996-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4124747C2 (de) | ||
| DE69603825T2 (de) | Hochspannungsgleichstromübertragungssystem | |
| EP0660496A2 (de) | Umrichteranordnung mit niederinduktivem Kommutierungskreis | |
| DE2909222C3 (de) | Josephson-Schaltung zur Polaritätsumschaltung und Verfahren zu deren Betrieb | |
| DE202016102722U1 (de) | Umrichteranordnung | |
| DE2214950A1 (de) | Schaltungsanordnung zum Aneinander schalten von mindestens zwei Wicklungen | |
| DE102015101087A1 (de) | Schaltungsanordnung | |
| EP0340686B1 (de) | Ansteuereinrichtung für einen elektromotorischen Antrieb | |
| CH629027A5 (de) | Hochspannungsfeste signaluebertragungseinrichtung mit einem trennuebertrager. | |
| EP2966769B1 (de) | Betrieb eines modularen Multilevelstromrichters | |
| EP3724982B1 (de) | Modularer mehrstufenumrichter und schaltmodul für modularen mehrstufenumrichter | |
| DE2026685C3 (de) | Verfahren und Schalteinrichtung zum Unterbrechen von Gleichstrom-Energieübertragungs netzen | |
| EP3783630B1 (de) | Vorrichtung zum unterdrücken eines gleichstromanteils beim betrieb eines an ein hochspannungsnetz angeschlossenen elektrischen geräts | |
| DE102020203994A1 (de) | Verfahren zum Ansteuern von Schaltelementen eines modularen Multilevelstromrichters | |
| DE69630252T2 (de) | Schaltvorrichtung für Hochspannungsschaltung mit Impulstransformator | |
| EP3244715A1 (de) | Phasenmodul für einen stromrichter | |
| DE102015220220A1 (de) | Blindleistungskompensationseinrichtung sowie Verfahren zum Betreiben einer Blindleistungskompensationseinrichtung | |
| DE102009026479B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit verringerter Oszillationsneigung | |
| WO2016012465A1 (de) | Schaltungsanordnung für einen npc mehrpunktwechselrichter mit entlastungsnetzwerk | |
| EP3101796A1 (de) | Transformatorschaltung zur änderung einer spannung in einem stromnetz gegenüber einer nennspannung | |
| DE102014200693A1 (de) | Hochspannungsgleichstrom-Übertragung | |
| DE4121177A1 (de) | Schaltungsanordnung zur abschaltentlastung eines wechselrichterzweigpaares | |
| EP3391524B1 (de) | Konvertermodul für einen mehrstufenumrichter und verfahren zu dessen betrieb | |
| EP3857577B1 (de) | Vorrichtung zur blindleistungskompensation mit einer hochspannungswicklung mit mittenanschluss | |
| EP0656637B1 (de) | Transformator mit rahmenförmigem Blechpaket |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |