DE4120941A1 - Vorrichtung zum aufbringen von duennschichten - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Aufbringen von Dünn
schichten, insbesondere eine Vorrichtung, mit der Dünnschichten
durch physikalische Dampfabscheidung (PVD) aufgebracht werden,
wobei die Dünnschichten unter Verwendung von Ionenstrahlen und
Elektronenstrahlen gebildet werden.
Dünnschichten hoher Qualität, beispielsweise als Halbleiter, op
tische Dünnschichten, magnetische Schichten oder Isolierschich
ten, hat man bislang durch Zerstäubung gebildet oder durch ein
Abscheidungsverfahren, das von Ionenstrahlen niedriger Energie
unterstützt war.
Fig. 3 zeigt schematisch eine herkömmliche Vorrichtung zum Auf
bringen von Dünnschichten, die beispielsweise aus der Veröffent
lichung "Journal of Vacuum Science and Technology (J. Vac. Sci.
Technol.), B2 (3), August bis September 1984" bekannt ist. Gemäß
Fig. 3 ist ein Tiegel 3 vom eingeschlossenen Typ in dem unteren
Bereich einer Dampferzeugungsquelle 7 einer Ionenquelle ange
ordnet, die im Inneren einer nicht dargestellten Vakuumkammer
angeordnet ist, deren Innenraum auf einem vorgegebenen Vakuum
gehalten wird. Eine Öffnung 4 ist oberhalb des Tiegels 3 gebil
det, und ein Auftrags- oder Abscheidungsmaterial 5 ist in dem
Tiegel 3 untergebracht. Eine Heizung 6 beheizt den Tiegel 3.
Der Tiegel 3, die Öffnung 4 und die Heizung 6 bilden die Dampf
erzeugungsquelle 7.
Eine Kathode bzw. ein Glühfaden 10, aus dem ein Elektronenstrahl
emittiert wird, und eine Anode 11, welche Elektronen von der
Kathode 10 anzieht, bilden eine Ionisierungseinrichtung 12.
Eine Beschleunigungselektrode 16 und eine geerdete Elektrode
17 bilden eine Beschleunigungseinrichtung 19, um ein Abschei
dungsmaterial, das von der Ionisierungseinrichtung 12 ionisiert
worden ist, in einem elektrischen Feld zu beschleunigen und es
mit kinetischer Energie zu versehen.
Mit der vorstehend beschriebenen Konstruktion wird die Vakuum
kammer von einer Vakuumpumpeneinrichtung evakuiert, bis in der
Vakuumkammer ein Vakuum von etwa 10-6 Torr erreicht ist. An
schließend wird der Tiegel 3 von der Heizung 6 aufgeheizt. In
folgedessen wird das Auftrags- oder Abscheidungsmaterial 5 im
Innenraum des Tiegels 3 verdampft und durch die Öffnung 4 hin
durch zu der Ionisierungseinrichtung 12 transportiert. Der
Dampf des Abscheidungsmaterials 5 kollidiert mit einem Elektro
nenstrahl, der von der Kathode 10 emittiert wird, so daß er
ionisiert wird. Der ionisierte Dampf des Abscheidungsmaterials
5 wird von einem elektrischen Feld, das von der Beschleunigungs
elektrode 16 der Beschleunigungseinrichtung 19 und einer geer
deten Elektrode 17 angelegt wird, beschleunigt und prallt auf
die Oberfläche eines nicht dargestellten Substrats. Auf diese
Weise wird eine Dünnschicht gebildet.
Eine derartige herkömmliche Vorrichtung zum Aufbringen von
Dünnschichten bringt jedoch das Problem mit sich, daß dann,
wenn ein Abscheidungsmaterial mit einer guten Benetzbarkeit
mit einem Tiegelmaterial, wie z. B. Silizium (Si) oder Aluminium
(Al) verwendet wird, das Phänomen auftritt, daß das geschmolzene
Abscheidungsmaterial auf der Seite der Öffnung nach oben
kriecht oder um den Tiegel 3 herum entweicht, und somit kann
die Ionenquelle nicht in stabiler Weise arbeiten. Ein weiteres
Problem tritt insofern auf, als diese geschmolzenen Metalle
eine heftige Reaktion mit einem die Ionenquelle bildenden Mate
rial zeigen, wobei ein Bereich, der mit dem geschmolzenen Mate
rial benetzt ist, korrodiert, so daß die Lebensdauer der Vor
richtung extrem kurz ist.
Ein anderes Problem bei dem herkömmlichen Abscheidungsverfahren
besteht darin, daß Ionen mit niedriger Energie von 20 bis 500 eV
verwendet werden, wobei der Anteil eines erzeugten Ionenstrahls
innerhalb des Dampfes höchstens 5% oder weniger beträgt; außer
dem ist der Anteil von Ionen klein, die verwendet werden können,
und somit bestehen Einschränkungen hinsichtlich des Leistungs
vermögens bei der Bildung von entsprechenden Anordnungen auf
einem Substrat.
Ein weiteres Problem besteht darin, daß auch dann, wenn man ver
sucht, die Eigenschaften von Dünnschichten durch eine Beschleu
nigungsspannung zu steuern, die Menge von Ionen, welche das Sub
strat erreichen können, sehr klein ist, insbesondere dann, wenn
die Beschleunigungsspannung klein ist; somit können Dünnschich
ten hoher Qualität nicht gebildet werden, wenn man die Eigen
schaften von niederenergetischen Ionen zu berücksichtigen hat.
Ein weiteres Problem besteht darin, daß dann, wenn die Beschleu
nigungsspannung gegen Null geht, die von der Kathode bzw. dem
Glühfaden emittierten Elektronen beginnen, gegen das Substrat
zu prallen, was Beschädigungen des Substrats hervorrufen kann.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrich
tung zum Aufbringen von Dünnschichten anzugeben, die in der La
ge ist, stabil zu arbeiten, auch wenn ein Abscheidungsmaterial
mit guter Benetzbarkeit verwendet wird, und mit der es möglich
ist, eine Ionenerzeugung mit einer hohen Ionisierungseffizienz
von 70% oder mehr zu realisieren.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung in zufriedenstellender
Weise gelöst. Dabei ist es in vorteilhafter Weise möglich, eine
fest vorgegebene Menge von Ionen auf ein Substrat aufzubringen,
auch wenn die Beschleunigungsspannung geändert wird. Weiterhin
können in vorteilhafter Weise die Eigenschaften von niederener
getischen Ionen verwendet werden. Somit ist die erfindungsgemäße
Vorrichtung in der Lage, Dünnschichten aufzubringen, mit denen
keine Beschädigung eines Substrates durch Elektronen hervorge
rufen wird, welche von einem Glühfaden emittiert werden und auf
ein Substrat prallen, so daß Dünnschichten in gleichmäßiger Wei
se mit hoher Qualität hergestellt werden können.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Aufbringen von Dünnschich
ten weist folgendes auf: eine Vakuumkammer, in der ein vorgege
benes Vakuum aufrechterhalten wird; ein Substrat, das im Innen
raum dieser Vakuumkammer angeordnet ist; einen Tiegel, der in
der Weise angeordnet ist, daß er dem Substrat im Innenraum der
Vakuumkammer gegenüberliegt, um ein Abscheidungsmaterial auf
zunehmen, dessen Metallionen zu dem Substrat hin beschleunigt
werden; eine Heizung, die um den Tiegel herum angeordnet ist,
um den Tiegel zu beheizen; eine Kathode, die in der Nähe der
Öffnung des Tiegels angeordnet ist; und eine Anode, die in der
Weise angeordnet ist, daß sie den Tiegel, die Heizung und die
Kathode umgibt.
Da gemäß der Erfindung der obere Bereich eines Tiegels durch
die Wärme des Glühfadens, der eine Kathode bildet, beheizt
wird, kann das Kriechen von geschmolzenem Material guter Be
netzbarkeit unterdrückt werden. Außerdem wird die Temperatur
der Anode auf einem höheren Wert als dem Schmelzpunkt des Ab
scheidungsmaterials gehalten, da der Tiegel beheizt wird, der
in der Ionisierungseinrichtung angeordnet ist. Somit kann das
Abscheiden von Material auf der Anode verhindert werden.
Elektronen von der Kathode werden direkt in den Dampf hinein
geschossen, der von dem Tiegel austritt, und eine Einrichtung
zum Anlegen eines Magnetfeldes zur Erhöhung der Plasmadichte
einer Glimmentladung ist in der Ionisierungseinrichtung vor
gesehen. Somit kann die Ionisierung mit einem sehr hohen Wir
kungsgrad durchgeführt werden.
Wenn außerdem eine Abzugs- oder Absaugelektrode, die negativ
vorgespannt ist, zwischen der Beschleunigungselektrode und der
geerdeten Elektrode angeordnet ist, kann die Kollision der
thermischen Elektronen mit einem Substrat unterdrückt werden,
die sonst eine Beschädigung des Substrats hervorrufen könnten.
Ionen, die gegen das Substrat geschossen werden, können auf
einem bestimmten Pegel oder einem höheren Pegel gehalten wer
den, auch wenn die Beschleunigungsspannung geändert wird.
Die Erfindung wird nachstehend, auch hinsichtlich weiterer Merk
male und Vorteile, anhand der Beschreibung von Ausführungsbei
spielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen
näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in
Fig. 1 eine schematische Darstellung im Schnitt einer Vorrich
tung zum Aufbringen von Dünnschichten gemäß einer er
sten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Seitenansicht im Schnitt einer ande
ren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung
zum Aufbringen von Dünnschichten; und in
Fig. 3 eine schematische Seitenansicht im Schnitt einer her
kömmlichen Vorrichtung zum Aufbringen von Dünnschichten.
Nachstehend wird eine erste Ausführungsform unter Bezugnahme
auf Fig. 1 näher erläutert. In Fig. 1 ist ein Tiegel 3 unter
halb einer wendelförmigen Kathode 10 innerhalb einer Ionisie
rungseinrichtung 12 angeordnet. Eine Heizung 6 ist um den Tie
gel 3 herum angeordnet. Eine Dampferzeugungsquelle 7 besteht
aus dem Tiegel 3 und der Heizung 6. Die Dampferzeugungsquelle
7 ist im Inneren der Ionisierungseinrichtung 12 angeordnet, die
aus einer Kathode 10 und einer zylindrischen Anode 11 besteht.
Eine Einrichtung 13 zum Anlegen eines Magnetfeldes ist außer
halb der Ionisierungseinrichtung 12 vorgesehen. Eine Beschleu
nigungselektrode 16, eine Absaugelektrode 18, die gegenüber
der Beschleunigungselektrode 16 negativ vorgespannt ist, und
eine geerdete Elektrode 17 bilden eine Beschleunigungseinrich
tung 19.
Der Dampf des Abscheidungsmaterials 5 wird im Inneren des Tie
gels 3 der Dampferzeugungsquelle 7 gebildet, die in gleicher
Weise beheizt wird wie die oben beschriebene herkömmliche Vor
richtung. In diesem Falle wird aber der obere Bereich des Tie
gels 3 durch die Wärme von dem Glühfaden beheizt, der die
Kathode 10 bildet, und somit auf einer Temperatur gehalten,
die höher ist als die Temperatur im unteren Bereich des Tiegels
3, hervorgerufen durch die Heizung 6.
Somit kann das Kriechen von geschmolzenem Metall guter Benetz
barkeit unterdrückt werden, so daß die Ionenquelle in stabiler
Weise arbeiten kann. Die Temperatur der Anode 11 wird auf einem
höheren Wert gehalten als dem Schmelzpunkt des Abscheidungsma
terials 5, und zwar durch die Wärme von dem beheizten Tiegel 3,
welcher die Dampferzeugungsquelle 7 innerhalb der Ionisierungs
einrichtung 12 bildet. Infolgedessen tritt das Phänomen nicht
auf, daß das Abscheidungsmaterial 5 kondensiert und sich auf
der Anode 11 niederschlägt. Somit tritt in der Vorrichtung das
Problem nicht auf, daß diese durch die Reaktion zwischen dem
Abscheidungsmaterial 5 und dem Ionenquellenmaterial korrodiert,
so daß die Lebensdauer der Vorrichtung nicht durch diesen Effekt
verkürzt wird. Außerdem werden die Elektronen, die von der Katho
de 10 emittiert werden, direkt in den Dampf hineingeschossen,
der von dem Tiegel 3 aufsteigt und ionisiert wird.
Die Einrichtung 13 zum Anlegen eines Magnetfeldes zur Erhöhung
der Plasmadichte einer Glimmentladung, die sich in der Vakuum
kammer ausbildet, befindet sich in der Ionisierungseinrichtung
12. Dabei wird ein Magnetfeld in der Größenordnung von einigen
hundert Gauß angelegt, so daß die Elektronen zwischen der Ano
de 11 und der Kathode 10 rotieren können. Infolgedessen kann
ein hoher Ionisierungswirkungsgrad von 70% oder mehr erreicht
werden. In Fig. 1 bezeichnet das Bezugszeichen A ein Magnet
feld, während das Bezugszeichen B ein elektrisches Feld be
zeichnet.
Diese Ionen werden von der Beschleunigungseinrichtung 19 be
schleunigt und auf der Oberfläche eines nicht dargestellten
Substrats abgeschieden, so daß dort eine Dünnschicht gebildet
wird. Da zu diesem Zeitpunkt die Absaugelektrode 18 gegenüber
der Beschleunigungselektrode 16 negativ vorgespannt ist, wer
den die abgesaugten Ionen zwischen der Absaugelektrode 18 und
der Beschleunigungselektrode 16 beschleunigt und dann von der
geerdeten Elektrode 17 abgebremst. Im Endeffekt werden die
Ionen gegen das Substrat mit einer kinetischen Energie geschos
sen, die gleich dem elektrischen Potential bzw. der Beschleuni
gungsspannung zwischen der Beschleunigungselektrode 16 und der
geerdeten Elektrode 17 ist.
Wenn somit die Spannung zwischen der Beschleunigungselektrode
16 und der Absaugelektrode 18 festgelegt ist, kann die Menge
von Ionen auf einem erforderlichen Wert oder einem höheren Wert
sichergestellt werden, auch wenn die Beschleunigungsspannung
selbst geändert wird. Infolgedessen wird die Herstellung von
Dünnschichten ermöglicht, bei denen die Eigenschaften von nie
derenergetischen Ionen verwendet werden, auch wenn die Be
schleunigungsspannung klein ist. Da außerdem die Absaugelektro
de 18 gegenüber der geerdeten Elektrode stets negativ vorge
spannt ist, besteht der Vorteil, daß eine Bestrahlung mit Elek
tronen, die von der Kathode 10 emittiert werden, gegen die
Platte unterdrückt werden kann.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform handelt es sich um
einen Fall, bei dem der Tiegel 3 mit der Heizung 6 beheizt
wird. Wie aus Fig. 2 ersichtlich, die eine andere Ausführungs
form zeigt, kann hinsichtlich der Beheizung des Tiegels 3 eine
ähnliche Wirkung erzielt werden mit einem Verfahren, bei dem
das Abscheidungsmaterial 5 durch einen Elektronenstrahl, der
von der Kathode bzw. dem Glühfaden 10 emittiert wird, ge
schmolzen wird und verdampft, so daß die Vorrichtung weiter
vereinfacht werden kann.
Da gemäß der Erfindung eine Dampferzeugungsquelle innerhalb
einer Ionisierungseinrichtung angeordnet und der Tiegel unter
halb der Kathode angeordnet ist, kann die Vorrichtung in sta
biler Weise mit einem hohen Wirkungsgrad der Ionisierung be
trieben werden, auch wenn ein Abscheidungsmaterial mit guter
Benetzbarkeit und stark ausgeprägter Korrosionswirkung verwen
det wird, so daß Dünnschichten gebildet werden können durch
Implantieren von Ionen in einem erforderlichen Ausmaß, auch
wenn die Beschleunigungsspannung klein ist. Somit können Dünn
schichten hoher Qualität gebildet werden, auch wenn die Be
schleunigungsspannung klein ist, bei der eine niederenergetische
Ionenbeschleunigung realisiert wird, was derzeit bei elektroni
schen Einrichtungen zu berücksichtigen ist. Da weiterhin die
Bestrahlung eines Substrats mit Elektronen unterdrückt werden
kann, sind keine Beschädigungen des Substrats zu befürchten.
Claims (7)
1. Vorrichtung zum Aufbringen von Dünnschichten,
gekennzeichnet durch
- - eine Vakuumkammer, in der ein vorgegebenes Vakuum aufrecht erhalten wird;
- - ein im Innenraum der Vakuumkammer angeordnetes Substrat;
- - einen Tiegel (3), der in der Weise angeordnet ist, daß er dem Substrat im Innenraum der Vakuumkammer gegenüberliegt und ein Abscheidungsmaterial (5) enthält, dessen Metall ionen gegen das Substrat geschossen werden;
- - eine Heizung (6), die um den Tiegel (3) herum angeordnet ist, um den Tiegel (3) zu beheizen;
- - eine Kathode (10), die in der Nähe einer Öffnung des Tie gels (3) angeordnet ist; und
- - eine Anode (11), die in der Weise angeordnet ist, daß sie den Tiegel (3), die Heizung (6) und die Kathode (10) um gibt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
eine Beschleunigungseinrichtung (19) zum Beschleunigen des
ionisierten Abscheidungsmaterials (5) , welches gegen das Sub
strat geschossen wird.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Beschleunigungseinrichtung (19) eine Beschleunigungs
elektrode (16), deren elektrisches Potential das gleiche ist
wie das der Anode (11), eine negativ vorgespannte Absaugelek
trode (18) und eine geerdete Elektrode (17) aufweist, wobei
diese Elektroden zwischen der Kathode (10) und dem Substrat
angeordnet sind.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
gekennzeichnet durch
eine Einrichtung (13) zum Anlegen eines magnetischen Feldes.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß das erzeugte Magnetfeld die Plasmadichte einer Glimmentla
dung erhöht, die sich in der Vakuumkammer ausbildet.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kathode (10) als schraubenförmig gewundener Glühfaden
ausgebildet ist, der oberhalb der Öffnung des Tiegels (3) an
geordnet ist, welcher das Abscheidungsmaterial (5) enthält.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Heizung für das Abscheidungsmaterial (5) von der Katho
de (10) gebildet wird, die oberhalb des Tiegels (3) angeordnet
ist.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2164184A JPH089774B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4120941A1 true DE4120941A1 (de) | 1992-01-09 |
DE4120941C2 DE4120941C2 (de) | 1993-09-09 |
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---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US5180477A (de) |
JP (1) | JPH089774B2 (de) |
DE (1) | DE4120941A1 (de) |
GB (1) | GB2248340B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016114480A1 (de) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | Von Ardenne Gmbh | Ionenstrahlquelle und Substratbehandlungsanlage |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2278952B (en) * | 1993-06-12 | 1997-03-26 | James Harry Freeman | Improvements in or relating to surface ionisation ion sources |
DE10019720A1 (de) * | 2000-04-20 | 2001-10-31 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum elektrischen Kontaktieren von plattenförmigem Behandlungsgut bei elektrolytischen Prozessen |
JP4728882B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2011-07-20 | 長州産業株式会社 | 薄膜堆積用分子線源用坩堝の製造方法 |
CN101908458B (zh) * | 2009-06-05 | 2012-03-07 | 马利民 | 一种矩形刻蚀离子枪 |
KR101432514B1 (ko) * | 2013-01-29 | 2014-08-21 | 한국기초과학지원연구원 | 플라즈마 보조 물리 기상 증착원 |
US10600611B2 (en) * | 2017-12-12 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Ion source crucible for solid feed materials |
US11404254B2 (en) | 2018-09-19 | 2022-08-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insertable target holder for solid dopant materials |
US11170973B2 (en) | 2019-10-09 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Temperature control for insertable target holder for solid dopant materials |
US10957509B1 (en) | 2019-11-07 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Insertable target holder for improved stability and performance for solid dopant materials |
US11854760B2 (en) | 2021-06-21 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Crucible design for liquid metal in an ion source |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB685269A (en) * | 1951-02-02 | 1952-12-31 | Nat Res Corp | Apparatus and process for coating a substrate with a metal |
GB1518911A (en) * | 1975-01-13 | 1978-07-26 | Sharp Kk | Ion plating method |
US4424104A (en) * | 1983-05-12 | 1984-01-03 | International Business Machines Corporation | Single axis combined ion and vapor source |
DE4027896A1 (de) * | 1989-09-08 | 1991-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Vorrichtung zum aufbringen einer duennschicht |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE762681A (nl) * | 1971-02-09 | 1971-07-16 | Bekaert Sa Nv | Inrichting voor het opdampen van een metalen deklaag op een langwerpig substraat met behulp van tenminste een elektronenkanon. |
US3908183A (en) * | 1973-03-14 | 1975-09-23 | California Linear Circuits Inc | Combined ion implantation and kinetic transport deposition process |
JPS6115965A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | Hitachi Ltd | クラスタイオンビ−ム発生方法およびその装置 |
JPS61174370A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 蒸着装置 |
JPS6214416A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS63176460A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜製造装置 |
GB8701414D0 (en) * | 1987-01-22 | 1987-02-25 | Matthews A | Heating enhancement in physical vapour deposition |
JPS63297559A (ja) * | 1987-08-22 | 1988-12-05 | Tokuda Seisakusho Ltd | 高周波電源を用いたグロ−放電装置のア−クしゃ断方法および装置 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2164184A patent/JPH089774B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-20 US US07/718,367 patent/US5180477A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-25 GB GB9113636A patent/GB2248340B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-25 DE DE4120941A patent/DE4120941A1/de active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB685269A (en) * | 1951-02-02 | 1952-12-31 | Nat Res Corp | Apparatus and process for coating a substrate with a metal |
GB1518911A (en) * | 1975-01-13 | 1978-07-26 | Sharp Kk | Ion plating method |
US4424104A (en) * | 1983-05-12 | 1984-01-03 | International Business Machines Corporation | Single axis combined ion and vapor source |
DE4027896A1 (de) * | 1989-09-08 | 1991-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Vorrichtung zum aufbringen einer duennschicht |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JP 63-277754 A, Pat.Abstr.JP. C-575, 13.03.89, Vol. 13, Nr. 105 * |
US-Z: J.Nuclear Instr.Meth., 35, 1965, S. 165-166 * |
US-Z: J.Vac.Sci.Technol. B, Vol. 2, Nr. 3, Juli/Sep. 1984, S. 306-313 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016114480A1 (de) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | Von Ardenne Gmbh | Ionenstrahlquelle und Substratbehandlungsanlage |
DE102016114480B4 (de) | 2016-08-04 | 2023-02-02 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Ionenstrahlquelle und Verfahren zur Ionenstrahlbehandlung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2248340A (en) | 1992-04-01 |
JPH089774B2 (ja) | 1996-01-31 |
GB9113636D0 (en) | 1991-08-14 |
DE4120941C2 (de) | 1993-09-09 |
GB2248340B (en) | 1994-09-28 |
JPH0456761A (ja) | 1992-02-24 |
US5180477A (en) | 1993-01-19 |
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Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3206882C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Verdampfen von Material unter Vakuum | |
DE3854276T2 (de) | Kathodenzerstäubungsverfahren und Vorrichtung zur Durchführung desselben. | |
DE3726006C2 (de) | ||
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
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