DE4041346B4 - Standard-Kunststoffgehäuse mit darin verkapselten Halbleiterchips - Google Patents
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Abstract
Standard-Kunststoffgehäuse mit
zumindest einem darin verkapselten Halbleiterchip, der auf seiner
aktiven Oberfläche
integrierte Schaltkreise aufweist, wobei jeder Chip auf einer metallischen
Unterlage, die als sogenannte Insel bezeichnet wird, aufgebracht
ist und die Chips von einem Rahmen aus den die Gehäuseanschlüsse bildenden
Leiterbahnen umgeben sind, der bis zum Umhüllen von Chip, Insel und des
inneren Teils der Leiterbahnen mit Kunststoff über dünne Stege mit der Insel verbunden ist,
wobei die Insel kleiner als die Fläche des Chips ist und der Chipüberstand
an den einzelnen Seiten jeweils mindestens 300 μm beträgt, dadurch gekennzeichnet,
daß die
Insel (5) unter dem Chip (6) an ihren Schmalseiten von einem sich
durch Herausdrücken
von elastischem Material beim Aufbringen des Chips (6) auf die Insel
(5) bildenden Wulst (8) aus dem elastischem Material umgeben ist.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Standard-Kunststoffgehäuse mit zumindest einem darin verkapselten Halbleiterchip, der auf den aktiven Oberflächen integrierte Schaltkreise aufweist, wobei jeder Chip auf eine metallische Unterlage, die als sogenannte Insel bezeichnet wird, aufgebracht ist und von einem Rahmen aus den die Gehäuseanschlüsse bildenden Leiterbahnen umgeben ist, der bis zum Umhüllen von Chip, Insel und des inneren Teils der Leiterbahnen mit Kunststoff über dünne Stege mit der Insel verbunden ist. Die Fläche der Insel ist kleiner als die Fläche des Halbleiterchips und der Chipüberstand beträgt jeweils mindestens 300 μm.
- IC-Bauelemente bestehen üblicherweise aus einem Gehäuse, in dem der eigentliche Halbleiterchip verkapselt ist. Zur Montage derartiger Bauelemente wird häufig der Chip zunächst auf einer metallischen Unterlage (sog. Leadframe-Insel) angeordnet, die innerhalb eines äußeren Anschlußrahmens mit Anschlußbahnen gehaltert ist und vor der Verkapselung in Preßmasse kontaktiert wird.
- Die Integration von immer mehr Funktionen oder Speicherzellen auf einem Halbleiterchip führt nicht nur zu kleineren Strukturen auf der Chipoberfläche, sondern auch zu größeren Chips. Letztere müssen in die international genormten Standardgehäuse eingebaut werden.
- Beispielsweise sind bei einem 4 Mega-DRAM im genormten S0J20/26-Gehäuse die Gehäusemaße 17.1 mm × 8.89 mm (350 mil). In derartige Gehäuse wird bisher der eigentliche Chip von der Standardgröße 14.05 mm × 6.50 mm auf einer metallischen Unterlage von 14.60 mm × 6.80 mm aufgebracht. Dabei verbleibt zur Verankerung der seitlichen Anschlüsse etwa 1 mm.
- Im Zuge der Miniaturisierung wird für den gleichen Zweck die Verwendung eines 300 mil-Gehäuses, das 7,62 mm breit ist, angestrebt. Für ein derartiges Gehäuse würden zur Verankerung der seitlichen Anschlüsse beim 4 Mega-DRAM nur noch etwa 0,5 mm verbleiben. Jeder weitere zehntel Millimeter würde aber die Zuverlässigkeit des Bauteiles deutlich verbessern.
- Eine Möglichkeit zum Platzgewinn ist die Verkleinerung der metallischen Unterlage für den Halbleiterchip, was unter anderem in Proc. of the El. Comp. Conf. 1988, S. 552 bis 557 vorgeschlagen wird. Es ist allerdings bekannt, daß ein kleinerer Inselüberstand über den Halbleiterchip zu erhöhten mechanischen Spannungen im Bereich der unteren Chipkante und am Inselrand führt. Dadurch können bei dem fertigen Bauelement nach Verpressen des Chips in Pressmasse an den Stellen der erhöhten mechanischen Spannungen Risse in der Pressmasse entstehen. Bisher wurde daher ein Inselüberstand von 50 μm als untere Grenze angesehen.
- Ein Standard-Kunststoffgehäuse mit darin verkapselten Halbleiterchips ist aus der JP 64-80055 A bekannt. Dabei ist jeder Chip auf einer metallischen Unterlage aufgebracht, die als sogenannte Insel bezeichnet wird. Die Chips sind von einem Rahmen aus den die Gehäuseanschlüsse bildenden Leiterbahnen umgeben, der bis zum Umhüllen von Chip, Insel und des inneren Teils der Leiterbahnen mit Kunststoff über dünne Stege mit der Insel verbunden ist. Die Insel ist dabei kleiner als die Fläche des Chips. Ein ähnliches Kunststoffgehäuse mit darin verkapselten Halbleiterchips, bei dem die Insel deutlich kleiner ist als die Fläche des Chips, ist weiterhin aus der JP 1-187841 A bekannt. Aus Hacke, H.-J.: Montage Integrierter Schaltungen, Springer-Verlag 1987, Seiten 35–42, ist eine Methode bekannt, beim Befestigen von Chips auf einem Substrat mittels eines Klebers durch die Wahl eines elastischen Materials und einer dicken Klebstoffschicht Spannungen abzubauen. Ein Standard-Kunststoffgehäuse, bei dem unter der Insel eine Kunststofffolie angeordnet ist, die an allen Sei ten über die Insel hervorsteht, ist aus der
EP 0 209 265 A1 bekannt. - Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Standard-Kunststoffgehäuse mit Halbleiterchips der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem die Platzverhältnisse innerhalb des Gehäuses verbessert werden, ohne daß hohe mechanische Spannungen in der Pressmasse auftreten.
- Die Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Insel kleiner ist als die Fläche des Chips und der Chipüberstand an den einzelnen Seiten jeweils mindestens 300 μm beträgt und dass die Insel unter dem Chip an ihren Schmalseiten von einem sich durch Herausdrücken des Materials beim Aufbringen des Chips auf die Insel bildenden Wulst aus elastischem Material umgeben ist.
- Im Rahmen der Erfindung konnte durch Finite-Elemente-Berechnungen gezeigt werden, daß die mechanischen Spannungen im Bereich der unteren Chipkante und am Inselrand überraschenderweise dann geringer werden, wenn die Insel deutlich kleiner ist als die Chipfläche. Damit ist das eingangs aufgezeigte Problem umgangen.
- In vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung ist die Insel unter dem Halbleiterchip an ihren Schmalseiten von einem Wulst aus Klebstoff umgeben. Vorzugsweise ist der Klebstoff ein gefüllter Epoxidharz- oder ein Silikonkleber. Fertigungstechnisch erweist es sich auch als vorteilhaft, wenn unter die Insel eine Kunststoffolie geklebt ist, die an allen Seiten über die Insel hervorsteht, damit herausquellender Kleber nicht die Fertigungseinrichtung verschmutzt.
- Die Stege, die die Insel in der Mitte des sogenannten Anschlußrahmens (Leadframe) halten, können vorteilhafterweise nach unten gekröpft ausgebildet sein. Dies gewährleistet, daß in der Preßmasse keine Risse im Bereich der Stege entstehen. Damit ergibt sich ein Standard-Kunststoffgehäuse mit optimaler Platzausnutzung in der Preßmasse.
- Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Figurenbeschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. Es zeigen
-
1 ein in einem Standard-Kunststoffgehäuse realisiertes IC-Bauelement in perspektivischer Darstellung, -
2 ein Stanzteil zur Ausbildung des sogenannten Leadframes in der Draufsicht und die -
3 u.4 einen Chip im Kunststoffgehäuse unter Verwendung eine Leadframes gemäß2 in der Ansicht von unten und als Schnitt in der Längsachse. - In der
1 ist ein IC-Bauelement dargestellt, daß beispielsweise als SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual Inline Package) ausgebildet ist. Ersichtlich ist ein Kunststoffgehäuse10 aus dem an jeder Seite eine Reihe von Anschlußfüßen11 herausragen. Das Kunststoffgehäuse10 entspricht üblicherweise international genormten Standardgehäusen, beispielsweise 350 mil- oder 300 mil-Gehäusen mit entsprechend festgelegten Maßen. Insbesondere beim SMD sind die Anschlußfüße11 abgekröpft, so daß sie unmittelbar auf eine Leiterplatte aufgesetzt und kontaktiert werden können. - In
2 ist ein gestanztes Blechteil1 dargestellt, das als sogenanntes Leadframe bezeichnet wird und für die Fertigung des Bauelementes gemäß1 benötigt wird. Es besteht aus einem äußeren Rahmen2 , der an zwei gegenüberliegenden Seiten Stege3 als Halterung für eine innenliegende metallische Fläche beinhaltet, die als Leadframe-Insel5 oder auch nur "Insel" bezeichnet wird. Von den beiden anderen Seiten des Rahmens sind Leiterbahnen4 aus dem Blechteil1 herausgestanzt, die jeweils in den Bereich der Insel führen und dort Erweiterungen bilden, die Insel aber selbst nicht berühren. Die Leiterbahnen4 sind in Querrichtung über Verbindungen abgestützt, die später weggestanzt werden. Aus den Leiterbahnen4 entstehen beim fertigmontierten Bauelement die Anschlußfüße11 . - Anhand
3 und4 wird deutlich, wie unter Verwendung des Leadframes1 gemäß2 das IC-Bauelement platzsparend montiert wird: Die metallische Insel5 ist nunmehr so dimensioniert, daß sie kleiner als der jeweils verwendete Halbleiterchip ist. Es ergibt sich also gemäß3 ein Überstand eines Chips6 gegenüber der Insel5 , der im vorliegenden Beispiel jeweils mindestens 300 μm beträgt. - Der Chip
6 ist mittels einer Klebstoffschicht7 mit der Insel5 verbunden. An den Schmalseiten wird jeweils ein Wulst8 gebildet. Der Wulst aus Kleber7 um die Schmalseiten der Insel wird durch Herausdrücken von Kleber beim DIE-Bonden erzeugt. Fertigungstechnisch ist es günstig, unter der Insel5 eine Kunststoffolie9 anzubringen, die größer ist als die Insel5 und ein Abfließen von herausgedrückten Kleber auf die Unterlage des Werkzeuges verhindern. - Speziell aus
4 ist ersichtlich, daß die Stege3 zur Halterung der Insel5 im Bereich der Chipkante abgesenkt oder geprägt sind. Durch eine derartige Abkröpfung5' wird die Gefahr von Rissen in diesem Bereich der Preßmasse vermindert. Wenn derartige Abkröpfungen3' in den Stegen3 vorhanden sind, ist die Folie9 in diesem Bereich geschlitzt. Entsprechendes ist für die Unterlage im Werkzeug für das Bonden notwendig. - Der so vorbereitete Aufbau wird in Preßmasse aus Kunststoff eingehüllt. Dazu wird die gesamte Insel
5 , der Chip6 und die Folie9 sowie ein Teil der Leiterbahnen4 sowie auch der innere Teil der Stege3 zur Inselaufhängung mit Preßmasse umhüllt. Der äußere Anschlußrahmen2 hat anschließend keine Funktion mehr und wird weggestanzt, wobei auch die Querverbindungen der Leiterbahnen4 durchtrennt werden. Es verbleiben dann nach außen die Anschlußbahnen4 , welche in geforderter Form umgebogen und als Anschlußfüße11 gemäß1 ausgebildet sind. - Das somit montierte IC-Bauelement zeichnet sich durch optimale Platzausnutzung innerhalb des Gehäuses
10 aus. Es hat sich gezeigt, daß bei dem beschriebenen Aufbau unerwünschte Spannungen in der Preßmasse, im Bereich der unteren Chipkanten und an den Schmalseiten der Inseln, die ansonsten häufig beobachtet werden, deutlich reduziert werden.
Claims (5)
- Standard-Kunststoffgehäuse mit zumindest einem darin verkapselten Halbleiterchip, der auf seiner aktiven Oberfläche integrierte Schaltkreise aufweist, wobei jeder Chip auf einer metallischen Unterlage, die als sogenannte Insel bezeichnet wird, aufgebracht ist und die Chips von einem Rahmen aus den die Gehäuseanschlüsse bildenden Leiterbahnen umgeben sind, der bis zum Umhüllen von Chip, Insel und des inneren Teils der Leiterbahnen mit Kunststoff über dünne Stege mit der Insel verbunden ist, wobei die Insel kleiner als die Fläche des Chips ist und der Chipüberstand an den einzelnen Seiten jeweils mindestens 300 μm beträgt, dadurch gekennzeichnet, daß die Insel (
5 ) unter dem Chip (6 ) an ihren Schmalseiten von einem sich durch Herausdrücken von elastischem Material beim Aufbringen des Chips (6 ) auf die Insel (5 ) bildenden Wulst (8 ) aus dem elastischem Material umgeben ist. - Standard-Kunststoffgehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Insel (
5 ) unter dem Chip (6 ) an ihren Schmalseiten von einem Wulst (8 ) aus Klebstoff (7 ) unmgeben ist. - Standard-Kunststoffgehäuse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Klebstoff (
7 ) ein gefüllter Epoxidharz- oder Silikonkleber ist. - Standard-Kunststoffgehäuse nach Anspruch 1, wobei die Insel in der Mitte des Rahmens durch Stege gehaltert ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Stege (
3 ) zur Unterseite hin gekröpft ausgebildet sind. - Standard-Kunststoffgehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass unter der Insel (
5 ) eine Kunststoffolie (9 ) angeordnet ist, die an allen Seiten über die Insel (5 ) hervorsteht.
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Applications Claiming Priority (1)
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DE4041346A Expired - Lifetime DE4041346B4 (de) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | Standard-Kunststoffgehäuse mit darin verkapselten Halbleiterchips |
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4206437A1 (de) * | 1992-02-29 | 1993-09-16 | Telefunken Microelectron | Halbleiter-baugruppe |
DE4428320A1 (de) * | 1994-08-10 | 1996-02-15 | Duerrwaechter E Dr Doduco | Kunststoffgehäuse mit einer schwingungsdämpfenden Lagerung eines bondbaren Elements |
DE19526010B4 (de) * | 1995-07-17 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement |
EP0954879A1 (de) | 1997-01-22 | 1999-11-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches bauelement |
US7923827B2 (en) | 2005-07-28 | 2011-04-12 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module for a switched-mode power supply and method for its assembly |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0209265A1 (de) * | 1985-06-25 | 1987-01-21 | Toray Silicone Co., Ltd. | Leiterrahmen für Halbleiter |
DE3635375C2 (de) * | 1986-10-17 | 1988-07-21 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De | |
JPS6480055A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Nec Corp | Resin sealed semiconductor device |
JPH01187841A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH01204459A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
JPH0225061A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム |
-
1990
- 1990-12-21 DE DE4041346A patent/DE4041346B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0209265A1 (de) * | 1985-06-25 | 1987-01-21 | Toray Silicone Co., Ltd. | Leiterrahmen für Halbleiter |
DE3635375C2 (de) * | 1986-10-17 | 1988-07-21 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De | |
JPS6480055A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Nec Corp | Resin sealed semiconductor device |
JPH01187841A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH01204459A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
JPH0225061A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム |
Non-Patent Citations (10)
Title |
---|
1-204459 A. E-845, Nov.14, 1989, Vol.13/No.507 |
1-80055 A. E-785, July 11, 1989, Vol.13/No.301 |
HACKE, H.-J.: Montage Integrierter Schaltungen, Springer-Verlag, Berlin 1987, S. 35-42 * |
JP 2025061 A. In: Patent Abstracts of Japan * |
JP 2-25061 A. In: Patent Abstracts of Japan |
Kleben von Mikroelektronik - Bauteilen mit Epoxyharzen. In: ELEKTRONIK, H.7, 1973, S.264-266 * |
Patents Abstracts of Japan Vol.13/No.301, E-785, July 11, 1989 & JP 1080055 A * |
Patents Abstracts of Japan Vol.13/No.476, E-837, Oct.27, 1989 & JP 1187841 A * |
Patents Abstracts of Japan Vol.13/No.507, E-845, Nov.14, 1989 & JP 1204459 A * |
Patents Abstracts of Japan: 1-187841 A. E-837, Oct.27, 1989, Vol.13/No.476 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4041346A1 (de) | 1992-06-25 |
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