DE4024612C2 - Keramisches, mehrfach geschichtetes Substrat und Herstellungsverfahren - Google Patents
Keramisches, mehrfach geschichtetes Substrat und HerstellungsverfahrenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein mehrfach geschichtetes keramisches
Substrat und bezieht sich insbesondere auf ein mehrfach geschichtetes ke
ramisches Substrat, welches durch Aufeinanderschichten von keramischen
Schichten und Metallschichten, Brennen der Schichtung, und anschließen
des Bilden einer leitenden Schicht auf der gebrannten Schichtung herge
stellt ist, sowie auf ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen mehrfach
geschichteten keramischen Substrates.
Zur Herstellung eines mehrfach geschichteten keramischen Substrats wur
den verschiedenste Verfahren entwickelt, wobei das sogenannte Grünblatt-
(green sheet)-Verfahren das am meisten verwendete Verfahren darstellt,
wegen seiner Eignung bei einem Vergrößern der Anzahl von Schichten. Das
Grünblatt-Verfahren ist in zwei Gruppen eingeteilt, ein Printverfahren und
ein Tapeverfahren, wobei das Printverfahren bei einem einen Kondensor
enthaltenden Schaltkreissubstrat oder dergleichen verwendet wird, da die
Dicke der keramischen Schicht dünner ist als bei dem Tapeverfahren, und
somit die parasitäre Kapazität größer ist.
Bei dem Printverfahren werden beispielsweise drei Aluminiumoxidpasten
schichten und eine Metallpastenschicht abwechselnd durch Printen ge
schichtet, wobei der Stapel auf der Oberseite drei Aluminiumoxidpasten
schichten aufweist, und die Schichtung anschließend gebrannt wird. Nach
dem Brennen wird eine obere leitende Metallschicht auf der oberen Alumi
niumoxidschicht (die drei Aluminiumoxidpastenschichten werden nach dem
Brennen zu einer Aluminiumoxidschicht) durch ein Printverfahren
(Dickfilmbildungsverfahren) gebildet. Die Erfinder haben herausgefunden,
daß, falls die auf der Oberseite der Schichtung aufgedrückten Alumini
umoxidpastenschichten Verunreinigungen wie beispielsweise Staub, Quet
scher, Gummi, Pulver enthalten, die Verunreinigungen ebenfalls zur Ausbil
dung von Defekten wie beispielsweise Pinholes (Feinlöcher) in der oberen
Aluminiumoxidschicht gebrannt werden. Diese Defekte können eine Kurz
schlußschaltung zwischen der inneren Metallschicht in der Schichtung und
der auf der Aluminiumoxidschicht aufgrund des Printverfahrens gebildeten
oberen leitfähigen Metallschicht verursachen, wodurch somit die Zuverläs
sigkeit der Isolierung des mehrfach geschichteten Substrates verringert
wird.
Ein ähnliches Problem tritt auf, wenn das Grünblatt-Verfahren angewendet
wird. Da bei dem Grünblatt-Verfahren die Dicke der keramischen Schicht
relativ dick ist, typischerweise etwa 100 µm, wird eine Kurzschlußschal
tung nicht ohne weiteres aufgrund eines in der keramischen Schicht gebil
deten Defektes ausgebildet. Es gibt jedoch Fälle, bei denen die Dicke der
keramischen Schicht dünner ist und große Defekte durch Verunreinigungen
in dem Grünblatt oder ein außergewöhnlich großes Kornwachsen gebildet
werden, und somit ein Kurzschluß aufgrund dieser Defekte ausgebildet
werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das oben genannte
Problem zu lösen, und die Zuverlässigkeit der Isolierung eines mehrfach ge
schichteten keramischen Substrates zu vergrößern.
Diese Aufgabe wird durch ein keramisches, mehrfach geschichtetes
Substrat mit den Merkmalen des Anspruches 12 und ein Verfahren zum
Herstellen eines keramischen, mehrfach geschichteten Substrates gemäß
Anspruch 1 gelöst.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden, selbst falls Defekte wie bei
spielsweise Pinholes in der oberen keramischen Schicht während des Bren
nens der Schichtung aus abwechselnd keramischen und metallisch leiten
den Schichten gebildet werden, solche Defekte eingegraben bzw. aufgefüllt
bzw. erneuert durch die auf der oberen keramischen Schicht gebildeten
Isolierschicht. Demgemäß sind die auf der Isolierschicht gebildete leitfähige
Schicht und die metallische Schicht in der Schichtung vollständig isoliert,
wodurch die Zuverlässigkeit der Isolierung verbessert ist.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteran
sprüchen.
Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung er
geben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die
Zeichnung.
Es zeigt:
Fig. 1 eine Schnittansicht eines keramischen, mehrfach geschichteten
Substrates entsprechend der Erfindung;
Fig. 2 ein Flußdiagramm eines Herstellungsverfahrens eines keramischen,
mehrfach geschichteten Substrates entsprechend der vorliegenden Erfin
dung;
Fig. 3A und 3B Schnittansichten eines Abschnittes eines keramischen,
mehrfach geschichteten Substrats;
Fig. 4 den Zusammenhang zwischen der Tiefe eines Defektes und der An
zahl von hinzugefügten Glasschichten;
Fig. 5A und 5B einen Zusammenhang zwischen der Anzahl der Durchbrü
che und der Durchbruchsspannung;
Fig. 6 und 7 Ansichten von weiteren keramischen, mehrfach geschichteten
Substraten entsprechend der vorliegenden Erfindung.
Fig. 1 zeigt eine Schnittansicht einer Ausführungsform der vorliegenden Er
findung. In der Figur bezeichnet 1 ein Aluminiumoxidband, welches durch
gehende Löcher 2 aufweist, in die ein hochtemperaturstabiles Metall wie
beispielsweise W (Wolfram) oder Mo (Molybdän) gefüllt ist. Eine innere
leitende Schicht 3, welche aus hochtemperaturstabilem Metall hergestellt
ist, ist auf dem Aluminiumoxidband 1 gebildet, und eine Aluminiumoxid-
Printschicht 4a wird auf der inneren leitenden Schicht 3 gebildet; die Alu
miniumoxid-Printschicht 4a weist Öffnungen auf, wodurch ein Teil der inne
ren leitenden Schicht 3 freiliegt. Die aus einem hochtemperaturstabilen
Metall hergestellten und in ein Kontaktloch gefüllten Leitschichten 5a sind
in den Öffnungen gebildet und sind elektrisch mit der inneren leitenden
Schicht 3 verbunden. Auf dieselbe Weise werden eine Aluminiumoxid-
Printschicht 4b, in ein Kontaktloch gefüllte Leiterschichten 5b, und eine
Aluminiumoxid-Printschicht 4c nacheinander auf der obigen Aluminiumoxid-
Printschicht 4a und der Schicht 5a gebildet. Des weiteren wird eine innere
leitende Schicht 6 darauf in der gewünschten Strukturierung gebildet, so
wie eine Aluminiumoxid-Printschicht 7a, eine in ein Kontaktloch gefüllte
Leiterschicht 5a, eine Aluminiumoxid-Printschicht 7b, eine in ein Kontakt
loch gefüllte Leiterschicht 8b, eine Aluminiumoxid-Printschicht 7c, und eine
in ein Kontaktloch gefüllte Leiterschicht 8c werden darauf aufeinanderfol
gend gebildet bzw. geschichtet. Ferner wird eine Glas-Printschicht 9 auf
der oberen Aluminiumoxid-Printschicht gemäß dieser Erfindung gebildet.
Zur Gewährleistung der elektrischen Verbindung zwischen der oberen
Schicht 8c und einer leitenden Schicht 11 wird eine Verbindungs-
Unterstützungsschicht 10 auf der Schicht 8c durch Plattieren eines Metal
les wie beispielsweise Ni, Cu oder Au oder durch ein organisches Metall,
etc. gebildet. Schließlich wird die aus Cu, Ni, Ag, Au oder dergleichen her
gestellte leitende Dickfilm-Schicht 11 auf der Verbindungs-Unterstützungs
schicht 10 gebildet, und die Glas-Printschicht 9 und die leitende Dickfilm-
Schicht 11 werden mit der Verbindungs-Unterstützungsschicht 10 elek
trisch verbunden. Demgemäß wird ein keramisches, mehrfach geschichte
tes Substrat entsprechend der Erfindung aufgebaut, und verschiedene
Chips etc. können auf der leitenden Dickfilm-Schicht 11 dieses Substrates
angebracht werden.
Unter Bezugnahme auf das in Fig. 2 gezeigte Flußdiagramm wird im fol
genden das Herstellungsverfahren des obigen keramischen, mehrfach ge
schichteten Substrates im Detail beschrieben.
Zuerst wird ein in das Aluminiumoxidband 1 auszubildendes Aluminium
oxid-Grünblattband vorbereitet (Schritt A) und zur Bildung von durchge
henden Löchern 2 gestanzt (Schritt B), die durchgehenden Löcher 2 wer
den mit einem hochtemperaturstabilen Metall durch Pressen oder Drucken
(Printen) gefüllt (Schritt C), und eine die innere leitende Schicht 3 bildende
hochtemperaturstabile Metallpastenschicht wird auf dem Band mittels
Screen-Printing gebildet (Schritt D) und bei 110°C bis 150°C getrocknet
(Schritt E). Eine die Aluminiumoxid-Printschicht 4a bildende Aluminiumoxid-
Pastenschicht wird auf der inneren leitenden Schicht 3 und dem Band ge
bildet (Schritt F) und getrocknet (Schritt G), und eine die Schicht 5a bildende
und in ein Kontaktloch gefüllte, leitende Pastenschicht wird bei den
Öffnungen der Aluminiumoxid-Pastenschicht gedruckt (Schritt H) und ge
trocknet (Schritt I). Die Schritte F bis I werden (einmal bei diesem Beispiel)
zur Bildung einer Aluminiumoxid-Pastenschicht bzw. einer in ein Kontakt
loch gefüllten, leitenden Pastenschicht wiederholt, welche jeweils die Alu
miniumoxid-Printschicht 4b bzw. die Schicht 5b bilden. Ferner wird darauf
eine die Aluminiumoxid-Printschicht 4c bildende Aluminiumoxid-Pasten
schicht gedruckt (Schritt J) und getrocknet (Schritt K). Die aufeinanderfol
genden Schritte D bis K bilden eine einzelne Verbindungs- bzw. Verdrah
tungsschicht, und somit kann ein mehrfach geschichteter Aufbau gebildet
werden, notwendigerweise durch Wiederholen dieser Schritte. Bei diesem
Beispiel werden die Schritte D bis K einmal wiederholt, wodurch die leiten
den Pastenschichten und Aluminiumoxid-Pastenschichten gebildet werden,
welche die innere leitende Schicht 6, die Aluminiumoxid-Printschicht 7a,
die Schicht 8a, die Aluminiumoxid-Printschicht 7b, die Schicht 8b, sowie
die Aluminiumoxid-Printschicht 7c bilden.
Eine die Schicht 8c bildende hochtemperaturstabile Metallpastenschicht wird
aufgedrückt (Schritt L) und getrocknet (Schritt M), und das somit erhaltene
Substrat wird bei etwa 350°C für 16 Stunden kalziniert (Schnitt N) und
anschließend bei 1600°C in einer Atmosphäre aus N2 + H2 + H2O für 24
Stunden gebrannt (Schritt O). Hierbei ist wichtig, daß der Schmelzpunkt
des für die inneren leitenden Schichten 3 und 6 und die Schichten 5a, 5b,
8a, 8b und 8c verwendeten hochtemperaturstabilen Metalles höher sein
muß als die niedrigste Brenntemperatur der Aluminiumoxidschichten.
Eine die Glas-Printschicht 9 bildende Dickfilm-Glasschicht wird über die ge
samte Aluminiumoxid-Printschicht 7c, außer an der freigelegten Schicht 8c,
durch Aufdrücken (Schritt P), Trocknen bei 125°C bis 150°C (Schritt Q)
gebildet, und anschließend in Luft oder einer N2-Atmosphäre bei 850°C bis
900°C für eine Stunde (Schritt R) gebrannt. Die Bezeichnung "Dickfilm"
bzw. "Dickfilm-Bildungsverfahren" bedeutet einen Film, der durch Aufdrüc
ken (Printen) einer Paste und Brennen derselben gebildet ist, bzw. ein der
artiges Verfahren. Das Material der Dickfilm-Glasschicht kann ein Glas
aufweisen, welches normalerweise für eine Glas-Zwischenschicht verwen
det wird, und die Dickfilm-Glasschicht kann durch Printen einer Paste ge
bildet sein, welche Glaskomponenten, ein Metalloxid als Glaskristallkeimling,
sowie in einem organischen Lösungsmittel gelöste Füllstoffe wie bei
spielsweise keramische Füller aufweist. Notwendigerweise können zur Bil
dung einer Anzahl von Glas-Printschichten 9 die Schritte P und Q wieder
holt werden.
Ni, Cu oder Au wird auf der Schicht 8c plattiert (Schritt S), und die plat
tierte Schicht wird zur Bildung der Verbindungs-Unterstützungsschicht 10
gesintert (Schritt T). Der Sinterschritt kann wegfallen, oder die Verbin
dungs-Unterstützungsschicht 10 kann durch Printen einer Paste aus Pt,
etc., und Brennen derselben bei 850°C bis 900°C gebildet werden.
Alternativ können die Schritte P bis Q zur Bildung der Dickfilm-Glasschicht
9, und die Schritte S und T zur Bildung der Verbindungs-Unterstützungs
schicht 10 umgedreht werden, wodurch ähnliche Wirkungen erzielt wer
den. Wie in Fig. 3A gezeigt, kann dies vorteilhaft sein, da die darunterlie
gende Schicht 8c vollständig durch die Verbindungs-Unterstützungsschicht
10 bedeckt ist, bevor die Dickfilm-Glasschicht 9 gebildet ist, wobei die
Schicht 8c, welche leicht oxidiert wird, durch die Verbindungs-Unterstüt
zungsschicht 10 geschützt ist. Falls die Dickfilm-Glasschicht 9 wie in Fig.
3B gezeigt vor der Verbindungs-Unterstützungsschicht 10 gebildet wird,
kann die Schicht 8c nachteilig durch Oxidation durch einen dünnen Ab
schnitt (ein Defekt wird leicht gebildet) der Dickfilm-Glasschicht 9 beein
flußt werden.
Falls der nächste Schritt des Brennens einer leitenden Schicht 11
(Schritt V) in Umgebungsluft durchgeführt wird, kann die darunterliegende
Schicht 8c, welche aus einem für Oxidation empfindlichen Metall wie bei
spielsweise W, Mo, etc. hergestellt ist, durch die Oxidation nachteilig be
einflußt werden. Um diese Oxidation zu verhindern, sollte eine Verbin
dungs-Unterstützungsschicht 10 vor der Bildung der Dickfilm-Glasschicht 9
gebildet sein, wobei die Verbindungs-Unterstützungsschicht 10 gegen Oxi
dation resistent sein muß. Die gegen Oxiation resistente Verbindungs-Un
terstützungsschicht 10 kann beispielsweise durch Bilden einer Edelmetall
schicht nach Plattierung der Oberfläche der Schicht 8c
hergestellt werden.
Eine leitende Dickfilm-Pastenschicht, aufweisend ein Cu-, Ni- Ag- oder Au-
Grundmaterial, wird auf der Verbindungs-Unterstützungsschicht 10 und der
Glas-Printschicht 9 durch Printen gebildet (Schritt U), getrocknet, und in
Luft oder in einer N2-Atmosphäre bei ungefähr 850°C für eine Stunde ge
brannt (Schritt V), wodurch das keramische, mehrfach geschichtete
Substrat hergestellt wird.
Bei dem obigen Ausführungsbeispiel der Erfindung werden die bis zum
Schritt M jeweils gebildeten Schichten gleichzeitig bei den Schritten N und
O gebrannt, und die Glas-Printschicht 9 wird anschließend durch Brennen
gebildet. Dementsprechend werden, auch falls Defekte wie beispielsweise
Pinholes in den Aluminiumoxidschichten 7a, 7b und 7c während des
Brennschrittes gebildet werden, diese Defekte aufgrund der Glas-Print
schicht 9 während dem Brennen der Glas-Printschicht 9 vergraben, wo
durch Kurzschlußschaltungen, welche von Anfang an, bei der Verwendung,
oder beim Lebensdauertest zwischen den oberen und unteren leitenden
Schichten durch die Defekte gebildet werden, verhindert werden.
Fig. 4 zeigt einen Zusammenhang zwischen der Anzahl der Glas-Print
schichten 9 auf der Aluminiumoxid-Printschicht 7c und der Tiefe des De
fektes (Pinhole). Diese Untersuchung wurde durch vorhergehendes Bilden
eines Defektes (Pinhole) mit einem Durchmesser von 100 µm und einer
Tiefe von 20 µm in der Aluminiumoxid-Printschicht 7c, und anschließendes
Bilden der Glas-Printschichten 9 hierauf durch Printen und Brennen durch
geführt. Gemäß Fig. 4 geben die Kreismarkierungen eine Dicke der Alumi
niumoxid-Printschicht 7c von 20 µm, und die Dreieckmarkierungen eine
solche von 10 µm an. Aus Fig. 4 ist deutlich erkennbar, daß die Wirkung
der Glas-Printschichten 9 beträchtlich ist, und daß die Wirkung durch Ver
größerung der Anzahl der Glas-Printschichten 9 verstärkt wird. Wenn ins
besondere die Dicke der Glas-Printschicht 9 zu 20 µm hergestellt ist, und
zwei Glas-Printschichten 9 gebildet sind, kann insbesondere ein Pinhole mit
einem Durchmesser von sogar 100 µm fast vollständig vergraben werden.
Die Fig. 5A und 5B zeigen einen Zusammenhang zwischen der Anzahl der
Durchbrüche (Durchbruch der Isolierung) und der Durchbruchsspannung;
Fig. 5A zeigt den Fall, bei dem die Glas-Printschicht 9 nicht gebildet ist,
und Fig. 5B zeigt den Fall, bei dem eine Glas-Printschicht 9 mit einer Dicke
von 17 µm gebildet ist. In den Fig. 5A und 5B bezeichnet "x" die mittlere
Durchbruchsspannung. Aus einem Vergleich zwischen den Fig. 5A und 5B
ist ersichtlich, daß die Durchbruchsspannung durch die Bildung der Glas-
Printschicht 9 ganz allgemein zu einer höheren Spannung hin verschoben
ist.
Die Fig. 6 und 7 veranschaulichen ein weiteres Ausführungsbeispiel der Er
findung.
Unter Bezugnahme auf Fig. 6 wird bei diesem Ausführungsbeispiel das ke
ramische, mehrfach geschichtete Substrat aus einer Schichtung von Alu
miniumoxidbändern 21 und inneren leitenden Schichten 23 hergestellt; die
inneren leitenden Schichten 23 sind durch gefüllte durchgehende Löcher
22 in den Aluminiumoxidschichten 21 elektrisch verbunden. Eine obere
leitende Schicht 24 ist auf der Schichtung gebildet, und elektrisch mit den
inneren leitenden Schichten 23 verbunden, und eine Dickfilm-Glasschicht
25 mit Öffnungen ist auf der oberen leitenden Schicht 24 gebildet, und ei
ne Verbindungs-Unterstützungsschicht 26 ist in diesen Öffnungen gebildet.
Daran anschließend ist eine leitende Dickfilm-Schicht 27 auf der Dickfilm-
Glasschicht 25 und der Verbindungs-Unterstützungsschicht 26 gebildet.
Damit kann die vorliegende Erfindung ebenso auf ein keramisches, mehr
fach geschichtetes Substrat angewendet werden, welches eine Schichtung
aus abwechselnden keramischen und inneren leitenden Schichten aufweist.
Die Schritte zur Herstellung dieses Ausführungsbeispieles sind wie folgt.
Grünaluminiumoxidbänder, in welche durchgehende Löcher gestanzt wor
den sind und welche mit einer hochtemperaturstabilen Metallpaste gefüllt
sind und auf denen eine innere leitende Pastenschicht mit einer vorbe
stimmten Strukturierung gebildet ist, werden gestapelt und bei etwa
1600°C in einer reduzierten Atmosphäre gebrannt, wodurch eine ge
brannte Schichtung aus abwechselnd Aluminiumoxidbändern 21 und inne
ren leitenden Schichten 23, welche durch die aufgefüllten durchgehenden
Löcher 22 verbunden sind, gebildet wird, wobei die gebrannte Schichtung
eine darauf befindliche obere leitende Schicht 24 aufweist.
Eine Dickfilm-Glasschicht 25 mit Öffnungen wird auf der oberen leitenden
Schicht 24 und der oberen Aluminiumoxidschicht der gebrannten Schich
tung aufgedrückt und in einer reduzierten Atmosphäre gebrannt. Anschlie
ßend wird eine Verbindungs-Unterstützungsschicht 26 auf der freiliegenden
oberen leitenden Schicht 24 in die Öffnungen gebildet, durch Plattieren von
Cu, Ni, Au, etc. oder durch ein Dickfilm-Bildungsverfahren von Ni, Pt, Au
etc. . . . und eine leitende Dickfilm-Schicht 27 wird anschließend auf der
Verbindungs-Unterstützungsschicht 26 und der Dickfilm-Glasschicht 25
durch Brennen in einer reduzierten Atmosphäre gebildet. Die leitende Dick
film-Schicht 27 ist mit der inneren leitenden Schicht 24 elektrisch verbun
den. Ferner kann die leitende Dickfilm-Schicht 27 durch oxidationsresisten
tes Ausbilden der Verbindungs-Unterstützungsschicht 26 in Luft gebrannt
werden. Falls notwendig, können zur Bildung einer Mehrfachschicht auf der
gebrannten Schichtung die Schritte von der Bildung der Dickfilm-Glas
schicht 25 bis zur Bildung der Schicht 27 wiederholt
werden.
Alternativ kann, wie in Fig. 7 gezeigt, nach dem Brennen der Schichtung
der abwechselnden Aluminiumoxidbänder 21 und inneren leitenden
Schichten 23 die Verbindungs-Unterstützungsschicht 26 zuerst zur Bedec
kung der oberen leitenden Schicht 24 gebildet sein, gefolgt von einer Bil
dung der Dickfilm-Glasschicht 25 und anschließend der leitenden Dickfilm-
Schicht 27. Bei diesem Fall wird die leitende Dickfilm-Schicht 27 normaler
weise in einer reduzierten Atmosphäre gebrannt, kann jedoch auch in Luft
durch Ausbilden der Verbindungs-Unterstützungsschicht 26 resistent gegen
Oxidation gebrannt werden. Durch Wiederholen der Schritte des Bildens
der Dickfilm-Glasschicht 25 und anschließend der leitenden Dickfilm-
Schicht 27 kann auf der gebrannten Schichtung eine Mehrfachschicht her
gestellt werden.
Bei diesem Aufbau bzw. Verfahren sollte die Dickfilm-Glasschicht 25 eine
Brenntemperatur aufweisen, welche niedriger ist als die niedrigste Brenn
temperatur der Aluminiumoxidschichten in der Schichtung, um eine ausge
zeichnete Isolierung zwischen der leitenden Dickfilm-Schicht 27 und der in
neren leitenden Schicht 23 vorzusehen, auch wenn das Aluminiumoxid
band 21 eine große Anzahl von Defekten aufweist.
Wegen der relativ großen Dicke des Aluminiumoxidbandes von beispiels
weise 200 µm bis 250 µm ist bei diesem Ausführungsbeispiel dieser Erfin
dung die Isolierung zwischen den Schichten relativ zuverlässig, wobei den
noch die vorliegende Erfindung wirksam und nützlich für das Vorsehen ei
ner ausgezeichneten Isolierung ist, auch obwohl ein derartig dickes Band
manchmal einen kritischen Defektwert aufweist. Hierbei ist zu beachten,
daß die vorliegende Erfindung im wesentlichen und insbesondere wirksam
und nützlich für eine außergewöhnlich gute Isolierung ist, wenn die Dicke
der keramischen Schicht nicht größer als 150 µm ist. Des weiteren kann
entsprechend der Erfindung zumindest eine weitere leitende Schicht, oder
sogar eine mehrfach geschichtete Struktur auf der gebrannten Schichtung
der abwechselnden Aluminiumoxidbänder 21 und der inneren leitenden
Schichten 23 gebildet sein, wodurch die folgenden Vorteile bewirkt wer
den. Bei der herkömmlichen Stuktur wird nämlich lediglich eine einzige lei
tende Dickfilm-Schicht (entsprechend der Schicht 24) auf der gebrannten
Schichtung gebildet, und daher müssen, falls die Schaltung geändert wer
den soll, Formteile zum Ausstanzen der durchgehenden Löcher in den
Aluminiumoxid-Grünblatt-Bändern aufgrund der Änderung der Lokalisierun
gen und Anzahl der durchgehenden Löcher geändert werden, was im Hin
blick auf die hohen Kosten und den benötigten Zeitaufwand wegen der Än
derung des Formteiles nachteilig ist. Im Gegensatz dazu kann erfindungs
gemäß, auch falls die Schaltungen geändert werden, die gebrannte
Schichtung ohne Änderung und Modifizierung der auf der gebrannten
Schichtung gebildeten Dickfilm-Glas- und leitenden Schichten verwendet
werden, was leicht durchführbar und kostengünstiger ist.
Ferner ist zu beachten, daß das Print-Verfahren und das Tape-Verfahren
zur Bildung eines Stapels kombiniert sein können.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obigen Ausführungsbeispiele be
grenzt, sondern kann modifiziert sein. Beispielsweise kann die keramische
Schicht aus einem Aluminiumnitrid (AlN), Mullit (3Al2O3 . 2SiO2) oder
dergleichen hergestellt sein und kann ferner aus einer Glaskeramik herge
stellt sein. Im Hinblick auf eine geringe Brenntemperatur von zum Beispiel
850°C bis 1000°C ergeben sich hier Vorteile, wodurch anstatt einem
hochtemperaturstabilen Metall wie beispielsweise W oder Mo zur Bildung
einer inneren leitenden Schicht ein Metall mit einem niedrigen Schmelzpunkt
wie beispielsweise Ag, Cu, Ni, Pt, Ag-Pt oder dergleichen verwendet
werden kann.
Die Dickfilm-Glasschicht 9 oder 25 kann durch Anordnen eines Glasfilmes
bzw. -blattes und Brennen gebildet werden. Ferner kann das Material der
auf der Schichtung gebildeten Isolierschicht nicht nur Glas sein, sondern
ebenso eine zusammengesetzte Glaskeramik, oder dergleichen, und kann
jedoch vorzugsweise bei einer Temperatur gebrannt werden, welche niedri
ger ist als die niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schicht in der
Schichtung, so daß ein Wiederbrennen der keramischen Schicht in dem
Stapel während des Brennens der Isolierschicht vermieden wird. Zur Ver
meidung von Pinholes in der Isolierschicht wird die Isolierschicht vorzugs
weise aus einem Material mit geringer Viskosität von beispielsweise weni
ger als 200000 cps während dem Print-Schritt bzw. vor dem Brennen
gebildet.
Claims (17)
1. Verfahren zum Herstellen eines keramischen, mehrfach
geschichteten Substrates mit den Schritten:
Ausbilden und Brennen einer Schichtung aus abwechselnd keramischen (4, 7) und inneren leitenden Schichten (3, 5, 6, 8) bei einer Temperatur, welche niedriger ist als ein Schmelz punkt der inneren leitenden Schichten, wobei die Schichtung eine obere keramische Schicht (7c) aufweist und die inneren leitenden Schichten gemeinsam bzw. die Schichtung insgesamt gebrannt werden bzw. wird, danach
Ausbilden und Brennen einer Isolierschicht (9) aus ei nem Glas direkt auf der oberen keramischen Schicht bei ei ner Brenntemperatur, welche niedriger ist als die kleinste Brenntemperatur der keramischen Schichten, wobei beim Bren nen der keramischen und inneren leitenden Schichten in der obersten keramischen Schicht gebildete Löcher von dem Glas ausgefüllt werden, und anschließendes
Ausbilden einer leitenden Schicht (11) auf der Isolier schicht, wobei die leitende Schicht elektrisch mit den in neren leitenden Schichten verbunden wird.
Ausbilden und Brennen einer Schichtung aus abwechselnd keramischen (4, 7) und inneren leitenden Schichten (3, 5, 6, 8) bei einer Temperatur, welche niedriger ist als ein Schmelz punkt der inneren leitenden Schichten, wobei die Schichtung eine obere keramische Schicht (7c) aufweist und die inneren leitenden Schichten gemeinsam bzw. die Schichtung insgesamt gebrannt werden bzw. wird, danach
Ausbilden und Brennen einer Isolierschicht (9) aus ei nem Glas direkt auf der oberen keramischen Schicht bei ei ner Brenntemperatur, welche niedriger ist als die kleinste Brenntemperatur der keramischen Schichten, wobei beim Bren nen der keramischen und inneren leitenden Schichten in der obersten keramischen Schicht gebildete Löcher von dem Glas ausgefüllt werden, und anschließendes
Ausbilden einer leitenden Schicht (11) auf der Isolier schicht, wobei die leitende Schicht elektrisch mit den in neren leitenden Schichten verbunden wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die obere keramische Schicht (7c) mit einer Dicke von nicht
größer als 150 µm hergestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die keramischen Schichten (4, 7) mit einem Dickfilm-Bil
dungsverfahren gebildet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Isolierschicht (9) durch ein Dickfilm-Bildungsverfahren
hergestellt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Isolierschicht (9) durch Ausbilden einer Vielzahl von
Glasschichten übereinander gebildet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die inneren leitenden Schichten (3, 5, 6, 8) aus einem
hochtemperaturstabilen Metall hergestellt werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
eine obere leitende Schicht (8c) auf dem Stapel gebildet
wird, wobei die obere leitende Schicht elektrisch mit den
inneren leitenden Schichten (3, 5, 6, 8) verbunden wird,
und das Verfahren ferner den Schritt des Ausbildens einer
Verbindungs-Unterstützungs-Schicht (10) auf der oberen lei
tenden Schicht vor dem Ausbilden der leitenden Schicht (11)
aufweist, wobei die Verbindungs-Unterstützungs-Schicht zwi
schen der oberen leitenden Schicht und der leitenden
Schicht liegt und diese elektrisch verbindet.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindungs-Unterstützungs-Schicht (10) vor der Ausbil
dung der Isolierschicht (9) gebildet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindungs-Unterstützungs-Schicht (10) nach der Aus
bildung der Isolierschicht (9) gebildet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindungs-Unterstützungs-Schicht (10) gegen Oxidation
resistent ist, und die leitende Schicht (11) durch Brennen
in Luft ausgebildet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Schritte des Bildens der Isolierschicht (9) und an
schließend der leitenden Schicht (11) zur Bildung einer
Vielzahl von leitenden Schichten auf der Schichtung wieder
holt werden.
12. Keramisches, mehrfach geschichtetes Substrat, insbe
sondere hergestellt nach einem der Ansprüche 1 bis 11, mit:
einer Schichtung aus abwechselnd keramischen (4, 7) und inneren leitenden Schichten (3, 5, 6, 8), wobei die inneren leitenden Schichten einen Schmelzpunkt aufweisen, der höher liegt als die niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schichten, die Schichtung eine obere keramische Schicht (7c) aufweist und die inneren leitenden Schichten gemeinsam bzw. die Schichtung insgesamt gebrannt sind bzw. ist;
einer auf der oberen keramischen Schicht der Schich tung aus einem Glas gebildeten Isolierschicht (9), wobei die Isolierschicht eine Brenntemperatur aufweist, die niedriger ist als die niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schichten, und beim Brennen der keramischen und inneren leitenden Schichten in der obersten keramischen Schicht ge bildete Löcher von dem Glas ausgefüllt sind; und
einer auf der Isolierschicht gebildeten leitenden Schicht (11), wobei die leitende Schicht elektrisch mit den inneren leitenden Schichten verbunden ist.
einer Schichtung aus abwechselnd keramischen (4, 7) und inneren leitenden Schichten (3, 5, 6, 8), wobei die inneren leitenden Schichten einen Schmelzpunkt aufweisen, der höher liegt als die niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schichten, die Schichtung eine obere keramische Schicht (7c) aufweist und die inneren leitenden Schichten gemeinsam bzw. die Schichtung insgesamt gebrannt sind bzw. ist;
einer auf der oberen keramischen Schicht der Schich tung aus einem Glas gebildeten Isolierschicht (9), wobei die Isolierschicht eine Brenntemperatur aufweist, die niedriger ist als die niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schichten, und beim Brennen der keramischen und inneren leitenden Schichten in der obersten keramischen Schicht ge bildete Löcher von dem Glas ausgefüllt sind; und
einer auf der Isolierschicht gebildeten leitenden Schicht (11), wobei die leitende Schicht elektrisch mit den inneren leitenden Schichten verbunden ist.
13. Substrat nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die inneren leitenden Schichten (3, 5, 6, 8) aus einem
hochtemperaturstabilen Metall hergestellt sind.
14. Substrat nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die inneren leitenden Schichten (3, 5, 6, 8) aus einem Me
tall hergestellt sind, welches aus der Gruppe bestehend aus
Cu, Ag, Pt, Ni, sowie einer Legierung hieraus, ausgewählt
ist.
15. Substrat nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
die keramischen Schichten (4, 7) aus einer Glaskeramik her
gestellt sind.
16. Substrat nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die obere keramische Schicht (7c) eine Dicke von nicht grö
ßer als 150 µm aufweist.
17. Substrat nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die keramischen Schichten (4, 7) mit einem Dickfilm-Verfah
ren hergestellt sind.
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1989
- 1989-08-05 JP JP1203642A patent/JPH0828577B2/ja not_active Expired - Fee Related
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
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D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |