DE4020158C2 - Device for coating substrates - Google Patents

Device for coating substrates

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DE4020158C2 DE19904020158 DE4020158A DE4020158C2 DE 4020158 C2 DE4020158 C2 DE 4020158C2 DE 19904020158 DE19904020158 DE 19904020158 DE 4020158 A DE4020158 A DE 4020158A DE 4020158 C2 DE4020158 C2 DE 4020158C2
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Robert W Conn
Karl Dr Matl
Peter Dr Sommerkamp
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Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer mit einem in die­ ser angeordneten Substratträger und einer Einrichtung zur Erzeugung einer Plasmawolke und mit Magneten, die die Plasmawolke auf die Oberfläche der Substrate len­ ken, wobei die Einrichtung zur Erzeugung der Plasma­ wolke einen Elektronen-Emitter mit einer nachgeschal­ teten rohrförmigen Anode aufweist, die mit einem Einlaß für das Prozeßgas zum Zünden des Plasmas versehen ist und die weiterhin mit Magneten ausgestattet ist zum Ausrichten und Führen des Plasmas durch das Anodenrohr in die Prozeßkammer.The invention relates to a device for coating of substrates in a vacuum chamber with one in the water arranged substrate carrier and a device to generate a plasma cloud and with magnets that len the plasma cloud on the surface of the substrates ken, the device for generating the plasma cloud an electron emitter with a reshape teten tubular anode having an inlet is provided for the process gas for igniting the plasma and which is still equipped with magnets for Align and guide the plasma through the anode tube into the process chamber.

Es ist bereits ein Plasmagenerator mit Ionenstrahler­ zeuger bekannt (Aufsatz von D. M. Goebel, G. Campbell und R. W. Conn im "Journal of Nuclear Material", 121 (1984), 277-282, North Holland Physics Publishing Division, Amsterdam), der in einer mit der Vakuumkammer verbundenen, separaten Kammer angeordnet ist, wobei die etwa zylindrische Kammerwand dieser separaten Kammer die Anode bildet, und mit einem Einlaßstutzen für das Prozeßgas versehen ist. Die zylindrische Kammer ist von ringförmigen Magnetspulen und mit Rohren zur Kühlung der Kammerwand versehen. Der Elektronen-Emitter selbst befindet sich an einem das eine Ende der zylindrischen Kammer verschließenden, dem eigentlichen Vakuumkessel abgekehrten Wandteil.It is already a plasma generator with an ion emitter producer known (essay by D. M. Goebel, G. Campbell and R. W. Conn in the "Journal of Nuclear Material", 121 (1984), 277-282, North Holland Physics Publishing Division, Amsterdam), in one with the vacuum chamber connected, separate chamber is arranged, the approximately cylindrical chamber wall of this separate chamber forms the anode, and with an inlet connection for the Process gas is provided. The cylindrical chamber is from ring-shaped magnetic coils and with tubes for cooling the chamber wall. The electron emitter itself is at one end of the cylindrical Chamber closing, the actual vacuum boiler turned away wall part.

Weiterhin ist eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung bekannt (DE-OS 38 30 478), bei der die Vakuumkammer mit einer Einrichtung zur Erzeugung eines Plasmastrahls verbunden ist und ein Target aufweist, das mit Magneten zusammenwirkt, die den Plasmastrahl auf die Oberfläche des Targets lenken, und mit einer Einrichtung versehen ist, um Ionen im Plasmastrahl zu beschleunigen, die die Oberfläche des Targets treffen und Teilchen herauslösen und Substrathalter aufweist, die im Inneren der Vakuum­ kammer zur Halterung der Substrate für die Beschichtung mit abgestäubten Teilchen angeordnet sind und vorzugs­ weise mit einer Einrichtung, beispielsweise einer Mag­ netanordnung, ausgestattet ist für die Ablenkung zumin­ dest eines Fadens oder Teilstrahls des Plasmastrahls vom Target auf das Substrat.Furthermore, a sputtering device known (DE-OS 38 30 478), in which the vacuum chamber with a device for generating a plasma jet is connected and has a target with magnets which interacts with the plasma jet on the surface steer the target and provide it with a device is to accelerate ions in the plasma beam that the Hit the surface of the target and extract particles and has substrate holder inside the vacuum chamber for holding the substrates for the coating are arranged with dust particles and preferred wise with a facility, such as a mag net arrangement, is equipped for distraction at least at least one thread or partial beam of the plasma beam from the target to the substrate.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum Beschichten metallischer oder dielektrischer Werkstoffe mit Hilfe eines fremderzeug­ ten Plasmas zu schaffen, bei der die Gleichmäßigkeit der Beschichtung besonders groß ist, deren Aufbau ein­ fach ist, in welcher die Plasmaerzeugung unabhängig von der Erzeugung des Beschichtungsmaterials erfolgt und bei der die einzelnen Parameter voneinander unabhängig einstellbar sind. Außerdem soll die beschichtbare Sub­ stratgröße möglichst frei bestimmbar und die Beschich­ tungsstärke möglichst gleichmäßig sein.The present invention is based on the object a device for coating metallic or dielectric materials with the help of a third party to create the most plasma, with the uniformity the coating is particularly large, its structure is in which the plasma generation is independent of the production of the coating material takes place and where the individual parameters are independent of each other are adjustable. In addition, the coatable sub strat size can be determined as freely as possible and the coating strength should be as uniform as possible.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in der Prozeßkammer eine Vorrichtung zur Erzeugung von Atomen, Molekülen oder Clustern der Materialien zur Erzeugung der Schicht auf den Substraten, vorzugsweise ein Elektronenstrahlverdampfer, ein thermischer Ver­ dampfer oder eine Sputterkathode, unmittelbar neben der Plasmaquelle, dem Substrathalter gegenüberliegend, angeordnet ist, von der aus das verdampfte oder abge­ stäubte Material unmittelbar auf die Substrate lenkbar ist.This object is achieved in that in the process chamber a device for generating Atoms, molecules or clusters of materials Generation of the layer on the substrates, preferably an electron beam evaporator, a thermal Ver steamer or a sputtering cathode, right next to the Plasma source, opposite the substrate holder, is arranged, from which the evaporated or abge dusted material can be directed directly onto the substrates is.

Weitere Ausführungsformen, Einzelheiten und Merkmale sind in den Patentansprüchen näher gekennzeichnet.Further embodiments, details and features are characterized in more detail in the claims.

Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausführungsmög­ lichkeiten zu; eine davon ist in der anhängenden Zeichnung näher gekennzeichnet, die den Aufbau der erfindungsgemäßen Vorrichtung rein schematisch näher darstellt. The invention allows a wide variety of designs opportunities to; one of them is in the attached Drawing characterized in more detail that the structure of the Device according to the invention purely schematically closer represents.  

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Modifizierung von Schichteigenschaf­ ten von dünnen Schichten, die isolierend oder metal­ lisch sein können.The present invention relates to a device and a method for modifying stratified properties thin layers that are insulating or metal can be lish.

Das Aufbringen solcher dünnen Schichten auf die vom Substratträger 30 gehaltenen Substrate 31, 31',... kann durch Verdampfen oder durch Sputtern in der Vaku­ umkammer 2 erfolgen. Das Verfahren selbst umfaßt einen plasmagestützten Prozeß, bei dem die Schichteigenschaf­ ten der aufwachsenden dünnen Schicht durch Ionenbeschuß aus einer Plasmarandschicht 32 modifiziert werden.The application of such thin layers carried on the substrate held by the carrier 30 of substrates 31, 31 ', ... can be obtained by evaporation or by sputtering in the vacuum circuit umkammer. 2 The method itself comprises a plasma-assisted process in which the layer properties of the growing thin layer are modified by ion bombardment from a plasma edge layer 32 .

Die erfindungsgemäße Vorrichtung umfaßt eine insgesamt mit 29 bezeichnete Plasmaquelle (APS-Quelle), in der das benötigte Plasma 28 erzeugt wird und mit Hilfe ge­ eigneter magnetischer und elektrischer Felder aus der Quelle 29 extrahiert wird.The device according to the invention comprises a total of 29 designated plasma source (APS source) in which the required plasma 28 is generated and extracted from the source 29 with the aid of suitable magnetic and electrical fields.

Nach der Extraktion aus der Quelle 29 wird das Plasma 28 mit Hilfe geeigneter magnetischer Felder von der Quelle 29 zum Substratträger 30 geführt, aufgeweitet und möglichst homogen auf den Bereich des Substrat­ trägers 30 verteilt. Die Ionen des Plasmas 28 werden von Ionen der über die Leitungen 20, 21 in die Plasma­ quelle 29 eingeführten Gase gebildet bzw. sind aus dem ionisierten Aufdampfmaterial 33 bzw. vom Sputtermate­ rial abgespalten, welches das Plasma 28 durchquert und hierbei ionisiert wird. After extraction from the source 29, the plasma 28 is guided with the aid of suitable magnetic fields from the source 29 to the substrate base 30, expanded and as homogeneously as possible carrier to the area of the substrate distributed 30th The ions of the plasma 28 are formed by ions of the gases introduced via the lines 20 , 21 into the plasma source 29 or are split off from the ionized vapor deposition material 33 or from the sputtering material which traverses the plasma 28 and is thereby ionized.

Der Substrathalter 30 ist entweder isoliert zur Vakuum­ kammer 2 oder über den Schalter 57 an ein DC- (35, 42) oder (und) HF-Netzgerät 34 angeschlossen. Dieser Sub­ strathalter 30 kann einen Bedampfungsschutz 25 aufwei­ sen, der beim Aufbringen von isolierenden Materialien das Beschichten eines Teils der Fläche des Substrat­ trägers 30 mit diesen isolierenden Materialien verhin­ dert und damit ein Abfließen von elektrischen Ladungen über den Substratträger 30 ermöglicht.The substrate holder 30 is either isolated from the vacuum chamber 2 or via the switch 57 to a DC ( 35 , 42 ) or (and) HF power supply 34 . This sub strathalter 30 can have a vapor protection 25 sen, which prevents the coating of part of the surface of the substrate carrier 30 with these insulating materials when applying insulating materials and thus allows a discharge of electrical charges via the substrate carrier 30 .

Die Vakuumanlage ist weiterhin mit einer Vorrichtung zur Erzeugung von Atomen bzw. Molekülen oder Clustern der Materialien zur Erzeugung der dünnen Schichten aus­ gestattet. Dies ist im beschriebenen Falle der Elektro­ nenstrahlverdampfer 37. Es kann jedoch auch ein thermi­ scher Verdampfer, eine HF- oder DC-Sputterkathode oder eine Ionenstrahl-Sputterkathode sein.The vacuum system is also equipped with a device for producing atoms or molecules or clusters of materials for producing the thin layers. In the case described, this is the electric jet evaporator 37 . However, it can also be a thermal evaporator, an HF or DC sputtering cathode or an ion beam sputtering cathode.

Die Vakuumanlage weist Gaseinlässe 19 zum Einlassen von reaktiven Gasen, z. B. 02 und N2, auf und umfaßt ein System von elektromagnetischen Spulen 4, 7 bzw. 26, 27 zur Führung des Plasmas 28 von der Plasmaquelle 29 zum Substrathalter 30 und zur Erzeugung einer geeigneten Dichteverteilung des Plasmas am Ort des Substrathalters 30.The vacuum system has gas inlets 19 for admitting reactive gases, e.g. B. 0 2 and N 2 , and comprises a system of electromagnetic coils 4 , 7 and 26 , 27 for guiding the plasma 28 from the plasma source 29 to the substrate holder 30 and for generating a suitable density distribution of the plasma at the location of the substrate holder 30th

Die Vakuumanlage beinhaltet auch einen Satz von Bedamp­ fungsschutzblechen 25, die beim Aufbringen von isolie­ renden Materialien ein Abfließen von Ladungsträgern ermöglichen. The vacuum system also includes a set of evaporation fenders 25 , which allow draining of charge carriers when applying insulating materials.

Weiterhin ist die Plasmaquelle 29 mit zwei wasserge­ kühlten Hochstromdurchführungen 39, 40 und einem langen Solenoidmagneten 7, der über das Anodenrohr 38 gescho­ ben ist, ausgestattet, wobei dieser ein axiales Magnet­ feld parallel zur vertikalen Achse der Quelle 29 er­ zeugt.Furthermore, the plasma source 29 is equipped with two Wasserge cooled high-current feedthroughs 39 , 40 and a long solenoid magnet 7 , which is pushed over the anode tube 38, this generating an axial magnetic field parallel to the vertical axis of the source 29 .

Mit dem Magneten 7 wird die Beweglichkeit der Elektro­ nen in radialer Richtung stark erniedrigt und in verti­ kaler Richtung stark erhöht. Am oberen Ende des langen Solenoids 7 ist ein kurzer Solenoid 4 angeordnet, der das Magnetfeld am Ende des langen Solenoiden 7 ver­ stärkt. Das Magnetfeld wird auf diese Weise homogener, da das axiale Magnetfeld eines Solenoiden von seiner Mitte zum Ende hin bis auf die Hälfte abnimmt. Die Extraktion des Plasmas 28 aus der Quelle 29 in die Vakuumanlage wird also durch die geschilderte Anordnung verbessert.With the magnet 7 , the mobility of the electric NEN is greatly reduced in the radial direction and greatly increased in the vertical direction. At the upper end of the long solenoid 7 , a short solenoid 4 is arranged, which strengthens the magnetic field at the end of the long solenoid 7 ver. The magnetic field becomes more homogeneous in this way, since the axial magnetic field of a solenoid decreases from its center to the end to half. The extraction of the plasma 28 from the source 29 into the vacuum system is thus improved by the arrangement described.

An der Plasmaquelle 29 ist über den langen Solenoiden 7 ein zylindrisches Abschirmrohr 5 aus weichmagnetischem Material geschoben. Dieses Abschirmrohr 5 dient zum Abschirmen von Streumagnetfeldern, die sich innerhalb der Anlage befinden können (verursacht z. B. durch Elektronenstrahlverdampfer), damit das Plasma 28 inner­ halb der Quelle 29 nicht gestört wird. Die Plasmaquelle 29 ist darüber hinaus noch mit einer Dunkelraumabschir­ mung 3 versehen, die dafür Sorge trägt, daß nicht außen an der Quelle 29 unerwünschte Nebenplasmen entstehen. A cylindrical shielding tube 5 made of soft magnetic material is pushed over the long solenoids 7 at the plasma source 29 . This shielding tube 5 is used to shield stray magnetic fields that may be located inside the system (caused, for example, by electron beam evaporators), so that the plasma 28 is not disturbed within the source 29 . The plasma source 29 is also provided with a dark room shield 3 , which ensures that 29 undesired secondary plasmas do not occur on the outside of the source.

Zur Vorrichtung gehört die insgesamt mit 29 bezeichnete Plasmaquelle (APS-Quelle) zur Erzeugung der Plasmawolke 28 zur Modifizierung der Schichteigenschaften der dün­ nen Schichten.The device includes the total of 29 designated plasma source (APS source) for generating the plasma cloud 28 for modifying the layer properties of the thin layers.

In dieser Plasmaquelle 29 wird zur Erzeugung des Plasma 28 eine heiße Glimmentladung erzeugt. Die Plasmaquelle 29 besitzt dazu eine relativ zur Anlage isolierte Kathode 11. Die Kathode 11 ist mit einem Heizer 12, z. B. aus Graphit, versehen, der mit einem Wechselstrom geheizt wird. Der Heizer 12 heizt indirekt über Wärme­ strahlung die Kathode 11. Die Kathode 11 besteht aus einem Material, welches im heißen Zustand die Emission von Elektronen ermöglicht, so z. B. Lanthanhexaborid (LaB6). Die Kathode 11 selbst besteht aus einem zylin­ drischen und einem deckelförmigen Teil, so daß die Emission von Elektronen sowohl in radialer als auch axialer Richtung relativ zur Achse der Quelle, im dargestellten Falle also in vertikaler Richtung, möglich ist.A hot glow discharge is generated in this plasma source 29 to generate the plasma 28 . For this purpose, the plasma source 29 has a cathode 11 which is insulated relative to the system. The cathode 11 is connected to a heater 12 , e.g. B. made of graphite, which is heated with an alternating current. The heater 12 heats the cathode 11 indirectly via heat radiation. The cathode 11 consists of a material which enables the emission of electrons in the hot state, for. B. Lanthanum hexaboride (LaB 6 ). The cathode 11 itself consists of a cylindrical and a lid-shaped part, so that the emission of electrons in both the radial and axial directions relative to the axis of the source, so in the case shown in the vertical direction, is possible.

Die Plasmaquelle 29 ist außerdem mit einem relativ zur Anlage und zur Kathode 11 isolierten Anodenrohr 38 ver­ sehen, das z. B. mit einer von Wasser durchströmten Kühlschlange 8 ausgestattet ist. Der Fluß des elektri­ schen Stromes erfolgt ebenfalls über das zur Anlage isolierte Kühlmittelrohr 22.The plasma source 29 is also seen with an insulated relative to the system and to the cathode 11 anode tube 38 , the z. B. is equipped with a cooling coil 8 through which water flows. The flow of electrical current rule also takes place via the isolated for conditioning coolant tube 22nd

Das Prozeßgas selbst kann ein Edelgas sein, z. B. Ar, oder ein Reaktivgas, z. B. 02, oder ein Gemisch von beiden. Die beiden Gaszuführungen 20, 21 sind von der Anlage selbst elektrisch isoliert. The process gas itself can be an inert gas, e.g. B. Ar, or a reactive gas, e.g. B. 0 2 , or a mixture of both. The two gas feeds 20 , 21 are electrically isolated from the system itself.

Die Plasmaquelle 29 und der Substrathalter 30 sind jeweils an die Netzgeräte 34, 35, 42 anschließbar, durch das die Funktionsweise der Plasmaquelle 29 und die Eigenschaften des Plasmas 28 bestimmbar sind. Außerdem ist ein besonderes Heizungsnetzgerät 41 für den Heizer 12 der Kathode 11 vorgesehen.The plasma source 29 and the substrate holder 30 can each be connected to the power supply units 34 , 35 , 42 , by means of which the functioning of the plasma source 29 and the properties of the plasma 28 can be determined. In addition, a special heating power supply 41 is provided for the heater 12 of the cathode 11 .

Weiterhin besitzt die Plasmaquelle 29 eine Stromversor­ gung 35 für den Entladungsstrom, mit dem die Potential­ differenz zwischen der Kathode 11 und der Anode 38 bzw. 30 bzw. 2 festgelegt wird.Furthermore, the plasma source 29 has a power supply 35 for the discharge current, with which the potential difference between the cathode 11 and the anode 38 or 30 or 2 is determined.

Schließlich ist die Plasmaquelle 29 mit einer Span­ nungsversorgung 42 versehen, die es ermöglicht, eine "Bias"-Potentialdifferenz z. B. zwischen der Plasma­ quelle 29 und der Anlage 2 oder dem Substrathalter 30 anzulegen. Damit ist es möglich, das Plasmapotential und die Energie der auf die Substrate 31, 31',... auf­ treffenden Ionen zu beeinflussen.Finally, the plasma source 29 is provided with a voltage supply 42 , which enables a "bias" potential difference z. B. between the plasma source 29 and the system 2 or the substrate holder 30 . It is thus possible to influence the plasma potential and the energy of the ions striking the substrates 31 , 31 ', ....

Der Substrathalter 30 ist mit einer Hochfrequenz- Spannungsversorgung 34 ausgestattet, mit der es möglich ist, auch isolierende Substrate 31, 31',... eine zusätzliche DC-Bias-Spannung relativ zum Plasma 28 zu bringen und damit die Energie und Stromstärke der auf die Substrate 31, 31',... auftreffenden Ionen zu erhöhen.The substrate holder 30 is equipped with a high-frequency voltage supply 34 , with which it is also possible to bring insulating substrates 31 , 31 ',... An additional DC bias voltage relative to the plasma 28 and thus the energy and current intensity to increase the substrates 31 , 31 ', ... ions.

Bei der dargestellten Verschaltung arbeitet die Quelle als eine "Reflex-Arc"-Quelle. Das Anodenrohr 38 ist direkt mit dem Pluspol der Entladungsversorgung 35 verbunden, so daß der Entladungsstrom nur über das Anodenrohr 38 abfließen kann. Die Plasmaquelle 29 ist gegenüber den übrigen Teilen der Anlage isoliert ange­ ordnet. Die Elektronen, die aus der Kathode 11 austre­ ten, werden durch das axiale Magnetfeld der Solenoid­ magneten 7 gehindert, direkt zum Anodenrohr 38 zu ge­ langen. Vielmehr folgen sie den Magnetfeldlinien und gelangen so aus der Quelle 29 heraus und erzeugen ein Plasma 28 außerhalb der Quelle. Die gesamte Quelle 29 stellt sich dazu auf ein positives Potential relativ zu den übrigen Teilen der Anlage ein, was dazu führt, daß sich ein elektrisches Feld aufbaut, das bewirkt, daß die Elektronen außerhalb der Quelle reflektiert werden und entlang der Feldlinien zum Anodenrohr 38 zurücklau­ fen.In the connection shown, the source works as a "reflex arc" source. The anode tube 38 is connected directly to the positive pole of the discharge supply 35 , so that the discharge current can only flow off via the anode tube 38 . The plasma source 29 is isolated from the other parts of the system. The electrons, which emerge from the cathode 11 , are prevented by the axial magnetic field of the solenoid magnets 7 from going directly to the anode tube 38 . Rather, they follow the magnetic field lines and thus come out of the source 29 and generate a plasma 28 outside the source. For this purpose, the entire source 29 sets itself to a positive potential relative to the other parts of the system, which leads to an electric field being built up, which causes the electrons to be reflected outside the source and back along the field lines to the anode tube 38 fen.

Bei dieser Betriebsart lädt sich der Substrathalter 30 nicht auf ein negatives Bias-Potential auf, wie z. B. bei einem Ion-planting-Verfahren. Der Substrathalter 30 lädt sich typischerweise auf +2 V bis +5 V auf, wobei die Ionen ihre Energie über die Potentialdifferenz zwischen dem Anodenrohr 38 und dem Substrathalter 30 erhalten.In this mode of operation, the substrate holder 30 does not charge to a negative bias potential, such as. B. in an ion planting process. The substrate holder 30 typically charges up to +2 V to +5 V, the ions receiving their energy via the potential difference between the anode tube 38 and the substrate holder 30 .

Typische Werte hierfür sind:
Par = 2 . 10-4 mbar durch die Quelle
P02 = 4 . 10-4 mbar durch die Anlage
UKathode-Anode = 60 V
UAnode-Anlage = +75 V
IEntladung = 45 A Typical values for this are:
P ar = 2. 10 -4 mbar through the source
P 02 = 4. 10 -4 mbar through the system
U cathode anode = 60 V.
U anode system = +75 V
I discharge = 45 A.

Wie aus der Zeichnung ersichtlich, ruhen sowohl das Anodenrohr 38 als auch die hohlzylindrische Magnetfeld­ abschirmung 5 auf dem aus Keramik bestehenden Isolator­ platte 6, der seinerseits auf der aus Kupfer bestehenden Kontaktplatte 16 abgestützt ist.As can be seen from the drawing, both the anode tube 38 and the hollow cylindrical magnetic field shield 5 rest on the ceramic insulator plate 6 , which in turn is supported on the copper contact plate 16 .

Der Heizer 12 ist mit Hilfe eines Klemmrings 13 mit dem hutförmigen Elektronen-Emitter 11 fest verbunden, wobei zwei Kontaktbolzen 14, 15 vorgesehen sind, mit denen der Heizer 12 einerseits auf der Kontaktplatte 16 und andererseits auf dem Kontaktzapfen 47 abgestützt ist.The heater 12 is fixedly connected to the hat-shaped electron emitter 11 with the aid of a clamping ring 13 , two contact bolts 14 , 15 being provided with which the heater 12 is supported on the one hand on the contact plate 16 and on the other hand on the contact pin 47 .

Die Kontaktplatte 16 ist über den Zapfen 17 mit der Hochstromdurchführung 39 verbunden, die mit Hilfe des Isolators 53 an der Wand der Vakuumkammer 2 gehalten ist und der außerdem ein wasserdurchströmtes Kühlmit­ telrohr 23 aufweist. Die Kontaktplatte 16 ist mit Hilfe eines Keramikrings 18 gegenüber der Hochstromdurchfüh­ rung 40 elektrisch isoliert, die ebenfalls mit einem Kühlmittelrohr 24 versehen ist und die über den Zapfen 47 elektrisch leitend an dem Kontaktbolzen 14 anliegt. Die Hochstromdurchführung 48 ist mit dem Isolator 55 am Bodenteil der Vakuumkammer gehalten und umschließt das wasserdurchströmte Kühlmittelrohr 22, das im übrigen mit dem DC-Netzgerät 35 verbunden ist. Die Rohre 20, 21 sind mit den Einlaßstutzen 9 bzw. 10 verbunden und weisen beide ein elektrisch isolierendes Schlauchzwi­ schenstück 50 bzw. 51 auf.The contact plate 16 is connected via the pin 17 to the high-current bushing 39 , which is held on the wall of the vacuum chamber 2 with the aid of the insulator 53 and which also has a water-filled coolant tube 23 . The contact plate 16 is electrically isolated by means of a ceramic ring 18 from the Hochstromdurchfüh tion 40 , which is also provided with a coolant tube 24 and which is electrically conductive via the pin 47 on the contact pin 14 . The high-current bushing 48 is held with the insulator 55 on the bottom part of the vacuum chamber and encloses the coolant tube 22 through which water flows, which is otherwise connected to the DC power supply 35 . The tubes 20 , 21 are connected to the inlet ports 9 and 10 and both have an electrically insulating hose intermediate piece 50 and 51 respectively.

Der seitlich neben der Plasmaquelle 29 am Bodenteil der Vakuumkammer 2 angeordnete Verdampfer 37 besteht aus einem Verdampfergestell 46, einem von diesem an seiner Oberseite gehaltenen Tiegel 45 mit dem zu verdampfenden Beschichtungswerkstoff, einer Elektronenstrahlkanone 44 zum Aufschmelzen und Verdampfen des Werkstoffs und einer Blende 56 für die Ausrichtung der Elektronenstrah­ lung.The evaporator 37 arranged laterally next to the plasma source 29 on the bottom part of the vacuum chamber 2 consists of an evaporator frame 46 , a crucible 45 held by the latter on its upper side with the coating material to be evaporated, an electron beam gun 44 for melting and evaporating the material and an orifice 56 for it Alignment of the electron beam.

BezugszeichenlisteReference list

22nd

Vakuumkammer
Vacuum chamber

33rd

Dunkelraumabschirmung
Darkroom shielding

44th

Solenoid, Magnet
Solenoid, magnet

55

Magnetfeldabschirmung
Magnetic field shielding

66

Isolatorplatte, Keramikplatte
Insulator plate, ceramic plate

77

Magnet, Solenoid
Magnet, solenoid

88th

Kühlschlange
Cooling coil

99

Sauerstoff-Einlaß, Einlaßstutzen
Oxygen inlet, inlet connection

1010th

Argon-Einlaß, Einlaßstutzen
Argon inlet, inlet connection

1111

Lanthanhexaborid-Kathode, Elektronen- Emitter
Lanthanum hexaboride cathode, electron emitter

1212th

Graphit-Heizer
Graphite heater

1313

Klemmring (verschraubt mit Heizer Clamping ring (screwed to heater

1212th

)
)

1414

, ,

1515

Stab, Kontaktbolzen
Rod, contact pin

1616

Kupferplatte, Kontaktplatte
Copper plate, contact plate

1717th

Zapfen, Kontaktzapfen
Pin, contact pin

1818th

Keramikring
Ceramic ring

1919th

Sauerstoff und/oder Stickstoff
Oxygen and / or nitrogen

2020th

Sauerstoff und/oder Stickstoff, elektrisch isoliert
Oxygen and / or nitrogen, electrically isolated

2121

Argon-Einlaß
Argon inlet

2222

, ,

2323

, ,

2424th

wasserdurchströmtes Kühlmittelrohr
coolant tube through which water flows

2525th

Lochblech, schirmartiger Blechzuschnitt
Perforated sheet, umbrella-like sheet cut

2626

, ,

2727

Ringspule, Magnet
Ring coil, magnet

2828

Plasmawolke
Plasma cloud

2929

Plasmaquelle
Plasma source

3030th

Substrathalter, Substratträger, Anode
Substrate holder, substrate carrier, anode

31, 31', ...31, 31 ', ...

Substrat
Substrate

3232

Plasmarandschicht
Plasma edge layer

3333

Aufdampfmaterial (Sputtermaterial)
Evaporation material (sputtering material)

3434

HF-Netzgerät, HF-Generator
HF power supply, HF generator

3535

DC-Netzgerät, Plasmaversorgung
DC power supply, plasma supply

3636

Bedampfungsschutz, schirmartiger Blechzuschnitt
Evaporation protection, umbrella-like sheet metal cutting

3737

Elektronenstrahlverdampfer, Verdampfer
Electron beam evaporators, evaporators

3838

Anodenrohr
Anode tube

3939

, ,

4040

Hochstromdurchführung
High current feedthrough

4141

Stromversorgung
Power supply

4242

Spannungsversorgung (für Bias-Spannung)
Power supply (for bias voltage)

4343

Prozeßkammer
Process chamber

4444

Elektronenstrahlkanone
Electron beam gun

4545

Tiegel
crucible

4646

Verdampfergestell
Evaporator rack

4747

Zapfen, Kontaktzapfen
Pin, contact pin

4848

Hochstromdurchführung
High current feedthrough

4949

Welle
wave

5050

, ,

5151

Isolierschlauch
Insulating sleeve

52, 52',...52, 52 ', ...

Lochung
Perforation

5353

, ,

5454

, ,

5555

Isolator
insulator

5656

Blende
cover

5757

Schalter
counter

Claims (7)

1. Vorrichtung zum Beschichten von Substraten (31, 31', ...) in einer Vakuumkammer (2) mit einem in dieser angeordneten Substratträger (30) und einer Einrichtung (29) zur Erzeugung einer Plasmawolke (28) und mit Magneten (26, 27), die die Plasmawolke (28) auf die Oberflä­ che der Substrate (31, 31', ...) lenken, wobei in der Prozeßkammer (43) eine Vorrichtung zur Erzeugung von Atomen, Molekülen oder Clustern der Materialien zur Erzeugung der Schicht auf den Substraten (31, 31', ...), vorzugsweise ein Elektronenstrahlverdampfer (37), ein ther­ mischer Verdampfer oder eine Sputterkathode, unmittelbar neben der Plasmaquelle (29), dem Substrathalter (30) gegenüberliegend, angeord­ net ist, von der aus das verdampfte oder abge­ stäubte Material (33) direkt auf die Substrate (31, 31', ...) aufbringbar ist, wobei die Ein­ richtung (29) zur Erzeugung der Plasmawolke (28) aus einer Kathode (11) besteht, die von einer rohrförmigen Anode (38) umschlossen ist, die mit einem Einlaß (10) für das Prozeßgas versehen und die weiterhin mit Magneten (4, 7) zum Führen und Ausrichten des Plasmas durch das Anodenrohr (38) ausgestattet ist, und die relativ zur Anlage und zur Kathode (11) elek­ trisch isoliert ist und Ionen emittiert, wobei die Kathode (11) über eine erste Hochstrom­ durchführung (40) und das Anodenrohr (38) über eine zweite Hochstromdurchführung (48) an eine Stromversorgung (35) angeschlossen sind.1. Device for coating substrates ( 31 , 31 ', ...) in a vacuum chamber ( 2 ) with a substrate carrier ( 30 ) arranged therein and a device ( 29 ) for generating a plasma cloud ( 28 ) and with magnets ( 26 , 27 ), which direct the plasma cloud ( 28 ) onto the surface of the substrates ( 31 , 31 ', ...), in the process chamber ( 43 ) a device for producing atoms, molecules or clusters of the materials for producing the Layer on the substrates ( 31 , 31 ', ...), preferably an electron beam evaporator ( 37 ), a thermal evaporator or a sputtering cathode, directly next to the plasma source ( 29 ), the substrate holder ( 30 ) opposite, is arranged from the vaporized or dusted material ( 33 ) can be applied directly to the substrates ( 31 , 31 ', ...), the device ( 29 ) for generating the plasma cloud ( 28 ) consisting of a cathode ( 11 ), which was enclosed by a tubular anode ( 38 ) which is provided with an inlet ( 10 ) for the process gas and which is further equipped with magnets ( 4 , 7 ) for guiding and aligning the plasma through the anode tube ( 38 ), and which is relative to the system and to the cathode ( 11 ) is electrically isolated and emits ions, the cathode ( 11 ) via a first high-current bushing ( 40 ) and the anode tube ( 38 ) via a second high-current bushing ( 48 ) are connected to a power supply ( 35 ). 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der gegenüber der Prozeßkammer­ wand (2) elektrisch isoliert angeordnete Substrathalter (30) wahlweise an einem Hoch­ frequenz-Generator (34) oder an ein Gleich­ strom-Netzgerät (35) anschließbar ist.2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the opposite of the process chamber wall ( 2 ) arranged electrically isolated substrate holder ( 30 ) either on a high frequency generator ( 34 ) or on a DC power supply ( 35 ) can be connected. 3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß sowohl die das Plas­ ma (28) erzeugende Quelle (29) als auch der Verdampfer (37), dem schirmförmig ausgeformten Substrathalter (30) gegenüberliegend, auf der­ selben Seite der Prozeßkammerwand (2) vorgese­ hen sind.3. Device according to claims 1 or 2, characterized in that both the plasma ( 28 ) generating source ( 29 ) and the evaporator ( 37 ), the umbrella-shaped substrate holder ( 30 ) opposite, on the same side of Process chamber wall ( 2 ) are provided. 4. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Substrathalter (30) im wesentlichen aus einem schirmartig ausgeform­ ten, mit einer Vielzahl von Lochungen (52, 52', ...) versehenen Blechzuschnitt gebildet ist, über dem mit Abstand ein zweiter, eben­ falls schirmartiger Blechzuschnitt (36) ge­ stülpt ist, wobei beide Blechzuschnitte (25, 36) drehfest mit einer motorisch angetriebenen Welle (49) verbunden sind.4. Apparatus according to claim 1 to 3, characterized in that the substrate holder ( 30 ) is essentially formed from a screen-like form, with a plurality of perforations ( 52 , 52 ', ...) provided sheet metal blank, over which with Distance a second, just in case umbrella-like sheet metal blank ( 36 ) is placed ge, both sheet metal blanks ( 25 , 36 ) are rotatably connected to a motor-driven shaft ( 49 ). 5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vor­ hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Anodenrohr (38) der Plasmaquelle (29) von mindestens einem Magneten (4, 7) ringför­ mig umschlossen ist, wobei zumindest einer der Magnete (7) von einem rohrförmigen, magneti­ schen Abschirmblech (5) umfaßt ist, über das seinerseits mit Abstand eine röhrenförmige oder kastenförmige Dunkelfeldabschirmung (3) gestülpt ist.5. The device according to one or more of the preceding claims, characterized in that the anode tube ( 38 ) of the plasma source ( 29 ) by at least one magnet ( 4 , 7 ) is ringför enclosed, at least one of the magnets ( 7 ) by one tubular, magnetic shielding plate ( 5 ) is included, over which in turn a tubular or box-shaped dark field shield ( 3 ) is placed. 6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vor­ hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der der Plasmaquelle (29) abgewandten Seite des Substratträgers (30) Magnete (26, 27), vorzugsweise Ringmagnete, angeordnet sind.6. The device according to one or more of the preceding claims, characterized in that on the plasma source ( 29 ) facing away from the substrate carrier ( 30 ) magnets ( 26 , 27 ), preferably ring magnets, are arranged. 7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vor­ hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenwand der Prozeßkammer (43) mit Abstand von einem Lochblech (25) bekleidet ist.7. The device according to one or more of the preceding claims, characterized in that the inner wall of the process chamber ( 43 ) is clad at a distance from a perforated plate ( 25 ).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4310941B4 (en) * 1992-05-26 2005-12-01 Unaxis Balzers Ag Vacuum treatment chamber - with a low voltage discharge with arcing on treatment chamber walls prevented

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4128547A1 (en) * 1991-08-28 1993-03-04 Leybold Ag METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF A RE-MIRRORING LAYER ON LENSES
DE4239511A1 (en) * 1992-11-25 1994-05-26 Leybold Ag Method and device for coating substrates
DE19513097A1 (en) * 1995-04-07 1996-10-10 Leybold Ag Adding water in plasma-aided coating process
DE19640832C2 (en) * 1996-10-02 2000-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Process for the production of heat reflecting layer systems
CA2343562C (en) * 2000-04-11 2008-11-04 Desmond Gibson Plasma source
JP5234316B2 (en) * 2007-12-27 2013-07-10 三菱マテリアル株式会社 Deposition method
DE102011103464B4 (en) 2011-06-03 2013-06-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasma ion source for a vacuum coating system
DE202012102880U1 (en) 2012-07-31 2012-08-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Apparatus for non-linear control of a plasma process
DE102013110722A1 (en) 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasma-ion-based coating process and plasma probe
EP2960684A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-30 Ampass-explorer Corp. Antenna assembly

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD115364A1 (en) * 1975-02-17 1975-09-20
DE3814652A1 (en) * 1987-05-01 1988-11-10 Ulvac Corp DEVICE FOR FORMING A REACTIVE LAYER ON AN OBJECT
DD267262A1 (en) * 1987-12-24 1989-04-26 Hochvakuum Dresden Veb HOLLOW CARDENDER EVAPORATOR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME
EP0334204A2 (en) * 1988-03-23 1989-09-27 Balzers Aktiengesellschaft Process and apparatus for coating articles

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD115364A1 (en) * 1975-02-17 1975-09-20
DE3814652A1 (en) * 1987-05-01 1988-11-10 Ulvac Corp DEVICE FOR FORMING A REACTIVE LAYER ON AN OBJECT
DD267262A1 (en) * 1987-12-24 1989-04-26 Hochvakuum Dresden Veb HOLLOW CARDENDER EVAPORATOR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME
EP0334204A2 (en) * 1988-03-23 1989-09-27 Balzers Aktiengesellschaft Process and apparatus for coating articles

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 1-240646 A. In: Patents Abstracts of Japan, C-667, Dec. 19, 1989, Vol.13/No.575 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4310941B4 (en) * 1992-05-26 2005-12-01 Unaxis Balzers Ag Vacuum treatment chamber - with a low voltage discharge with arcing on treatment chamber walls prevented

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