DE4017776A1 - N-leitendes fe-silicid als thermoelektrisches energiewandlermaterial - Google Patents

N-leitendes fe-silicid als thermoelektrisches energiewandlermaterial

Info

Publication number
DE4017776A1
DE4017776A1 DE4017776A DE4017776A DE4017776A1 DE 4017776 A1 DE4017776 A1 DE 4017776A1 DE 4017776 A DE4017776 A DE 4017776A DE 4017776 A DE4017776 A DE 4017776A DE 4017776 A1 DE4017776 A1 DE 4017776A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicide
thermoelectric energy
coefft
opt
thermoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4017776A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4017776C2 (de
Inventor
Masashi Komabayashi
Kenichi Hijikata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Metal Corp filed Critical Mitsubishi Metal Corp
Publication of DE4017776A1 publication Critical patent/DE4017776A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4017776C2 publication Critical patent/DE4017776C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein n-leitendes Fe-Silicid als ther­ moelektrisches Energiewandlermaterial zur Verwendung in einer thermoelektrischen Energiewandlervorrichtung, wie einem thermo­ elektrischen Generator, der Wärmeenergie direkt in elektrische Energie umwandelt, einer thermoelektrischen Kühlvorrichtung, welche nur durch Anlagen eines elektrischen Stroms ein Kühlen oder Erwärmen bewirken kann, und anderen verschiedenen Wärme­ sensoren, welche thermoelektrische Energiewandlung verwenden.
Wie allgemein bekannt, sollte ein thermoelektrisches Ener­ giewandlermaterial möglichst einen hohen Seebeck-Koeffizienten S (µV/°C) aufweisen, um thermisch eine große elektromotorische Kraft zu erzeugen oder einen hohen Kühleffekt zu zeigen, einen kleinen spezifischen Widerstand ρ aufweisen, um die Erzeugung von Joule′scher Wärme möglichst gering zu halten, und auch eine kleine Wärmeleitfähigkeit k aufweisen, um eine große Temperatur­ differenz über das Material hinweg zu erhalten.
Es ist auch bekannt, daß Fe-Silicid (hiernach als "FeSi2" bezeichnet) wegen seines hohen Seebeck-Koeffizienten ein viel­ versprechendes thermoelektrisches Energiewandlermaterial ist. Jedoch hat FeSi2 einen verhältnismäßig hohen spezifischen Wider­ stand ρ in der Größenordnung von einigen Ωcm und daher einen zu geringen maximalen Generator-Wirkungsgrad zur Verwendung als ein thermoelektrisches Energiewandlermaterial und auch einen zu geringen Rauschabstand (im allgemeinen als "S/N - Verhältnis" - signal-to-noise ratio bezeichnet) zur Verwendung als ein Wärme­ sensor.
Man hat daher mehrfach versucht, FeSi2 mit einem niedrigem spezifischen Widerstand zu erhalten, unter anderem durch ein Verfahren, bei dem ein Teil des Fe im FeSi2 durch Co ersetzt wird, und ein Verfahren, wodurch ein Teil der FeSi2 in Form einer metallischen Phase gebildet wird.
Bei dem letztgenannten Verfahren wird ein Teil des FeSi2 in Form einer metallischen Phase, wie FeSi oder Fe2Si5 mit einem geringeren elektrischen Widerstand als die anderen Teile des FeSi2 gebildet, indem man die Herstellungsbedingungen entspre­ chend wählt. Jedoch hat die metallische Phase einen niedrigeren Seebeck-Koeffizienten von einigen µV/°C, und dementsprechend kann das gesamte FeSi2-Material keine befriedigenden thermo­ elektrischen Energiewandlereigenschaften erreichen.
Bei dem erstgenannten Verfahren bildet das erhaltene FeSi2, nachdem ein Teil davon durch Co substituiert ist, einen n-Halb­ leiter und hat einen Seebeck-Koeffizienten S von -100 bis -200 µV/°C und einen spezifischen Widerstand ρ von 5 - 10 mΩ·cm. Um jedoch eine wirksamere thermoelektrische Erzeugung von elektri­ scher Energie zu erhalten, ist es erwünscht, daß das thermoelek­ trische Energiewandlermaterial einen größeren Seebeck-Koeffi­ zienten hat (genau gesagt einen höheren Seebeck-Koeffizienten als Absolutwert, da der Seebeck-Koeffizient eines n-Halbleiters als ein negativer Wert angegeben wird), und auch erwünscht, daß es einen niedrigeren spezifischen Widerstand als die jeweiligen oben angegebenen Werte hat.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandlermaterial zu schaffen, das ausgezeichnete thermoelektrische Energiewandler­ eigenschaften hat, besonders einen großen Seebeck-Koeffizienten und einen geringen spezifischen Widerstand, so daß es vollkommen brauchbar ist zur Verwendung in einem thermoelektrischen Ener­ giewandler, wie einem thermoelektrischen Generator, einer thermoelektrischen Kühlvorrichtung und anderen Wärmesensoren.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß erfüllt durch ein n-leitendes Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandler­ material, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Teil des Fe im Fe-Silicid durch wenigstens ein Element aus der Gruppe Pt, Pd und Ni ersetzt wird (dieses wenigstens eine Element wird hiernach als "M" bezeichnet).
Die chemische Formel dieses Fe-Silicids ist Fe1-xMxSi2, worin x im Bereich von 0,01-0,06 liegt.
Stattdessen kann auch ein Teil des Fe im Fe-Silicid durch wenigstens ein Element aus der Gruppe Pt, Pd und Ni (wobei dieses wenigstens ein Element hiernach als "M" bezeichnet ist) und Co ersetzt werden. In diesem Fall ist die chemische Formel des Fe-Silicids Fe1-x(M + Co)xSi2, worin x in einem Bereich von 0,01-0,06 liegt.
Bei beiden Ausführungsformen der Erfindung liegt der Wert von x vorteilhafterweise in einem Bereich vom 0,03-0,06.
Die Erfindung wird mit weiteren Einzelheiten und Vorteilen durch die folgende Beschreibung erläutert.
Von den erwähnten Gegebenheiten ausgehend haben die Erfinder Untersuchungen durchgeführt, um ein wirksames Element zu finden, das anstelle von Co einen Teil des Fe in einem FeSi2-thermoelektrischen Energiewandlermaterial ersetzen kann, und haben dabei folgendes gefunden:
Wenn ein Teil des Fe in FeSi2 durch eines oder mehrere der Elemente Pt, Pd und Ni (dieses eine Element oder mehrere Ele­ mente werden hiernach einfach als "M" bezeichnet) ersetzt wird, oder wenn ein Teil des Fe in FeSi2 durch sowohl M als auch Co ersetzt wird, zeigt das erhaltene n-leitende Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandlermaterial wesentlich bessere thermoelektrische Energiewandlereigenschaften als ein übliches n-leitendes Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandler­ material, das erhalten wurde, indem man einen Teil seines Fe durch nur Co ersetzt.
Die Erfindung beruht auf diesen Erkenntnissen.
Ein erfindungsgemäßes n-leitendes Fe-Silicid als thermo­ elektrisches Energiewandlermaterial wird gebildet von einem Fe-Silicid, worin M einen Teil des Fe im FeSi2 ersetzt, und entspricht daher chemisch der Formel Fe1-xMxSi2, worin x die Menge des substituierten Fe im Fe-Silicid angibt. Die Substi­ tutionsmenge x sollte zweckmäßigerweise im Bereich vom 0,01 - 0,06 liegen.
Stattdessen kann das erfindungsgemäße n-leitende Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandlermaterial auch aus einem Fe-Silicid gebildet sein, worin ein Teil des Fe im FeSi2 durch sowohl M als auch Co substituiert ist, und das daher der chemi­ schen Formel Fe1-x(M + Co)xSi2 entspricht. Auch in diesem Fall sollte der Substitutionsfaktor x zweckmäßigerweise in einem Bereich vom 0,01-0,06 liegen.
Für beide erfindungsgemäße thermoelektrische Energie­ wandlermaterialien gilt: Wenn der Substitutionsfaktor x kleiner als 0,01 ist, kann der spezifische Widerstand nicht in einem befriedigenden Ausmaß herabgesetzt werden, während wenn er über 0,06 liegt, nimmt der Seebeck-Koeffizient S ab. In dem einen und anderen Fall zeigt das erhaltene thermoelektrische Energie­ wandlermaterial eine schlechtere thermoelektrische Energie­ wandlung. Daher wurde der Substitutionsfaktor x auf den Bereich vom 0,01-0,06 begrenzt. Vorzugsweise sollte er in einem Be­ reich von 0,03-0,06 liegen.
Das erfindungsgemäße n-leitende Fe-Silicid-thermoelektri­ sche Energiewandlermaterial kann nach einer üblichen bekannten Methode hergestellt werden.
Beispielsweise, wenn das n-leitende Fe-Silicid-thermoelek­ trische Energiewandlermaterial als Masse durch Pulvermetallurgie erhalten werden soll, werden Fe, Si und der Zusatz M als Aus­ gangsmaterialien so gemischt, daß man eine gewünschte bestimmte chemische Zusammensetzung erhält, und die gemischten Materialien werden geschmolzen und zu einem Pulver zerkleinert. Das Pulver wird dann in einer Form gesintert oder heiß gepreßt, um einen Sinterkörper zu erhalten.
Wenn das n-leitende Fe-Silicid als thermoelektrisches Material in Form eines dünnen Films verwendet werden soll, wird ein amorpher Film auf einem aus Glas bestehenden Träger mittels einer Magnetron-Sputter-Methode unter Verwendung eines Targets aus einem Material mit einer gewünschten bestimmten chemischen Zusammensetzung gebildet. Der amorphe Film wird bei einer Temperatur von 500-800°C zu einem kristallinen Fe-Sili­ cid-Film getempert.
Die zwei so erhaltene Fe-Silicide zeigen beide Werte des Seebeck-Koeffizienten S von -200 bis -400 µV/°C und Werte des spezifischen Widerstands ρ von 1-3 mΩ·cm. Das heißt die Werte ihres Seebeck-Koeffizienten sind etwa doppelt so hoch wie die eines Fe-Silicids, in dem nur Co einen Teil des Fe ersetzt, und die Werte des spezifischen Widerstands sind etwa nur ein Drittel so hoch wie beim letztgenannten Material, so daß die erfindungs­ gemäßen Materialien hinsichtlich ihrer thermoelektrischen Ener­ giewandlereigenschaften weit überlegen sind.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung:
Beispiel 1
Schmelzmaterialien von Fe, Si, Ni, Pt, Pd und Co wurden hergestellt und gemischt, um bestimmte chemische Zusammen­ setzungen zu erhalten. Die gemischten Schmelzmaterialien wurden in einen Tiegel aus Aluminiumoxid gegeben und darin unter Vakuum bei einer Temperatur von 1250°C zu Barren mit jeweils verschie­ denen chemischen Zusammensetzungen geschmolzen. Diese Barren wurden jeder in einem Backenbrecher zerkleinert und dann 8 Stunden lang in einer aus Eisen bestehenden Kugelmühle zu einem Pulver mit einer mittleren Teilchengröße von 4 µm pulverisiert. Die so erhaltenen Pulver wurden bei einer Temperatur von 1000°C und unter einem Druck von 147 bar heiß gepreßt, um die erfin­ dungsgemäßen Sinterkörper Nr. 1-20, die Vergleichs-Sinter­ körper Nr. 1-5 und einen üblichen Sinterkörper mit den jeweils in Tabelle 1 angegebenen chemischen Zusammensetzungen zu erhal­ ten. Der spezifische Widerstand p (mΩ·cm) und der Seebeck-Koef­ fizient S (µV/°C) bei Raumtemperatur wurden an diesen Sinter­ körpern gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
Beispiel 2
Die gleichen Pulver mit jeweils verschiedenen chemischen Zusammensetzungen wie in Beispiel 1 hergestellt wurden unter genau den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 heiß gepreßt, um scheibenförmige Targets mit jeweils einer Größe von 125 mm Durchmesser und 5 mm Dicke mit jeweils verschiedenen chemischen Zusammensetzungen zu erhalten, wie in Tabelle 2 angegeben, wobei diese Zusammensetzungen genau identisch mit denen der im Bei­ spiel 1 erhaltenen Sinterkörper sind.
Unter Verwendung dieser scheibenförmigen Targets wurden amorphe Filme von jeweils einer Dicke von 1,2 µm auf aus Glas bestehenden Trägern mittels HF-Magnetron-Sputtering gebildet. Die amorphen Filme wurden in einer Argon-Atmosphäre bei einer Temperatur von 650°C 30 Minuten getempert und kristallisiert, um die erfindungsgemäßen kristallinen Filme Nr. 21-40, die kristallinen Vergleichs-Filme Nr. 6-10 und einen üblichen kristallinen Film zu erhalten, welche in Tabelle 2 angegeben sind. Die chemischen Zusammensetzungen dieser kristallinen Filme wurden mit einem Röntgenstrahl-Mikroanalysator analysiert, und die Ergebnisse sind in Tabelle 2 angegeben. Weiter wurden der spezifische Widerstand ρ (mΩ·cm) und der Seebeck-Koeffizient S (µV/°C) der kristallinen Filme gemessen, und die Ergebnisse sind auch in Tabelle 2 angegeben.
Aus den in Tabelle 1 und 2 aufgeführten Ergebnissen ist ersichtlich, daß alle erfindungsgemäßen Sinterkörper Nr. 1-20 und kristallinen Filme Nr. 21-40, die jeweils eine chemische Zusammensetzung Fe1-xMxSi2, worin ein Teil des Fe durch M er­ setzt ist, oder Fe1-x(M + Co)xSi2 haben, worin ein Teil des Fe durch M und Co ersetzt ist und wobei x jeweils erfindungsgemäß in einem Bereich von 0,01-0,06 liegt, Werte des spezifischen Widerstands ρ von 4,5 mΩ·cm und darunter und Werte des Seebeck- Koeffizienten S in einem Bereich von -200 bis -410 µV/°C zeigen. Andererseits zeigen die Vergleichs-Sinterkörper Nr. 1-5, der übliche Sinterkörper, kristalline Vergleichsfilme Nr. 6-10 und der übliche kristalline Film, worin jeweils ein Teil des Fe durch nur M oder nur Co ersetzt ist, wobei x außerhalb des Bereichs von 0,01-0,06 liegt (in den Tabellen 1 und 2 liegen jeweils die mit einem Stern versehenen Substitutionsbeträge x außerhalb des Bereichs der Erfindung) Werte des spezifischen Widerstands ρ von über 4,5 mΩ·cm und/oder Werte des Seebeck- Koeffizienten unter -200 µV/°C, was bedeutet, daß sie hinsicht­ lich ihrer thermoelektrischen Energiewandlereigenschaften den erfindungsgemäßen Proben weit unterlegen sind.
Tabelle 1
Tabelle 2

Claims (6)

1. Ein n-leitendes Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandlermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß im Fe-Silicid ein Teil des Fe durch wenigstens ein Element aus der Gruppe Pt, Pd und Ni (wobei dieses wenigstens eine Element dieser Gruppe auch als "M" bezeichnet ist) ersetzt ist.
2. Ein n-leitendes Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandlermaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Fe-Silicid der chemischen Formel Fe1-xMxSi2 entspricht, worin x eine Zahl im Bereich von 0,01-0,06 ist.
3. Ein n- leitendes Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandlermaterial nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß x eine Zahl im Bereich von 0,03-0,06 ist.
4. Ein n-leitendes Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandlermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß im Fe-Silicid ein Teil des Fe durch wenigstens ein Element der Gruppe Pt, Pd und Ni (wobei dieses wenigstens eine Element auch als "M" bezeichnet wird) und Co ersetzt ist.
5. Ein n-leitendes Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandlermaterial nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Fe-Silicid der chemischen Formel Fe1-x(M + Co)xSi2 entspricht, worin x eine Zahl im Bereich von 0,01-0,06 ist.
6. Ein n-leitendes Fe-Silicid als thermoelektrisches Energiewandlermaterial nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß x eine Zahl im Bereich von 0,03-0,06 ist.
DE4017776A 1989-06-02 1990-06-01 Thermoelektrisches Energiewandlermaterial aus n-leitendem Fe-Silicid Expired - Fee Related DE4017776C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1140673A JPH038707A (ja) 1989-06-02 1989-06-02 ｎ型Ｆｅ珪化物熱電変換材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4017776A1 true DE4017776A1 (de) 1990-12-06
DE4017776C2 DE4017776C2 (de) 1995-01-12

Family

ID=15274097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4017776A Expired - Fee Related DE4017776C2 (de) 1989-06-02 1990-06-01 Thermoelektrisches Energiewandlermaterial aus n-leitendem Fe-Silicid

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH038707A (de)
DE (1) DE4017776C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0573961A2 (de) * 1992-06-09 1993-12-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermoelektrisches Material und dieses Material anwendender Sensor

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992013811A1 (en) * 1991-01-30 1992-08-20 Idemitsu Petrochemical Company Limited Method for manufacturing thermoelectric element
JPH0745869A (ja) * 1993-07-30 1995-02-14 Nissan Motor Co Ltd ｎ型熱電材料
US6506321B1 (en) 1997-10-24 2003-01-14 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Silicon based conductive material and process for production thereof
JP5318967B2 (ja) 2009-12-21 2013-10-16 東芝三菱電機産業システム株式会社 エアギャップ測定装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT264623B (de) * 1963-12-03 1968-09-10 Plessey Uk Ltd Thermoelektrische Halbleitereinrichtung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58190815A (ja) * 1982-04-30 1983-11-07 Futaba Corp 遷移元素けい化物非晶質膜

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT264623B (de) * 1963-12-03 1968-09-10 Plessey Uk Ltd Thermoelektrische Halbleitereinrichtung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0573961A2 (de) * 1992-06-09 1993-12-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermoelektrisches Material und dieses Material anwendender Sensor
EP0573961A3 (de) * 1992-06-09 1994-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd
US5507879A (en) * 1992-06-09 1996-04-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sensor utilizing thermoelectric material and method for manufacture thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPH038707A (ja) 1991-01-16
DE4017776C2 (de) 1995-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006057750B4 (de) Thermoelektrisches Material und thermoelektrische Umwandlungsvorrichtung unter Verwendung desselben
DE2006714C3 (de) Elektrisch leitfähige, wismuthaltige Oxide
DE102013103896B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Gegenstands für eine thermoelektrische Umwandlungsvorrichtung
DE112006001628B4 (de) Ferromagnetische Formgedächtnislegierung und deren Anwendung
DE69823042T2 (de) Varistoren auf basis von durch mechanische zerkleinerung hergestellten nanokristallpulvern
WO2009133049A1 (de) Verfahren zur herstellung von metallbasierten materialien für die magnetische kühlung oder wärmepumpen
DE102014114830A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines thermoelektischen Gegenstands für eine thermoelektrische Umwandlungsvorrichtung
EP2250126A2 (de) Dotierte zinntelluride für thermoelektrische anwendungen
DE69017556T2 (de) Thermoelektrisches Fe-Silizid-Konversionsmaterial vom P-Typ.
EP0040391A2 (de) Keramisches Kaltleitermaterial
DE19721649C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Mischkristallpulvers mit geringem spezifischen elektrischen Widerstand
DE4017776A1 (de) N-leitendes fe-silicid als thermoelektrisches energiewandlermaterial
DE69924943T2 (de) Thermoelektrische Materiale und thermoelektrisches Konversionselement
DE112011104153B4 (de) Thermoelektrisches Wandlermaterial vom n-Typ umfassend ein Metallmaterial oder einen Sinterkörper daraus
DE1200400B (de) Thermoelektrische Anordnung
DE102018117553B4 (de) Legierung, gesinterter Gegenstand, thermoelektrisches Modul und Verfahren zum Herstellen eines gesinterten Gegenstands
DE102018101391A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines dispersionsverfestigten Kupferwerkstoffes und dispersionsverfestigter Kupferwerkstoff
DE68904260T2 (de) Verfahren zur herstellung eines pulvers aus supraleitfaehigem oxid auf der basis von wismut, das blei enthaelt, und verfahren zur herstellung eines sinterkoerpers daraus.
DE102008057615B3 (de) Thermoelektrisches Material und Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Materials
DE4208692C2 (de) Thermoelektrisches Kühlmaterial und Verfahren zur Herstellung desselben
DE202009015097U1 (de) Thermoelektrisches Material
DE102014110065A1 (de) Material für ein thermoelektrisches Element und Verfahren zur Herstellung eines Materials für ein thermoelektrisches Element
DE1489277A1 (de) Thermoelektrische Halbleitervorrichtung
DE10392993B4 (de) Thermoelektrisches Material enthaltend Stickstoff
DE4129867C2 (de) Thermoelektrischer Generator auf Halbleiterbasis und Verfahren zur Herstellung eines solchen Generators

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: MITSUBISHI MATERIALS CORP., TOKIO/TOKYO, JP

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee