DE3927734A1 - Gleichrichterschaltung - Google Patents

Gleichrichterschaltung

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Description

Die Erfindung geht aus von einer Gleichrichterschaltung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Schottky-Dioden oder sonstige Dioden mit kleiner Flußspannung werden insbesondere in Gleichrichterschaltungen eingesetzt, da sie im durchgeschalteten Zustand eine kleine Verlustleistung aufweisen. Nachteilig ist z.B. bei Schottky-Dioden der relativ hohe Sperrstrom. Aus der DE 36 05 417 C1 ist es bekannt, einer Schottky- oder sonstigen Diode mit kleiner Flußspannung einen Halbleiterschalter in Serie zu schalten, wobei dieser Halbleiterschalter für die Zeit, während der Sperrspannung an der Schottky-Diode, bzw. sonstigen Diode mit kleiner Flußspannung anliegt, gesperrt wird. Die Steuerung des Feldeffekttransistors erfolgt dort über eine Hilfswicklung auf der Speicherinduktivität eines Gleichspannungswandlers.
Aufgabe der Erfindung ist es, ausgehend vom Oberbegriff des Patentanspruchs 1, eine Gleichrichterschaltung anzugeben, die zusätzlich auch für hohe Sperrspannungen geeignet ist und einfach realisiert werden kann.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der Patentansprüche 1 oder 2 gelöst. Die Unteransprüche zeigen vorteilhafte Ausgestaltungen auf.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 1 ist ohne Zusatzaufwand einfach realisierbar. Die Steuerung des Halbleiterschalters erfolgt selbsttätig durch Anbindung der Steuerelektrode des Halbleiterschalters an eine Klemme der Wechselspannungsquelle, deren Ausgangssignal gleichgerichtet werden soll.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 2 gestattet es, die Ausgangsspannung der Gleichrichterschaltung kleiner zu wählen als die notwendige Steuerspannung für den Halbleiterschalter.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 3 verhindert, daß die Spannung zwischen einer Hauptelektrode und der Steuerelektrode des Halbleiterschalters nicht zu stark negativ wird und so den Halbleiterschalter, insbesondere wenn er als Feldeffekttransistor ausgebildet ist, zerstören kann.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 4 verringert den durch die Schottky-Diode hervorgerufenen Sperrstrom durch den Halbleiterschalter.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 5 gestattet ein sehr schnelles Umladen der Gate-Kapazitäten beim Abschalten für den Fall daß der Halbleiterschalter aus einem Feldeffekttransistor besteht. Dieses schnelle Umladen der Gate-Kapazitäten bewirkt ein schnelles und verlustarmes Abschalten des Halbleiterschalters insbesondere bei hochohmigen Wechselspannungsquellen.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 6 bietet den Vorteil, eine evtl. schon vorhandene, brauchbare Hilfsspannungsquelle zu nutzen.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 7 schützt den weiteren Halbleiterschalter vor zu hohen Spannungen zwischen seiner Steuerelektrode und der mit der Steuerelektrode des Halbleiterschalters verbundenen Hauptelektrode.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 8 erspart die Bereitstellung einer zusätzlichen Spannungsquelle, indem die Umladeenergie der Gate-Kapazitäten des als Feldeffekttransistor ausgebildeten Halbleiterschalters sinnvoll genutzt werden.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 9 stellt eventuell notwendige Zusatzenergie für die aus der Parallelschaltung Zenerdiode - Kondensator gebildete separate Gleichspannungsquelle zur Verfügung.
Die Gleichrichterschaltung nach der Erfindung ist universell verwendbar. Besonders ist sie im Sekundärkreis in den Sekundärkreisen von Schaltreglern wegen ihrer geringen Verlustleistung verwendbar. Für Hochspannungsanwendungen ist sie wegen ihrer schnellen Schaltzeiten bei gleichzeitig kleinen Verlusten vorteilhaft einsetzbar.
Die Erfindung wird anhand einiger Ausführungsbeispiele, die in den Zeichnungen dargestellt sind, erläutert. Es zeigen
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild einer Gleichrichterschaltung nach der Erfindung,
Fig. 2 ein bezüglich Fig. 1 modifiziertes Prinzipschaltbild mit einem steuerbaren Halbleiterschalter von unterschiedlichem Leitfähigkeitstyp,
Fig. 3 ein bezüglich Fig. 1 modifiziertes Prinzipschaltbild, wobei Schottky-Diode und steuerbarer Halbleiterschalter in unterschiedlichen Verbraucherleitungen angeordnet sind,
Fig. 4 ein bezüglich Fig. 3 modifiziertes Prinzipschaltbild mit einem steuerbaren Halbleiterschalter von unterschiedlichem Leitfähigkeitstyp,
Fig. 5 ein Prinzipschaltbild einer Gleichrichterschaltung mit einer separaten Gleichspannungsquelle zur Steuerung des Halbleiterschalters,
Fig. 6 den Arbeitsbereich des steuerbaren Halbleiterschalters für eine erste Bedingung bezüglich des Sperrstromes,
Fig. 7 den Arbeitsbereich des steuerbaren Halbleiterschalters für eine zweite Bedingung bezüglich des Sperrstromes,
Fig. 8 ein Prinzipschaltbild einer Gleichrichterschaltung, wobei die separate Gleichspannungsquelle aus einer Zenerdiode und einem Speicherkondensator besteht,
Fig. 9 ein Prinzipschaltbild nach Fig. 8 mit zusätzlichen Mitteln zur Aufstockung der Energie des Speicherkondensators,
Fig. 10 ein Prinzipschaltbild einer Gleichrichterschaltung mit zusätzlichen Mitteln zum schnellen Umladen des als Feldeffekttransistor ausgebildeten steuerbaren Halbleiterschalters,
Fig. 11 ein bezüglich Fig. 10 modifiziertes Prinzipschaltbild einer Gleichrichterschaltung.
Das in Fig. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel für eine Gleichrichterschaltung nach der Erfindung umfaßt eine Wechselspannungsquelle WQ, hier beispielhaft als die Sekundärwicklung einer Schaltreglerdrossel DR dargestellt. Die über diese Sekundärwicklung abfallende Wechselspannung UW soll gleichgerichtet werden, um den angeschlossenen Verbraucher RL mit Gleichspannung zu versorgen. Der Verbraucherstromkreis ist mit der in Fig. 1 eingezeichneten Polarität der Wechselspannung UW über die in der Rückleitung befindlichen Schottky-Diode oder einer sonstigen Diode mit kleiner Flußspannung D1 sowie über die Schaltstrecke eines in Serie zur Diode D1 geschalteten steuerbaren Halbleiterschalters F geschlossen. Der steuerbare Halbleiterschalter F ist hier als Feldeffekttransistor ausgebildet. Damit der Feldeffekttransistor F überhaupt leitend werden kann und ein Verbraucherstrom i1 fließen kann, muß er zuvor leitend gesteuert werden. Bei leitendem Feldeffekttransistor F gilt für den Spannungsabfall der Anordnung im Leitendzustand:
Δ U = RDSon · i1 + uD1.
Hierin ist RDSon der Bahnwiderstand des Feldeffekttransistors im Leitendzustand und UD1 der Spannungsabfall an der Schottky-Diode D1 im Leitendzustand. Zur Leitendsteuerung des Feldeffekttransistors F ist seine Steuerelektrode (Gate) an jene Elektrode der Wechselspannungsquelle WQ angeschlossen, die nicht in der Verbindungsleitung der Wechselspannungsquelle WQ mit einer seiner Hauptelektroden - hier Drain - liegt. Der Feldeffekttransistor F steuert sich bei der eingezeichneten Polarität für die Wechselspannung UW selbsttätig leitend dadurch, daß ein Strom i1′ von der Elektrode mit positivem Potential über die Gate-Kapazitäten CG des Feldeffekttransistors F und die parasitäre interne Source- Drain Diode oder eine die Source- und Drainelektrode überbrückende externe Diode zurück zur Wechselspannungsquelle WQ - Elektrode mit negativem Potential - fließt. Symbolisch ist sowohl die parasitäre Diode als auch eine eventuell extern vorgesehene Diode mit dem Bezugszeichen D2 dargestellt. Ebenso steht die Kapazität CG symbolisch für alle am Gate wirksamen Kapazitäten. Der Strom il′ fließt so lange, bis die Gate- Kapazitäten CG des Feldeffekttransistors auf die Threshold- Spannung aufgeladen sind Der Feldeffekttransistor F beginnt zu leiten und der Verbraucherstrom i1 beginnt zu fließen. Bei einer weiteren Aufladung der Gate-Kapazitäten CG wird er vollständig leitend.
Wenn die Wechselspannung UW ihre Polarität umkehrt, dies geschieht beispielsweise dadurch, daß der Schalttransistor TS des Schaltreglers eingeschaltet wird - der Schaltregler ist dann als Sperrwandler geschaltet -, fließt über den noch leitenden Feldeffekttransistor F und die Gate- Kapazitäten des Feldeffekttransistors F ein Strom i2′ jedoch in Gegenrichtung zum vorherigen Einschaltstrom i1′. Dadurch werden die Gate-Kapazitäten des Feldeffekttransistors F umgeladen. Ist dieser Umladevorgang beendet, sperrt der Feldeffekttransistor F und es fließt ein Sperrstrom weiter, der ihn im gesperrten Zustand hält. Dieser Sperrstrom setzt sich zusammen aus dem Drain-Source- Strom iDS in Sperrichtung und dem Sperrstrom über die Schottky-Diode iD1.
In den Fig. 6 und 7 sind die Arbeitsbereiche des Feldeffekttransistors F im Sperrzustand für verschiedene Bedingungen bezüglich des Sperrstromes dargestellt. Im Falle;
iDS < iD1
liegt der Arbeitspunkt uGS1 bei
iDS1 = iD1 (Sperren)
im positiven Bereich von uGS (Fig. 6).
Im Falle:
iDS < iD1
liegt der Arbeitspunkt uGS1 so weit im negativen Bereich von uGS (Fig. 7), bis entweder
iDS1 = iD1 (Sperren)
oder eine Spannungsbegrenzung über eine zwischen Source und Gate des Feldeffekttransistors F angeordnete weitere Diode D3 eintritt. Der weiteren Diode D3 kann ein Widerstand R1 parallel geschaltet sein. Dieser Widerstand verringert den durch die Schottky-Diode D1 hervorgerufenen Sperrstrom durch den Feldeffekttransistor F. Voraussetzung für obige Beziehungen ist, daß das Gate auf festem Potential gehalten wird. Der Strom iDS kann auch der Gateausräumstrom während des Schaltvorgangs des Feldeffekttransistor F sein, ebenso der Strom iD1 der Ausräumstrom der Schottky-Diode D1.
Für die Ausgangsspannung Ua, d.h. die am Glättungskondensator CL bzw. am Verbraucher RL abfallende Spannung, gilt:
UGS, min Ua UGS, max,
um den Feldeffekttransistor F leitend zu steuern und für die maximale Sperrspannung der Anordnung:
Usperr UDS max + Ua.
Die Ausführungsbeispiele gemäß den Fig. 2 bis 4 zeigen bezüglich der Ausführung nach Fig. 1 modifizierte Gleichrichterschaltungen, deren Funktionen aber mit denen der Gleichrichterschaltung nach Fig. 1 im wesentlichen übereinstimmen. Abweichend bezüglich Fig. 1 sind in Fig. 2 der Feldeffekttransistor F und die Schottky-Diode Dl nicht in der Rückleitung, sondern in der Hinleitung zwischen Wechselspannungsquelle WQ und Verbraucher RL angeordnet. Der Feldeffekttransistor F ist abweichend vom Feldeffekttransistor nach Fig. 1 vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp (p-Kanal FET statt n-Kanal FET). Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 sind Feldeffekttransistor F und Schottky-Diode D1 nicht direkt in Serie geschaltet, sondern mittelbar über die Wechselspannungsquelle WQ. Die Schottky-Diode D1 liegt in der Hinleitung und der Feldeffekttransistor F (n-Kanal FET) in der Rückleitung. Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 sind Feldeffekttransistor F und Schottky-Diode D1 ebenfalls mittelbar über die Wechselspannungsquelle WQ in Serie geschaltet, jedoch jetzt abweichend der Feldeffekttransistor F (p-Kanal FET) in der Hinleitung und die Schottky-Diode D1 in der Rückleitung.
Die nachfolgenden Ausgestaltungen sind nur anhand der Fig. 1 erläutert. Sie lassen sich natürlich entsprechend bei den Ausführungsbeispielen nach den Fig. 2 bis 4 anwenden.
Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 ist das Gate des Feldeffekttransistors F im Gegensatz zum Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 nicht an eine Elektrode der Wechselspannungsquelle WQ angeschlossen, sondern es ist eine separate Gleichspannungsquelle GQ vorgesehen, die einerseits an das Gate des Feldeffekttransistors F und andererseits an eine der beiden Ausgangsklemmen der Gleichrichterschaltung geschaltet ist, hier jene Ausgangsklemme der Gleichrichterschaltung, die mit der Anordnung der Schottky-Diode D1 verbunden ist.
Für diesen Fall gilt:
Ua unabhängig von der notwendigen Steuerspannung für den Feldeffekttransistor F und
Usperr UDSmax + UGSon.
Die Gate-Source Spannung UGSon zum Durchschalten des Feldeffekttransistors F wird bei diesem Ausführungsbeispiel von der Gleichspannungsquelle GQ zur Verfügung gestellt.
Wie Fig. 8 zeigt, kann diese separate Gleichspannungsquelle CQ durch die Parallelschaltung einer Zenerdiode ZDl mit einem Speicherkondensator Cl realisiert werden. Die Funktion dieser Schaltung ist folgendermaßen:
Beim Sperren ist - wie in Verbindung mit Fig. 1 beschrieben - der Feldeffekttransistor F noch leitend. Die Spannung uD1 an der Schottky-Diode D1 steigt an bis zu einem Maximum, welches sich dadurch bestimmt, daß die weitere Diode D3 leitend wird, d.h.
uD1 uZD1 + uD3,
uZD1 bezeichnet den Spannungsabfall an der Zenerdiode ZD1 und
uD3 die Flußspannung der weiteren Diode D3.
Zuvor fließt jedoch ein Gateumladestrom iGU über die Gatekapazitäten CG des Feldeffekttransistors F auf die Zenerdiode ZD1.
Für den Spannungsabfall uZD1 an der Zenerdiode ZD1 gilt:
uTHRF < uZD1 uGSmax,
wobei uTHRF die Threshold-Spannung des Feldeffekttransistors F bezeichnet. Alternativ zum in Fig. 8 mit durchgezogenen Linien dargestellten Stromlauf, bei dem die Parallelschaltung aus Zenerdiode ZD1 und Speicherkondensator C1 an jener Ausgangsklemme der Gleichrichterschaltung angebunden ist, die zur Anode der Schottky-Diode führt, kann die Parallelschaltung aus Zenerdiode ZD1 und Speicherkondensator C1 auch an der anderen Ausgangsklemme angeschlossen sein (in Fig. 8 gestrichelt dargestellt).
Beim Ausführungsbeispiel mit durchgezogenen Linien gilt:
Ua unabhängig von der notwendigen Steuerspannung für den Feldeffekttransistor F,
wobei uZD1 < UGS max
und beim Alternativ-Ausführungsbeispiel (gestrichelt):
Ua < UGS max,
wobei uZD1 < UGS max-Ua.
Der Ersatz der Gleichspannungsquelle GQ durch die Parallelschaltung aus Zenerdiode ZD1 und Speicherkondensator C1 nach Fig. 8 funktioniert, wenn die Schottky-Diode D1 nicht zuviel Strom abzieht, d.h.
iDS < iD1 incl. Schaltströmen.
Ist dies nicht der Fall, muß der Strom durch die Zenerdiode ZD1 noch aufgestockt werden. Ein Beispiel für eine solche Aufstockung ist in Fig. 9 dargestellt. Dort ist ein zusätzlicher Strompfad in Form des Widerstandes R2 zwischen der Parallelschaltung aus Zenerdiode ZD1 und Speicherkondensator C1 einerseits und der Wechselspannungsquelle WQ andererseits vorgesehen. Die Zusatzenergie für den Speicherkondensator C1 wird hier also von der Wechselspannungsquelle WQ geliefert. Sie kann auch alternativ hierzu von einer Gleichspannungshilfsquelle HQ über einen Widerstand R3 entnommen werden (in Fig. 9 gestrichelt dargestellt) oder als weitere Alternative (in Fig. 9 strichpunktiert) über die Serienschaltung aus Diode D5 und Widerstand R4 aus der Wechselspannungsquelle WQ.
Um die Gate-Kapazitäten CG des Feldeffekttransistors F schneller umladen zu können, ist in einer Ausgestaltung nach Fig. 10 ein zusätzlicher Halbleiterschalter - Transistor T1 - zwischen Gate und der von der Wechselspannungsquelle WQ abgewandten Hauptelektrode - hier Source - des Feldeffekttransistors F vorgesehen. Die Schaltstrecke dieses Transistors T1 - Emitter-Kollektor- Strecke - liegt über der Gate-Source-Strecke des Feldeffekttransistors F. Die Basis des Transistors T1 ist an die separate Gleichspannungsquelle GQ bzw. an die Parallelschaltung aus Zenerdiode ZD1 und Speicherkondensator C1 angeschlossen. Beim Abschalten des Feldeffekttransistors F würden ohne Transistor T1 die Gatekapazitäten CG, wie in Verbindung mit Fig. 1 geschildert, langsam umgeladen werden. Da der Transistor T1 beim Abschalten des Feldeffekttransistors F leitend wird - es fließt ein Basisstrom iB über den Feldeffekttransistor F, die Gate-Kapazitäten CG und die Basis-Emitterstrecke des Transistors T1 - werden die Gate-Kapazitäten CG über die Emitter-Kollektorstrecke des Transistors T1 kurzgeschlossen (Strom iK). Diese Maßnahme verkleinert den Ausschaltstrom i2 des Feldeffekttransistors F, da die Gate- Kapazitätenumladung vom Transistor T1 sehr schnell vorgenommen wird. Insbesondere bei einer hochohmigen Wechselspannungsquelle WQ führt dies zu einem schnellen und verlustarmen Abschalten des Feldeffekttransistors F. Eine Schutzdiode D4, die zwischen der Basis des Transistors T1 und dem Gateanschluß des Feldeffekttransistors F in Flußrichtung liegt, schützt die Basis-Emitterstrecke des Transistors T1 und stellt gleichzeitig die Verbindung des Gateanschlusses des Feldeffekttransistors F zur separaten Gleichspannungsquelle GQ, bzw. der Parallelschaltung aus Zenerdiode ZD1 und Speicherkondensator C1, für dessen Steuerung her. Die Funktion der in den vorigen Figuren dargestellten weiteren Diode D3 kann im Ausführungsbeispiel nach Fig. 10 von der Kollektor-Basisdiode des Transistors T1 mitübernommen werden. Der eingeklammerte Widerstand R3 kann zum Schutz des Transistors T1 in die Verbindungsleitung: Kollektor des Transistors T1 zur Katode der Schottky-Diode D1 bzw. Sourceanschluß des Feldeffekttransistors F oder in die Emitter- bzw. Source- Leitung eingefügt werden.
Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 11 ist der Transistor T1 gemäß Fig. 10 durch einen Feldeffekttransistor F1 ersetzt. Die Schutzdiode D4 nach Fig. 10 ist dann durch eine Zenerdiode ZD4 zu ersetzen als Schutz des Feldeffekttransistors F1 vor zu hoher Gate-Source-Spannung.
Wenn die Funktion der weiteren Diode D3 durch die Drain- Source-Diode des Feldeffekttransistors F1 erbracht wird, ist zu beachten, daß die Sperrspannung uD1 der Schottky- Diode D1 um den Spannungsabfall uZD4 an der Zenerdiode ZD4 größer ist.

Claims (9)

1. Gleichrichterschaltung mit einer Schottky-Diode oder einer sonstigen Diode mit kleiner Flußspannung, welcher zur Verringerung der Gleichrichterverlustleistung ein steuerbarer Halbleiterschalter direkt in Serie oder über eine Wechselspannungsquelle, deren Ausgangssignal gleichgerichtet werden soll, in Serie geschaltet ist, wobei der Halbleiterschalter eine parasitäre Diode oder eine seine Hauptelektroden überbrückende externe Diode aufweist und wobei der Halbleiterschalter so angeordnet ist, daß die parasitäre oder externe Diode die gleiche Flußrichtung wie die Schottky- oder sonstige Diode aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode des Halbleiterschalters (F) an jene Elektrode der Wechselspannungsquelle (WQ) angeschlossen ist, die nicht in der Verbindungsleitung der Wechselspannungsquelle (WQ) mit einer Hauptelektrode des Halbleiterschalters (F) liegt.
2. Gleichrichterschaltung mit einer Schottky-Diode oder einer sonstigen Diode mit kleiner Flußspannung, welcher zur Verringerung der Gleichrichterverlustleistung ein steuerbarer Halbleiterschalter direkt in Serie oder über eine Wechselspannungsquelle, deren Ausgangssignal gleichgerichtet werden soll, in Serie geschaltet ist, wobei der Halbleiterschalter eine parasitäre Diode oder eine seine Hauptelektroden überbrückende externe Diode aufweist und wobei der Halbleiterschalter so angeordnet ist, daß die parasitäre oder externe Diode die gleiche Flußrichtung wie die Schottky- oder sonstige Diode aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß eine separate Gleichspannungsquelle (GQ) zwischen der Steuerelektrode des Halbleiterschalters (F) und einer der beiden Ausgangsklemmen der Gleichrichterschaltung vorgesehen ist.
3. Gleichrichterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere Diode (D3) zwischen der Steuerelektrode und jener Hauptelektrode des Halbleiterschalters (F) vorgesehen ist, die von der Wechselspannungsquelle (WQ) abgewandt ist und daß diese weitere Diode (D3) so geschaltet ist, daß sie die gleiche Flußrichtung wie die Schottky- oder sonstige Diode (D1) aufweist.
4. Gleichrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der weiteren Diode (D3) ein Widerstand (Rl) parallel geschaltet ist.
5. Gleichrichterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterschalter (F) aus einem Feldeffekttransistor besteht, daß ein zusätzlicher Halbleiterschalter (T1, F1) zwischen der Gateelektrode und jener Hauptelektrode des Feldeffekttransistors (F) angeordnet ist, die von der Wechselspannungsquelle (WQ) abgewandt ist, daß dieser zusätzliche Halbleiterschalter (T1, F1) derart steuerbar ist, daß beim Ausschalten des Feldeffekttransistors (F) ein schnelles Umladen seiner Gate-Kapazitäten erfolgen kann.
6. Gleichrichterschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode des zusätzlichen Halbleiterschalters (T1) an die separate Gleichspannungsquelle (GQ) angeschlossen ist.
7. Gleichrichterschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schutzdiode (D4) vorgesehen ist, die zwischen der Steuerelektrode des zusätzlichen Halbleiterschalters (T1) und dem Gateanschluß des Feldeffekttransistors (F) in Flußrichtung liegt.
8. Gleichrichterschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die separate Gleichspannungsquelle (GQ) durch die Parallelschaltung einer Zenerdiode (ZD1) mit einem Speicherkondensator (C1) realisiert ist.
9. Gleichrichterschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusätzlicher Strompfad (R2, D5; R6, HQ) zwischen der Parallelschaltung aus Zenerdiode (ZD1) und Speicherkondensator (C1) und der Wechselspannungsquelle (WQ) oder einer Gleichspannungshilfsquelle (HQ) vorgesehen ist.
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