DE3917765C2 - Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung - Google Patents

Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung

Info

Publication number
DE3917765C2
DE3917765C2 DE3917765A DE3917765A DE3917765C2 DE 3917765 C2 DE3917765 C2 DE 3917765C2 DE 3917765 A DE3917765 A DE 3917765A DE 3917765 A DE3917765 A DE 3917765A DE 3917765 C2 DE3917765 C2 DE 3917765C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
disc
shaped
thermal expansion
shaped bodies
disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE3917765A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3917765A1 (de
Inventor
Reinhold Dr Kuhnert
Herbert Dr Schwarzbauer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE3917765A priority Critical patent/DE3917765C2/de
Publication of DE3917765A1 publication Critical patent/DE3917765A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3917765C2 publication Critical patent/DE3917765C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/16—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating with interposition of special material to facilitate connection of the parts, e.g. material for absorbing or producing gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/8382—Diffusion bonding
    • H01L2224/8383—Solid-solid interdiffusion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedli­ cher thermischer Ausdehnungskoeffizienten nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und dessen Verwendung.
Ein Verfahren dieser Art, das zum Befestigen von Halbleiter­ bauelementen auf metallischen Substraten dient und als Diffu­ sionsschweißverfahren bezeichnet wird, ist in der DE 33 25 355 A1 beschrieben. Ein anderes Verfahren dieser Art, das unter der Bezeichnung "Drucksinterverfahren" bekannt ge­ worden ist, ist dem US-A-4 810 672 zu entnehmen. Es kann bei­ spielsweise dazu verwendet werden, um elektronische Bauelemen­ te, insbesondere großflächige Leistungshalbleiter, mit metal­ lischen Substraten zu verbinden. Darüberhinaus werden Ver­ fahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 ganz all­ gemein dazu verwendet, um zwei scheibenförmige Körper aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffi­ zienten, z. B. aus zwei unterschiedlichen metallischen Werk­ stoffen, miteinander zu verbinden. Solche Verfahren führen zwar zu sehr dauerhaften Verbindungen, weisen jedoch generell den Nachteil auf, daß die bei der erforderlichen Verbindungs­ temperatur miteinander verbundenen scheibenförmigen Körper beim Abkühlen infolge der unterschiedlichen Wärmeausdehnungs­ koeffizienten in einen Spannungszustand geraten, der zu Ver­ wölbungen führt. Dieser Nachteil tritt um so stärker hervor, je mehr sich die Wärmeausdehnungskoeffizienten voneinander unterscheiden und je größer der Unterschied zwischen der Ver­ bindungstemperatur und der Betriebstemperatur des zusammenge­ fügten Körpers ist. Besonders störend sind die Verwölbungen dann, wenn einer der scheibenförmigen Körper aus einer Halb­ leiterscheibe besteht, die mit oberflächenseitig integrierten MOS-Strukturen versehen ist und mit entsprechenden Metallisie­ rungsstrukturen versehen werden soll. So ist z. B. eine Her­ stellung der Strukturen durch Anwendung von photolithographi­ schen Schritten und Ätztechniken mit Genauigkeiten im Bereich von µm nicht mehr möglich.
Aus der DE 33 27 476 C2, insbesondere Ansprüche 1, 4, Spalte 5, Zeilen 3 bis 24 und Fig. 5, ist ein Verfahren zum Verbinden zweier scheibenförmiger Körper unterschiedlicher Metallwerkstoffe zu einem Kochgeschirr beschrieben, wobei ebenfalls durch beheizte Preßstempel, als Pfannenhalter 30, 32 benannt, von denen einer konkav, der andere konvex ausgebil­ det ist, beide Werkstoffscheiben durch Preßschweißen mitein­ ander fest verbunden werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem dieser Nachteil nicht auftritt. Das wird erfindungsgemäß durch eine Ausbil­ dung nach dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 er­ reicht.
Der mit der Erfindung erzielbare Vorteil liegt insbesondere darin, daß die bei der Verbindungstemperatur eingestellte, durch die Form der Pressenstempel und der Druckstücke vorge­ gebene Krümmung der miteinander zu verbindenden scheibenför­ migen Körper so gewählt werden kann, daß gerade bei einer be­ stimmten, unter der Verbindungstemperatur liegenden Betriebs­ temperatur der spannungsfreie und damit ebene Zustand des aus beiden scheibenförmigen Körpern zusammengesetzten Körpers erreicht wird.
Die Ansprüche 2 bis 4 stellen vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Verfahrens nach der Erfindung dar. Der An­ spruch 5 ist auf eine bevorzugte Anwendung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens gerichtet.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand einer in der Zeichnung dargestellten, zur Durchführung des erfindungsgemäßen Ver­ fahrens geeigneten Anordnung näher erläutert. Dabei zeigt:
Fig. 1 eine Anordnung zum Verbinden zweier scheibenförmiger Körper mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungs­ koeffizienten und
Fig. 2 eine Weiterbildung der Anordnung nach Fig. 1 zum gleichzeitigen Verbinden einer Mehrzahl von scheiben­ förmigen Körpern.
In Fig. 1 sind zwei scheibenförmige Körper 1 und 2 mittels eines Diffusionsschweißverfahrens miteinander zu verbinden, wobei 1 eine Scheibe aus dotiertem Halbleitermaterial, z. B. Silizium, und 2 ein metallisches Substrat, z. B. aus Molybdän oder Wolfram darstellen. Zweckmäßigerweise wird eine Folie 3 oder ein dünnes Blech aus einem plastisch deformierbaren Material, z. B. Al, Ag oder Au, mit einer Foliendicke von z. B. 10 bis 30 µm zwischen die miteinander zu verbindenden Flächen eingelegt. Ist die Folie 3 aus Edelmetall gefertigt, so muß diejenige der beiden miteinander zu verbindenden Flächen, die aus Halbleitermaterial besteht, mit einem als Diffusionssperre wirkenden Überzug, z. B. aus Titan, versehen sein, wobei dieser Überzug mit einer weiteren Schicht abge­ deckt wird, die z. B. aus Au besteht. Nach dem Zusammenle­ gen der Teile 1 bis 3, wobei die Unterseite des Halbleiter­ körpers 1 vorzugsweise noch mit einer Metallscheibe 4 aus Al, abgedeckt wird, um sie vor etwaigen Beschädigungen zu schützen oder um eine Metallisierung der Unterseite der Halbleiter­ scheibe 2 zu erzielen, werden die in dieser Weise gestapelten Teile 1 bis 4 zwischen zwei Pressenstempel 5 und 6 in eine im einzelnen nicht dargestellte, vorzugsweise hydraulische Presse eingebracht. Die Pressenstempel werden beheizt, so daß die Anordnung 1 bis 4 auf eine Verbindungstemperatur gebracht wird, die etwa im Bereich von 230-570°C liegt. Die Pressen­ stempel 5 und 6 werden durch Betätigung der Presse so gegen­ einander bewegt, daß die Teile 1 und 2 mit einem Anpreßdruck von etwa 5000-25000 N/cm² während einiger Minuten zusammen­ gepreßt werden. Hierdurch wird eine Verbindung der Halblei­ terscheibe 1 und des Substrats 2 erreicht, die einen sehr geringen elektrischen und thermischen Übergangswiderstand, einen sehr hohen Homogenitätsgrad und eine große Haftfestig­ keit aufweist.
Da das metallische Substrat 2 einen größeren thermischen Aus­ dehnungskoeffizienten hat als die Halbleiterscheibe 1, sind beide Pressenstempel 5 und 6 an ihren den Anpreßdruck auf die Teile 1 und 2 übertragenden Flächen kugelkalottenförmig aus­ gebildet, wobei die untere Fläche 7 des Stempels 5 konkav ist, weil sie sich auf der Seite des Substrats 2 mit dem größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten befindet, während die obere Fläche 8 des Stempels 6 konvex ist, weil sie sich auf der Seite der Halbleiterscheibe 1 mit dem kleineren thermi­ schen Ausdehnungskoeffizienten befindet. Die Krümmungsradien der Flächen 7 und 8 sind gleich groß, so daß die Teile 1 und 2 während des Diffusionsschweißens, d. h. bei der Verbindungs­ temperatur, eine entsprechende Krümmung aufweisen. Nach dem Schweißvorgang, d. h. nach dem Entfernen der miteinander ver­ bundenen Teile 1 und 2 aus der Presse, führen die unterschied­ lichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 1 und 2 dazu, daß sich die Krümmung des aus 1 und 2 bestehenden, scheiben­ förmigen Körpers durch die Abkühlung verringert. Gibt man nun eine bestimmte Betriebstemperatur vor, bei der der aus 1 und 2 bestehende, scheibenförmige Körper spannungsfrei bzw. eben sein soll, so wird in einfacher Weise der Krümmungsradius der Flächen 7 und 8 so gewählt, daß durch die Abkühlung von der Verbindungstemperatur auf die Betriebstemperatur die zunächst durch die Flächen 7 und 8 bestimmte Krümmung der miteinander verbundenen Teile 1 und 2 praktisch vollständig aufgehoben wird.
Soll z. B. ein Drucksinterverfahren benutzt werden, um die Teile 1 und 2 miteinander zu verbinden, so wird die Metall­ folie 3 durch eine Zwischenschicht, insbesondere in Form einer Paste, ersetzt, die mit einer Schichtdicke von etwa 10 bis 20 µm beispielsweise auf der Unterseite des Substrats 2 aufge­ tragen werden kann. Die Paste besteht mit Vorteil aus einem Silberpulver aus plättchenförmigen Pulverpartikeln, die in einem Lösungsmittel suspendiert werden. Nach dem Trocknen der aufgetragenen Paste werden dann die Teile 1, 2 und 4 in der dargestellten Weise zusammengesetzt, zwischen die Pressen­ stempel 5 und 6 eingebracht und auf eine Sintertemperatur von etwa 230°C erhitzt. Der für die Sinterung erforderliche Druck von mindestens 900 N/cm² wird durch die Pressenstempel 5, 6 aufgebracht.
Fig. 2 zeigt eine Anordnung, die sich aus Fig. 1 dadurch ergibt, daß zwischen den Pressestempeln 5 und 6 noch weitere kugelkalottenförmige Druckstücke 9 und 10 vorgesehen sind, deren Oberseiten jeweils konvex und deren Unterseiten jeweils konkav ausgebildet sind, wobei jede dieser Flächen den glei­ chen Krümmungsradius aufweist wie die Flächen 7 und 8. Bringt man zwischen den Stempel 5 und das Druckstück 9 die bereits beschriebenen Teile 1 bis 4 ein, zwischen die Druckstücke 9 und 10 entsprechende Teile 1′ bis 4′ und zwischen das Druck­ stück 10 und den Stempel 6 weitere entsprechende Teile 1′′ bis 4′′, so gelingt es, alle diese Teile in einem einzigen Ar­ beitsgang jeweils miteinander zu verbinden.
In Abweichung von den oben beschriebenen Verbindungsverfahren sind ganz allgemein auch andere Verbindungsverfahren im Rahmen der Erfindung anwendbar, bei denen zwei scheibenförmige Körper bei einer vorgegebenen Verbindungstemperatur und einem vor­ gegebenen Anpreßdruck zusammengefügt werden. Dabei können die miteinander zu verbindenden, scheibenförmigen Körper aus be­ liebigen Materialien bestehen, deren thermische Ausdehnungs­ koeffizienten voneinander abweichen. Beispielsweise können die Teile 1 und 2 auch zwei Metailscheiben aus unterschiedlichem Material darstellen.

Claims (5)

1. Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern (1, 2) aus Materialien unterschiedlicher thermischer Aus­ dehnungskoeffizienten, die bei einer vorgegebenen Verbin­ dungstemperatur mit einem vorgegebenen Anpreßdruck zusammen­ gefügt werden, bei dem die scheibenförmigen Körper (1, 2) zwischen zwei kugelkalottenförmige Pressenstempel (5, 6) eingebracht werden, wobei der eine Pressenstempel (5) konkav geformt ist und sich auf der Seite des scheibenförmigen Körpers (2) mit dem größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten befindet und der andere Pressenstempel (6) konvex geformt ist und sich auf der Seite des scheibenförmigen Körpers (1) mit dem kleineren thermischen Ausdehnungskoeffizienten befindet, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei kugelkalottenförmigen Pressenstempel (5, 6) nach Erwärmung der scheibenförmigen Körper (1, 2) auf die Verbindungstemperatur mit dem Anpreß­ druck zusammengepreßt werden, wobei die Krümmungsradien beider Pressenstempel (5, 6) gleich groß und so bemessen sind, daß sich bei einer Abkühlung der miteinander verbundenen Körper (1, 2) auf eine vorgegebene, unterhalb der Verbindungstem­ peratur liegende Temperatur eine im wesentlichen ebene und spannungsfreie Verbindung derselben ergibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß auf wenigstens einer der miteinander zu verbindenden Flächen der scheibenförmigen Körper eine Verbin­ dungsschicht, insbesondere in Form einer aus einem Metall­ pulver und einem Lösungsmittel bestehenden Paste, aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zwischen die miteinander zu verbin­ denden Flächen der scheibenförmigen Körper (1, 2) eine Metallfolie (3) eingelegt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen beiden Pressen­ stempeln (5, 6) wenigstens ein kugelkalottenförmiges Druckstück (9, 10) vorgesehen ist, das auf einer Seite konkav und auf der anderen Seite konvex geformt ist und daß zwischen ein solches Druckstück (9) und einen Pressenstempel (5) und gegebenenfalls zwischen zwei benachbarte Druckstücke (9, 10) jeweils zwei miteinander zu verbindende scheibenförmige Körper eingebracht werden.
5. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zum Verbinden eines scheibenförmigen Halbleiterkörpers mit einem scheibenförmigen metallischen Substrat.
DE3917765A 1989-05-31 1989-05-31 Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung Expired - Lifetime DE3917765C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3917765A DE3917765C2 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3917765A DE3917765C2 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3917765A1 DE3917765A1 (de) 1990-12-06
DE3917765C2 true DE3917765C2 (de) 1996-05-30

Family

ID=6381785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3917765A Expired - Lifetime DE3917765C2 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3917765C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10140826B4 (de) * 2000-12-13 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur mehrschrittigen Bearbeitung eines dünnen und unter den Bearbeitungsschritten bruchgefährdeten Halbleiter-Waferprodukts

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3940933C2 (de) * 1989-12-12 1996-08-01 Eupec Gmbh & Co Kg Verfahren zum Verformen einer Basisplatte für Halbleitermodule und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
DE4233073A1 (de) * 1992-10-01 1994-04-07 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Modulaufbaus
DE4338107C1 (de) * 1993-11-08 1995-03-09 Eupec Gmbh & Co Kg Halbleiter-Modul
DE4436561C1 (de) * 1994-10-13 1996-03-14 Deutsche Spezialglas Ag Verfahren zur Veränderung der Durchbiegung von anodisch gebondeten flächigen Verbundkörpern aus Glas und Metall oder Halbleitermaterialien
DE19820393A1 (de) * 1998-05-07 1999-11-11 Volkswagen Ag Anordnung zur Verbindung eines Leichtmetallbauteils mit einem Stahlbauteil und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
DE10126508B4 (de) * 2001-05-30 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Vorrichtung mit mittels Spritzgusstechnik verpackten elektronischen Bauteilen, Spritzgusswerkzeug und Verfahren zum Verpacken von elektronischen Bauteilen
DE102022134916A1 (de) 2022-12-28 2024-07-04 Infineon Technologies Ag Gehäuse mit verzugsarmem Träger

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GR79598B (de) * 1982-07-30 1984-10-31 Farberware Inc
IN168174B (de) * 1986-04-22 1991-02-16 Siemens Ag

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10140826B4 (de) * 2000-12-13 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur mehrschrittigen Bearbeitung eines dünnen und unter den Bearbeitungsschritten bruchgefährdeten Halbleiter-Waferprodukts

Also Published As

Publication number Publication date
DE3917765A1 (de) 1990-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0330895B1 (de) Verfahren zum Befestigen von elektronischen Bauelementen auf Substraten und Anordnung zur Durchführung desselben
EP0242626B1 (de) Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat
EP0650189B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Modulaufbaus
EP3103138B1 (de) Verfahren zum montieren eines elektrischen bauelements, bei der eine haube zum einsatz kommt
EP1061783B2 (de) Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Mehrfachsubstrat
EP0330896A2 (de) Verfahren zum Befestigen von Halbleiterbauelementen auf Substraten und Anordnungen zur Durchführung desselben
DE3917765C2 (de) Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung
DE19522338B4 (de) Chipträgeranordnung mit einer Durchkontaktierung
EP0477600A1 (de) Verfahren zum Befestigen eines mit wenigstens einem Halbleiterbauelement versehenen Halbleiterkörpers auf einem Substrat
DE3940933C2 (de) Verfahren zum Verformen einer Basisplatte für Halbleitermodule und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
EP0284818A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Schichtverbunds sowie Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens
DE19729785C2 (de) Kondensatoranordnung und ihr Herstellungsverfahren
EP0163163A2 (de) Verfahren zur Herstellung von Leistungshalbleitermodulen mit isoliertem Aufbau
DE3829248C2 (de)
DE68921681T2 (de) Flache Halbleiteranordnung vom Druckkontakt-Typ.
EP0615651B1 (de) Kontaktstück mit einer schaltsilber-kontaktauflage und verfahren zu seiner herstellung
DE10304777B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Chipnutzens mittels eines Hitze- und Druckprozesses unter Verwendung eines thermoplastischen Materials und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE10230373B3 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Bonden eines Stapels aus drei oder mehr scheibenförmigen Substraten, insbesondere eines 3-Wafer-Stacks
DE4136075A1 (de) Verfahren zum verbinden eines scheibenfoermigen isolierkoerpers mit einem scheibenfoermigen, leitfaehigen koerper
EP0638928B1 (de) Leistungs-Halbleiterbauelement mit Druckkontakt
DE10014308B4 (de) Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen von mindestens vier Bondverbindungen und Verfahren dazu
EP0088923A2 (de) Sandwich für druckkontaktierbare Halbleiter-Leistungsbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102010024331B4 (de) Verfahren zur Verklebung eines bandförmigen Leiters mit einer Solarzelle, Anordnung mit der Verklebung und Verwendung eines Piezo-Jet-Dispensers dafür
EP0380799B1 (de) Druckkontaktiertes Halbleiterbauelement
EP2019421A2 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit Metallkontaktschicht sowie Herstellungsverfahren hierzu

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition