DE3905798A1 - Verfahren zur messung von schaedigungen in mindestens einem bereich einer halbleiterscheibe waehrend der bearbeitung der halbleiterscheibe - Google Patents
Verfahren zur messung von schaedigungen in mindestens einem bereich einer halbleiterscheibe waehrend der bearbeitung der halbleiterscheibeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung von
Schädigungen in mindestens einem Bereich einer Halbleiterscheibe
während der Bearbeitung der Halbleiterscheibe.
Bei der Herstellung eines elektronischen Bauelementes in einem
Halbleitersubstrat ist der Ablauf einer Vielzahl von Prozeß
schritten erforderlich. Oft hängen die elektrischen Eigenschaften
des hergestellten Bauelementes entscheidend von einzelnen
Prozeßschritten ab.
Bei der Erzeugung von Grabenzellen für hoch integrierte DRAMs
mit Hilfe von Trockenätzprozessen müssen z. B. hohe Anforderungen
an das Grabenprofil erfüllt werden. Angestrebt werden Gräben
mit rundem Boden und glatten, geraden senkrechten bis leicht
abgeschrägten Wänden. Das begünstigt einerseits die homogene
Erzeugung eines Dielektrikums im Graben und ermöglicht anderer
seits ein hohlraumfreies Wiederauffüllen des Grabens. Die
Beurteilung der Ausbeute eines Grabenätzprozesses kann jedoch
nur durch eine elektrische Bewertung der Chips nach einem Chargen
durchlauf erfolgen. Die Bearbeitungszeit der Siliziumscheiben
bis zur elektrischen Bewertung beträgt etwa 75 Arbeitstage.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Meßverfahren zu
entwickeln, mit dem während der Bearbeitung einer Halbleiter
scheibe zwischen zwei Bearbeitungsschritten eine Beurteilung des
Prozesses bezüglich der damit erzielbaren Ausbeuten möglich ist.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst mit einem Verfahren zur
Messung von Schädigungen in mindestens einem Bereich einer Halb
leiterscheibe während der Bearbeitung der Halbleiterscheibe mit
folgenden Schritten:
- a) nach einem Bearbeitungsschritt werden in dem zu untersuchenden Bereich berührungslos Temperatur- und Plasmawellen angeregt,
- b) die Stärke der Wechselwirkung der Temperatur- und Plasmawellen mit dem zu untersuchenden Bereich (3) wird berührungs los gemessen.
Die Erfindung macht sich die Erkenntnis zunutze, daß zwischen
der elektrischen Ausbeute und dem Ausmaß von Schädigungen in
einer Halbleiterscheibe ein Zusammenhang besteht.
Bei der Anregung von Temperatur- und Plasmawellen in der Halb
leiterscheibe kommt es zu einer Wechselwirkung zwischen den in
der Halbleiterscheibe angeregten Temperatur- und Plasmawellen
und der Halbleiterscheibe. Diese Wechselwirkung hängt von der
Qualität der Halbleiterscheibe bzw. von den darin enthaltenen
Schäden und Schädigungen ab. Eine starke Wechselwirkung zwischen
den Temperatur- und Plasmawellen und der Halbleiterscheibe weist
auf starke Schädigungen hin, wobei die Schädigungen nicht im
einzelnen unterscheidbar sind.
Der Nachweis der Temperatur- und Plasmawellen erfolgt z. B. über
die modulierte optische Reflektivität der Oberfläche der unter
suchten Halbleiterscheibe. Die Stärke der Reflektivitätsänderung
ist ein Maß für alle Schädigungen in einer Halbleiterscheibe
oder auf der Oberfläche einer Halbleiterscheibe wie z. B.
Kontamination, Modifikation der Kristallstruktur, Schädigung der
Substratoberfläche.
Da die Temperatur- und Plasmawellen berührungslos angeregt
werden, kann das Meßverfahren nach jedem Bearbeitungsschritt
angewendet werden, ohne die weitere Bearbeitung der Halbleiter
scheibe zu beeinträchtigen.
Es ist vorteilhaft, die Temperatur- und Plasmawellen mit Hilfe
eines Lasers anzuregen. Das Laserlicht kann auf den zu unter
suchenden Bereich der Halbleiterscheibe fokussiert werden. Bei
Anregung der Temperatur- und Plasmawellen in einer Halbleiter
scheibe aus Silizium ist es günstig, einen Laser zu verwenden,
der Licht im sichtbaren Bereich emittiert. Licht in diesem Be
reich dringt ins Silizium ein. Es ist dabei ausreichend, das
Licht mit einer Leistungsdichte von etwa 10 mW/µm2 auf den zu
untersuchenden Bereich der Halbleiterscheibe zu fokussieren.
Mit Argon-Ionenlaser und Krypton-Ionenlasern haben sich gute
Ergebnisse erzielen lassen.
Es liegt im Rahmen der Erfindung die Stärke der Temperatur
und Plasmawellen über die veränderte Reflektivität der Ober
fläche des zu untersuchenden Bereichs der Halbleiterscheibe
während der Anregung der Temperatur- und Plasmawellen zu messen.
Zur Messung der Reflektivität wird z. B. ein Laserstrahl an
der Oberfläche des zu untersuchenden Bereichs reflektiert. Das
reflektierte Licht wird registriert. Daraus wird die Reflektivi
tät bestimmt. Die Reflektivität ist ein Maß für die Stärke der
Wechselwirkung der Temperatur- und Plasmawellen und des Bereichs
der Halbleiterscheibe. Zur Messung der Reflektivität ist ein
Helium-Neon-Laser geeignet.
Eine erhöhte Meßgenauigkeit wird dadurch erzielt, daß das Licht
des zur Anregung der Temperatur- und Plasmawellen verwendeten
Lasers moduliert wird. Dadurch ist es möglich, die relative
Reflektivitätsänderung der Oberfläche des zu untersuchenden Be
reichs zu messen. Durch Relativmessungen können stets geringere
Änderungen der Meßgröße registriert werden.
Für die Erfindung gibt es viele Einsatzmöglichkeiten. Bei der
Entwicklung von Prozessen zur Herstellung von elektronischen
Bauelementen, z. B. von Trockenätzprozessen zur Erzeugung von
Grabenzellen für hochintegrierte DRAMs, kann durch Einsatz des
erfindungsgemäßen Meßverfahrens eine Optimierung einzelner Prozeß
schritte erfolgen, ohne daß jedesmal die gesamte Prozeßfolge
bis zu Ende durchgeführt werden muß. Dadurch wird die benötigte
Entwicklungszeit drastisch reduziert.
In der Fertigung kann das Meßverfahren dazu verwendet werden,
während der Bearbeitung nach kritischen Prozeßschritten eine
Messung der Schädigung der Halbleiterscheibe zur Qualitäts
kontrolle durchzuführen.
Eine weitere Verwendungsmöglichkeit der Meßmethode besteht darin,
nach der Strukturierung einer auf einer Oxidschicht angeordneten
polykristallinen Siliziumschicht Schädigungen in den freige
legten Bereichen der Oxidschicht festzustellen. Die Oxidschicht
kann z. B. eine Gate-Oxidschicht sein. Die polykristalline
Schicht wird z. B. durch ein Trockenätzverfahren strukturiert,
wobei die Oxidschicht als Ätzstop wirkt. In diesem Anwendungs
fall ist der zu untersuchende Bereich Teil der Oxidschicht. Die
Temperatur- und Plasmawellen werden in diesem Fall in diesen Be
reichen der Oxidschicht angeregt.
Es hat sich gezeigt, daß nach einer Ätzung die Schädigung des
Bereichs der Halbleiterscheibe höher ist als nach einer Ätzung
und einem darauf folgenden Nachbehandlungsschritt. Dieses wird
auf eine Kontamination der Oberfläche zurückgeführt. Das Meß
verfahren ist daher auch geeignet, um über den Erfolg eines
Nachbehandlungsschrittes zu urteilen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels
und der Figuren näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Meßaufbau, in dem das Meßverfahren angewendet
wird.
Fig. 2 zeigt den Zusammenhang zwischen Ausbeute und relativer
Reflektivitätsänderung.
In Fig. 1 ist ein Ausschnitt aus einer Halbleiterscheibe 6 dar
gestellt. Die Halbleiterscheibe 6 besteht z. B. aus Silizium.
Auf die Halbleiterscheibe 6 ist ein erster Laser 1 gerichtet.
Der erste Laser 1 ist z. B. ein Argon-Ionen-Laser, der bei
einer Wellenlänge von 514 nm emittiert. Das von dem ersten
Laser 1 emittierte Anregungslaserlicht 11 wird von einer Optik
2 auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe 6 fokussiert. Durch
den Querschnitt des Anregungslaserlichtes 11 wird auf der Halb
leiterscheibe 6 ein Anregungsbereich 3 definiert. Auf dem
Anregungsbereich 3 beträgt die Leistungsdichte des Anregungs
laserlichtes 11 etwa 10 mW/µm2. In dem Anregungsbereich 3 werden
durch das Anregungslaserlicht 11 Temperatur- und Plasmawellen
angeregt. Diese führen zu einer Änderung der Reflektivität im
Anregungsbereich 3. Zur Messung der Änderung der Reflektivität
im Anregungsbereich 3 wird auf den Anregungsbereich 3 ein
zweiter Laser 4 ausgerichtet. Der zweite Laser 4 ist z. B. ein
Helium-Neon-Laser. Der zweite Laser 4 sendet Meßlaserlicht 41
auf den Anregungsbereich 3. Das Meßlaserlicht 41 wird an der
Oberfläche des Anregungsbereiches 3 reflektiert. Im Anregungs
bereich 3 reflektiertes Meßlaserlicht 42 wird mit einem Photo
detektor 5 nachgewiesen. Aus der Intensität des reflektierten
Meßlaserlichtes 42 und der Anfangsintensität des Meßlaserlichtes
41 wird die Reflektivität der Oberfläche des Anregungsbereichs 3
bestimmt.
Durch Modulation des Anregungslaserlichtes 11 mit einer
Modulationsfrequenz von z. B. 1 MHz wird die Reflektivität der
Oberfläche des Anregungsbereichs 3 moduliert. Aus der
modulierten Reflektivität wird die relative Reflektivitäts
änderung bestimmt.
Die Größe des Anregungsbereichs 3 wird durch die Optik 2
beeinflußt. Bei genügend hoher Leistung des ersten Lasers 1
kann die Größe des Anregungsbereichs 3 über weite Bereiche ver
ändert werden. Es muß dabei beachtet werden, daß die Leistungs
dichte des auf den Anregungsbereich 3 auftreffenden Anregungs
laserlichtes 11 ausreichend ist, um im Anregungsbereich 3
Temperatur- und Plasmawellen anzuregen. Eine Leistungsdichte
von 10 mW/µm2 ist zur Erfüllung dieser Bedingung ausreichend,
es ist jedoch noch nicht die untere Grenze. Eine typische Größe
für den Anregungsbereich 3 bei der Anwendung des Meßverfahrens
nach einem Grabenätzprozeß beträgt etwa 0,9×1 µm2.
In Fig. 2 ist der Zusammenhang zwischen der Ausbeute und der
relativen Reflektivitätsänderung Δ R/R dargestellt. Der Ver
lauf der Meßpunkte zeigt deutlich, daß mit zunehmender relativer
Reflektivitätsänderung eine Abnahme der Ausbeute verbunden ist.
Claims (11)
1. Verfahren zur Messung von Schädigungen in mindestens einem
Bereich einer Halbleiterscheibe während der Bearbeitung der
Halbleiterscheibe mit folgenden Schritten:
- a) nach einem Bearbeitungsschritt werden in dem zu untersuchenden Bereich (3) berührungslos Temperatur- und Plasmawellen angeregt,
- b) die Stärke der Wechselwirkung der Temperatur- und Plasma wellen mit dem zu untersuchenden Bereich (3) wird berührungs los gemessen.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die An
regung der Temperatur- und Plasmawellen mit einem Laser (1)
erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß zur An
regung der Temperatur- und Plasmawellen ein Laser (1) ver
wendet wird, der Licht im sichtbaren Bereich emittiert.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß der Laser
(1) Licht mit einer Leistungsdichte von etwa 10 mW/µ2 auf den
zu untersuchenden Bereich (3) emittiert.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß zur An
regung der Temperatur- und Plasmawellen ein Argon-Ionen-Laser
(1) oder ein Krypton-Ionen-Laser (1) verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß zur An
regung moduliertes Laserlicht (11) verwendet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke
der Wechselwirkung der Temperatur- und Plasmawellen mit dem zu
untersuchenden Bereich (3) über die veränderte Reflektivität
der Oberfläche des zu untersuchenden Bereiches (3) während der
Anregung der Temperatur- und Plasmawellen gemessen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die ver
änderte Reflektivität der Oberfläche des zu untersuchenden Be
reichs (3) mit Hilfe eines Lasers (4) gemessen wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Messung
der Reflektivität ein Helium-Neon-Laser (4) verwendet wird.
10. Verwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis
9 zur Messung der Schädigungen einer Siliziumscheibe (6) nach
einem Ätzprozeß.
11. Verwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1
bis 9 zur Messung der Schädigungen einer auf der Halbleiter
scheibe (6) angeordneten Oxidschicht nach der Strukturierung
einer auf der Oxidschicht angeordneten polykristallinen Silizium
schicht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893905798 DE3905798A1 (de) | 1989-02-24 | 1989-02-24 | Verfahren zur messung von schaedigungen in mindestens einem bereich einer halbleiterscheibe waehrend der bearbeitung der halbleiterscheibe |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19893905798 DE3905798A1 (de) | 1989-02-24 | 1989-02-24 | Verfahren zur messung von schaedigungen in mindestens einem bereich einer halbleiterscheibe waehrend der bearbeitung der halbleiterscheibe |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3905798A1 true DE3905798A1 (de) | 1990-08-30 |
Family
ID=6374876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19893905798 Withdrawn DE3905798A1 (de) | 1989-02-24 | 1989-02-24 | Verfahren zur messung von schaedigungen in mindestens einem bereich einer halbleiterscheibe waehrend der bearbeitung der halbleiterscheibe |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3905798A1 (de) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1989
- 1989-02-24 DE DE19893905798 patent/DE3905798A1/de not_active Withdrawn
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US-Z: OPSAL, Jon * |
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