DE3887765T2

DE3887765T2 - Verfahren zur Herstellung einer dicken supraleitenden Schicht.

Info

Publication number: DE3887765T2
Application number: DE3887765T
Authority: DE
Inventors: Tetsuji C O Itami Works Jodai; Nobuyuki C O Itami Work Sasaki; Kenichiro C O Itami Wor Sibata; Shuji C O Itami Works Of Yazu
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1987-03-25
Filing date: 1988-03-25
Publication date: 1994-09-22
Anticipated expiration: 2008-03-26
Also published as: EP0284088A2; US5089465A; EP0284088A3; EP0284088B1; DE3887765D1

Description

Hintergrund der Erfindung

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dicken supraleitenden Schicht und insbesondere bezieht sie sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden dicken Schicht, welche eine höhere kritische Temperatur der Supraleitung und eine verringerte kleinere Diskrepanz zwischen der kritischen Temperatur und der Einschalttemperatur aufweist) ab der das Phänomen der Supraleitung beobachtet werden kann.
In der Beschreibung steht "Tc" für die kritische Temperatur der Supraleitung und "Tcf" für die Einschalttemperatur, ab der das Phänomen der Supraleitung beobachtet werden kann.

Beschreibung des verwandten Gebietes

Im supraleitenden Zustand wird ein perfekter Diamagnetismus beobachtet und kein Potentialunterschied beim Fließen eines elektrischen Stromes mit konstantem endlichen Wert, so daß eine Vielzahl von Anwendungen der Supraleitung auf dem Gebiet der elektrischen Kraftübertragung vorgeschlagen worden sind, um elektrischen Strom verlustlos transportieren zu können.
Supraleitung kann auch auf anderen elektrischen Gebieten verwendet werden, wie z. B. MHD-Energieerzeugung, die Energieübertragung, die elektrische Energiespeicherung oder dgl.; auf dem Transportgebiet sei z. B. Magnetschwebebahn oder magnetisch angetriebene Schiffe genannt; auf dem medizinischen Gebiet sei auf eine Bestrahlungseinheit mit hochempfindliche Strahlen verwiesen; auf dem Gebiet der Wissenschaft sei auf NMR oder die Hochenergie-Physik verwiesen; auch hochenergetische Sensoren oder Detektoren zum Aufspüren sehr schwacher magnetischer Felder, Mikrowellen, Strahlungen oder dgl. sowie das Gebiet der Fusionsstromerzeugung sind von Interesse.
Außer den oben genannten Anwendungen auf dem Gebiet der elektrischen Energie können supraleitende Materialien auf dem Gebiet der Elektronik eingesetzt werden, beispielsweise als Josephson-Anordnungen als unerläßliche Schalter zur Verwirklichung von Hochgeschwindigkeitscomputern mit stark reduziertem Energiebedarf.
Der tatsächliche Einsatz der Supraleitung ist jedoch bisher aufgrund der sehr niedrigen erforderlichen Kühltemperaturen beschränkt gewesen. Unter den bekannten supraleitenden Materialien zeigt eine Gruppe von Materialien mit der sogenannten A-15-Struktur eine relativ hohe Tc (kritische Temperatur der Supraleitung), verglichen mit anderen Materialien, wobei jedoch selbst der oberste Wert der Tc im Falle von Nb&sub3;Ge, welches die höchste Tc aufwies, den Wert von 23,2 K nicht überschritt. Dies bedeutet, daß flüssiges Helium (Siedepunkt 4,2 K) das einzige Kühlmittel ist, welches derart niedrige Temperaturen der Tc erreichen läßt. Helium ist jedoch nicht nur ein teurer Stoff, sondern erfordert auch umfangreiche Verflüssigungsanlagen. Aus diesem Grund bestand eine erhebliche Nachfrage nach weiteren supraleitenden Materialien mit einer höheren Tc. In den letzten 10 Jahren konnten jedoch trotz aller durchgeführten Untersuchungen keine Materialien gefunden werden, welche den oben erwähnten Tc-Wert überschritten.
Die Existenz neuartiger supraleitender Materialien mit erheblich höherer Tc wurde durch Bednorz und Müller beschrieben, welche oxidartige Supraleiter in der Z.Phys. B64 (1986) 189, beschrieben.
Dieses neue oxidhaltige supraleitende Material besteht aus [La, Ba]&sub2;CuO&sub4; oder [La, Sr]&sub2;CuO&sub4;, welche als K&sub2;NiF&sub4;-Oxide bezeichnet werden mit einer Kristallstruktur die ähnlich ist derjenigen der bekannten Perovskit-Oxide. Die K&sub2;NiF&sub4;- Oxide weisen eine Tc von 30 bis 50 K auf, die damit erheblich höher liegt als diejenige der bekannten supraleitenden Materialien, so daß es möglich wird, flüssigen Wasserstoff (Siedepunkt = 20,4 K) oder flüssiges Neon (Siedepunkt = 27,3 K) als Kühlmittel zu verwenden, um dadurch die Supraleitung zu erzielen.
Es wurde auch berichtet, daß C.W. Chu et al in den Vereinigten Staaten von Amerika eine andere Art supraleitender Materialien entdeckt hatten, mit einer kritischen Temperatur in einer Größenordnung von 90 K und zwar im Februar 1987, wodurch die Existenz von Hochtemperatur-Supraleitern nachgewiesen worden ist.
Die oben erwähnten supraleitenden Materialien vom Typ der Perovskit-Oxide oder Quasi-Perovskit-Oxide, die kürzlich entdeckt wurden, sind ausschließlich in Form von Sinterkörpern oder in Form von aus Pulvern bestehenden Schüttmaterialien untersucht und hergestellt worden. Dies ist jedoch nachteilig für die Handhabung, da Sinterkörper zerbrechlich sind und bereits durch sehr schwache mechanische Belastungen zerbrochen werden. Dies bedeutet aber, daß sie nicht in Form dünner Drähte einsetzbar sind, wie es auf dem Gebiet der Energieübertragung erforderlich ist.
Es ist demzufolge ein Ziel der vorliegenden Erfindung, diese Nachteile zu beseitigen und ein neuartiges supraleitendes Material zu schaffen, welches eine höhere "Tc" und "Tcf" aufweist, sowie verbesserte mechanische Widerstandsfähigkeit.

Zusammenfassung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden dicken Schicht und ist gekennzeichnet durch die Schritte des Mischens von Oxid- oder Karbonatpulvern eines Elementes "α", das ausgewählt ist aus der Gruppe der IIa und IIIa-Elemente des Periodensystems, mit Oxid- oder Karbonatpulvern eines Elementes "β", das ausgewählt ist aus der Gruppe IIa und IIIa-Elemente des Periodensystems und welches das gleiche Element sein kann wie das Element "α", mit Oxid- oder Karbonatpulvern eines Elementes "γ", das ausgewählt ist aus der Gruppe von Ib, IIb, IIIb und VIII-Elementen des Periodensystems in derartigen Anteilen, daß das Atomverhältnis der Elemente "α", "β" und "γ" die folgende Beziehung erfüllt:
α:β:γ = (0 bis 1) : (0 bis 1) : (0 bis 1)
wobei jedes Pulver eine mittlere Teilchengröße von weniger als 5 um aufweist;
vorläufiges Sintern des Pulvergemisches bei einer Temperatur im Bereich von 700ºC bis 950ºC;
pulverisieren der erhaltenen vorläufig gesinterten Masse zu einem Pulver mit einer mittleren Teilchengröße von weniger als 10 um;
hinzufügen des erhaltenen pulverisierten Pulvers zu einem organischen Träger und herstellen einer Paste;
auftragen der Paste auf ein Substrat mittels der Siebdrucktechnik mit einer Dicke im Bereich von 10 bis 50 um;
trocknen der aufgebrachten Paste;
endgültiges Sintern der aufgebrachten Paste in einem Temperaturbereich von 800ºC bis 1000ºC; wobei auf dem Substrat eine supraleitende dicke Schicht vom Typ eines Perovskit-Oxids oder Quasi-Perovskit-Oxid gebildet wird.
Das Perovskit-Oxid oder Quasi-Perovskit-Oxid, welches die oben erwähnte supraleitende dicke Schicht bildet, enthält ein Oxid oder Oxide mit einer mittleren Kristallkorngröße von weniger als 15 um und weist die allgemeine Formel auf:
αwβxγyδz
wobei
"α" für ein Element steht das ausgewählt ist aus den IIa und IIIa-Gruppen des Periodensystems,
"β" für ein Element steht das ausgewählt ist aus einer Gruppe von Elementen aus den IIa und IIIa-Gruppen des Periodensystems und welches das gleiche Element wie das Element "α" sein kann,
"γ" für ein Element steht das ausgewählt ist aus einer Gruppe von Elementen der Ib, IIb, IIIb und VIII-Gruppen des Periodensystems und
"δ" für Sauerstoff (O) steht
wobei
"w", "x" und "y" eine Zahl darstellen ausgewählt aus dem Bereich 0 bis 1 und "z" eine Zahl darstellt ausgewählt aus dem Bereich von 1 bis 5.
Der Ausdruck "Quasi-Perovskit-Oxid" bezeichnet ein Oxid von dem angenommen wird, daß es eine Kristallstruktur aufweist, die ähnlich derjenigen des Perovskit-Oxids ist und die einen orthorhombisch gestörten Perovskit oder einen gestörten Perovskit mit Sauerstoffehlstellen oder dgl. aufweist.
Die Oxide oder Karbonate der Elemente "α", "β" und "γ" werden in derartigen Verhältnissen gemischt, daß die Elemente "α", "β" und "γ" in dem durch den endgültigen Sinterschritt erhaltenen Endprodukt ein Atomverhältnis aufweisen, welches den oben angegebenen Bereich erfüllt.
Das organische Bindemittel kann ausgewählt sein aus einer Vielzahl von Pasten welche verwendet worden sind zur Herstellung dicker Schichten, wie z. B. eine Lösung aus Äthylcellulose die in Terpineol (C&sub1;&sub0;H&sub1;&sub8;O) gelöst ist, eine Lösung von Acrylharz, welches in n-Buthylcarbitol (CH&sub3;(CH&sub2;)&sub3;OCH&sub2;CH&sub2;OCH&sub2;CH&sub2;OH) gelöst worden ist oder dgl.
Wesentlich für das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung dicker Schichten sind die Schritte des vorläufigen Sinterns eines Pulvergemisches aus den oben erwähnten Oxiden oder Karbonaten mit einer mittleren Teilchengröße von weniger als 5 um, des Pulverisierens der vorläufig gesinterten Masse zu einem Pulver mit einer mittleren Teilchengröße von weniger als 10 um und das anschließende Mischen der pulverisierten Pulver mit einem organischen Bindemittel zur Herstellung einer Paste, welche auf das Substrat aufgebracht und anschließend endgültig gesintert wird.
Es wird angenommen, daß die Substanz mit der erheblich höheren kritischen Temperatur entsteht oder konzentriert wird an den Korngrenzen oder Grenzbereichen zwischen den Kristallkörnern im Falle der oben erwähnten Perovskit-Oxide oder Quasi-Perovskit-Oxide. Die gemäß der vorliegenden Erfindung erhaltene dicke Schicht besitzt eine sehr feine Kristallstruktur, welche zu dem charakteristischen Verfahren beizutragen scheint und welche der Grund für die erhaltene hohe kritische Temperatur sein mag.
Erfindungsgemäß muß das Ausgangs-Pulvermaterial eine mittlere Teilchengröße von weniger als 5 um aufweisen, da, sofern es die mittlere Teilchengröße 5 um überschreitet, es schwierig ist, eine ausreichende Abmessungsverringerung der Kristallkörner durch das Pulverisieren der gesinterten Masse zu erzielen. Eine mittlere Teilchengröße herkömmlicher pulverisierter Teilchen überschreitet 6 um.
Die Pulverisierung, die nach dem vorläufigen Sinterschritt durchgeführt wird, übt einen direkten Einfluß auf die Kristallkörner aus, welche nach dem endgültigen Sinterschritt erhalten werden. Ist nämlich die mittlere Teilchengröße des durch den vorläufigen Sinterschritt erhaltenen Pulvers größer als 10 um, so enthält ein Sinterkörper, der durch den endgültigen Sinterschritt erhalten wird, größere Kristallkörner mit dem Ergebnis einer Abnahme des Bereichs der Korngrenzen. Die Verringerung des Bereichs der Korngrenzen ist schädlich für die Realisierung einer höheren kritischen Temperatur.
Die Folge des vorläufigen Sinterns, Pulverisierens und Verdichtens oder Preßformens wird vorteilhafterweise mehrere Male wiederholt, um so eine feste Lösungsreaktion der Pulvermaterialien und/oder des vorläufig gesinterten Pulvers zu verbessern und um die oben erwähnten feinen Kristallkörner zu erzielen, welche dem endgültigen Sinterschritt unterworfen werden.
Die Temperatur im endgültigen Sinterschritt ist ein sehr kritischer Faktor und muß dergestalt gesteuert werden, daß das Sintern der Reaktion in der festen Phase ausreichend fortschreitet und daß ein übermäßiges Kristallwachstum im erhaltenen Perovskit-Oxid oder Quasi-Perovskit-Oxid nicht auftritt.
Unter Berücksichtigung dieser Kontrollbedingung wurde mittels Experimenten gefunden, daß, wenn das endgültige Sintern bei einer Temperatur durchgeführt wird, die nicht höher liegt als 800ºC, das Endprodukt des Sinterkörpers eine ausreichende mechanische Festigkeit aufwies und daß, im Gegenteil, wenn das endgültige Sintern bei einer Temperatur durchgeführt wird, welche 1000ºC überschreitet, der erhaltene Sinterkörper eine feste Lösungsphase oder größere Kristallkörner aufweist. Dies bedeutet, daß die Tempertatur im Bereich von 800ºC bis 1000ºC liegen muß.
Das vorläufige Sintern muß ebenfalls bei einer Temperatur durchgeführt werden, welche höher liegt als 700ºC, jedoch unterhalb 950ºC, aus den gleichen Gründen wie oben erwähnt. Liegt nämlich die Temperatur nicht höher als 700ºC, so wird keine ausreichende feste Reaktion erhalten, so daß die erforderlichen Perovskit-Oxide oder Quasi- Perovskit-Oxide nicht erhalten werden, während, wenn das vorläufige Sintern bei einer Temperatur durchgeführt wird, welche 950ºC überschreitet, die erhaltene vorläufig gesinterte Masse eine feste Lösungsphase oder große Kristallkörner enthält, welche zu Schwierigkeiten führen beim Erhalt feiner Teilchen im anschließenden Pulverisierungsschritt.
Es wird außerdem angenommen, daß die Supraleiter vom Typ Perovskit-Oxide oder Quasi-Perovskit-Oxide ihre besseren Eigenschaften insbesondere in der Nähe ihrer Oberflächenbereiche aufweisen, da eine Reaktion zwischen der Supraleitung und der umgebenden Atmosphäre während des Sinterschritts oder der Wärmebehandlung mit Vorteil in der Nähe des Oberflächenabschnitts fortschreitet.
Es ist daher vorteilhaft, wenn die Viskosität der Paste zur Ausbildung der dicken Schicht, sowie die Dicke einer auf dem Substrat abgeschiedenen Schicht eingestellt werden. Ist nämlich die Dicke der auf dem Substrat aufgebrachten Paste nicht dicker als 10 um, so kann die Paste nicht gleichförmig aufgebracht werden, so daß kein kontinuierlicher Film oder keine kontinuierliche Schicht erhalten werden. Überschreitet hingegen die Dicke der aufgebrachten Paste 50 um, so kann die aufgebrachte Schicht nicht nur ein genaues Muster oder eine genaue Gestalt aufweisen, sondern auch verschiedene Eigenschaften zwischen einem Oberflächenbereich und einem Bereich der dem Substrat benachbart ist.
Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die erhaltene dicke Schicht außerdem wärmebehandelt zur Erzeugung der im wesentlichen gleichförmigen Perovskit- Oxide oder Quasi-Perovskit-Oxide. Diese Wärmebehandlung ist sehr wirksam hinsichtlich der Verbesserung der kritischen Temperatur, ab der der elektrische Widerstand zu Null wird.
Die Temperatur dieser Wärmebehandlung liegt vorteilhafterweise im Bereich von 500ºC bis 800ºC.
Liegt die Temperatur der Wärmebehandlung nicht höher als 500ºC, so kann die Verbesserung nicht erwartet werden oder es ist eine erheblich längere Zeit erforderlich, bevor die gewünschten Perovskit-Oxide oder Quasi-Perovskit-Oxide erhalten werden. Wird hingegen die Wärmebehandlung bei einer Temperatur durchgeführt, welche 800ºC überschreitet, so verschwindet die Kristallstruktur der Perovskite, wodurch die kritische Temperatur abgesenkt wird. Im allgemeinen wird die Tc um 3 bis 5ºC durch die Wärmebehandlung erhöht.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die nach dem endgültigen Sinterschritt erhaltene Sintermasse schnell abgeschreckt werden, unmittelbar nach dem endgültigen Sintern, oder nachdem die Sintermasse auf eine Temperatur im Bereich von 500 bis 800ºC aufgeheizt worden ist, um so die kritische Temperatur zu erhöhen.
Die durch das vorliegende Verfahren erzielbare dicke Schicht weist eine verbesserte Supraleitung auf, die langlebig und stabil ist. Dieser Effekt kann erzielt werden durch vergrößerte Bereiche der Kristallkörner, bewirkt durch die Pulverisierung in feinere Kristallkörner, sowie durch gleichmäßige Verteilung von Sauerstoff-Fehlstellen.
Der vom Substrat getragene Supraleiter in Form einer dicken Schicht gemäß der vorliegenden Erfindung läßt sich leicht handhaben, aufgrund seiner mechanischen Stabilität, und ist wirtschaftlich, da kein oder kaum Überschußmaterial entsteht bei der Verwirklichung der mechanischen Festigkeit und der selbsttragenden Eigenschaft des Supraleiters.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben, im Zusammenhang mit einigen Beispielen, wobei jedoch der Umfang der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt ist.

Beispiele

Zuerst wurden Pulver aus BaCO&sub3;, Y&sub2;O&sub3; und CuO gleichförmig in derartigen Verhältnissen gemischt, daß der Wert von "x" in der Formel
Ba1-xYxCu1O3
gleich 0,2, 0,4 bzw. 0,8 wird, um so drei Pulvergemische herzustellen.
Alle Pulvergemische wurden vorläufig bei 900ºC während 12 Stunden in Luft gesintert um eine plattenartige feste Masse aus einem vorläufig gesinterten Körper zu erhalten. Diese feste Masse wurde anschließend mittels Aluminiumoxidkugeln in einer Kugelmühle während 8 Stunden pulverisiert zur Herstellung eines Pulvers mit einer mittleren Teilchengröße von 4 um. Das gleiche Verfahren wie die oben erwähnte Kombination aus vorläufigem sintern und pulverisieren wurde dreimal durchgeführt, so daß das endgültig pulverisierte Produkt aus einem feineren, vorläufig gesinterten Pulver eine mittlere Teilchengröße von 2 bis 3 um aufwies.
Das derart erhaltene vorläufig gesinterte Pulver wird mit einem organischen Träger gemischt, welcher Äthylcellulose enthielt, das in Terpineol gelöst war und anschließend verknetet wurde. Die erhaltene Paste wird in einem mehrachsigen Senkrechtmixer und anschließend durch drei Walzen, die aus hochreinem Aluminiumoxid bestehen, verarbeitet. Die Viskosität der Paste wird mit einem Viskosimeter bestimmt und danach auf den Wert von 500 Poise eingestellt.
Die erhaltene Paste wird auf ein Substrat aus Aluminiumoxid durch ein Sieb aus rostfreiem Stahl hindurch aufgebracht, dessen Maschengröße 200 Mesh betrug, um so eine dicke Schicht mit einer Dicke von etwa 30 um zu erhalten. Die Dicke der Schicht verringert sich nach dem trocknen bei 150ºC während 15 Minuten auf 25 um.
Die getrocknete Schicht auf dem Substrat wird dann endgültig bei 930ºC während 24 Stunden in O&sub2; gesintert.
Elektroden werden an den gegenüberliegenden Enden der erhaltenen dicken Schicht angeordnet mit leitender Silberpaste durch ein herkömmliches Verfahren, um die kritische Temperatur (Tc) und die Einschalttemperatur (Tcf) der dicken Schicht durch die herkömmliche Vier-Proben- Methode in einem Kryostat zu ermitteln. Die Temperatur wird durch ein geeichtes Au(Fe)-Ag-Thermoelement gemessen. Danach wird die Temperaturabhängigkeit des Widerstandes der Testmuster bestimmt durch allmählichen Temperaturanstieg. Tabelle 1 zeigt die Resultate für Tc und Tcf.
Dasselbe Verfahren wie oben wird wiederholt für die anderen Kombinationen der Elemente ausgewählt aus der IIa-Gruppe und der IIIa-Gruppe des Periodensystems, wobei die Resultate ebenfalls in Tabelle 1 gegeben sind.
Die kritische Temperatur wird erneut 3 Wochen später unter den gleichen Bedingungen wie oben gemessen, wobei keine wesentliche Änderung der Tc beobachtet wird im Falle der oben erwähnten dicken Schichten. Die Änderungen der Tc der supraleitenden dicken Schichten betrugen nur ± 1 K. Das selbe Resultat wird durch Messung der AC-Suszeptibilität durch ein L-Meter festgestellt. Tabelle 1 Zusammensetzung Beispiel Nr. Kombination Atomverhältnis Substrat Aluminiumoxid AIN

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer dicken supraleitenden Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß es die folgenden Schritte aufweist:

Mischen von Oxid- oder Carbonatpulvern eines Elementes "α", das ausgewählt ist aus der Gruppe der IIb und IIIa Elemente des Periodensystems, Oxid- oder Carbonatpulver eines Elements "β", das ausgewählt ist aus der Gruppe der IIa und IIIa Elemente des Periodensystems und welches das gleiche Element sein kann wie das Element "α" und Oxid- oder Carbonatpulver eines Elements "γ", das ausgewählt ist aus der Gruppe von Ib, IIb, IIIb und VIII Elemente des Periodensystems in derartigen Anteilen, daß das Atomverhältnis dieser Elemente "α", "β" und "γ" die folgende Beziehung erfüllt:

α:β:γ = (0 bis 1) : (0 bis 1) : (0 bis 1)

wobei jedes Pulver eine mittlere Teilchengröße von weniger als 5 um aufweist;

vorläufiges Sintern des Pulvergemisches bei einer Temperatur im Bereich von 700ºC bis 950ºC;

Pulverisieren der erhaltenen vorläufig gesinterten Masse zu einem Pulver mit einer mittleren Teilchengröße von weniger als 10 um;

Hinzufügen des erhaltenen pulverisierten Pulvers zu einem organischen Träger und Herstellen einer Paste;

Auftragen der Paste auf ein Substrat mittels der Siebdrucktechnik mit einer Dicke im Bereich von 10 bis 50 um;

Trocknen der aufgebrachten Paste;

endgültiges Sintern der aufgebrachten Paste in einem Temperaturbereich von 800ºC bis 1000ºC;

wobei auf dem Substrat eine supraleitende dicke Schicht entsteht vom Perovskitoxid-Typ oder quasi-Perovskitoxid- Typ, die durch die folgende Formel dargestellt wird:

αwβxγyδz

(wobei α, β und γ die gleichen Definitionen wie weiter oben aufweisen, δ für Sauerstoff steht, w, x und y eine Zahl bedeuten, die aus dem Bereich 0 bis 1 ausgewählt sind und z eine Zahl bedeutet, die aus dem Bereich von 1 bis 5 ausgewählt ist), wobei in der Schicht auf dem Substrat eine mittlere Kristallkorngröße von weniger als 15 um ausgebildet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abfolge, welche das vorläufige Sintern, die Pulverisierung und das Verdichten des pulverisierten Pulvers aufweist, wenigstens dreimal wiederholt wird.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Pulverisierung mittels einer Kugelmühle durchgeführt wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der organische Träger sich aus Harz und einem Lösemittel zusammensetzt.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Harz ein Ethylzelluloseharz oder Acrylharz ist.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösemittel ein Terpineol (C&sub1;&sub0;H&sub1;&sub8;O) oder ein n- Butylcarbitol [CH&sub3;(CH&sub2;)&sub3;OCH&sub2;CH&sub2;OCH&sub2;CH&sub2;OH] ist.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das endgültige Sintern in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre stattfindet.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die nach dem endgültigen Sintern erhaltene gesinterte Masse schnell abgeschreckt wird, unmittelbar nach dem endgültigen Sintern oder nach dem die gesinterte Masse auf eine Temperatur im Bereich von 500 bis 800ºC erneut aufgeheizt worden ist.