DE3886616T2 - Positive photoempfindliche harzzubereitung und verfahren zur herstellung. - Google Patents
Positive photoempfindliche harzzubereitung und verfahren zur herstellung.Info
- Publication number
- DE3886616T2 DE3886616T2 DE3886616T DE3886616T DE3886616T2 DE 3886616 T2 DE3886616 T2 DE 3886616T2 DE 3886616 T DE3886616 T DE 3886616T DE 3886616 T DE3886616 T DE 3886616T DE 3886616 T2 DE3886616 T2 DE 3886616T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- compound
- group
- represent
- carboxylic acid
- glycidyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 45
- -1 alcohol glycidyl ether compound Chemical class 0.000 claims description 39
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 24
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 19
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 19
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 17
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 13
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 12
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A Natural products C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 11
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 11
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 125000002128 sulfonyl halide group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000003461 sulfonyl halides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 33
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 20
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- MPNXSZJPSVBLHP-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-phenylpyridine-3-carboxamide Chemical compound ClC1=NC=CC=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 MPNXSZJPSVBLHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 5
- YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- CCVYRRGZDBSHFU-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1O CCVYRRGZDBSHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1O GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHWREHFNDMRPR-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-Trihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O IBHWREHFNDMRPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKEUNCKRJATALU-UHFFFAOYSA-N 2,6-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(O)C=CC=C1O AKEUNCKRJATALU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UYDGECQHZQNTQS-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4,6-dimethylpyridine-3-carboxamide Chemical compound CC1=CC(C)=C(C(N)=O)C(N)=N1 UYDGECQHZQNTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFFZDZCDUFSOFZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-Dihydroxy-phenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=C(O)C(O)=C1 CFFZDZCDUFSOFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZAUWHJDUNRCTF-UHFFFAOYSA-N 3-(3,4-dihydroxyphenyl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1=CC=C(O)C(O)=C1 DZAUWHJDUNRCTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QURCVMIEKCOAJU-UHFFFAOYSA-N 3-Hydroxy 4-Methoxy Cinnamic acid Chemical compound COC1=CC=C(C=CC(O)=O)C=C1O QURCVMIEKCOAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGNLHMKIGMZKJX-UHFFFAOYSA-N 3-chloro-4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(Cl)=C1 QGNLHMKIGMZKJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AUZQQIPZESHNMG-UHFFFAOYSA-N 3-methoxysalicylic acid Chemical compound COC1=CC=CC(C(O)=O)=C1O AUZQQIPZESHNMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCGBIXXDQFWVDW-UHFFFAOYSA-N 4,5-dihydro-1h-pyrazole Chemical compound C1CC=NN1 MCGBIXXDQFWVDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGSWKAQJJWESNS-UHFFFAOYSA-N 4-coumaric acid Chemical compound OC(=O)C=CC1=CC=C(O)C=C1 NGSWKAQJJWESNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OMNHTTWQSSUZHO-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-3,5-dimethylbenzoic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=CC(C)=C1O OMNHTTWQSSUZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQXPVVBIMDBYFF-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxyphenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=C(O)C=C1 XQXPVVBIMDBYFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- JRPRCOLKIYRSNH-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)OCC2OC2)C=1C(=O)OCC1CO1 JRPRCOLKIYRSNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N cis-caffeic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- IGMNYECMUMZDDF-UHFFFAOYSA-N homogentisic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC(O)=CC=C1O IGMNYECMUMZDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QRMZSPFSDQBLIX-UHFFFAOYSA-N homovanillic acid Chemical compound COC1=CC(CC(O)=O)=CC=C1O QRMZSPFSDQBLIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- WHSXTWFYRGOBGO-UHFFFAOYSA-N o-cresotic acid Natural products CC1=CC=CC(C(O)=O)=C1O WHSXTWFYRGOBGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- PCMORTLOPMLEFB-UHFFFAOYSA-N sinapic acid Chemical compound COC1=CC(C=CC(O)=O)=CC(OC)=C1O PCMORTLOPMLEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dimethylphenyl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1=CC=C(C)C=C1C UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- IVIDDMGBRCPGLJ-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(oxiran-2-ylmethoxy)propan-1-ol Chemical compound C1OC1COC(CO)COCC1CO1 IVIDDMGBRCPGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940082044 2,3-dihydroxybenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- RZMMKKHHNDGXPD-UHFFFAOYSA-N 2,6-dibromo-3,4,5-trihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(Br)C(O)=C(O)C(O)=C1Br RZMMKKHHNDGXPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUAUJXBLDYVELT-UHFFFAOYSA-N 2-[[2,2-dimethyl-3-(oxiran-2-ylmethoxy)propoxy]methyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCC(C)(C)COCC1CO1 KUAUJXBLDYVELT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKEUSTRYGVZRLN-UHFFFAOYSA-N 2-[tris(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)C(N(C)C)(N(C)C)C1=CC=CC=C1O CKEUSTRYGVZRLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUODQIKUTGWMPT-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-5-(trifluoromethyl)pyridine Chemical compound FC1=CC=C(C(F)(F)F)C=N1 UUODQIKUTGWMPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJWUEJOPKFYFQD-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-phenylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1O ZJWUEJOPKFYFQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFSJUURIAOOSJR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-5-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)benzoic acid Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(C(O)=O)=C1 MFSJUURIAOOSJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHMISIYKIHAJW-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxymandelic acid Chemical compound OC(=O)C(O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 RGHMISIYKIHAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXOWHQZWLCHHD-UHFFFAOYSA-N 3,5-ditert-butyl-4-hydroxybenzoic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(O)=O)=CC(C(C)(C)C)=C1O YEXOWHQZWLCHHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVGVDSSUAVXRDY-UHFFFAOYSA-N 3-(4-hydroxyphenyl)lactic acid Chemical compound OC(=O)C(O)CC1=CC=C(O)C=C1 JVGVDSSUAVXRDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYZWGHVZOQTMCW-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-5-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC(F)=C1 PYZWGHVZOQTMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLDLRRGZWIEEHT-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-nitrobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C(O)=C1 XLDLRRGZWIEEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVMDYYGIDFPZAX-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxyphenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(O)=C1 FVMDYYGIDFPZAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJIDPEUJSIWFAE-UHFFFAOYSA-N 4-(dimethylamino)-2-hydroxybenzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(O)=C1 SJIDPEUJSIWFAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNGLVZLEUDIDQH-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol;2-methyloxirane Chemical compound CC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 VNGLVZLEUDIDQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUTRHYYFCDEALP-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-3,5-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(Br)C(O)=C1 NUTRHYYFCDEALP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKADPXVIOXHVKN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxyphenylpyruvic acid Chemical compound OC(=O)C(=O)CC1=CC=C(O)C=C1 KKADPXVIOXHVKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLHGDUPGYDILIK-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-sulfanylbenzoic acid Chemical compound CC1=CC=C(C(O)=O)C(S)=C1 YLHGDUPGYDILIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=CN=C(C)N1 RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical class C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WRUZLCLJULHLEY-UHFFFAOYSA-N N-(p-hydroxyphenyl)glycine Chemical compound OC(=O)CNC1=CC=C(O)C=C1 WRUZLCLJULHLEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGQCWMIAEPEHNQ-UHFFFAOYSA-N Vanillylmandelic acid Chemical compound COC1=CC(C(O)C(O)=O)=CC=C1O CGQCWMIAEPEHNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- GNZCRYWFWKFIDM-UHFFFAOYSA-N benzamidosalicylate Chemical compound C1=C(O)C(C(=O)O)=CC=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1 GNZCRYWFWKFIDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KTPIWUHKYIJBCR-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) cyclohex-4-ene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C1C=CCC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 KTPIWUHKYIJBCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBWLNCUTNDKMPN-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) hexanedioate Chemical compound C1OC1COC(=O)CCCCC(=O)OCC1CO1 KBWLNCUTNDKMPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 150000001934 cyclohexanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229960004275 glycolic acid Drugs 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N ketene group Chemical group C=C=O CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- KKSDGJDHHZEWEP-UHFFFAOYSA-N m-hydroxycinnamic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC(O)=C1 KKSDGJDHHZEWEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N n-methyl-1-phenylmethanamine Chemical compound CNCC1=CC=CC=C1 RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMOWTIHVNWZYFI-UHFFFAOYSA-N o-Coumaric acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1O PMOWTIHVNWZYFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical class NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYBCIHRWMPOOF-UHFFFAOYSA-N p-hydroxyphenylpyruvic acid Natural products OC(=O)C(O)=CC1=CC=C(O)C=C1 GQYBCIHRWMPOOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- PMOWTIHVNWZYFI-AATRIKPKSA-N trans-2-coumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1O PMOWTIHVNWZYFI-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- KKSDGJDHHZEWEP-SNAWJCMRSA-N trans-3-coumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CC=CC(O)=C1 KKSDGJDHHZEWEP-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft eine photosensitive Harzzusammensetzung vom positiven Typ, die bei der Herstellung von Mikrofabrikations-Photoresists fĂŒr Leiterplatten und Platten fĂŒr integrierte Schaltungen und photosensitiven Materialien fĂŒr Lithographieplatten und dergleichen brauchbar ist.
- Positive photosensitive Zusammensetzungen fanden bisher in verschiedenen technischen Gebieten, wie beispielsweise bei der Herstellung von HalbleiterausrĂŒstungen, Leiterplatten, Druckplatten und dergleichen, breite Anwendung. Als photosensitive Zusammensetzung, welche in der Lage ist, ein positives Bild zu liefern, d. h. eine positive photosensitive Zusammensetzung, kam im allgemeinen eine Zusammensetzung zur Anwendung, welche durch Zugabe einer Chinondiazidoverbindung zu einem alkalilöslichen Novolak-Harz hergestellt wurde, wobei die Zusammensetzung in in der als Entwickler verwendeten basischen wĂ€Ărigen Lösung schwer löslich wurde. Dieses System macht charakteristischerweise von der Eigenschaft der Chinondiazidoverbindung Gebrauch, daĂ sie in einer basischen wĂ€Ărigen Lösung inherent unlöslich und nur in einem organischen Lösungsmittel löslich ist, aber beim Belichten mit UV-Strahlen die Chinondiazidogruppe sich zersetzt und dabei unter Durchlaufen einer Ketengruppe eine Carboxylgruppe bildet, wodurch die Verbindung in einer basischen wĂ€Ărigen Lösung leicht löslich wird.
- Beispiele derartiger positiver Photosensitizer sind die 1,2-Chinondiazidoverbindungen, welche in den Patenten und anderen technischen Publikationen beschrieben sind, die auf den Seiten 339 bis 357 in "Light-sensitive systems", J. Kosar (John Wiley & Sons Inc.), aufgefĂŒhrt sind. Derartige positive photosensitive Zusammensetzungen besitzen im allgemeinen ein weit besseres Auflösungsvermögen als negative Zusammensetzungen und dies ist der Hauptgrund, warum sie mit Vorteil als Ă€tzsicheres Mittel bei der Herstellung von Leiterplatten und Platten fĂŒr integrierte Schaltungen verwendet wurden. Die oben erwĂ€hnten Systeme sind jedoch mit einigen Problemen behaftet, weil die Eigenschaften der Produkte aufgrund der Herstellung der Novolak-Harze durch ein Kondensations-Polymerisationsverfahren stark schwanken und weil sie aufgrund des trotz eines vergleichsweise niedrigen Molekulargewichtes des Harzes betrĂ€chtlich höheren Erweichungspunktes im allgemeinen spröde sind und bei Verwendung als Resistfilm auch eine nur schwache AdhĂ€sion zu der TrĂ€gerplatte besitzen. Es bestand daher seit langem das BedĂŒrfnis, die obenerwĂ€hnten Nachteile zu ĂŒberkommen.
- Es wurde ein weiterer Vorschlag gemacht, bei dem eine 1,2- Chinondiazidoverbindung mit einem Copolymer aus einem konjugierten diolefinischen Kohlenwasserstoff, einer monoolefinischen ungesĂ€ttigten Verbindung und einer α,βethylenisch ungesĂ€ttigten CarbonsĂ€ure vermischt wurde (Japanische Patentanmeldung Kokai Nr. 122031/81). Bei diesem System wird festgestellt, daĂ die FlexibilitĂ€t und AdhĂ€sion zu der TrĂ€gerplatte einigermaĂen gut sind. Um dieses System durch Photobestrahlung jedoch alkalilöslich zu machen, ist es wesentlich, daĂ der Gehalt an α,β-ethylenisch ungesĂ€ttigter CarbonsĂ€ure im Harz betrĂ€chtlich erhöht wird, was wiederum das zusĂ€tzliche Problem verursacht, daĂ beim Entwickeln die nichtbelichteten Bereiche zum Quellen neigen, wodurch das Auflösungsvermögen des Systems vermindert wird.
- Die FR-A-2 130 167 offenbart das Vermischen einer 1,2-Chinondiazidoverbindung mit einem Harz, welches durch Veresterung einer Polyepoxidverbindung mit einer eine Hydroxyphenylgruppe aufweisenden MonocarbonsÀure hergestellt worden ist. In dem bekannten Material liegen die photosensitive Komponente und die Harz(Bindemittel)-Komponente als getrennte Komponenten vor.
- Die Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, die Nachteile der oben erwĂ€hnten bekannten Zusammensetzungen zu vermeiden und eine positive photosensitive Harzzusammensetzung zur VerfĂŒgung zu stellen, die eine ausgezeichnete FlexibilitĂ€t und AdhĂ€sion aufweist und darĂŒber hinaus in der Lage ist, eine Beschichtung zu ergeben, deren nicht-belichtete FlĂ€chen bei der Entwicklung eine möglichst geringe Quellung ergeben.
- ErfindungsgemÀà wird die obige Aufgabe mit einer positiven photosensitiven Harzzusammensetzung gelöst, die ein Harz umfaĂt, das erhalten wird durch Reaktion von
- (A) mindestens einer Polyepoxidverbindung mit einem Epoxy- Ăquivalent von 75 bis 1000, ausgewĂ€hlt unter einer polyvalenten Alkohol-GlycidylĂ€therverbindung, einer PolycarbonsĂ€ure-Glycidylesterverbindung, einer alicyclischen Glycidylverbindung, einer Glycidylaminverbindung, einer heterocyclischen Glycidylverbindung und einer Bisphenol-A- Alkylenoxidverbindung, mit
- (B) einer aromatischen oder heterocyclischen CarbonsÀure, die (eine) phenolische Hydroxylgruppe(n) enthÀlt, mit der Struktur
- wobei A fĂŒr substituiertes oder unsubstituiertes Alkylen oder Arylen,
- steht;
- R&sub4; und R&sub5; fĂŒr eine substituierte oder unsubstituierte Alkylen- oder Arylengruppe stehen, n fĂŒr 0 oder 1 steht; m fĂŒr eine ganze Zahl von 1 bis 3 steht; R&sub2; und R&sub3; gleich oder verschieden sind, und jeweils Wasserstoff, Halogen, Alkyl, Alkenyl, Nitril oder Alkoxy bedeuten, und auĂerdem zusammen mit den Kohlenstoffatomen des Benzolringes der oben erwĂ€hnten CarbonsĂ€ure (B) fĂŒr einen aromatischen, alicyclischen oder heterocyclischen Ring stehen können; und mit
- (C) einem 1,2-ChinondiazidosulfonsĂ€urehalogenid im ĂquivalentverhĂ€ltnis der Carboxylgruppe von (B): Epoxygruppe von (A) = 1 : 0,89 bis 1,2 und der phenolischen Hydroxylgruppe von (B): Sulfonylhalogenidgruppe von (C) = 1 : 0,05 bis 1,2.
- Die erfindungsgemĂ€Ăe photosensitive Harzzusammensetzung vom Positivtyp kann vorteilhaft durch eines der folgenden Verfahren hergestellt werden, nĂ€mlich dadurch, daĂ man
- (A) mindestens eine Polyepoxidverbindung mit einem EpoxyÀquivalent von 75 bis 1000, ausgewÀhlt unter einer polyvalenten Alkohol-GlycidylÀtherverbindung, einer PolycarbonsÀure-Glycidylesterverbindung, einer alicyclischen Glycidylverbindung, einer Glycidylaminverbindung, einer heterocyclischen Glycidylverbindung und einer Bisphenol-A- Alkylenoxidverbindung, umsetzt mit
- (B) einer aromatischen oder heterocyclischen CarbonsÀure, die (eine) phenolische Hydroxylgruppe(n) enthÀlt, mit der Struktur
- wobei A fĂŒr substituiertes oder unsubstituiertes Alkylen oder Arylen
- steht;
- R&sub4; und R&sub5; fĂŒr eine substituierte oder unsubstituierte Alkylen- oder Arylengruppe stehen; n fĂŒr 0 oder 1 steht; m fĂŒr eine ganze Zahl von 1 bis 3 steht; R&sub2; und R&sub3; gleich oder verschieden sind, und jeweils Wasserstoff, Halogen, Alkyl, Alkenyl, Nitril oder Alkoxy bedeuten, und auĂerdem zusammen mit den Kohlenstoffatomen des Benzolringes der oben erwĂ€hnten CarbonsĂ€ure (B) fĂŒr einen aromatischen, alicyclischen oder heterocyclischen Ring stehen können, gebildet wird, im ĂquivalentverhĂ€ltnis der Carboxylgruppe von (B): Epoxygruppe von (A) = 1 : 0,8 bis 1,2, und man danach das oben erwĂ€hnte Reaktionsprodukt umsetzt mit (C) einem 1,2-ChinondiazidosulfonsĂ€urehalogenid in einem ĂquivalentverhĂ€ltnis der phenolischen Gruppe von (B): Sulfonylhalogenid von (C) = 1 : 0,05 bis 1,2;
- oder daĂ man die erwĂ€hnte aromatische oder heterocyclische CarbonsĂ€ure mit einer phenolischen Hydroxygruppe (phenolischen Hydroxygruppen) der Formel (B) mit (C) einem 1,2-ChinondiazidosulfonsĂ€urehalogenid in einem ĂquivalentverhĂ€ltnis von phenolischer Hydroxygruppe von (B): Sulfonylhalogenidgruppe von (C) = 1 : 0,05 bis 1,2 umsetzt und danach das erhaltene Reaktionsprodukt mit der erwĂ€hnten Polyepoxidverbindung in einem ĂquivalentverhĂ€ltnis von Carboxylgruppe von (B): Epoxygruppe von (A) = 1 : 0,8 bis 1,2 umsetzt.
- Ersteres ist jedoch unter dem Gesichtspunkt der Vermeidung einer möglichen Zersetzung der 1,2-Chinondiazidosulfonylverbindung durch Hitze am meisten bevorzugt. Der hier verwendete Ausdruck "Polyepoxidverbindung" bedeutet eine Polyepoxidverbindung, die 1, 2 oder mehr Epoxygruppen pro MolekĂŒl enthĂ€lt. Bei der erfindungsgemÀà verwendeten Polyepoxidverbindung (A) handelt es sich um wenigstens eine Verbindung, die ausgewĂ€hlt ist unter GlycidylĂ€thern mehrwertiger Alkohole, Glycidylestern von PolycarbonsĂ€uren, acyclischen Glycidylyerbindungen, Glycidylaminverbindungen, heterocyclischen Glycidylverbindungen und Alkylenoxidverbindungen von Bisphenol-A mit einem EpoxyĂ€quivalent von 75 bis 1000, vorzugsweise 100 bis 350. Wenn das EpoxyĂ€quivalent weniger als 75 ist, ist die filmbildende Eigenschaft der Zusammensetzung aufgrund des niedrigen Molekulargewichts nicht gut, wohingegen, wenn das EpoxyĂ€quivalent mehr als 1000 betrĂ€gt, die positive Photoempfindlichkeit aufgrund des höheren Molekulargewichtes abfĂ€llt und die erhaltene Zusammensetzung in der alkalischen wĂ€Ărigen Lösung kaum löslich werden wĂŒrde. Die gewĂŒnschten Effekte können daher mit einer Polyepoxidverbindung mit einem EpoxyĂ€quivalent von weniger als 75 oder mehr als 1000 nicht erwartet werden.
- Insbesondere kann man die folgenden Polyepoxidverbindungen vorteilhaft bei der Erfindung verwenden:
- (a) GlycidylÀther mehrwertiger Alkohole: beispielsweise
- PolyethylenglykoldiglycidylÀther,
- PolypropylenglykoldiglycidylÀther,
- NeopentylglykoldiglycidylÀther,
- GlycerindiglycidylÀther,
- TrimethylolpropantriglycidylÀther,
- ResorcindiglycidylÀther und dergleichen,
- (b) Glycidylester von PolycarbonsÀuren: beispielsweise PhthalsÀurediglycidylester, TetrahydrophthalsÀurediglycidylester, AdipinsÀurediglycidylester, DimersÀurediglycidylester und dergleichen;
- (c) alicyclische Glycidylverbindungen, beispielsweise hydrierte Bisphenol-A-diglycidylÀther, Cyclohexanderivate, Dicyclopentadien und dergleichen;
- (d) Glycidylaminoverbindungen: beispielsweise Tetraglycidylbisaminomethylcyclohexan und dergleichen;
- (e) heterocyclische Glycidylverbindungen, beispielsweise Triglycidylisocyanurate, N,N-Diglycidyl-5,5- dimethylhydantoin und dergleichen,
- (f) Alkylenoxidverbindungen von Bisphenol-A: beispielsweise DiglycidylÀther des Additionsproduktes von Bisphenol-A mit 2 Mol Propylenoxid und dergleichen.
- Durch selektive Auswahl geeigneter Polyepoxidverbindungen wie oben erwÀhnt ist es möglich, eine Beschichtung mit ausgezeichneter FlexibilitÀt und AdhÀsion sowie verbessertem Auflösungsvermögen zu erhalten.
- Die erfindungsgemÀà zur Anwendung kommenden aromatischen und heterocyclischen CarbonsÀuren, die phenolische Hydroxygruppen aufweisen, entsprechen der Formel:
- worin A fĂŒr substituiertes oder unsubstituiertes Alkylen oder Arylen,
- steht;
- R&sub4; und R&sub5; fĂŒr eine substituierte oder unsubstituierte Alkylen- oder Arylengruppe stehen; n fĂŒr 0 oder 1 steht; m fĂŒr eine ganze Zahl von 1 bis 3 steht; R&sub2; und R&sub3;, die gleich oder verschieden sind, jeweils fĂŒr Wasserstoff, Halogen, Alkyl, Alkenyl, Nitril oder Alkoxy stehen und auch einen aromatischen, alicyclischen oder heterocyclischen Ring zusammen mit den Kohlenstoffatomen des Benzolringes in der obigen Formel bedeuten können.
- Spezifische Beispiele derartiger CarbonsÀuren sind 3-MethoxysalicylsÀure, 3-MethylsalicylsÀure, 5-tert- OctylsalicylsÀure, 3-Chlor-4-hydroxybenzoesÀure, 5-Fluor-3- hydroxybenzoesÀure, 4-MethyithiosalicylsÀure, 3-Hydroxy-4- nitrobenzoesÀure, 3,5-Dimethyl-4-hydroxybenzoesÀure, 3,5-Ditert-butyl-4-hydroxybenzoesÀure, 3-PhenylsalicylsÀure, 4- BenzamidosalicylsÀure, 4-DimethylaminosalicylsÀure, 3,4- DihydroxybenzoesÀure, 2,3-DihydroxybenzoesÀure, 2,6- DihydroxybenzoesÀure, 4-Brom-3,5-dihydroxybenzoesÀure, 3,4,5- TrihydroxybenzoesÀure, 2,4,6-TrihydroxybenzoesÀure, DibromgallussÀure, o-HydroxyphenylessigsÀure, m-HydroxyphenylessigsÀure, p-HydroxyphenylessigsÀure, 4-Hydroxy-3- methoxyphenylessigsÀure, dl-4-Hydroxy-3-methoxymandelsÀure, p-HydroxyphenylbenztraubensÀure, 3-(p-Hydroxyphenyl)milchsÀure, dl-3,4-DihydroxymandelsÀure, 3,4-DihydroxyphenylessigsÀure, o-HydroxyzimtsÀure, m-HydroxyzimtsÀure, p-HydroxyzimtsÀure, 3-Hydroxy-4-methoxyzimtsÀure, 3,4-DihydroxyzimtsÀure, 3,5- Dimethoxy-4-hydroxyzimtsÀure, 3,4-DihydroxyhydrozimtsÀure, N-(p-Hydroxyphenyl)glycin, 3,5-di-Jod-thiocyn, HomogentisinsÀure und dergleichen.
- Die erfindungsgemĂ€Ăen CarbonsĂ€uren sind jedoch nicht auf die oben erwĂ€hnten Verbindungen begrenzt, vielmehr können alle aromatischen oder heterocyclischen CarbonsĂ€uren mit phenolischen Hydroxygruppen der oben erwĂ€hnten Formel vorteilhaft fĂŒr die erfindungsgemĂ€Ăen Zwecke verwendet werden.
- Die erwĂ€hnte Polyepoxidverbindung (A) und die erwĂ€hnte CarbonsĂ€ure (B) werden im ĂquivalentverhĂ€ltnis von Carboxylgruppe: Epoxygruppe = 1 : 0,8 bis 1,2, vorzugsweise 1 : 0,9 bis 1,1, ĂŒblicherweise in einem Lösungsmittel und in Anwesenheit eines Katalysators bei 50 bis 180ÂșC, vorzugsweise 80 bis 150ÂșC, umgesetzt.
- Als Lösungsmittel verwendet man beispielsweise Dioxan, Methylisobutylketon, Tetrahydrofuran, Methylethylketon oder dergleichen in geeigneter Menge, beispielsweise 50 bis 500 Gew.-Teile pro 100 Teile Harz.
- Als Katalysator kann man jeden bisher bekannten, als Katalysator fĂŒr die Umsetzung zwischen einer Epoxygruppe und Carboxylgruppe brauchbaren Katalysator zufriedenstellend verwenden. Beispiele sind anorganische Alkaliverbindungen, wie Kaliumhydroxid, Natriumhydroxid und dergleichen; quaternĂ€re Ammoniumsalze, wie Triethylbenzylammoniumchlorid, Tetramethylammoniumchlorid und dergleichen; tertiĂ€re Amine, wie Benzylmethylamin, Tributylamin, tris(Dimethylamino)methylphenol und dergleichen; und Imidazolverbindungen, wie 2-Methyl-4- ethylimidazol, 2-Methylimidazol und dergleichen. Der Katalysator wird in ĂŒblichen katalytischen Mengen, beispielsweise 0,01 bis 5 Gew.-%, verwendet. Wie jedoch im Rahmen der vorliegenden Erfindung bereits angegeben, ist es wesentlich, daĂ das ĂquivalentverhĂ€ltnis von Carboxy- zu Epoxygruppen im Bereich von 1 : 0,8 bis 1 : 1,2 gewĂ€hlt wird. Wenn das EpoxyĂ€quivalent weniger als 0,8 pro 1 CarboxylĂ€quivalent betrĂ€gt, verbleibt eine ĂŒbermĂ€Ăig hohe Menge an freien Carboxylgruppen im fertigen Harz. Damit wird ein alkalilösliches Harz gebildet und die Entwicklungseigenschaften werden nachteilig beeinfluĂt. Wenn dagegen der Anteil an Epoxygruppen die Obergrenze von 1,2 pro Ăquivalent Carboxylgruppe ĂŒberschreitet, erfolgt eine Vernetzungsreaktion der Polyepoxyverbindungen, was eine Erhöhung der AlkalibestĂ€ndigkeit des Harzes verursacht. Damit werden die Entwicklungseigenschaften ebenfalls nachteilig beeinfluĂt.
- ErfindungsgemÀà wird das 1,2-ChinondiazidosulfonsĂ€urehalogenid, beispielweise 1,2-Naphthochinondiazido-5- sulfonylchlorid oder 1,2-Benzochinondiazido-4-sulfonylchlorid und dergleichen, anschlieĂend mit dem oben erwĂ€hnten Reaktionsprodukt aus Polyepoxidverbindung und der aromatischen oder heterocyclischen CarbonsĂ€ure mit phenolischen Hydroxygruppen im ĂquivalentverhĂ€ltnis von phenolischer Hydroxygruppe: Sulfonylhalogenidgruppe = 1 : 0,05 bis 1,2, vorzugsweise 1 : 0,1 bis 1,0, umgesetzt. Diese Reaktion wird gĂŒnstigerweise in einem Lösungsmittel, wie Dioxan, Aceton, Tetrahydrofuran, Methylethylketon, und in Anwesenheit eines Katalysators, der dafĂŒr bekannt ist, fĂŒr die Umsetzung einer Hydroxygruppe und eines Sulfonylhalogenides brauchbar zu sein, beispielsweise anorganisches Alkali, wie Natriumcarbonat, Natriumhydroxid und dergleichen und organische Amine, wie Diethylamin, Triethylamin und dergleichen, bei -20 bis 50ÂșC, vorzugsweise -10 bis 30ÂșC, durchgefĂŒhrt. Die Reaktionsbedingungen können in AbhĂ€ngigkeit von den Ausgangsmaterialien in geeigneter Weise gewĂ€hlt werden. Einer niedrigen Temperatur wird im Hinblick auf die StabilitĂ€t der verwendeten 1,2- Naphthochinondiazidoverbindung der Vorzug gegeben.
- Es wird darauf hingewiesen, daĂ das oben erwĂ€hnte ĂquivalentverhĂ€ltnis von phenolischer Hydroxygruppe zu Sulfonylgruppe erfindungsgemÀà wesentlich ist. Der Grund dafĂŒr liegt darin, daĂ, wenn der Anteil an Sulfonylhalogenid weniger als 0,05 Ăquivalente pro 1 Ăquivalent phenolischer Hydroxygruppe betrĂ€gt, der Chinondiazidogehalt im fertigen Harz zu gering ist, um die gewĂŒnschte Alkalilöslichkeit bei der Photozersetzung zu erreichen, so daĂ die erfindungsgemĂ€Ăe Aufgabe nicht gelöst wird. Wenn dagegen der Anteil an Sulfonylhalogenid mehr als 1,2 Ăquivalente pro 1 Ăquivalent phenolischer Hydroxygruppe betrĂ€gt, verbleiben Chinondiazidoverbindungen mit niedrigem Molekulargewicht als Verunreinigungen im fertigen Harz und die gewĂŒnschten klaren Abbildungen können nicht erhalten werden. DarĂŒber hinaus liegt eine betrĂ€chtliche unerwĂŒnschte Schwankung der Filmeigenschaften vor.
- Industriell können die erfindungsgemĂ€Ăen Harzzusammensetzungen vorteilhaft auch durch Umsetzung einer aromatischen oder heterocyclischen Carbonsaure mit phenolischen Hydroxygruppen (B) mit einem 1,2-ChinondiazidosulfonsĂ€urehalogenid (C) in Ă€hnlicher Weise wie oben erwĂ€hnt und anschlieĂender Umsetzung mit einer Polyepoxidverbindung (A) hergestellt werden. Im Hinblick auf die HitzestabilitĂ€t der 1,2-Chinondiazidoverbindungen ist die zuerst genannte Methode im Vergleich zu letzterer bevorzugt.
- Die erfindungsgemĂ€Ăe Harzzusammensetzung besitzt ausgezeichnete filmbildende Eigenschaften und ergibt eine Beschichtung mit ausgezeichneter FlexibilitĂ€t und AdhĂ€sionseigenschaften. Wenn die Beschichtung aktinischer Strahlung ausgesetzt wird, beispielsweise ultravioletten Strahlen, werden die Chinondiazidogruppen zersetzt und das Harz wird in wĂ€Ăriger alkalischer Lösung löslich. Die erfindungsgemĂ€Ăe Harzzusammensetzung ist daher als positive photosensitive Harzzusammensetzung mit ausgezeichnetem Auflösungsvermögen besonders brauchbar. GewĂŒnschtenfalls kann die erfindungsgemĂ€Ăe Harzzusammensetzung zusĂ€tzlich weitere bekannte alkalilösliche Harze und weitere bekannte 1,2- Chinondiazidoverbindungen enthalten. Lagerungsstabilisatoren, Farbstoffe, Pigmente und andere bekannte Additive können ebenfalls zugesetzt werden.
- Zur Herstellung einer photosensitiven Schicht kann die erfindungsgemĂ€Ăe Harzzusammensetzung, welche die oben erwĂ€hnten Bestandteile enthĂ€lt, in einem geeigneten Lösungsmittel gelöst und anschlieĂend auf ein TrĂ€gersubstrat unter Verwendung einer bekannten Beschichtungsmethode, beispielsweise unter Verwendung einer Zentrifuge oder Auftragsvorrichtung, und schlieĂlich einem Trocknungsvorgang unterworfen werden.
- Beispiele derartiger Lösungsmittel sind GlykolĂ€ther, wie EthylenglykolmonomethylĂ€ther, EthylenglykolmonoethylĂ€ther und dergleichen; Cellosolveacetate, wie Methylcellosolveacetat, Ethylcellosolveacetat und dergleichen; aromatische Kohlenwasserstoffe, wie Toluol, Xylol und dergleichen; Ketone, wie Methylethylketon, Cyclohexanon und dergleichen; und Ester, wie Ethylacetat, Butylacetat und dergleichen. Diese Lösungsmittel werden einzeln oder in Kombination von 2 oder mehreren verwendet. Beispiele von TrĂ€gersubstraten sind Silikonwafer, Aluminiumplatten, Plastikfilme, Papier, Glasplatten, Kupferplatten, kupferbeschichtete Laminate fĂŒr Leiterplatten und dergleichen. Diese TrĂ€gersubstrate werden in AbhĂ€ngigkeit von der beabsichtigten Anwendung in geeigneter Weise ausgewĂ€hlt.
- Die erfindungsgemĂ€Ăe Harzzusammensetzung kann auch mit Hilfe einer Elektroabscheidungsvorrichtung aufgetragen werden. Zu diesem Zweck wird die erfindungsgemĂ€Ăe Zusammensetzung mit einem eine saure Gruppe aufweisenden Bindemittelharz, teilweise oder vollstĂ€ndig mit einem organischen Amin neutralisiert, und die Kombination wird in Wasser gelöst und dispergiert. Die erhaltene wĂ€Ărige FlĂŒssigkeit wird als anodisches Abscheidungsbad einer positiven photosensitiven Harzzusammensetzung verwendet. Das TrĂ€gersubstrat fĂŒr die Elektroabscheidung kann jedes ĂŒbliche sein, einschlieĂlich einem kupferplattiertem Laminat, einer Aluminiumplatte und dergleichen.
- Die Erfindung wird nun in den nachfolgenden Beispielen nÀher erlÀutert. Wenn nicht anders angegeben, sind alle Teile- Prozentangaben auf das Gewicht bezogen.
- In einen 1000 ml abnehmbaren Drei-Halskolben wurden 68 Teile EthylenglykoldiglycidylĂ€ther (EpoxyĂ€quivalent 135), 86 Teile 3,4,5-TrihydroxybenzoesĂ€ure und 100 Teile Dioxan gegeben. Die Mischung wurde auf 120ÂșC erhitzt, mit 0,3 Teilen Benzyldimethylamin als Katalysator versetzt und danach 5 Stunden bei 120ÂșC zur Reaktion gebracht. Der SĂ€urewert der Reaktionslösung war 5,0 und der Umsetzungsgrad war 97,3%. AnschlieĂend lieĂ man die Mischung auf 10ÂșC abkĂŒhlen, gab 270 Teile 1,2-Naphthochinondiazido-5-sulfonylchlorid und 300 Teile Dioxan zu. Die Mischung wurde unter Zutropfen von 120 Teilen Triethylamin als Katalysator 2 Stunden bei 10ÂșC zur Reaktion gebracht. Zu der Reaktionsmischung wurde anschlieĂend eine groĂe Menge 2%-iger wĂ€Ăriger verdĂŒnnter SalzsĂ€urelösung getropft, um das Harz als Niederschlag zu erhalten. Nach dem Waschen mit Wasser wurde der Niederschlag 15 Stunden im Vakuum bei 40ÂșC getrocknet, wobei das positive photosensitive Harz [A] mit einer Ausbeute von 95% erhalten wurde. Das erhaltene positive photosensitive Harz [A] wurde in EthylenglykolmonomethylĂ€ther bis zu einem Feststoffgehalt von 15% gelöst.
- Die erhaltene Lösung wurde durch einen Membranfilter von 0,2 um filtriert und mit einer Zentrifuge auf einen Siliciumoxidfilmwafer aufgetragen. Der beschichtete Wafer wurde anschlieĂend in einem Ofen 1-5 Minuten bei 80ÂșC getrocknet. Die FilmstĂ€rke war 1,0 um. Zur Bewertung der AdhĂ€sionseigenschaften wurde der Film aus dem obenerwĂ€hnten photosensitiven Harz auf dem Wafer mit einem Cutter angeritzt und es wurde gefunden, daĂ keine Defekte, wie Risse und kein AbblĂ€ttern, vorlag.
- Der beschichtete Wafer wurde durch eine Testfigur zur Bestimmung des Auflösungsvermögens mit einer Quecksilberhochdrucklampe mit Licht mit einer IntensitĂ€t von 50 W/cmÂČ (bestimmt bei 365 um) belichtet. Nach Entwicklung mit 2%-iger wĂ€Ăriger Natriumcarbonatlösung fĂŒr 60 Sekunden bei 30ÂșC, wurde das erhaltene Resist mit entsalztem Wasser gespĂŒlt, wobei ein Muster mit einem Auflösungsvermögen von 0,6 um erhalten wurde.
- In ein Ă€hnliches ReaktionsgefÀà wie im Beispiel 1 verwendet, wurden 88 Teile PhthalsĂ€urediglycidylester (EpoxyĂ€quivalent 175), 85 Teile 3,4-DihydroxyessigsĂ€ure und 58 Teile Dioxan gegeben. Die Mischung wurde auf 120ÂșC erhitzt, mit 1,5 Teilen Trimethylammoniumchlorid als Katalysator versetzt und danach 5 Stunden bei 120ÂșC zur Reaktion gebracht. Der SĂ€urewert der Reaktionslösung war 7,0 und der Umsetzungsgrad war 95,7%.
- AnschlieĂend lieĂ man die Mischung auf 10ÂșC abkĂŒhlen und versetzte sie mit 250 Teilen 1,2-Naphthochinondiazido-5- sulfonylchlorid und 400 Teilen Aceton. Die Mischung wurde unter Zutropfen von 60 Teilen Triethylamin als Katalysator 2 Stunden bei 10ÂșC zur Reaktion gebracht. Danach wurde die Reaktionsmischung tropfenweise mit einer groĂen Menge einer verdĂŒnnten 2%-igen wĂ€Ărigen SalzsĂ€urelösung versetzt, um das Harz als Niederschlag zu erhalten. Nach dem Waschen mit Wasser wurde der Niederschlag im Vakuum 20 Stunden bei 40ÂșC getrocknet, wobei ein positives photosensitives Harz mit einer Ausbeute von 92% erhalten wurde. Das erhaltene positive photosensitive Harz wurde in EthylenglykolmonomethylĂ€ther bis zu einem Feststoffgehalt der Lösung von 15% gelöst.
- Die erhaltene Lösung wurde durch einen Membranfilter von 0,2 um filtriert und auf einen Siliciumoxidfilmwafer in einer Zentrifuge aufgetragen. Der beschichtete Wafer wurde anschlieĂend in einem Ofen 15 Minuten bei 80ÂșC getrocknet. Die FilmstĂ€rke war 1,0 um. Die Bewertung der AdhĂ€sionseigenschaft und des Auflösungsvermögens wurde in gleicher Weise wie im Beispiel 1 durchgefĂŒhrt. Die Ergebnisse dieser Bewertungen sind in Tabelle 1 angegeben.
- In ein Ă€hnliches ReaktionsgefÀà wie im Beispiel 1 verwendet, wurden 110 Teile hydrierter Bisphenol-A- DiglycidylĂ€ther (EpoxyĂ€quivalent 220), 97 Teile 3-Hydroxy-4- ZimtsĂ€ure und 69 Teile Dioxan gegeben. Die Mischung wurde auf 120ÂșC erhitzt, mit 1,5 Teilen Trimethylammoniumchlorid als Katalysator versetzt und danach 5 Stunden bei 120ÂșC zur Reaktion gebracht. Der SĂ€urewert der Reaktionslösung war 6,0 und die Umsetzungsrate war 95,6%.
- AnschlieĂend lieĂ man die Mischung auf 10ÂșC abkĂŒhlen und gab 135 Teile 1,2-Naphthochinondiazido-4-sulfonylchlorid und 500 Teile Aceton zu. Die Mischung wurde unter tropfenweiser Zugabe von 60 Teilen Triethylamin als Katalysator 2 Stunden bei 10ÂșC zur Reaktion gebracht. Danach wurde die Reaktionsmischung zu einer groĂen Menge 2%-iger verdĂŒnnter wĂ€Ăriger SalzsĂ€urelösung getropft, um das Harz als Niederschlag zu erhalten. Nach Waschen mit Wasser wurde der Niederschlag 20 Stunden bei 40ÂșC im Vakuum getrocknet, wobei ein positives photosensitives Harz mit einer Ausbeute von 92% erhalten wurde. Das erhaltene positive photosensitive Harz wurde in EthylenglykolmonomethylĂ€ther bis zu einem Feststoffgehalt der Lösung von 15% gelöst.
- Die erhaltene Lösung wurde durch einen Membranfilter von 0,2 um filtriert und auf einen Siliciumoxidfilmwafer in einer Zentrifuge aufgetragen. Der beschichtete Wafer wurde anschlieĂend in einem Ofen 15 Minuten bei 80ÂșC getrocknet. Die FilmstĂ€rke war 1,0 um. Die Bewertung der AdhĂ€sionseigenschaft und des Auflösungsvermögens wurde in gleicher Weise wie im Beispiel 1 durchgefĂŒhrt. Die Ergebnisse dieser Bewertungen sind in Tabelle 1 angegeben.
- In ein Ă€hnliches ReaktionsgefÀà wie in Beispiel 1 verwendet, wurden 56 Teile Tetraglycidyl-bisaminomethylcyclohexan (EpoxyĂ€quivalent 110), 95 Teile 3,4-DihydroxyzimtsĂ€ure und 50 Teile Dioxan gegeben. Die Mischung wurde auf 120ÂșC erhitzt, mit 1,5 Teilen Benzyldimethylamin als Katalysator versetzt und anschlieĂend 5 Stunden bei 120ÂșC zur Reaktion gebracht. Der SĂ€urewert der Reaktionslösung war 5,0 und die Umsetzungsrate war 97,5%.
- AnschlieĂend lieĂ man die Mischung auf 10ÂșC abkĂŒhlen und versetzte sie mit 110 Teilen 1,2-Benzochinondiazido-4- sulfonylchlorid und 600 Teilen Aceton. Die Mischung wurde unter tropfenweiser Zugabe von 60 Teilen Triethylamin als Katalysator 2 Stunden bei 10ÂșC zur Reaktion gebracht. AnschlieĂend wurde die Reaktionsmischung zu einer groĂen Menge 2%-iger verdĂŒnnter wĂ€Ăriger SalzsĂ€urelösung getropft, um das Harz als Niederschlag zu erhalten. Nach dem Waschen mit Wasser wurde der Niederschlag 17 Stunden bei 40ÂșC im Vakuum getrocknet, wobei ein positives photosensitives Harz mit einer Ausbeute von 91% erhalten wurde. Das erhaltene positive photosensitive Harz wurde in EthylenglykolmonomethylĂ€ther bis zu einem Feststoffgehalt der Lösung von 15% gelöst.
- Die erhaltene Lösung wurde durch einen Membranfilter von 0,2 um gelöst und auf einen Siliciumoxidfilmwafer in einer Zentrifuge aufgetragen. Der beschichtete Wafer wurde anschlieĂend in einem Ofen 15 Minuten bei 80ÂșC getrocknet. Die FilmstĂ€rke war 1,0 um. Die Bewertung der AdhĂ€sionseigenschaft und des Auflösungsvermögens wurde in gleicher Weise wie im Beispiel 1 durchgefĂŒhrt. Das Ergebnis dieser Bewertungen ist in Tabelle 1 angegeben.
- In ein Ă€hnliches ReaktionsgefÀà wie im Beispiel 1 verwendet, wurden 55 Teile Triglycidylisocyanurat (EpoxyĂ€quivalent 105), 96 Teile 3-Methoxy-4-hydroxyessigsĂ€ure und 50 Teile Dioxan gegeben. Die Mischung wurde auf 120ÂșC erhitzt, mit 1,5 Teilen Trimethylammoniumchlorid als Katalysator versetzt und danach 5 Stunden bei 120ÂșC zur Reaktion gebracht. Der SĂ€urewert der Reaktionslösung war 5,0 und die Umsetzungsrate war 97,4%. AnschlieĂend lieĂ man die Mischung auf 10ÂșC abkĂŒhlen und versetzte sie mit 135 Teilen 1,2-Naphthochinondiazido-4-sulfonylchlorid und 600 Teilen Dioxan. Die Mischung wurde unter Zutropfen von 60 Teilen Triethylamin als Katalysator 2 Stunden bei 10ÂșC zur Reaktion gebracht. Danach wurde die Reaktionsmischung zu einer groĂen Menge 2%-iger verdĂŒnnter wĂ€Ăriger SalzsĂ€urelösung getropft, um das Harz als Niederschlag zu erhalten. Nach dem Waschen mit Wasser wurde der Niederschlag 24 Stunden bei 40ÂșC im Vakuum getrocknet, wobei ein positives photosensitives Harz mit einer Ausbeute von 94% erhalten wurde. Das erhaltene positive photosensitive Harz wurde in EthylenglykolmonomethylĂ€ther bis zu einem Feststoffgehalt der Lösung von 15% gelöst.
- Die erhaltene Lösung wurde durch einen Membranfilter von 0,2 um filtriert und auf einen Siliciumoxidfilmwafer in einer Zentrifuge aufgetragen. Der beschichtete Wafer wurde anschlieĂend in einem Ofen 15 Minuten bei 80ÂșC getrocknet. Die FilmstĂ€rke war 1,0 um. Die Bewertung der AdhĂ€sionseigenschaften und des Auflösungsvermögens wurde in gleicher Weise wie im Beispiel 1 durchgefĂŒhrt. Das Ergebnis dieser Bewertungen ist in Tabelle 1 angegeben.
- In ein Ă€hnliches ReaktionsgefÀà wie im Beispiel 1 verwendet, wurden 67 Teile eines Adduktes von Bisphenol-A- Propylenoxid und DiglycidylĂ€ther im MolverhĂ€ltnis von 2 : 1 (EpoxyĂ€quivalent 315), 33 Teile 3,4-DihydroxybenzoesĂ€ure und 33 Teile Dioxan gegeben. Die Mischung wurde auf 120ÂșC erhitzt, mit 1,2 Teilen Trimethylammoniumchlorid als Katalysator versetzt und danach 5 Stunden bei 120ÂșC zur Reaktion gebracht. Der SĂ€urewert der Reaktionslösung war 5,0 und die Umsetzungsrate war 94,4%. AnschlieĂend lieĂ man die Mischung auf 10ÂșC abkĂŒhlen und versetzte sie mit 114 Teilen 1,2-Naphthochinondiazido-4-sulfonylchlorid und 550 Teilen Aceton. Die Mischung wurde unter Zutropfen von 51 Teilen Triethylamin als Katalysator 2 Stunden bei 10ÂșC zur Reaktion gebracht. Danach wurde die Mischung zu einer groĂen Menge 2 %iger verdĂŒnnter wĂ€Ăriger SalzsĂ€urelösung getropft, um das Harz als Niederschlag zu erhalten. Nach dem Waschen mit Wasser wurde der Niederschlag 20 Stunden bei 40ÂșC im Vakuum getrocknet, wobei ein positives photosensitives Harz mit einer Ausbeute von 95% erhalten wurde. Das erhaltene positive photosensitive Harz wurde in EthylenglykolmonomethylĂ€ther bis zu einem Feststoffgehalt der Lösung von 15% gelöst.
- Die erhaltene Lösung wurde durch einen Membranfilter von 0,2 um filtriert und auf einen Siliciumoxidfilmwafer in einer Zentrifuge aufgetragen. Der beschichtete Wafer wurde anschlieĂend in einem Ofen 15 Minuten bei 80ÂșC getrocknet. Die FilmstĂ€rke war 1,0 um. Die Bewertung der AdhĂ€sionseigenschaften und des Auflösungsvermögens wurde in gleicher Weise wie im Beispiel 1 durchgefĂŒhrt. Das Ergebnis dieser Bewertungen ist in Tabelle 1 angegeben.
- In ein Ă€hnliches ReaktionsgefÀà wie im Beispiel 1 verwendet, wurden 67 Teile TrimethylolpropantriglycidylĂ€ther (EpoxyĂ€quivalent 150), 71 Teile 3-MethylsalicylsĂ€ure und 46 Teile EthylenglykolmonobutylĂ€theracetat gegeben. Die Mischung wurde auf 120ÂșC erhitzt, mit 1,3 Teilen Trimethylammoniumchlorid als Katalysator versetzt und danach 5 Stunden bei 120ÂșC zur Reaktion gebracht. Der SĂ€urewert der Reaktionslösung war 5,5 und die Umsetzungsrate war 96,6%. AnschlieĂend lieĂ man die Mischung auf 10ÂșC abkĂŒhlen und versetzte sie mit 125 Teilen 1,2-Naphthochinondiazido-5-sulfonylchlorid und 600 Teilen Aceton. Die Mischung wurde unter Zutropfen von 60 Teilen Triethylamin als Katalysator 2 Stunden bei 10ÂșC zur Reaktion gebracht. Danach wurde die Reaktionsmischung zu einer groĂen Menge 2%-iger verdĂŒnnter wĂ€Ăriger SalzsĂ€urelösung getropft, um das Harz als Niederschlag zu erhalten. Nach dem Waschen mit Wasser wurde der Niederschlag 18 Stunden bei 40ÂșC im Vakuum getrocknet, wobei ein positives photosensitives Harz mit einer Ausbeute von 95% erhalten wurde. Das erhaltene positive photosensitive Harz wurde in EthylenglykolmonomethylĂ€ther bis zu einem Feststoffgehalt der Lösung von 15% gelöst.
- Die erhaltene Lösung wurde durch einen Membranfilter von 0,2 um filtriert und auf einen Siliciumoxidfilmwafer in einer Zentrifuge aufgetragen. Der beschichtete Wafer wurde anschlieĂend in einem Ofen 15 Minuten bei 80ÂșC getrocknet. Die FilmstĂ€rke war 1,0 um. Die Bewertung der AdhĂ€sionseigenschaft und des Auflösungsvermögens wurde in gleicher Weise wie im Beispiel 1 durchgefĂŒhrt. Das Ergebnis dieser Bewertung ist in Tabelle 1 angegeben. Tabelle 1 Beispiele AdhĂ€sion am Wafer *Âč Auflösungsvermögen *Âč Der gebildete und getrocknete photosensitive Beschichtungsfilm wurde mit einem Cutter angeritzt und dadurch entstehende Risse und abblĂ€tternde Stellen des Beschichtungsfilms wurden beobachtet. : ausgezeichnet : gut
- Wie oben an, gegeben, ist die erfindungsgemĂ€Ăe photosensitive Harzzusammensetzung zur Mikrofabrikation von Photoresists und photosensitiven Materialien zu Anwendung bei Lithographieplatten brauchbar, und zwar aufgrund der ausgezeichneten FlexibilitĂ€t des Beschichtungsfilms und der AdhĂ€sion zu einem TrĂ€gersubstrat und weil darĂŒber hinaus bei den nicht-belichteten Teilen nach dem Entwickeln eine nur extrem geringe Quellung erfolgt.
Claims (5)
1. Positive photosensitive Harzzusammensetzung, die ein Harz
umfaĂt, das abgeleitet ist von einer Polyepoxidverbindung und
einer CarbonsÀure, die (eine) phenolische Hydroxylgruppe(n)
enthÀlt, sowie einer photosensitiven Einheit auf Basis einer
1,2-Chinondiazidoverbindung,
dadurch gekennzeichnet, daĂ
das Harz erhalten wird durch Reaktion von
(A) mindestens einer Polyepoxidverbindung mit einem Epoxy-
Ăquivalent von 75 bis 1000, ausgewĂ€hlt unter einer
polyvalenten Alkohol-GlycidylÀtherverbindung, einer
PolycarbonsÀure-Glycidylesterverbindung, einer
alicyclischen Glycidylverbindung, einer
Glycidyiaminverbindung, einer heterocyclischen
Glycidylverbindung und einer Bisphenol-A-
Alkylenoxidverbindung, mit
(B) einer aromatischen oder heterocyclischen CarbonsÀure, die
(eine) phenolische Hydroxylgruppe(n) enthÀlt, mit der
Struktur
wobei A fĂŒr substituiertes oder unsubstituiertes Alkylen oder
Arylen,
steht;
R&sub4; und R&sub5; fĂŒr eine substituierte oder unsubstituierte Alkylen-
oder Arylengruppe stehen; n fĂŒr 0 oder 1 steht; m fĂŒr eine
ganze Zahl von 1 bis 3 steht; R&sub2; und R&sub3; gleich oder verschieden
sind, und jeweils Wasserstoff, Halogen, Alkyl, Alkenyl, Nitril
oder Alkoxy bedeuten, und auĂerdem zusammen mit den
Kohlenstoffatomen des Benzolringes der oben erwÀhnten
CarbonsĂ€ure (B) fĂŒr einen aromatischen, alicyclischen oder
heterocyclischen Ring stehen können; und mit
(C) einem 1,2-ChinondiazidosulfonsÀurehalogenid im
ĂquivalentverhĂ€ltnis der Carboxylgruppe von (B):
Epoxygruppe von (A) = 1 : 0,89 bis 1,2 und der
phenolischen Hydroxylgruppe von (B):
Sulfonylhalogenidgruppe von (C) = 1 : 0,05 bis 1,2.
2. Positive photosensitive Harzzusammensetzung gemĂ€Ă
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daĂ es sich bei dem 1,2-
ChinondiazidosulfonsÀurehalogenid um 1,2-Naphthochinondiazido
4-sulfonylchlorid, 1,2-Naphthochinondiazido-5-sulfonylchlorid
oder Benzochinondiazido-4-sulfonylchlorid handelt.
3. Verfahren zur Herstellung einer positiven photosensitiven
Harzzusammensetzung, wobei man eine Polyepoxidverbindung mit
einer CarbonsÀure, die(eine) phenolische Hydroxylgruppe(n)
enthÀlt, umsetzt und man das so erhaltene Reaktionsprodukt mit
einer 1,2-Chinondiazidoverbindung umsetzt, dadurch
gekennzeichnet, daĂ man
(A) mindestens eine Polyepoxidverbindung mit einem
EpoxyÀquivalent von 75 bis 1000, ausgewÀhlt unter einer
polyvalenten Alkohol-GlycidylÀtherverbindung, einer
PolycarbonsÀure-Glycidylesterverbindung, einer
alicyclischen Glycidylverbindung, einer
Glycidylaminverbindung, einer heterocyclischen
Glycidylverbindung und einer Bisphenol-A-
Alkylenoxidverbindung, umsetzt mit
(B) einer aromatischen oder heterocyclischen CarbonsÀure, die
(eine) phenolische Hydroxylgruppe(n) enthÀlt, mit der
Struktur
wobei A fĂŒr substituiertes oder unsubstituiertes Alkylen oder
Arylen
steht;
R&sub4; und R&sub5; fĂŒr eine substituierte oder unsubstituierte Alkylen-
oder Arylengruppe stehen; n fĂŒr 0 oder 1 steht; m fĂŒr eine
ganze Zahl von 1 bis 3 steht; R&sub2; und R&sub3; gleich oder verschieden
sind, und jeweils Wasserstoff, Halogen, Alkyl, Alkenyl, Nitril
oder Alkoxy bedeuten, und auĂerdem zusammen mit den
Kohlenstoffatomen des Benzolringes der oben erwÀhnten
CarbonsĂ€ure (B) fĂŒr einen aromatischen, alicyclischen oder
heterocyclischen Ring stehen können, gebildet wird, im
ĂquivalentverhĂ€ltnis der Carboxylgruppe von (B): Epoxygruppe
von (A) = 1 : 0,8 bis 1,2, und man danach das, oben erwÀhnte
Reaktionsprodukt umsetzt mit (C) einem
1,2-ChinondiazidosulfonsĂ€urehalogenid in einem ĂquivalentverhĂ€ltnis der
phenolischen Gruppe von (B): Sulfonylhalogenid von (C) = 1 : 0,05
bis 1,2.
4. Verfahren zur Herstellung einer positiven photosensitiven
Harzzusammensetzung, welche Einheiten einer
Polyepoxidverbindung und Einheiten einer CarbonsÀure, die
(eine) phenolische Hydroxylgruppe(en) enthÀlt, und weiterhin
eine photosensitive Einheit auf Basis einer 1,2-
Chinondiazidoverbindung umfaĂt, dadurch gekennzeichnet, daĂ man
(B) eine aromatische oder heterocyclische CarbonsÀure, die
(eine) phenolische Hydroxylgruppe(n) enthÀlt, mit der
Struktur
wobei A fĂŒr substituiertes oder unsubstituiertes Alkylen oder Arylen,
steht;
R&sub4; und R&sub5; fĂŒr eine substituierte oder unsubstituierte Alkylen-
oder Arylengruppe stehen; n fĂŒr 0 oder 1 steht; m fĂŒr eine
ganze Zahl von 1 bis 3 steht; R&sub2; und R&sub3; gleich oder verschieden
sind, und jeweils Wasserstoff, Halogen, Alkyl, Alkenyl, Nitril
oder Alkoxy bedeuten, und weiterhin zusammen mit den
Kohlenstoffatomen des Benzolringes der oben erwÀhnten
CarbonsĂ€ure (B) fĂŒr einen aromatischen, alicyclischen oder
heterocyclischen Ring stehen können, umsetzt mit (C) einem 1,2-
ChinondiazidosulfonsĂ€urehalogenid in einem ĂquivalentverhĂ€ltnis
der phenolischen Hydroxylgruppe von (B):
Sulfonylhalogenidgruppe von (C) = 1 : 0, 0,5 bis 1,2 und man danach das
Reaktionsprodukt umsetzt mit (A) mindestens einer
Polyepoxidverbindung mit einem EpoxyÀquivalent von 75 bis 1000,
ausgewÀhlt unter einer polyvalenten Alkohol-
GlycidylÀtherverbindung, einer PolycarbonsÀure-
Glycidylesterverbindung, einer alicyclischen
Glycidylverbindung, einer Glycidylaminverbindung, einer
heterocyclischen Glycidylverbindung und einer Bisphenol-A-
Alkylenoxidverbindung, in einem ĂquivalentverhĂ€ltnis der
Carboxylgruppe von (B): Epoxygruppe von (A) = 1 : 0,8 bis 1,2.
5. Verfahren zur Herstellung eines Musters, wobei man auf
einem Substrat eine photosensitive Schicht bildet, welche eine
positive, photosensitive Harzzusammensetzung umfaĂt, die so
gebildete Schicht mit dem Positiv des Musters belichtet und
anschlieĂend die belichteten Bereiche der Schicht durch eine
Entwicklungsbehandlung entfernt, dadurch gekennzeichnet, daĂ
eine Harzzusammensetzung gemÀà Anspruch 1 oder 2 oder
hergestellt gemÀà dem Verfahren nach Anspruch 3 oder 4
verwendet wird, um die photosensitive Schicht zu bilden.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2311587 | 1987-02-02 | ||
PCT/JP1988/000094 WO1988005928A1 (en) | 1987-02-02 | 1988-02-02 | Positive photosensitive resin composition and process for its production |
CA000576100A CA1330405C (en) | 1987-02-02 | 1988-08-30 | Positive type photosensitive resinous composition and preparation thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3886616D1 DE3886616D1 (de) | 1994-02-10 |
DE3886616T2 true DE3886616T2 (de) | 1994-07-21 |
Family
ID=25672093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3886616T Expired - Fee Related DE3886616T2 (de) | 1987-02-02 | 1988-02-02 | Positive photoempfindliche harzzubereitung und verfahren zur herstellung. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4999274A (de) |
EP (1) | EP0302941B1 (de) |
JP (1) | JP2594088B2 (de) |
CA (1) | CA1330405C (de) |
DE (1) | DE3886616T2 (de) |
WO (1) | WO1988005928A1 (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2608408B2 (ja) * | 1987-05-13 | 1997-05-07 | æ„æŹăă€ăłăæ ȘćŒäŒç€Ÿ | ăăžćæć æ§æščèç”æç© |
JP2585070B2 (ja) * | 1988-08-02 | 1997-02-26 | æ„æŹăă€ăłăæ ȘćŒäŒç€Ÿ | ç»ććœąææčæł |
CA1334897C (en) * | 1988-08-02 | 1995-03-28 | Mamoru Seio | Electrodeposition coating composition and image-forming method using the same |
WO1993006528A1 (en) * | 1991-09-13 | 1993-04-01 | Sun Chemical Corporation | Positive-working coating compositions |
EP0608894A1 (de) * | 1993-01-29 | 1994-08-03 | Nippon Paint Co., Ltd. | Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzungen |
TWI826515B (zh) * | 2018-09-05 | 2023-12-21 | ćŸ·ć銏ć ć°ć©ć Źćž | æŁćć æææććœąææŁćè”·äŒćœ±ćæćšćșæżäžćœąæé汏ćæĄçæčæł |
US11681220B2 (en) * | 2020-03-05 | 2023-06-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition and method for producing resist pattern |
US11675267B2 (en) * | 2020-03-23 | 2023-06-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition and method for producing resist pattern |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7103379A (de) * | 1971-03-13 | 1972-09-15 | ||
US3890153A (en) * | 1971-03-13 | 1975-06-17 | Philips Corp | Positive-acting napthoquinone diazide photosensitive composition |
JPS5114042B2 (de) * | 1972-06-12 | 1976-05-06 | ||
JPS5645127B2 (de) * | 1974-02-25 | 1981-10-24 | ||
DE2545697A1 (de) * | 1975-10-11 | 1977-04-21 | Basf Ag | Lichtempfindliches material fuer positiv arbeitende photolacke und fuer die herstellung von druckplatten |
JPS57151939A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Positive type photosensitive resin composition |
US4529682A (en) * | 1981-06-22 | 1985-07-16 | Philip A. Hunt Chemical Corporation | Positive photoresist composition with cresol-formaldehyde novolak resins |
JPS5843451A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ăăžćæć æ§æščèç”æç© |
JPS58134631A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-08-10 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | æć æ§ç”æç© |
JPS595243A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Hitachi Ltd | æŸć°ç·æćżæ§ç”æç©ćăłăăżâăłćœąææčæł |
JPS61295549A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | æć æ§ç”æç© |
JPS63116148A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | æć æ§ç”æç© |
US4857437A (en) * | 1986-12-17 | 1989-08-15 | Ciba-Geigy Corporation | Process for the formation of an image |
-
1988
- 1988-02-02 DE DE3886616T patent/DE3886616T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-02 JP JP63023311A patent/JP2594088B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-02 US US07/255,193 patent/US4999274A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-02 WO PCT/JP1988/000094 patent/WO1988005928A1/ja active IP Right Grant
- 1988-02-02 EP EP88901324A patent/EP0302941B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-30 CA CA000576100A patent/CA1330405C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0302941A4 (de) | 1990-02-22 |
DE3886616D1 (de) | 1994-02-10 |
EP0302941A1 (de) | 1989-02-15 |
CA1330405C (en) | 1994-06-28 |
JP2594088B2 (ja) | 1997-03-26 |
WO1988005928A1 (en) | 1988-08-11 |
US4999274A (en) | 1991-03-12 |
EP0302941B1 (de) | 1993-12-29 |
JPS646948A (en) | 1989-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0233567B1 (de) | HĂ€rtbare Mischungen, enthaltend N-Sulfonylaminosulfoniumsalze als kationisch wirksame Katalysatoren | |
DE69324942T2 (de) | Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren | |
EP0055814B1 (de) | Lichtempfindliches Gemisch, das einen NaphthochinondiazidsulfonsÀureester enthÀlt, und Verfahren zur Herstellung des NaphthochinondiazidsulfonsÀureesters | |
EP0075537B2 (de) | Verfahren zum Beschichten gedruckter Schaltungen | |
EP0196999B1 (de) | Modifizierte Phenolharze | |
EP0099856B1 (de) | Photopolymerisierbares Beschichtungsmittel, photopolymerisierbares Material und seine Verwendung | |
EP0010749B1 (de) | Lichtempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes Kopiermaterial | |
DE68929328T2 (de) | Bestimmte dreikernige Novolakoligomerderivate | |
EP0057162B1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von Abbildungen | |
EP0119959B1 (de) | Verfahren zur Bilderzeugung | |
DE2616992C3 (de) | Lichtempfindliches Kopiermaterial zur Herstellung von Reliefs | |
DE112015004514T5 (de) | Fotoempfindliche harzzusammensetzung und deren ausgehÀrtetes produkt | |
EP0126875B1 (de) | Lichtempfindliches, Diazoniumgruppen enthaltendes Polykondensationsprodukt, Verfahren zu seiner Herstellung und lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial, das dieses Polykondensationsprodukt enthÀlt | |
DE1447016B2 (de) | Vorsensibilisierte druckplatte | |
EP0115471B1 (de) | Verfahren zur Bilderzeugung | |
DE3854364T2 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung. | |
DE3886616T2 (de) | Positive photoempfindliche harzzubereitung und verfahren zur herstellung. | |
DE2935904C2 (de) | ||
DE68927639T2 (de) | Lichtempfindliche novolak-harze | |
DE69702828T2 (de) | Hochauflösender positiv-arbeitender Trockenphotolackfilm | |
DE2529584A1 (de) | Aktinisch induziertes polymerisationsverfahren | |
DE69604314T2 (de) | Tetraphenolverbindungen, Verfahren zur ihrer Herstellung und ihre Verwendung als Photosensibilisatoren | |
DE2507008A1 (de) | Polymerisierbare ester | |
DE2806928C3 (de) | Strahlungsempfindliches Material und seine Verwendung als Resistmaterial | |
EP0167778A1 (de) | Perfluoralkylgruppen aufweisende 1,2-Naphthochinondiazidverbindungen und Reproduktionsmaterialien, die diese Verbindungen enthalten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |