DE3839530C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Magnetplattenvorrich­ tung mit einem Gehäuse, welches mit einer Belüftungsöffnung versehen ist, und mit einer Entfeuchtungseinrichtung zum Entfernen von in der Vorrichtung befindlicher Feuchtigkeit.

Fig. 1 zeigt eine konventionelle Magnetplattenvorrichtung, die eine zu rotierende Platte umfaßt, einen Kopf, der nahe an der Aufzeichnungsfläche der Platte gehalten wird, eine Betätigungseinrichtung, um den Kopf in Radialrichtung der Platte zu bewegen und dgl. (keine der genannten Einrichtun­ gen ist in der Zeichnung dargestellt), wobei diese Einrich­ tungen in einem Gehäuse 1 installiert sind. An einer geeig­ neten Stelle innerhalb des Gehäuses 1 ist eine Belüftungs­ öffnung 2 vorgesehen, um es der Umgebungsluft zu ermögli­ chen, in das Gehäuse 1 zu strömen, um die Druckänderung innerhalb des Gehäuses 1 auszugleichen.

Es fließt jedoch auch die Feuchtigkeit in der Umgebungsluft durch die Belüftungsöffnung 2 in das Gehäuse 1, wodurch die Feuchtigkeit im Gehäuse 1 ansteigt. Wenn bei dermaßen hohen Feuchtigkeiten im Gehäuse 1 die Platte angehalten wird und der Kopf die Platte kontaktiert, so ziehen sich der Kopf und die Platte manchmal gegenseitig an, was zu Betriebsstörungen führen kann.

In konventioneller Weise wird daher ein Ansteigen der Feuch­ tigkeit im Gehäuse 1 begrenzt, indem eine Absorptionsein­ richtung 15 im Gehäuse 1 installiert wird, die einen Absorp­ tionsmittelbehälter 15a umfaßt, der beispielsweise mit Kie­ selgel 15b, einem siliciumhaltigen Absorptionsmittel, ge­ füllt ist, wobei die in das Gehäuse 1 eintretende Feuchtig­ keit mittels des Kieselgels 15b in der Absorptionseinrich­ tung 15 absorbiert wird. In diesem Zusammenhang ist der Absorptionsmittelbehälter 15a mit einer Öffnung 15c zum Regulieren der Absorptionsgeschwindigkeit versehen, um die Absorptionsgeschwindigkeit zu steuern, damit die Feuchtig­ keit im Gehäuse 1 nicht unerwünscht niedrig wird, wenn die Feuchtigkeit mittels des Kieselgels 15b über die Öffnung 15c absorbiert wird. (Siehe beispielsweise "The Tribology of Magnetic Records", ein Papier zum 46. Meeting of the Applied Magnetics Society of Japan, a corporation aggrega­ te, Seite 17).

Das Kieselgel 15b ist jedoch porös und die Oberfläche pro Gewichtseinheit ist sehr groß, und während sein Betrag an Feuchtigkeits-Absorption pro Gewichtseinheit im wesentli­ chen proportional zum Anstieg der Feuchtigkeit ansteigt, solange die Struktur des Kieselgels 15b gelartig bleibt, wie dies aus Fig. 2 deutlich wird, welche die Beziehung zwischen dem Betrag der Feuchtigkeits-Absorption pro Ge­ wichtseinheit und der Feuchtigkeit zeigt, tendiert die Feuchtigkeits-Absorption mittels des Kieselgels 15b dazu, gesättigt zu werden, wenn die Feuchtigkeit hoch genug ist und die Feuchtigkeits-Absorption mittels des Kieselgels 15b ausreichend fortgeschritten ist, um den Feuchtigkeits­ gehalt im Kieselgel 15b zu erhöhen (siehe beispielsweise "Kagaku Kohgaku Binran" (A Handbook of Chemical Engineer­ ing, in Englisch), überarbeitete Ausgabe 1978, publiziert von Maruzen Company Limited, Seite 854).

Mit einer solchen konventionellen Vorrichtung können sich jedoch Probleme ergeben. Beispielsweise im Falle, wenn die Feuchtigkeits-Absorption mittels des Kieselgels 15b in der Absorptionseinrichtung 15 ihre Sättigung erreicht hat, kann die Feuchtigkeit im Gehäuse 1 mittels des Kieselgels 15b nicht absorbiert werden, selbst wenn die Feuchtigkeit im Gehäuse 1 exzessiv zunimmt. Desweiteren kann der Betrag der Feuchtigkeits-Absorption aufgrund des Umstands, daß die Öffnung 15c zum Regulieren der Absorptionsgeschwindig­ keit normalerweise fixiert bzw. feststehend ist, nicht ge­ steuert werden, woraus folgt, daß es nicht möglich ist, die Feuchtigkeit innerhalb des Gehäuses 1 entsprechend der­ jenigen der Umgebungsluft in einen solchen Fall zu steuern, wo die Feuchtigkeit in das Gehäuse 1 strömt, wodurch sich eine gewisse Gefahr der Feuchtigkeitsbildung innerhalb des Behälters 1 ergibt.

Bei einer weiteren bekannten Magnetplattenvorrichtung mit Entfeuchtungeinrichtung gemäß Patents Abstracts of Japan, P 497, 16.9.1986, Vol. 10, Nr. 271 ist die ein Absorptionsmittel enthaltende Entfeuchtungeinrichtung direkt zwischen Entlüftungsöffnung und Gehäuseinnenraum angeordnet. Im übrigen ergeben sich auch hier die vorgenannten Probleme.

Dementsprechend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einerseits zu ermöglichen, die Feuchtigkeit innerhalb der Magnetplattenvorrichtung in stabiler Weise aufzulösen und zu entfernen, andererseits die Möglichkeit zu schaffen, die Feuchtigkeit in der Vorrichtung in einem stabilen Zustand zu halten, der von der Feuchtigkeit in der Umgebungsluft nicht beeinträchtigt wird.

Diese Aufgabe wird im wesentlichen durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Die Entfeuchtungseinrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise zusätzlich mit einem Feuchtigkeits-Absorptions­ mittel versehen, welches in der Lage ist, eine Atmung bzw. Respiration durchzuführen, das heißt, Feuchtigkeit aufzunehmen oder abzugeben.

Die Magnetplattenvorrichtung gemäß vorliegender Erfindung ist in der Lage, Unzulänglichkeiten der Entfeuchtung des Feuchtigkeits-Steue­ rungs-Elements mittels des Feuchtigkeits-Absorptionsmittels abzuhelfen, wenn die Menge der in die Vorrichtung hinein­ strömenden Feuchtigkeit diejenige Feuchtigkeit überschrei­ tet, die vom Feuchtigkeits-Steuerungs-Element aufgelöst und entfernt werden soll. Weiterhin ist sie in der Lage, eine Entfeuchtung in der Vorrichtung mittels des Feuchtigkeits-Absorptionsmittels selbst dann durchzuführen, wenn das Feuchtigkeits-Steuerungs-Element nicht an Spannung gelegt ist. Auch ist die Magnetplattenvorrichtung in der Lage, die Feuch­ tigkeit innerhalb der Vorrichtung unabhängig davon zu steu­ ern, ob oder ob nicht irgendeine Spannung an das Feuchtig­ keits-Steuerungs-Element angelegt ist, wobei semipermanent sowohl die in die Vorrichtung strömende Feuchtigkeit als auch diejenige, die vom Absorptionsmittel entwickelt wird, mittels dem Feuchtigkeits-Steuerungs-Element in der erfin­ dungsgemäßen Vorrichtung aufgelöst und entfernt werden kann.

In der nachfolgenden Beschrei­ bung wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung näher beschrieben. In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 eine teilweise aufgeschnittene Vorderansicht einer Magnetplattenvorrichtung gemäß dem Stand der Technik,

Fig. 2 eine graphische Darstellung, welche die Beziehung zwischen dem Betrag der Feuchtigkeits-Absorption des Kiesel­ gels und der Feuchtigkeit zeigt,

Fig. 3 einen schematischen Vertikalschnitt, welcher die erfindungsgemäße Magnetplattenvorrichtung zeigt,

Fig. 4 einen vergrößerten schematischen Vertikalschnitt des wesentlichen Teils gemäß Fig. 3 und

Fig. 5 eine graphische Darstellung, welche die zeitliche Änderung der Feuchtigkeit innerhalb der Vorrichtung zeigt, wenn in der Vorrichtung mittels der erfindungsgemäßen Mag­ netplattenvorrichtung eine Entfeuchtung vorgenommen worden ist.

Wie aus den Fig. 3 und 4 ersichtlich ist, besteht die Magnetplattenvorrichtung aus einer zu rotierenden Platte 3, einem Kopf 4, der in naher Nachbarschaft zur Aufzeich­ nungsfläche der Platte gehalten wird, einer Betätigungsein­ richtung 5, um den Kopf in radialer Richtung bezüglich der Platte zu bewegen, sowie andere, nicht dargestellte, an sich bekannte Bauteile, wobei die vorgenannten Bauteile in einem Gehäuse 1 untergebracht sind. An geeigneter Stelle innerhalb des Gehäuses 1 (beispielsweise an der Oberseite) ist eine Belüftungsöffnung 2 vorgesehen, um es der Umge­ bungsluft zu ermöglichen, in das Gehäuse einzutreten, damit eine Druckänderung innerhalb des Gehäuses 2 ausgeglichen wird.

Am Boden des Gehäuses 1 sind eine Grundplatte 7, in der eine Stromversorgungsschaltung 6 integriert ist, die eine 5-Volt-Spannung erzeugt, sowie ein Feuchtigkeits-Absorber 8 aus Polyvinylalkohol angeordnet, der in der Lage ist, Atmungen bzw. Respirationen durchzuführen, das heißt, Feuch­ tigkeit zu absorbieren und zu entwickeln. An einer geeigne­ ten Position im Boden des Gehäuses 1 ist ein zweistufiger Hohlraum ausgebildet. An der oberen Stufe des Hohlraums befindet sich ein Feuchtigkeits-Steuerungs-Element 9, wel­ ches eine Einheit aus drei Schichten darstellt, die aus einem Wasserstoffionen-Leiter 9b, aus einem festen Polyelek­ trolyten und einer ersten Elektrode 9a und einer zweiten Elektrode 9c besteht, die beide aus porösem filmartigen Platin bestehen, ein Paar bilden und zwischen sich den Lei­ ter sandwichartig aufnehmen. Am mittleren Bereich der unte­ ren Stufe des Hohlraums ist eine Öffnung 10 für die Ent­ feuchtung ausgebildet, die einen Pufferraum 11 bildet, der über die Öffnung 10 zum Entfeuchten des Feuchtigkeits-Steu­ erungs-Elements nach unten in Verbindung steht. Ein Isolier­ glied 12 ist zwischen dem Feuchtigkeits-Steuerungs-Element und dem Gehäuse 1 angeordnet, um diese beiden Bauteile ge­ geneinander zu isolieren.

Von den beiden Elektroden 9a und 9c des Feuchtigkeits-Steu­ erungs-Elements 9 führen zwei Anschlüsse 13a und 13c weg. Das Feuchtigkeits-Steuerungs-Element 9 ist über die An­ schlüsse 13a, 13c mit der Stromversorgungsschaltung 6 ver­ bunden. Ein Widerstand 14 ist an einem solchen Teil des Anschlusses 13c vorgesehen, der von der zweiten Elektrode 9c der beiden Elektroden 9a und 9c wegführt.

Bei der wie oben beschrieben aufgebauten erfindungsgemäßen Vorrichtung strömt die Feuchtigkeit in der Umgebungsluft über die Belüftungsöffnung 2 in das Gehäuse 1, wenn die Feuchtigkeit in der Umgebungsluft (der Luft außerhalb des Gehäuses 1) höher ist als diejenige im Gehäuse 1. Die Feuch­ tigkeit wird vom Absorber 8 absorbiert, während sie auch mittels des Feuchtigkeits-Steuerungs-Elements 9 aufgelöst und entfernt wird, wenn die Stromversorgungsschaltung 6 eingeschaltet ist. Im folgenden werden detaillierte Erklä­ rungen hinsichtlich des Mechanismus des Auflösens und Ent­ fernens der Feuchtigkeit entsprechend der vorliegenden Er­ findung gegeben.

Von den beiden Elektroden 9a und 9c des Feuchtigkeits-Steue­ rungs-Elements 9 kontaktiert die erste Elektrode 9a die Luft im Gehäuse 1, während die zweite Elektrode 9c die Um­ gebungsluft über dem Pufferraum 11 und die Öffnung 10 zur Entfeuchtung kontaktiert. Zwischen den beiden Elektroden 9a und 9c wird über die Anschlüsse 13a und 13c des Feuchtig­ keits-Steuerungs-Elements die Gleichstromspannung von der Stromversorgungsschaltung 6 angelegt. Die Gleichstromspan­ nung wird so angelegt, daß die erste Elektrode 9a die Ano­ de und die zweite Elektrode 9c die Kathode ist. Wenn die Gleichstromspannung zwischen den beiden Elektroden 9a und 9c in dieser Weise angelegt wird, so vollzieht sich an der Zwischenschicht zwischen der ersten Elektrode 9a und dem Wasserstoffionen-Leiter 9b die durch die folgende Formel definierte Reaktion:

Das heißt, die in der Luft im Gehäuse 1 enthaltene Feuchtig­ keit wird einer Elektrolyse unterworfen, die Wasserstoff­ ionen bewegen sich in Richtung auf die zweite Elektrode 9c, welche die Kathode ist, die Sauerstoffmoleküle verblei­ ben im Raum im Gehäuse 1 und die Elektronen, die negative Ladungen sind, triften zur ersten Elektrode 9a, welche die Anode ist. Wenn dann die Wasserstoffionen die Zwischen­ schicht zwischen dem Wasserstoffionen-Leiter 9b und der zweiten Elektrode 9c erreichen, so ergeben sich Reaktionen, die durch die folgenden Formeln (2) und (3) definiert sind:

Die durch die Formeln (2) und (3) definierten Reaktionen finden im Fall statt, daß die Versorgungsgeschwindigkeit der vom Wasserstoffionen-Leiter 9b zu der zweiten Elektro­ de 9c zu leitenden Wasserstoffionen die Versorgungsgeschwin­ digkeit des von der Umgebungsluft zur zweiten Elektrode 9c zur Bildung von Wasser und Sauerstoff zu leitenden Sauer­ stoffs übersteigt, während die Reaktion gemäß Formel (1) im Fall stattfindet, daß die Versorgungsgeschwindigkeit der Wasserstoffionen niedriger ist als diejenige des Sauer­ stoffs, um Wasser zu erzeugen. Daher ist die Feuchtigkeit innerhalb der Magnetplattenvorrichtung 1 anfänglich gleich der Feuchtigkeit der Umgebungsluft, wie dies aus Fig. 5 deutlich wird, welche die zeitabhängige Änderung der Feuch­ tigkeit im Gehäuse im Vergleich zur Feuchtigkeit in der Umgebungsluft (welche durch die strichpunktierte Linie re­ präsentiert ist) darstellt. Mit dem Fortschreiten der Ent­ feuchtung im Laufe der Zeit kommt die Feuchtigkeit in der Luft, die über die Belüftungsöffnung 2 in das Gehäuse 1 strömt, die Feuchtigkeit, die im Inneren des Gehäuses 1 entwickelte und an die Umgebungsluft durch die Öffnung 10 zum Entfeuchten mittels des Feuchtigkeits-Steuerungs-Ele­ ments 9 abgegebene sowie diejenige Feuchtigkeit, die mit­ tels des Feuchtigkeitsabsorbers 8 absorbiert oder ent­ wickelt wird, nach und nach in ein Gleichgewicht, so daß sich in etwa ein Zustand einstellt, bei dem das Innere des Gehäuses 1 bei einer feststehenden Feuchtigkeit entfeuchtet ist.

Des weiteren arbeitet der Feuchtigkeitsabsorber 8 im Absorp­ tionsbetrieb, wenn die Menge der in das Gehäuse 1 über die Belüftungsöffnung 2 hineinströmenden Feuchtigkeit diejeni­ ge, die mittels des Feuchtigkeits-Steuerungs-Elements 9 aufzulösende und zu entfernende Feuchtigkeit übersteigt, und er arbeitet im Erzeugungsbetrieb, wenn die Feuchtig­ keitsmenge, die über die Belüftungsöffnung 2 in das Gehäuse 1 einströmt, geringer ist als diejenige, die vom Feuchtig­ keits-Steuerungs-Element 9 aufgelöst und entfernt werden soll. Dies führt dazu, daß dann, wenn die Stromversorgungs­ schaltung 6 beispielsweise abgeschaltet ist und vom Feuch­ tigkeits-Steuerungs-Element kein Auflösen und Entfernen des Wassers durchgeführt wird, die Entfeuchtung innerhalb des Gehäuses 1 durch Absorptionsbetrieb des Feuchtigkeits- Absorbers 8 durchgeführt wird. Wenn weiterhin die Stromver­ sorgungsschaltung 6 eingeschaltet ist, so wird sowohl die Feuchtigkeit, die in das Gehäuse 1 einströmt, als auch die­ jenige, die vom Feuchtigkeits-Absorber 8 entwickelt wird, mittels des Feuchtigkeits-Steuerungs-Elements 9 aufgelöst und entfernt.

Der Wasserstoffionen-Leiter 9b ist aus einem festen Poly­ elektrolyten und weist selbst die Eigenschaft des Absorbie­ rens von Feuchtigkeit auf, so daß er teilweise die gleiche Funktion wie diejenige des Feuchtigkeits-Absorbers 8 durch­ führt.

Wenn die Feuchtigkeit in der Umgebungsluft im Vergleich zu derjenigen im Gehäuse 1 beträchtlich höher ist, besteht die Gefahr, daß das Wasser außerhalb des Gehäuses 1 durch den Wasserstoffionen-Leiter 9b hindurch durch die Öffnung 10 zur Entfeuchtung gelangen kann und in das Gehäuse 1 strö­ men kann. Es ist jedoch möglich zu verhindern, daß die Feuchtigkeit in das Gehäuse 1 strömt, indem die Ventila­ tions-Querschnittsfläche der Öffnung 10 zur Entfeuchtung deutlich kleiner gemacht wird als die Fläche derjenigen Oberfläche, wo die zweite Elektrode 9c die Außenluft bzw. Umgebungsluft kontaktiert.

Der Grund, warum der Widerstand 14 an einem Teil des An­ schlusses 13c vorgesehen ist, liegt darin, daß das Vorhan­ densein des Widerstands 14 es möglich macht, den oberen Grenzwert des elektrischen Stroms, der durch die Leitung zwischen den beiden Elektronen 9a und 9c gelangt, konstant zu halten, wenn die Spannung der Stromversorgungsschaltung 6 konstant ist.

Im Gegensatz zu dem vorstehend Beschriebenen kann die Elek­ trodenreaktion die Befeuchtung im Gehäuse 1 durchführen, wenn die Spannung so angelegt wird, daß die erste Elektrode 9a die Kathode und die zweite Elektrode 9c die Anode ist. Wenn eine Befeuchtung des Inneren des Gehäuses 1 erforder­ lich ist, so kann auf diese Weise eine entsprechende Be­ feuchtung durchgeführt werden.

Beim vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel besteht der Wasserstoffionen-Leiter 9b eines der Teile des Feuchtig­ keits-Steuerungs-Elements 9 aus einem festen Polyelektro­ lyten. Der Wasserstoffionen-Leiter kann jedoch auch aus einer anorganischen Verbindung, beispielsweise einer β-Alu­ minium-Substitutionsverbindung bestehen.

Beim vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wurden desweiteren die Erläuterungen unter der Voraussetzung ange­ geben, daß das außerhalb des Gehäuses befindliche Gas Luft ist. Die außerhalb des Gehäuses befindliche Atmosphäre kann jedoch auch durch Gase wie Sauerstoff, Stickstoff, Wasser­ dampf, Wasserstoff, Helium, Argon und dgl. oder durch Gas­ gemische aus diesen Gasen ersetzt werden. Im Fall, daß die Außenatmosphäre ein Gas ist, welches keinen Sauerstoff bein­ haltet, bewirken die Wasserstoffionen, die vom Wasserstoff­ ionen-Leiter 9b zur zweiten Elektrode 9c zu fördern sind, nur eine Wasserstoff-erzeugende Reaktion auf der Zwischen­ schicht zwischen dem Wasserstoffionen-Leiter 9b und der zweiten Elektrode 9c, wie diese durch die Formel (3) defi­ niert ist.

Desweiteren kann die Stromerzeugungsschaltung 6 durch eine Primärbatterie oder eine Sekundärbatterie mit einer festen Spannung ersetzt werden, und der Feuchtigkeits-Absorber 8 ist nicht auf Polyvinylalkohol begrenzt und kann bei­ spielsweise durch einen hochmolekularen Feuchtigkeits-Ab­ sorber, beispielsweise aus Polyacrylamid oder dgl. ersetzt werden.

Sämtliche vorstehenden Erläuterungen beziehen sich auf die Vorrichtung, bei der eine Feuchtigkeits-absorbierende Ein­ richtung mit einem Feuchtigkeits-Absorber 8 vorgesehen ist. Es sind jedoch andere Ausführungsbeispiele möglich, bei denen ein Feuchtigkeits-Absorber 8 nicht vorgesehen ist.

Auch wurde im vorstehenden davon ausgegangen, daß die Strom­ versorgungsschaltung 6 innerhalb des Gehäuses 1 angeordnet ist. Es versteht sich, daß auch andere Konstruktionen geeig­ net sind, bei denen die Stromversorgungsschaltung außerhalb des Gehäuses 1 angeordnet ist und dem Feuchtigkeits-Steue­ rungs-Element 9 die Spannung von außen zugeführt wird.

Claims (15)

1. Magnetplattenvorrichtung mit einem Gehäuse (1), welches mit einer Belüftungsöffnung (2) versehen ist und mit einer Entfeuchtungs-Einrichtung (8, 9) dadurch gekennzeichnet, daß die Entfeuchtungs-Einrichtung (8, 9) mit einem Feuchtigkeits-Steuerungs-Element (9) versehen ist, welches einen Wasserstoffionen-Leiter (9b) und ein Paar poröser filmartiger Elektroden (9a, 9c) umfaßt, die den Leiter (9b) zwischen sich sandwichartig einschließen.

2. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Entfeuchtungs-Einrichtung (8, 9) auch einen Feuchtigkeits-Absorber (8) aufweist, welcher in der Lage ist, Respirationen durchzuführen, das heißt Feuchtig­ keit aufzunehmen oder abzugeben.

3. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Entfeuchtungs-Einrichtung (8, 9) des weiteren eine Stromversorgungsschaltung (6) zum Anlegen von Span­ nung an das Feuchtigkeits-Steuerungs-Element (9) auf­ weist.

4. Magnetplattenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffionen-Leiter (9b) aus einem festen Polyelektrolyten besteht.

5. Magnetplattenspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffionen-Leiter (9b) aus einer anorgani­ schen Verbindung besteht.

6. Magnetplatteneinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die anorganische Verbindung aus einer β-Aluminium- Substitutions-Verbindung besteht.

7. Magnetplattenvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die porösen filmartigen Elektroden (9a, 9c) aus Platin bestehen.

8. Magnetplattenvorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand (14) zwischen dem Feuchtigkeits- Steuerungs-Element (9) und der Stromversorgungsschal­ tung (6) vorgesehen ist.

9. Magnetplattenvorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Feuchtigkeits-Absorber (8) aus einem hochmoleku­ laren Feuchtigkeits-Absorptionsmittel besteht.

10. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Feuchtigkeits-Absorber (8) aus Polyvinylalkohol besteht.

11. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der hochmolekulare Feuchtigkeits-Absorber (8) aus einem Polyacrylamid besteht.

12. Magnetplattenvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Öffnung (10) für die Entfeuchtung aufweist, durch die eine Elektrode (9c) des porösen filmartigen Elektroden­ paares (9a, 9c) mit der Außenluft in Verbindung steht.

13. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Querschnittsfläche der Öffnung (10) für die Entfeuchtung wesentlich kleiner ist als die Oberfläche, mit der die poröse filmartige Elektrode (9c), mit der Außenluft in Verbindung steht.

14. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung an das Feuchtigkeits-Steuerungs-Ele­ ment (9) derart angelegt ist, daß die poröse filmartige Elektrode (9c), die mit der Außenluft in Verbindung steht, die Kathode ist, während die andere poröse film­ artige Elektrode (9a) die Anode ist.

15. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung an das Feuchtigkeits-Steuerungs-Ele­ ment (9) so angelegt ist, daß die poröse filmartige Elektrode (9c), die mit der Außenluft in Verbindung steht, die Anode ist, während die andere poröse filmar­ tige Elektrode (9a) die Kathode ist.