DE3838662A1 - Traegersubstrat fuer linearpotentiometer und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Traegersubstrat fuer linearpotentiometer und verfahren zu seiner herstellung

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DE3838662A1 DE19883838662 DE3838662A DE3838662A1 DE 3838662 A1 DE3838662 A1 DE 3838662A1 DE 19883838662 DE19883838662 DE 19883838662 DE 3838662 A DE3838662 A DE 3838662A DE 3838662 A1 DE3838662 A1 DE 3838662A1
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Description

Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einem Trägersubstrat und einem Verfahren zu seiner Herstellung nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. des Anspruches 15.
Bei einem bekannten Trägersubstrat dieser Art für ein Linearpo­ tentiometer (DE-OS 34 06 366) ist in das aus einem Kunst­ harz bestehende Profil des Substrats in Längsrichtung ein Kohlefaserbündel eingelagert, welches im einfachsten Anwendungsfall dazu dient, den Spannungsanschluß für die Widerstandsbahn des Linearpotentiometers vom abge­ wandten, also von dem zum gemeinsamen Kontaktstecker­ ende entfernten Ende in den Bereich des Kontaktsteckers zurückzuführen, so daß der Anwender nicht gezwungen ist, auf entgegengesetzten Seiten des unter Umständen extrem langen (beispielsweise 2 m oder mehr) Linear­ potentiometers Spannungsanschlüsse für dieses vorzusehen.
Dabei lagert das Kunstharzprofil, also das Träger­ substrat auf seiner Oberfläche mindestens diese Widerstandsbahn, vorzugsweise parallel zu dieser und vorzugsweise auf der gleichen Seite noch eine Kollektorbahn, die den abgegriffenen Spannungswert dem dritten, d.h. dem Abgriffsanschluß im Kontaktbe­ reich des Linearpotentiometers zuführt.
Eine Ausgestaltung des bekannten Trägersubstrats besteht dann darin, daß zusätzlich zu dem Rückführ- Kohlefaserbündel ein weiteres Kohlefaserbündel auf der die Kollektorbahn tragenden Profiloberfläche angeordnet ist, welches längs dieser Oberfläche kontaktierbar ist und der Kollektorbahnbeschichtung unterliegt, so daß sich hierdurch sozusagen ein ständiger Kurzschluß jedes Kollektorbahnpunktes zum Anschluß- oder Kontaktbereich ergibt und die abgegriffene Spannung ohne evtl. verfälschende, wenn auch nur geringfügige Widerstände im Kollektor­ bereich erfaßt werden kann.
Problematisch kann allerdings bei der Einlagerung eines Kohlefaserbündels der Umstand sein, daß dieses nicht hinreichend niederohmig ist und aufgrund der "Faserigkeit" der Kohlefasern nicht unter allen Umständen sichergestellt ist, daß aus der Profil­ oberfläche nicht in Querrichtung oder schräg zu dieser kleine Kohlerfaseransätze herausragen, die im Bereich der Isolierung eines solchen Linearpo­ tentiometers zu Schwierigkeiten führen könnten. Um im übrigen bei der Verwendung von Kohlefasern zur Rückführung des abgewandten Widerstandsbahn- Anschlußendes einen hinreichend niedrigen Widerstand zu erzielen, ist es bei diesem bekannten Linearpo­ tentiometer erforderlich, eine sich praktisch über den gesamten Profilquerschnitt erstreckende wannen­ förmige Ausnehmung mit dem Kohlefasermaterial anzu­ füllen, so daß im Querschnitt gesehen das Profil des Trägersubstrats doch erhebliche Fremdmaterialmen­ gen, verglichen mit dem verwendeten Kunststoff auf­ weist, die möglicherweise zu einem evtl. auch nur schwachen Durchbiegen oder zu Änderungen im Verhalten des Trägersubstrats auf Temperaturveränderungen führen können.
Der Grundaufbau eines solchen Linearpotentiometers, bei dem Widerstands- und/oder Kollektorbahnschichten auf einem Profilträger angeordnet sind, ist eben­ falls bekannt (US-PS 30 36 284), wobei das längliche Trägersubstrat im Gehäuse des Linearpotentiometers in geeigneter Weise befestigt ist. Die parallel­ liegenden Widerstands- und Kollektorbahnen werden beim Durchlauf des Abgriffs des Linearpotentiometers gleichzeitig von Schleiferfingern berührt, wodurch sich das von der Widerstandsbahn abgegriffene Po­ tential auf die Kollektorbahn und von dieser nach außen übertragen ist.
Es ist auch bekannt, Widerstandsmaterialien für Präzisionspotentiometer auf der Basis von leitfähigen Partikeln, vorwiegend Ruße (Kohlenstoff) herzustellen, wobei metallisierte Rußgemische in verschiedene Harze als Matrixwerkstoffe eingelagert werden. Ein auf diese Weise gewonnenes elektrisch leitendes Widerstandsmaterial bildet dann elektrisch leitende Bahnen (Leitplastikbahnen) bei Potentiometern belie­ biger Art (DD-PS 2 11 421).
Bekannt ist ferner die doppelseitige Belegung von Trägersubstraten mit Leiterbahnen bei Einstellpoten­ tiometern oder Einstellwiderständen (DE-OS 15 15 625), wobei die auf einen isolierenden Grundkörper aufge­ dampften, aufgespritzten oder aufgedruckten Wider­ stands- und Gleitschichten durch einen übergreifenden Kontaktbügel miteinander verbunden sind.
Schließlich ist ein Grundmaterial für Potentiometer­ platten bekannt (DE-OS 23 58 004) , bei dem eine die Potentiometerplatte bildende, an ihrer Ober­ fläche entsprechend verlaufende Widerstandsmuster aufweisende Isolierplatte aus Polyamidharz besteht, der mit einem faserförmigen Füllstoff angereichert ist. Dieser Füllstoff besteht entweder aus Asbest­ fasern oder aus Glasfasern. Die Herstellung erfolgt u.a. durch Extrusion des mit dem Füllstoff versehenen Kunststoffs.
Speziell bei der Herstellung von Linearpotentiometern ergeben sich erhebliche Anforderungen an die Herstel­ lungsgenauigkeit und die noch zulässigen Toleranzen, insbesondere wenn es sich um Präzisionssysteme mit längeren Abmessungen handelt, die beispielsweise für die Stellungsrückmeldung an Maschinen o.dgl. eingesetzt werden. Nicht zuletzt wegen der erhebli­ chen Längserstreckung solcher Präzisionslinearpoten­ tiometer müssen auf unterschiedlichen Materialkom­ binationen, auf Temperatureinflüsse, auf Durchbie­ gung der Trägersubstrate u.dgl. zurückgehende Pro­ bleme überwunden werden.
Im allgemeinen Zusammenhang ist es auch bekannt, die vorzugsweise auf dem gleichen Trägersubstrat angeordneten Kollektorbahnschichten mit Leitsilber zu unterlegen, um den abgegriffenen Potentialwert - dies geschieht im übrigen im wesentlichen strom­ frei, also durch Kompensation -, mit einem möglichst niedrigen Widerstandswert an den Abgriffanschluß des Linearpotentiometers zu übertragen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das ein­ gangs genannte Trägersubstrat für ein Linearpoten­ tiometer dahingehend zu verbessern, daß eine we­ sentlich verbesserte Spannungsrückführung von der abgewandten Seite des Linearpotentiometers zum Kon­ taktanschlußbereich möglich ist, so daß sonst nicht vermeidbare Restspannungen praktisch zu Null eli­ miniert sind und wobei ferner Vereinfachungen beim Extrudiervorgang und der Beschichtung sowie der Verbindung mit den Leitplastikaufträgen für Kol­ lektor- und Widerstandsbahnen erzielbar sind.
Vorteile der Erfindung
Die Erfindung löst diese Aufgabe jeweils mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. des Anspruchs 15 und hat den Vorteil, daß sich durch die Filaments-Struktur der eingezogenen Kupferlitze sowohl Vereinfachungen beim Herstellungsvorgang aufgrund von deren axialer Dehnbarkeit als auch eine besondere Niederohmigkeit im elektrischen Bereich ergibt, die darauf beruht, daß die vorzugsweise noch versilberte Kupferlitze auch bei langen und längsten Trägersubstraten praktisch einen unmittel­ baren Kurzschluß für die hier auftretenden Spannun­ gen bildet, so daß es gelingt, mit den verbleibenden Restspannungen, soweit solche überhaupt noch auftreten, innerhalb der extrem niedrigen Genauigkeitstoleranzen zu verbleiben, die solche Hochpräzisions-Linearpoten­ tiometer als Bewegungsmelder, als Istwertgeber für Regelungszwecke oder für sonstige Anwendungen auf­ weisen müssen.
Besonders vorteilhaft ist, daß dabei die Kupferlitze im Querschnitt lediglich einen Platz von beispiels­ weise 1 mm2 einnimmt, um hier mit numerischen Werten zu arbeiten, die, wie es sich versteht, die Erfindung natürlich nicht einschränken. Mit anderen Worten bedeutet dies, daß auch bei Einziehen von zwei Kup­ ferlitzen dann auf entgegengesetzten Seiten des Trägersubstratprofils der sich hierdurch ergebende Fremdmaterialanteil nur sehr geringfügig ist und die Grundeigenschaften der das Profil bildenden Harzkomponente praktisch nicht beeinträchtigt.
Dabei besteht die während des Extrudiervorgangs für das Trägersubstrat mit eingezogene Kupferlitze mit Vorteil aus einer extrem hohen Anzahl von fein­ sten Kupferfäden, die zunächst zu Bündeln von Kup­ ferfäden geordnet sind. Diese einzelnen Bündel werden dann nach Art eines Flechtvorgangs miteinan­ der verbunden, also verflochten oder über- und unter­ einander verlaufend in eine Längskonfiguration ge­ bracht, die aufgrund der Flechtstruktur, aber auch aufgrund der Eigenschaften der feinsten Kupferdrähte eine ausgeprägte Längsnachgiebigkeit aufweist und im übrigen in beliebige Querschnittsformen gebracht werden kann. Die Grundform der in das Trägersubstrat eingelagerten Kupferlitze stellt eine allgemein bandförmige Struktur dar, wobei im übrigen die ein­ zelnen Kupferfädchen mit ihren Bündeln auch parallel angeordnet sein können, soweit dies möglich und handhabbar ist. Bevorzugt ist jedoch die geflochtene Kupferlitzenstruktur in versilberter Ausführung, die bei der Herstellung des Trägersubstrats parallel mit durch die Extrudieröffnung geführt und mit ent­ sprechend hohem Druck in das Substratmaterial vor­ zugsweise oberflächenbündig verbleibend, eingepreßt wird.
Die Oberflächenbündigkeit ist auf jeden Fall dann erforderlich, wenn die versilberte Kupferlitze durch einen Kollektor-Leitplastikauftrag überlagert wird, wobei dann die Kupferlitze für den unbeeinflußten, also vollkommen restspannungsfreien Abgriff der Spannung von der Kollektorbahn und ihrer Zuführung zu dem Anschlußbereich sorgt.
Vorteilhaft ist dabei, daß eine solche versilberte Kupferlitze im Vergleich zu bisher verwendeten Kohle­ faserrovings oder auch Leitersilberschichten ko­ stengünstiger ist und bei wesentlich höherer Leit­ fähigkeit ebenfalls keine Quereinflüsse auf das Kunstharzmaterial des Trägersubstrats hat, es also weder chemisch noch mechanisch, etwa bei Einwir­ kung unterschiedlicher Temperaturen u. dgl., beein­ flußt.
Das Herstellungsverfahren eines solchen Trägersub­ strats läuft so ab, daß zunächst für das Trägersubstrat selbst ein glasfaserverstärktes Kunstharzprofil dadurch erzeugt wird, daß in ein entsprechendes Tränkharz Glasfaserlängen geführt und beispielsweise nach Durchlaufen eines Vorwerkzeugs einem Hauptwerk­ zeug mit einer formenden Austrittsmündung zugeführt werden, bei welchem dann auch die Zusammenführung mit der versilberten Kupferlitze erfolgt, indem diese beispielsweise von einer Vorratsrolle abgezo­ gen und sofort oder erst nach Passieren eines Vor­ werkzeugs und Tränken mit dem gleichen Kunstharz im Hauptwerkzeug mit dem getränkten Glasfaserbündel zusammengeführt und eingezogen wird, wobei der Profil­ strang aus der Mündung des Hauptwerkzeugs mit zum Teil erheblichen Kräften abgezogen wird. Es ergibt sich hierdurch eine einwandfreie, lückenlose Einbet­ tung der Kupferlitze in dem Profilquerschnitt des Trägersubstrats, vorzugsweise in flächenbündiger Position, so daß sich ein einstückiges Bauteil für ein Linearpotentiometer ergibt, welches dann sofort weiterbearbeitet, beispielsweise mit den Leitplastik­ schichten für die Kollektor- und Widerstandsbahn überzogen werden kann.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maß­ nahmen sind vorteilhafte Verbesserungen und Weiter­ bildungen möglich. So ist es besonders vorteilhaft, wenn die Kupferlitze versilbert ist, wodurch sich eine zusätzliche erhebliche Reduzierung des elektri­ schen Widerstandes erzielen läßt, zusammen mit einer günstigeren Beschaffung der Kupferlitzenoberfläche, insbesondere auch zur ergänzenden Kontaktierung einer darüber angeordneten Kollektorleitplastik­ schicht. Außerdem werden Oxidationsprozesse an den Leitsilberanschlüssen vermieden.
Zeichnung
Die Zeichnung zeigt in einer perspektivischen schema­ tisierten Darstellung lediglich einen Teilbereich eines Trägersubstrats, herausgezogen aus dem auf­ nehmenden, als Aluminiumprofil dargestellten Gehäuse des Linearpotentiometers, ohne sonstige Potentiome­ terbestandteile, die insoweit auch nicht Gegenstand vorliegender Erfindung sind.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
Der Grundgedanke besteht darin, in das Trägersubstrat bei Linearpotentiometern eine (versilberte) Kupfer­ litze unmittelbar bei dessen Herstellung vorzugsweise oberflächenbündig einzuziehen und so ein elektri­ sches Schaltmittel zu gewinnen, welches an dieser Stelle für vielfältige Aufgaben eingesetzt werden kann.
In einer Ausgestaltung wird dann auf ein solches Trägersubstrat die Leitplastikschicht, insbesondere mit identischer Harzbasis wie das Substrat des Trä­ gers unmittelbar aufgebracht, aufgesiebt, aufgesprüht, aufgedampft o. dgl.
In der Zeichnung ist das Trägersubstrat mit 10 be­ zeichnet; ein abgeschnittenes, die Profilform des Substrats in geeigneten Führungen aufnehmendes Po­ tentiometergehäuse mit 11. Da es hier lediglich auf die Ausbildung des Trägersubstrats als Träger für die Widerstands- und Kollektorbahnen ankommt, braucht auf solche Potentiometerkomponenten nicht eingegangen zu werden, die nicht mit dem Substrat in Wirkverbindung treten, da diese nicht Gegenstand der Erfindung sind.
Das Trägersubstrat 10 ist ein gezogenes Kunststoff­ profil oder Kunstharzprofil vorzugsweise mit einge­ lagerten, verstärkenden Glasfasern, Glasfaserbün­ deln oder Glasfaserrovings; das Profil wird aus der sich vorzugsweise leicht konisch verengenden Austrittsmündung eines erwärmten Hauptwerkzeugs mit erheblicher Kraft ausgezogen, wobei unmittelbar bei dieser Herstellung mindestens eine mit 12 bezeich­ nete Kupferlitze (oberflächenbündig) in das Profil des Trägersubstrats mit eingezogen wird.
Bei dieser Kupferlitze, die mindestens einmal im Trägersubstrat angeordnet ist, handelt es sich um eine Bündelung einer extremen Vielzahl feinster Kupferfäden oder -filamente, die jeweils zu kleine­ ren Bündeln zusammengefaßt sind, wobei diese Bündel dann im üblichen Fall miteinander verflochten sind, also eine Art Flechtgewebe bilden. Die einzelnen Bündel verlaufen daher bei der bevorzugten Ausfüh­ rungsform der Kupferlitze nicht strikt parallel geradlinig und in Längsrichtung zu dem Trägersubstrat, sondern sind zueinander verschränkt, sie weisen leichte Biegungen auf, so daß sich auch in Quer­ richtung kurze Wegstrecken ergeben, wie dies bei einer Flechtstruktur üblich ist. Dies führt dazu, daß sich bei einer solchen Kupferlitze, wie diese Struktur im folgenden ausschließlich noch bezeichnet wird, auch eine gewisse Längselastizität ergibt. Dabei sind entsprechend dem bevorzugten Ausführungsbeispiel die einzelnen Kupferfädchen versilbert, so daß sich insgesamt eine versilberte Kupferlitze ergibt, die in das Profil des beispiels­ weise glasfaserverstärkten Kunststoffs beim Extrudie­ ren oder bei dessen Herstellung mit eingezogen wird.
Soweit technisch und manipulierbar beherrschbar, könnte auch eine Kupferlitze ohne Verflechtung vorge­ sehen sein, bei der also die Bündel und damit auch die einzelnen Kupferfilamente parallel zueinander liegen; auch hier ergibt sich eine gewisse Längsela­ stizität aufgrund der Materialeigenschaften des Kupfers selbst.
Zur Einlagerung der mindestens einen Kupferlitze in das Trägersubstrat kann dabei entsprechend einem ersten Ausführungsbeispiel so vorgegangen werden, daß die versilberte Kupferlitze in einem Vorwerkzeug mit dem gleichen Kunststoff getränkt wird, aus welchem auch das Trägersubstrat besteht und zusammen mit den getränkten Glasfasern durch das Hauptwerkzeug geführt wird.
Es ist aber auch möglich, die Kupferlitze trocken der Ziehmündung des Hauptwerkzeugs zuzuführen, wobei durch die Ausziehkraft im Mündungsbereich die Kupfer­ litze entsprechend flach und in die Querschnitts­ profilform des Trägersubstrats eingedrückt wird, so daß sich auf jeden Fall eine vollkommen flache Oberfläche des Trägersubstrats ergibt, wobei an bestimmten Stellen eben die Kunstharzoberfläche durch die oberflächenbündig eingelagerte Kupfer­ litze ersetzt ist.
Es versteht sich und liegt daher auch im Rahmen vorliegender Erfindung, daß bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel mindestens eine der Kupferlitzen auch innerhalb des Trägersubstrats angeordnet werden kann, nämlich dann, wenn die Kupferlitze zur Rück­ führung der Spannung am abgewandten Ende der Wider­ standsbahn verwendet wird. Es muß dann lediglich dafür gesorgt werden, daß im Kontaktierungsbereich die versilberte Kupferlitze nach außen tritt und verfügbar ist.
Bevorzugt ist aber die beidseitige, oberflächenbün­ dige Einlagerung jeweils einer Kupferlitze, einmal für die Kontaktierung des abgewandten Endes der Widerstandsbahn und zum anderen als Unterlegung für eine auf der ganzen nach außen freiliegenden Oberfläche der versilberten Kupferlitze aufgebrach­ ten Kollektorschicht. Somit können Kollektorschicht und Widerstandsschicht parallel nebeneinander auf dem Trägersubstrat angeordnet werden, wobei sich auf dieser Seite unterhalb der Kollektorschicht dann eine der miteingezogenen, versilberten Kupfer­ litzen zur Kontaktierung jedes Kollektorbahnpunktes befindet, während auf der Rückseite oder Unterseite des Trägersubstrats die andere Kupferlitze vorzugs­ weise ebenfalls oberflächenbündig verläuft, die das abgewandte Ende der Widerstandsbahn kontaktiert und zum gemeinsamen Anschlußkontaktbereich zurück­ führt.
Die Kupferlitze(n) wird (werden) also bei ihrer Herstellung so in das Trägersubstrat mit eingezogen, daß sie oberflächenbündig abschließen. Die Kupfer­ litze wird, wenn sie beispielsweise eine im Quer­ schnitt in etwa runde Bündelform hat, durch das Formwerkzeug im Oberflächenbereich flachgedrückt und setzt dann bandförmig im Übergang ohne Absatz und ohne Versetzung glatt verlaufend die Oberfläche und die Profilform des Trägerlängssubstrats fort. Die Kupferlitze ist somit hinsichtlich ihrer elektri­ schen Eigenschaften auch unmittelbar kontaktierbar. Dabei wird ausschließlich auf die elektrischen Eigen­ schaften der Kupferlitze abgestellt, wobei gleichzeitig ein neues Erzeugnis mit besonders zuverlässigen Funktionseigenschaften erzielt wird.
Die Verwendung einer Kupferlitze als elektrisches Übertragungs- und Leitungselement ist auch von be­ sonderer Kostengünstigkeit - eine Leitsilberunter­ schicht ist erheblich teurer und vor allen Dingen auch hochohmiger als die versilberte Kupferlitze.
Das Trägersubstrat 10 der Zeichnung weist zwei Längs­ bereiche 14 und 15 auf, die der Anordnung der Kollek­ torbahn und parallel zu dieser der Widerstandsbahn dienen.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung umfaßt daher das Substrat 10, wie in der Zeichnung dargestellt, auf dessen Oberseite auf der einen, in der Zeichnung unteren Hälfte die Leit­ plastikschicht der Widerstandsbahn kreuzschraffiert aufgebracht und mit 14 a bezeichnet ist. Dieser Wi­ derstandsbahn-Leitplastikschicht 14 a ist keine Kupfer­ litze unterlegt.
Auf der oberen Hälfte der Substratoberseite, also im Längsbereich 15 ist dann die Leitplastikschicht für die Kollektorbahn aufgebracht, die aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht mit eingezeichnet ist - diese Leitplastikschicht der Kollektorbahn ist durch die versilberte Kupferlitze 12 unterlegt, wie weiter vorne schon erläutert.
In der Darstellung der Zeichnung ist auch die auf der Rückseite oder Unterseite des Substrats 10 an­ geordnete zweite Kupferlitze 12 a erkennbar, die dazu dient, den abgewandten Widerstandsbahn-Poten­ tiometeranschluß mit der zuzuführenden Spannung zu verbinden.
Es ist daher möglich, durch die Einbettung der elek­ trisch leitenden, besonders niederohmigen versilber­ ten Kupferlitzen 12, 12 a das Potentiometer, jeden­ falls im Bereich der Substratanschlüsse, leitungs- bzw. kabelfrei auszubilden. Hierzu können dann noch niederohmige Kontaktierflächen an den Endbereichen vorgesehen sein, z.B. Leitsilberaufträge.
Für die Kontaktierung des anderen Endes der Leitpla­ stik-Widerstandsbahn mit der Rückführkupferlitze 12 a kann so vorgegangen werden, daß in den entspre­ chenden Bereichen Leitsilberschichten aufgebracht oder unterlegt werden und die elektrische Kontakt­ verbindung dann durch einen U-förmigen, federnden Bügel, der auf den Endbereich des Substrats so aufge­ steckt wird, daß er beidseitig die jeweiligen Kon­ taktflächen berührt, kabel- bzw. leitungsfrei herge­ stellt wird. Der Bügel umfaßt dann U-förmig den Endbereich des Substrats nach Art einer Brücke und verbindet so die auf der Ober- bzw. Unterseite ange­ ordneten Kontaktflächen.
Alle in der Beschreibung, den nachfolgenden Ansprüchen und der Zeichnung dargestellten Merkmale können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination miteinander erfindungswesentlich sein.

Claims (20)

1. Längliches Trägersubstrat für Linearpotentiometer in Form eines Kunstharz enthaltenden Profils mit einer Kollektorbahn und gegebenenfalls Wi­ derstandsbahn(en), dadurch gekennzeichnet, daß in das Trägersubstrat mindestens eine Kupferlitze (12, 12 a) in Längsrichtung eingelagert ist.
2. Längliches Trägersubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferlitze versilbert ist.
3. Längliches Trägersubstrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die versilberte Kupferlitze aus einer Vielzahl kleinster Kupfer­ drähte oder -filamente besteht.
4. Längliches Trägersubstrat nach Anspruch 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die kleinen Kupferdräht­ chen zu Bündeln zusammengefaßt und die Bündel miteinander verflochten sind.
5. Längliches Trägersubstrat nach Anspruch 4, da­ durch gekennzeichnet, daß die zu Bündeln zusammen­ gefaßten feinen Kupferdrähte parallel in Längs­ ausrichtung zum Trägersubstrat verlaufen.
6. Längliches Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Kup­ ferlitze (12 a) oberflächenbündig oder von Kunst­ harzmaterialien des Substrats überdeckt auf der Substratunterseite zum abgewandten Widerstandsbahn­ anschluß geführt und dort mit diesem elektrisch verbunden ist zur Zuführung der Potentiometerspan­ nung von einem gemeinsamen Anschlußbereich.
7. Längliches Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere versilberte Kupferlitze (12) oberflächenbündig im Bereich des Kollektorbahnbereichs angeordnet und die Kollektorbahn-Leitplastikschicht an jedem Punkt elektrisch kontaktierend dieser Schicht unterlegt ist.
8. Längliches Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Trägersub­ strat unmittelbar (eine) Leitplastikschicht(en) zur Beschichtung der Kollektorbahn und gegebenen­ falls zur Bildung von Mindestens einer Wider­ standsbahn mit Schichtstärken insbesondere < 50 µ aufgetragen sind.
9. Längliches Trägersubstrat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunstharz in den Leitpla­ stikschichten identisch ist mit dem Kunstharz des Trägersubstrats.
10. Längliches Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verstärkung des Trägersubstrats in dieses eingelagerte Glas­ faserbündel mit dem gleichen Kunstharz wie die Kupferlitze (12, 12 a) getränkt sind.
11. Längliches Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1-10, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Leitplastikschicht auf der Basis des im Trägersub­ strat enthaltenen Kunstharzes lediglich zur Bildung der Widerstandsbahn (14 a) in einem ersten Längs­ bereich (14) aufgebracht ist und die Kollektorbahn mit unterlegter versilberter Kupferlitze (12) in einem zweiten parallelen Längsbereich (15) angeordnet ist.
12. Längliches Trägersubstrat nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die im zweiten Längsbereich (15) angeordnete Kupferlitze (12) die leitende Unterlage für die über ihr aufgebrachte Kollektor- Leitplastikschicht bildet.
13. Längliches Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1-12, dadurch gekennzeichnet, daß an mindestens einem Endbereich des Trägersubstrats elektrisch leitende, dem Abgriff von Spannungen oder der Zu- und Abführung von Strömen dienende zusätzliche Kontaktflächen gebildet sind, die mit der/den Kupferlitze(n) (12, 12 a) und gegebenenfalls an­ grenzenden Leitplastikschichten elektrisch leitend verbunden sind.
14. Längliches Trägersubstrat nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen gebildet sind von mindestens teilweise mit der/den Kupfer­ litze(n) (12, 12 a) und gegebenenfalls die Leit­ plastikschichten überlappend, insbesondere darüber­ liegend oder darunterliegend angeordneten, hoch­ leitfähigen Schichten, insbesondere Leitsilber­ schichten.
15. Verfahren zur Herstellung eines Trägersubstrats mit Kollektorbahn und Widerstandsbahn in Form eines länglichen Kunstharzprofils als Bestand­ teil eines Linearpotentiometers gemäß einem der Ansprüche 1-14 durch Ausziehen des das Trägersub­ strat bildenden Profils aus einer Werkzeug-Form­ öffnung, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit dem Ausziehen des Trägersubstrats mindestens eine Kupferlitze aus der Werkzeug-Formöffnung mit ausgezogen wird, so daß sich im glatten Über­ gang ein von der Kupferlitze eingenommener, in Längsrichtung durchlaufender, längs der Oberfläche des Trägersubstrats kontaktier­ barer Raum im Trägersubstrat ergibt.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich­ net, daß zusammen mit der ersten Kupferlitze mindestens eine weitere Kupferlitze miteingezogen wird, wobei die eine Kupferlitze auf der Substrat­ oberseite und die zweite auf der Substratunterseite verläuft.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die mindestens eine miteingezo­ gene Kupferlitze oberflächenbündig angeordnet ist derart, daß sie längs ihrer Oberfläche von der darüberliegenden Kollektorbahn an jedem Punkt elektrisch kontaktiert ist.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15-17, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferlitze vor dem Auszie­ hen aus der Werkzeug-Formöffnung versilbert wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15-18, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine Kupfer­ litze trocken unter Verzicht auf eine vorherige Tränkung der Werkzeug-Formöffnung zugeführt und in das Profil des Trägersubstrats eingezogen wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 15-18, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferlitze in einem ersten Werkzeug mit dem Kunstharz des Träger­ profils getränkt und anschließend der Werkzeug- Formöffnung zum Einziehen in das Profil zugeführt wird.
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