DE3837306C2 - Kolben und Kolbenstange für einen Schwingungsdämpfer in Kraftfahrzeugen - Google Patents
Kolben und Kolbenstange für einen Schwingungsdämpfer in KraftfahrzeugenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Kolben und Kolben
stange für einen Schwingungsdämpfer in Kraftfahrzeu
gen, mit mindestens einer auf dem Kolben oder der
Kolbenstange aufgetragenen Hartstoffschicht.
Im Bereich der Hydraulik und Pneumatik ist der Kol
ben eines Stoßdämpfers ein mechanisch besonders
hoch beanspruchtes Maschinenelement. Dichtungen
sollen ein Übertreten von Hydrauliköl aus der Kam
mer, in der sich der Kolben bewegt, verhindern. Zur
Verschleißminderung und Korrosionsverhinderung die
ses Kolbens werden unter anderem galvanisch aufge
brachte Hartchromschichten verwendet.
Trotz der hohen Härte der Chromschichten wird die
Lebensdauer der mit ihnen beschichteten Bauteile
als nicht ausreichend angesehen. Außerdem herrscht
gelegentlich Unzufriedenheit wegen des Korrosions
schutzes. Ferner besteht der Wunsch nach einem
niedrigen Gleitreibungskoeffizienten. Ein beson
deres Problem stellen schließlich die hohen Anfor
derungen an eine umweltfreundliche Entsorgung der
für die Verchromung erforderlichen galvanischen Bä
der dar.
Weiterhin ist bekannt, daß harte, amorphe, wasser
stoffhaltige Kohlenstoffschichten (a-C:H) in der
"reinen Form" oder mit Beimischung anderer Elemente
niedrige Gleitreibungskoeffizienten aufweisen.
Schließlich ist auch die Abscheidung von silicium-
und kohlenstoffhaltigen Schichten aus Siliciumorga
nischen Verbindungen mittels einer Glimmentladung
bekannt.
In der DE 38 32 692 A1 wurde die Aufgabe gelöst,
ein Dichtungselement, das aus einem keramischen,
von Wasser umströmten Absperrkörper besteht und
eine plattenförmige, kolbenförmige oder kugelige
Form aufweist, mit einer Hartstoffschicht zu verse
hen, die das Dichtungselement extrem verschleißfest
macht und darüber hinaus dafür Sorge trägt, daß das
Dichtungselement ohne den Einsatz eines besonderen
Schmiermittels auf seinem Dichtsitz leicht gleitet,
wobei die Gleitbewegungen vergleichsweise langsam
erfolgen.
In der US 4 532 150 ist ein Verfahren zur Beschich
tung von Substraten wie Glas, Saphir, Aluminium,
Zinn oder ähnlicher Metalle mit einer amorphen Ver
bindung aus Silicium und Kohlenstoff beschrieben.
Allerdings sollen nur Metalle, die in Form einer
Folie vorliegen beschichtet werden. Als stöchiome
trisches Verhältnis der Verbindung SixC1-x wird x
mit Werten zwischen 0,2 und 0,9, vorzugsweise aber
0,5, angegeben. Das Silicium und der Kohlenstoff
werden aus einer ionisierten Gasatmosphäre abge
schieden, die organische Siliziumverbindungen be
stimmter Zusammensetzung enthält.
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe
zugrunde, die Nachteile von mit Chrom beschichte
ten, rasch aufeinandergleitenden, metallischen Maschinenelementen
zu vermeiden und eine Beschichtung
zu schaffen, die bei hoher Verschleißfestigkeit
einen hohen Korrosionsschutz und einen geringen
Gleitreibungskoeffizienten bietet, und eine Be
schichtung für Kolben und Kolbenstange für Schwin
gungsdämpfer in Kfz anzugeben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß mindestens zwei Schichten übereinander aufge
bracht sind, wobei die unterste, auf den Kolben
oder die Kolbenstange unmittelbar aufgebrachte
Schicht eine amorphe Verbindung aus Silicium und
Kohlenstoff in der Zusammensetzung SixC1-x ist mit
0 < x < = 1 und die auf die unterste Schicht aufgebrach
ten weiteren Schichten aus einer amorphen Verbin
dung aus Silicium und Kohlenstoff in der Zusammen
setzung SixC1-x mit 0 < = x < 1.
Vorzugsweise enthält die Hartstoffschicht aus Sili
cium und/oder Kohlenstoff die Elemente Sauerstoff
und Stickstoff.
Mit Vorteil findet ein Verfahren zum Auftragen von
Hartstoffschichten auf das Maschinenelement Anwen
dung, bei dem die Abscheidung der Hartstoffschicht
auf der Kathode oder der Anode einer Plasma-CVD-An
lage erfolgt.
Beispielsweise findet das Auftragen derartiger Hartstoff
schichten bei einem Kolbenteil Verwendung, das auf seiner
dem Dichtring zugewandten Seite eine auf ihm festhaftende,
kohlenstoffhaltige Hartstoffschicht aufweist.
Diese Hartstoffschicht enthält außer Kohlenstoff noch
Wasserstoff, der etwa 1 bis 50 Atomprozent der Substanz
ausmacht. Dieser amorphe, wasserstoffhaltige Kohlenstoff
haftet ohne weitere Zusätze (a-C:H) auf bestimmten Mate
rialien, insbesondere auf Stahl, nur sehr schlecht. Es hat
sich nun völlig unerwartet herausgestellt, daß schon
geringe Beimischungen (wenige Prozent) von Silicium in den
Kohlenstoff schichten ausreichen, die Haftung dieser
Schichten wesentlich zu erhöhen. Die Härte und die
Reibungs- und Antikorrosionseigenschaften der Schichten
werden dabei nicht nachteilig beeinflußt. Es ist nun mög
lich, die ganze Schicht aus Kohlenstoff mit Siliciumbei
mischung herzustellen oder zunächst eine dünnere,
guthaftende Grund- oder Haftschicht aus Kohlenstoff mit
Silicium abzuscheiden und darauf eine dickere, silicium
freie Kohlenstoffschicht oder eine Kohlenstoffschicht mit
einem anderen Siliciumanteil als die Haftschicht aufzu
bringen.
Überraschenderweise weisen derart beschichtete Stangen
oder Zylinder gegen Dichtmaterialien (z. B. Kunststoffe
oder Metalle) eine geringe Reibung auf.
Als zur Lösung der gestellten Aufgabe geeignetes Verfahren
ist nun die plasma-aktivierte, chemische Dampfabscheidung
(plasma-activated chemical vapor deposition, PACVD, PCVD)
einsetzbar, wobei die zu beschichtenden Teile nicht zu
sätzlich geheizt zu werden brauchen.
Es ist aber auch möglich, konventionelles (Hochtempera
tur-)CVD mit PCVD zu kombinieren. In diesem Falle werden
die zu beschichtenden Maschinenelemente auf Temperaturen
von mehreren hundert (bis über tausend) Grad Celsius auf
geheizt. Mit diesem auch Pyrolyse genannten Verfahren kann
beispielsweise in einer Kohlenwasserstoff-Atmosphäre
Kohlenstoff abgeschieden werden; dieser hat aber graphit-
ähnliche Eigenschaften, ist also weich, undurchsichtig und
elektrisch leitfähig. Erst ein zusätzlicher (oder aus
schließlicher) Ionenbeschuß, z. B. durch eine Glimment
ladung (Plasma) oder eine zusätzliche Ionenkanone, läßt
harte, elektrisch isolierende Kohlenstoffschichten mit
diamantähnlichen Eigenschaften entstehen. Eine Aufheizung,
die mit einer Glimmentladung kombiniert ist, kann als
"plasma-unterstütztes (oder angeregtes) CVD" (plasma-
enhanced CVD, PECVD) ebenfalls angewendet werden. Wird auf
eine Aufheizung verzichtet, können auch gegen hohe Tempe
raturen empfindliche Kunststoffe mittels PCVD beschichtet
werden.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausführungsmöglich
keiten zu; eine für die Beschichtung von Kolbenstangen für
Schwingungsdämpfer geeignete Vorrichtung ist in den anhän
genden Zeichnungen schematisch dargestellt, und zwar
zeigen:
Fig. 1 die Vorrichtung zum Beschichten in der Seitenan
sicht und im Schnitt
Fig. 2 eine Kolbenstangenanordnung in der Draufsicht
Fig. 3 eine alternative Kolbenstangenanordnung, eben
falls in der Draufsicht
Bei der Vorrichtung gemäß Fig. 1 bilden wegen des erfor
derlichen Ionenbeschusses die zu beschichtenden Teile 7,
7', zusammen mit ihren Halterungen 6 und 6', die Elek
troden einer Diodenanordnung zur Erzeugung einer Glimment
ladung 3. Die Vorrichtung selbst besteht aus einer elek
trisch leitenden Kammer 1, einer elektrisch isolierenden
Durchführung 4, die die elektrische Verbindung herstellt
zwischen dem Probenhalter 6 und der aus dem Hochfrequenz
generator 10, dem Impedanzwandler 9 und dem Koppelkonden
sator 8 bestehenden elektrischen Versorgungseinheit. Das
große Rohr 11 stellt den Verbindungskanal zwischen
Beschichtungskammer 1 und einem nicht eingezeichneten
Pumpstand her, der in der Lage ist, bei abgeschalteter
Gasversorgung (nicht eingezeichnet, wird über das dünne
Rohr 12 an die Kammer 1 angeschlossen) ein Vakuum herzu
stellen, das nach ein paar Minuten einem Druck von 10-8
bis 10-3 mbar, vorzugsweise 10-6 bis 10-4 mbar, ent
spricht. Dieser Druckbereich bedeutet keine wesentliche
Eingrenzung des Verfahrens, da bei geringeren Pumpleistun
gen, die höheren Restgasdrücken entsprechen, wegen seiner
hohen Affinität zum Silicium der Sauerstoff aus dem Rest
gas zum Teil in die Schichten eingebaut wird. Das kann bis
zu einem gewissen Grad toleriert werden. Im Grenzfall wird
aber das zur Schichtbildung erforderliche Siliciumorgani
kum so weit aufoxidiert, daß die Schichten nicht mehr
Silicium-Kohlenstoff genannt werden können, sondern Quarz,
also Siliciumdioxid sind.
Zweckmäßigerweise ist die Vakuumkammer aus elektrisch
isolierendem Material, z. B. Quarz, hergestellt, wobei das
zur Erzeugung einer Glimmentladung erforderliche elek
trische Feld über Spulen oder externe oder interne Elek
troden oder über einen Mikrowellen-Hohlraumresonator ein
gekoppelt wird. Wirklich harte, kohlenstoffhaltige Schich
ten erhält man, wenn die zu beschichtenden Teile auf
einem, relativ zum Plasma 3, negativ gepolten Probenhalter
6 und 6' liegen. Dies kann über eine an die Probenhalter
angelegte Gleichspannung oder in vorteilhafter Weise über
die aus den Elementen 8, 9, 10 bestehende Hochfrequenzan
ordnung geschehen. Im letzteren Fall laden sich die Elek
troden 6 und 6', die Probenhalter und die elektrisch
leitend mit ihnen verbundenen Substrate 7, 7' im zeit
lichen Mittel aufgrund unterschiedlicher Beweglichkeiten
von Elektronen und Ionen, die aus dem Plasma 3 stammen,
gegenüber dem Plasma negativ auf, sofern die Verbindung
zwischen Hochfrequenzgenerator 10 und Probenhalter 6
gleichspannungsmäßig durch einen Kondensator 8 unter
brochen ist. Die Kathodengleichspannung UB wird üblicher
weise zwischen Kondensator 8 und Probenhalter 6 mittels
eines Gleichspannungsmeßgerätes 13 gegen Masse gemessen.
Um zu verhindern, daß die für den Prozeß notwendige Hoch
frequenz über das Meßgerät abgeleitet wird, schaltet man
vor dieses eine Hochfrequenzdrossel 14. Beim gleichzeiti
gen Beschichten sehr vieler Substrate 7, 7' ist das
Flächenverhältnis der an der geerdeten Halterung 6'
hängenden Substrate 7 zuzüglich der Fläche der Kammerwand
zu den an der an Hochfrequenz angeschlossenen Halterung 6'
stehenden Substrate 7' nahezu gleich eins. Das bedeutet,
UB ist nahezu gleich Null. Gleichwohl findet ein Ionenbe
schuß statt, da die Potentialdifferenz der Stangen, rela
tiv zum Plasma, ausreichend hoch ist. Sie liegt in der
Größenordnung der halben, an der Halterung 6 liegenden
HF-Spannung UHF, die mit einem HF-Amplitudenmeßgerät
leicht meßbar ist. Die Potentialdifferenz zwischen Plasma
und einer der Elektroden zu messen, erfordert größeren
Aufwand, z. B. die Verwendung einer Langmuir-Sonde. Die
Verwendung von Hochfrequenz ist zur Erzeugung von elek
trisch isolierenden, kohlenstoffhaltigen Schichten mit
Dicken von mehr als etwa 0,5 µm unverzichtbar, da bei Ver
wendung von Gleichspannung isolierende Schichten oberhalb
einer kritischen Dicke, die für einen ausreichenden Schutz
noch zu gering ist, den Stromfluß von Elektronen und Ionen
unterbrechen und damit den Beschichtungsprozeß abschalten.
Fig. 2 zeigt die Anordnung von stangenförmigen Substraten
in der Draufsicht. Die vollen Kreise stellen die an der
geerdeten Halterung 6' befestigten Stangen 7' dar, die
offenen Kreise die an der Halterung 6 befestigten Stangen.
Damit ist jede Stange von 4 entgegengesetzt gepolten Stan
gen umgeben, so daß sich eine für die Aufrechterhaltung
einer Glimmentladung vorteilhafte elektrische Feldvertei
lung ergibt. Es sind aber auch andere Geometrien denkbar.
Wichtig ist, daß in unmittelbarer Nachbarschaft eines zu
beschichtenden Teils ein für eine Glimmentladung ausrei
chend hohes elektrisches Feld vorhanden ist.
Eine besonders gleichmäßige Feldverteilung und damit be
sonders homogene Beschichtung ist mit einer Anordnung nach
Fig. 3 erzielbar. Dabei bedeuten 7, 7' die zu beschich
tenden Stangen, während 15 als Gegenpol geschaltete, elek
trisch leitende, gasdurchlässige Wände sind. Hierbei fällt
aber der Vorteil gegenüber der Anordnung nach Fig. 2 weg,
daß die für eine vorteilhafte Feldverteilung wichtigen
geerdeten "Gegenpol"-Stangen 7 zur selben Zeit beschichtet
werden wie die anderen Stangen 7'. Das heißt, mit der An
ordnung nach Fig. 3 können nur halb so viele Stangen 7,
7' beschichtet werden wie nach Fig. 2. Außerdem ist die
Handhabung einer Vorrichtung nach Fig. 2 für das Entneh
men und Neubeschicken der Beschichtungskammer wesentlich
einfacher als nach Fig. 3. Ferner müssen die gasdurchläs
sigen Wände 15 von Zeit zu Zeit von den auf ihnen eben
falls abgeschiedenen Schichten gereinigt werden.
Zur Erzeugung einer Glimmentladung benötigt man außer
elektrischer Energie, die über den Probenhalter 6 in die
Beschichtungskammer 1 eingekoppelt wird, auch ein Gas
innerhalb dieser Kammer, das einen Druck im Bereich 10 -4
bis einige Millibar aufweist. Dieser Druckbereich wird der
selbständigen Glimmentladung zugerechnet, in der das Gas
teilweise chemisch angeregt, ionisiert und bei mehratomi
gen Gasen dissoziiert und in Radikale zerlegt ist. Der
Rest der Atome bzw. Moleküle bleibt neutral. Im Falle der
Verwendung von Edelgasen stellt die in Fig. 1 gezeigte
Vorrichtung eine Kathodenzerstäubungs-(Sputter-)Anlage
dar, in der die Probenhalter 6 und 6' und die an ihnen
befestigten Substrate 7, 7' physikalisch durch Ionenbe
schuß geätzt werden. Dies stellt einen wichtigen, wenn
auch nicht in allen Fällen dringend erforderlichen Schritt
der Probenreinigung vor dem eigentlichen Beschichtungs
schritt dar.
Werden statt Edelgase halogenhaltige Gase wie z. B. CF4,
SF6, C2Cl2F2 oder BCl3 verwendet, so hat man es mit
plasma-chemischem Ätzen zu tun, wie es in der Halbleiter
industrie seit langem zur Herstellung feinster Strukturen
angewandt wird.
Enthält das Arbeitsgas außerdem noch Wasserstoff, entweder
schon im Molekül oder als Beimischung, so werden unter
passenden Bedingungen, die vor allem durch die in die
Beschichtungskammer eingekoppelte elektrische Leistung und
den Druck des Arbeitsgases bestimmt werden, feste Schich
ten abgeschieden, die alle in der Kammer befindlichen
Teile, also auch die Kammerwände 5, überziehen. Die Ober
flächen der Probenhalter und der an ihnen befestigten
Stangen 7, 7' nehmen dabei insofern eine Sonderstellung
ein, als sie während des Beschichtungsprozesses ständig
einem mit der elektrischen Leistung einstellbaren Ionen
beschuß ausgesetzt sind, durch den die Schichten im
wesentlichen ihre hohe Härte erhalten.
Als für die Beschichtung von Metallen besonders geeignete
Prozeßgase haben sich Gase oder Gemische von Gasen erwie
sen, die Silicium und Kohlenstoff enthalten und in so
großer Menge Wasserstoff, im Gegensatz zu Halogenen, daß
eine Beschichtung gegenüber einer plasma-chemischen Ätzung
überwiegt. Ein Gemisch aus SiCl4 und CF4 zum Beispiel läßt
in einem großen Bereich von elektrischer Leistung und Gas
druck eine Ätzung erwarten, während schon der Ersatz von
SiCl4 durch SiH4 in diesem Gasgemisch eine SiC-ähnliche
harte Schicht ergeben wird. Der Wasserstoff verbindet sich
mit dem Fluor zu HF-Gas, das durch die Pumpen der in Fig.
1 gezeigten Vorrichtung aus der Kammer entfernt wird.
Zurück bleibt eine feste SiC-Schicht.
In vorteilhafter Weise ist aber nicht nur das an Luft
selbstentzündliche Silan SiH4 oder das Ätzgas CF4 verwend
bar, sondern es kann von der großen Gruppe der silicium-
organischen Verbindungen Gebrauch gemacht werden. Es han
delt sich dabei um Flüssigkeiten, deren Dampfdruck bei
vielen von ihnen schon bei Zimmertemperatur so hoch ist,
daß sie als Gase allein durch den Unterdruck in der Be
schichtungskammer durch das Rohr 12 in diese hineingesogen
werden können.
Als Gase können z. B. Tetramethylsilan, Hexamethyldisilan,
Hexamethyldisiloxan, Hexamethyldisilazan, Vinyldimethyl
ethoxysilan, Tetraethoxysilan oder irgendwelche andere
methyl-, vinyl-, phenyl- oder alkoxygruppenhaltige Siloxa
ne, Silazane oder Silane verwendet werden, aber auch deren
halogenierte Entsprechungen wie z. B. Dichlormethylsilan
oder Trifluorosilan. Diese Auswahl bedeutet keine Ein
schränkung. Es muß lediglich gewährleistet sein, daß das
Prozeßgas oder Gemisch Silicium und Kohlenstoff enthält
und ein Konzentrationsverhältnis Wasserstoff zu Halogen,
daß keine plasma-chemische Ätzung, sondern eine Abschei
dung einer festen Schicht stattfindet. Es ist in diesem
Sinne auch für die Erfindung ohne Belang, in welcher
Molekülstruktur die Prozeßgase vorliegen. Es kann sich
dabei also um lineare, verzweigte oder ringförmige Mole
küle handeln. Beim Aufprall auf die Probenhalter und die
dort befindlichen zu beschichtenden Teile verlieren die
Moleküle ihre ursprüngliche Struktur.
Die Abscheidekammer wurde evakuiert bis auf einen Druck
von 10-5 mbar. Dann wurde Argon eingeleitet und der Gasdruck
über ein Dosierventil auf 8 µbar eingestellt. Nach
Einschalten des Hochfrequenzgenerators wurde eine Glimm
entladung gezündet. Durch Verändern der Generatorleistung
wurde eine HF-Elektrodenspannung von 500 Volt eingestellt.
Zehn Minuten später wurden das Argon-Ventil geschlossen
und gleichzeitig das Dosierventil für Tetramethylsilan
(TMS) so weit geöffnet, daß ein Gasdruck von 20 µbar in
der Kammer entstand. Die Generatorleistung wurde nachge
regelt, so daß die HF-Elektrodenspannung 600 Volt betrug.
Nach einer halben Stunde wurden der Generator abgeschaltet
und das TMS-Ventil geschlossen. Die Abscheidekammer wurde
geöffnet, und die Stahlstangen wurden herausgenommen. Auf
ihren Oberflächen hatte sich eine dunkelgrauglänzende
Hartstoffschicht abgeschieden.
Prozeßschritt wie in Beispiel 1, aber mit folgenden
geänderten Prozeßparametern:
Es wurde das Beschichtungsgas Hexamethyldisiloxan (HMDSO)
eingeleitet, die HF-Elektrodenspannung betrug 600 Volt.
Nach einer halben Stunde war eine 2 µm dicke, dunkelbraun
glänzende Schicht abgeschieden worden.
Prozeßschritte wie in Beispiel 1, aber mit folgenden
geänderten Prozeßparametern:
Es wurde das Gas Hexamethyldisilazan (HMDS) verwendet,
die HF-Elektrodenspannung betrug 450 Volt.
Nach einer halben Stunde war eine 1,5 µm dicke, dunkel
braunglänzende Schicht abgeschieden worden.
Prozeßschritte wie in Beispiel 1, aber mit folgenden
geänderten Prozeßparametern:
Es wurde ein Gemisch aus 10% TMS und 90% Hexan verwen det, der Gasdruck wurde auf 80 µbar eingestellt, die HF- Elektrodenspannung auf 400 Volt.
Es wurde ein Gemisch aus 10% TMS und 90% Hexan verwen det, der Gasdruck wurde auf 80 µbar eingestellt, die HF- Elektrodenspannung auf 400 Volt.
Nach einer halben Stunde war eine 3 µm dicke, schwarzglän
zende Schicht abgeschieden worden.
Prozeßschritte wie in Beispiel 1, aber mit folgenden
geänderten Prozeßparametern:
Es wurde TMS eingeleitet, auf einen Druck von 40 µbar und die HF-Elektrodenspannung auf 900 Volt eingestellt. Nach 5 Minuten wurden gleichzeitig das Hexan-Ventil auf- und das TMS-Ventil so weit zugedreht, daß sich ein Mischungs verhältnis von TMS zu Hexan wie 1 : 5 einstellte. Der Gesamtdruck wurde auf 30 µbar und die HF-Elektrodenspan nung auf 450 Volt eingestellt.
Es wurde TMS eingeleitet, auf einen Druck von 40 µbar und die HF-Elektrodenspannung auf 900 Volt eingestellt. Nach 5 Minuten wurden gleichzeitig das Hexan-Ventil auf- und das TMS-Ventil so weit zugedreht, daß sich ein Mischungs verhältnis von TMS zu Hexan wie 1 : 5 einstellte. Der Gesamtdruck wurde auf 30 µbar und die HF-Elektrodenspan nung auf 450 Volt eingestellt.
Nach einer halben Stunde war eine guthaftende, schwarz
glänzende Schicht abgeschieden worden.
Die beschichteten Stangen wurden einem 20stündigen Salz
nebeltest ausgesetzt und zeigten danach praktisch keinen
Angriff durch Korrosion.
Eingebaut in einen Automobil-Stoßdämpfer waren die Schutz
schichten nach 10-6 Hüben noch intakt.
1
Kammer
3
Plasma
4
elektrisch isolierende Durchführung
5
Kammerwand
6
,
6
' Probenhalter
7
,
7
' Substrate
8
Koppelkondensator
9
Impedanzwandler
10
Hochfrequenzgenerator
11
Rohr
12
Rohr
13
Gleichspannungsmeßgerät
14
Hochfrequenzdrossel
15
gasdurchlässige Wand
Claims (4)
1. Kolben und Kolbenstange für einen Schwingungs
dämpfer in Kraftfahrzeugen, mit mindestens einer auf
dem Kolben oder der Kolbenstange aufgetragenen
Hartstoffschicht, dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens zwei Schichten übereinander aufge bracht sind, wobei die unterste, auf den Kolben oder die Kolbenstange unmittelbar aufgebrachte Schicht eine amorphe Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff in der Zusammensetzung SixC1-x ist mit 0 < x < = 1 und
die auf die unterste Schicht aufgebrachten weite ren Schichten aus einer amorphen Verbindung aus Si licium und Kohlenstoff in der Zusammensetzung Six C1-x mit 0 < = x < 1 bestehen.
mindestens zwei Schichten übereinander aufge bracht sind, wobei die unterste, auf den Kolben oder die Kolbenstange unmittelbar aufgebrachte Schicht eine amorphe Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff in der Zusammensetzung SixC1-x ist mit 0 < x < = 1 und
die auf die unterste Schicht aufgebrachten weite ren Schichten aus einer amorphen Verbindung aus Si licium und Kohlenstoff in der Zusammensetzung Six C1-x mit 0 < = x < 1 bestehen.
2. Kolben und Kolbenstange nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Hartstoffschicht aus Sili
cium und Kohlenstoff die Elemente Sauerstoff und
Stickstoff enthält.
3. Kolben und Kolbenstange nach einem der vorherge
henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Hartstoffschichten im Wege des Plasma-CDV-Verfahrens oder der
Plasmapolymerisation auf den Kolben oder die Kolbenstange auf
gebracht sind, wozu Monomere Verwendung finden, die
Kohlenstoff oder Kohlenstoff und Silicium enthal
ten.
4. Kolben und Kolbenstange nach einem der vorherge
henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
auf die unterste Schicht folgende Schichten SixC1-
x unterschiedliche Zusammensetzungen gegenüber der
untersten Schicht aufweisen.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883837306 DE3837306C2 (de) | 1988-09-27 | 1988-11-03 | Kolben und Kolbenstange für einen Schwingungsdämpfer in Kraftfahrzeugen |
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DE19883837306 DE3837306C2 (de) | 1988-09-27 | 1988-11-03 | Kolben und Kolbenstange für einen Schwingungsdämpfer in Kraftfahrzeugen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3837306A1 DE3837306A1 (de) | 1990-05-31 |
DE3837306C2 true DE3837306C2 (de) | 2002-05-16 |
Family
ID=25872601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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---|---|
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Also Published As
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