DE3810245A1 - Lichtemittierendes element und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Lichtemittierendes element und verfahren zu seiner herstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft blaues Licht emittierende Elemente,
wie z. B. blaues Licht emittierende Leuchtdioden (LEDs) oder
im kurzwelligen Bereich des sichtbaren Lichts arbeitende La
ser sowie Verfahren zu ihrer Herstellung.
Es sind bereits Verfahren zur Massenproduktion von LEDs, die
sichtbares Licht von Rot bis Grün emittieren, und von mit
sichtbarem Licht von Rot bis Gelb arbeitenden Lasern bekannt,
nach denen in der Praxis gearbeitet wird. Leuchtanzeigen,
bei denen diese Vorrichtungen bzw. Elemente verwendet wer
den, sind ebenfalls bekannt und gewinnen ständig weiter an
Bedeutung. Es besteht deshalb ein wachsendes Bedürfnis nach
blauen LEDs, die bisher nicht im Massenproduktionsmaßstab
hergestellt wurden, und nach blauen und grünen Lasern, die
bisher nicht hergestellt worden sind, Blau ist eine Farbe,
die bisher nicht in der Familie der sichtbares Licht emit
tierenden LEDs vertreten war, obwohl sie gebraucht wird, um
Farbanzeigen mit sämtlichen Farben herzustellen.
Erste Bedingung für Stoffe bzw. Materialien zur Herstellung
von grünen und blauen LEDs und Lasern ist, daß der Bandab
stand größer als 2,6 eV sein muß. SiC (2,6 eV), GaN (3,4 eV)
und ZnS x Se1 - x (2,7 bis 3,8 eV) erfüllen diese Bedingung. Die
weitere Bedingung für die Herstellung hochwirksamer licht
emittierender Elemente ist, daß eine Technik zur Herstellung
guter pn-Übergänge mit einer qualitativ hochwertigen licht
emittierenden Schicht auf Substraten großer Durchmesser zur
Verfügung steht.
Es gibt jedoch ein großes Hindernis, solche lichtemittieren
den Elemente zu verwirklichen. Die bei den einzelnen Materia
lien bestehenden Probleme sind die folgenden: Für SiC gibt es
keine geeigneten Substrate für epitaktisches Wachstum, obwohl
ein pn-Übergang hergestellt werden kann. In GaN können keine
pn-Übergänge mit hochwirksamer Lichtemission erzeugt werden,
weil es trotz großer Anstrengungen nicht gelungen ist, eine
Schicht vom n-Typ herzustellen. Bei ZnS x Se1 - x kann ein Kri
stall vom p-Typ nur durch Aufwachsen aus einer Lösung gebil
det werden und deshalb konnte bisher kein Verfahren zur Mas
senproduktion von gewachsenen pn-Schichten auf Substraten
großer Durchmesser mit guter Reproduzierbarkeit entwickelt
werden.
Halbleiter aus II-VI-Verbindungen wie SnS x Se1 - x (0 < x < 1) be
sitzen einen großen Bandabstand und sind Halbleiter mit di
rektem Übergang und damit hochwirksame lichtemittierende Ma
terialien. Darüber hinaus ist die Hetero-Epitaxie von II-VI-
Materialien bei Si, Ge und/oder GaAs-Substraten mit guter
Gitterkonstanten-Anpassung möglich durch entsprechendes Aus
wählen der Legierungszusammensetzung x. Ein derartiges epi
taktisches Wachstum wird entweder durch metallorganische che
mische Dampfabscheidung (MOCVD) oder durch Molekularstrahl
epitaxie (MBE) erreicht. Außerdem kann die Leitfähigkeit vom
n-Typ durch Dotieren entweder mit Elementen der Gruppe IIIb
oder mit Elementen der Gruppe VIIb des Periodensystems ge
steuert werden. Ein großer Nachteil dieser Materialien be
steht jedoch darin, daß epitaktische Schichten vom p-Typ
nicht mittels herkömmlicher Methoden aufwachsen können. Aus
diesem Grunde konnte bisher blaues Licht emittierende Dio
den und Halbleiterlaser nicht hergestellt werden, weil man
bei derartigen lichtemittierenden Elementen Schichten sowohl
vom n- als auch vom p-Typ nacheinander aufwachsen lassen muß.
Gegenstand der Erfindung ist deshalb eine neue Gasphasenepi
taxie-Technik für den Aufbau von Schichten vom p-Typ aus
ZnS x Se1 - x mit geringem spezifischem Widerstand durch Dotie
ren von Elementen der Gruppe Ia des Periodensystems wie Li
thium (Li), Natrium (Na) und Kalium (K) unter der Bedingung,
daß das Flußverhältnis zwischen den Elementen der Gruppe VIb
und den Elementen der Gruppe IIb des Periodensystems zwischen
1 und 100 beträgt.
Um die vorgenannten Probleme zu lösen, bestehen die Mehr
schichtstrukturen erfindungsgemäß aus II-VI-Halbleiter
schichten vom n-Typ mit einer spezifischen Leitfähigkeit
zwischen 10-3 und 103 Ωcm und II-VI-Halbleiterschichten vom
p-Typ mit einer spezifischen Leitfähigkeit zwischen 10-3 und
10 Ωcm, wobei alle diese Schichten durch Gasphasenepitaxie
auf Halbleitersubstrate durch selektives Auswählen und Ver
ändern der Zusammensetzung x unter Einhaltung bzw. Anpassung
der Gitterkonstante aufwachsen. Gegenstand der Erfindung ist
außerdem ein Verfahren zur Herstellung der Mehrschichtstruk
turen, bei dem metallorganische Gase für die Elemente der
Gruppe II und gasförmige Hydride für die Elemente der Gruppe
VI des Periodensystems für das kontinuierliche Wachstum der
II-VI-Halbleiterschichten sowohl vom n- als auch vom p-Typ
auf gittergerechten Halbleitersubstraten unter Einhaltung
der Bedingung verwendet werden, daß das Flußverhältnis zwi
schen den Elementen der Gruppen II und VI zwischen 2 × 10-3
und 10 liegt.
Gegenstand der Erfindung ist somit, daß (1) mehrschichtige
II-VI-Halbleiterstrukturen, die aus leitenden Schichten vom
n- und p-Typ bestehen, durch kontinuerliches Wachstum mit
tels Gasphasenepitaxie auf Halbleitersubstraten abgeschieden
werden können, daß (2) während des epitaktischen Wachstums
Elemente der Gruppe Ia des Periodensystems wie z. B. Li, Na
und K sowie deren Verbindungen eingeführt werden, um leiten
de Schichten mit niedrigem spezifischem Widerstand, bei
spielsweise aus ZnS x Se1 - x vom p-Typ herzustellen, wobei Zn
als Element der Gruppe IIb und Se und S als Elemente der
Gruppe VI des Periodensystems ausgewählt werden, um einen
Kristallkeim zu bilden, und zwar ZnS x Se1 - x auf Halbleiter
substraten wie Si, GaAs oder GaP und daß (3) durch abwech
selndes Aufwachsenlassen von Schichten vom p- und n-Typ blaues
Licht emittierende Vorrichtungen bzw. Elemente mit pn-Über
gang gleichbleibend und mit guter Reproduzierbarkeit auf den
Halbleitersubstraten mit großem Durchmesser hergestellt wer
den, für die es bereits Herstellungsverfahren für die Mas
senproduktion gibt, und daß (4) die Erfindung somit ein Mas
senproduktionsverfahren mit hoher Ausbeute zur Herstellung
von blaues Licht emittierenden Vorrichtungen bzw. Elementen
schafft, mit denen Feststoffarbanzeigen mit Elementen in
großem Maßstab hergestellt werden können, welche rotes, grü
nes und blaues Licht emittieren.
Da erfindungsgemäß Elemente der Gruppe Vb des Periodensystems
gleichzeitig mit Elementen der Gruppe Ia dotiert werden, wer
den die Löcher der keimbildenden VI-Atome, die durch die Be
setzung mit den Ia-Dotierstoffen erzeugt werden, durch die
dotierten Vb-Elemente kompensiert, wodurch Spitzendefekte
reduziert werden und die Kristallqualität verbessert wird.
Durch diese Codotierung von Elementen der Gruppen Ia und Vb
können die Ia-Elemente, die normalerweise beweglich sind,
eine Bindung mit den Vb-Elementen ausbilden, die im Kristall
gitter in benachbarter Position sitzen, und können auf diese
Weise stabilisiert werden. Somit wird die Bewegung der Ia-
Elemente unterdrückt, wodurch stabile Charakteristiken und
lange Lebensdauer der auf diese Weise hergestellten licht
emittierenden Vorrichtungen erzielt werden können.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung weiter
erläutert.
Fig. 1 dient der Erläuterung eines Ausführungsbeispiels der
Erfindung, welches mittels eines MOVPE-Geräts zur
Herstellung lichtemittierender Vorrichtungen erhal
ten wurde.
Fig. 2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung
mittels eines MBE-Geräts.
Fig. 3 ist ein Schnitt durch die Struktur eines Ausführungs
beispiels eines erfindungsgemäßen lichtemittierenden
Elements.
Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem ein Gerät für
die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) zur Herstel
lung lichtemittierender Elemente wie z. B. blauer LEDs und
mit sichtbarem Licht (Blau und Grün) arbeitender Laser ver
wendet wird. 1 ist ein Zyliner mit IIb-Elementen, beispiels
weise Zn, als Quelle für keimbildende Atome in einem II-VI-
Halbleiter. 2 und 3 sind Zylinder für VIb-Elemente wie Se und S
als Quellen für VI-Elemente eines Kristallkeims. 4 ist ein
Zylinder für Verunreinigungen wie Li, Na oder K oder deren
Verbindungen. Alle keimbildenden Atome und Verunreinigungen
werden selektiv aus diesen Zylindern in ein Reaktionsrohr 5
aus SiO₂ abgegeben. Eine Induktionsheizeinrichtung 6 erhitzt
ein Graphitaufnahmeteil 7, welches sich innerhalb des Reak
tors 5 befindet, und erhöht die Temperatur eines Halbleiter
substrats 8, beispielsweise eines GaAs-Täfelchens, welches auf
dem Aufnahmeteil 7 liegt. Die Mehrschichtstruktur, die bei
spielweise aus einer II-VI-Halbleiterschicht 9 (Fig. 3) vom
p-Typ über einer II-VI-Halbleiterschicht 10 vom n-Typ, wel
che wiederum auf einem III-V-Halbleitersubstrat 8 vom n-Typ
aufgewachsen ist, besteht, kann nun durch kontinuierliche
Gasphasenepitaxie gebildet werden. 11 und 12 (Fig. 3) sind
ohmsche Kontaktelektroden.
Fig. 2 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung,
wobei ein MBE-Gerät zur Herstellung der beanspruchten Struk
tur verwendet wird. Hierbei ist 16 ein durch eine Wider
standsheizung erhitzter Tiegel, 17 eine mit flüssigem Stick
stoff gekühlte Abschirmung. Ein Molybdän-Aufnahmeteil 14 ist
im Zentrum der mit flüssigem Stickstoff gekühlten Abschir
mung 17 angeordnet, und ein Halbleitersubstrat 13 befindet
sich auf dem Aufnahmeteil 14. Die in Fig. 3 dargestellte
Struktur wird durch kontinuierliches epitaktisches Wachstum
einer II-VI-Halbleiterschicht vom n-Typ, beispielsweise einer
ZnSe-Schicht 10 vom n-Typ, und einer II-VI-Halbleiterschicht
vom p-Typ, beispielsweise einer ZnSe-Schicht 9 vom p-Typ,
auf einem GaAs-Substrat 8 gebildet.
In dieser Figur stellt 8 ein GaAs-Substrat dar, und eine Halb
leiter-Einkristall-Schicht 10 wie ZnS x Se1 - x (x = 0,08) oder
ZnSe läßt man auf das Substrat 8 aufwachsen. Die Schicht 9
besteht aus ZnS x Se1 - x vom p-Typ oder aus ZnSe. Um die p-
Schicht aus ZnS x Se1 - x zu bilden, werden Elemente der Gruppe
Ia wie Li und Elemente der Gruppe Vb wie N gleichzeitig do
tiert. Ein pn-Übergang wird zwischen der p-Schicht 9 und der
n-Schicht 10 gebildet. 12 ist ein ohmscher Kontakt für das
Material vom n-Typ und 11 ist ein ohmscher Kontakt für das
Material vom p-Typ.
In einer LED-Struktur, wie sie in der Figur gezeigt ist,
können Gitterdefekte, wenn Vb-Elemente wie N ebenso dotiert
werden wie Ia-Elemente, im Vergleich zu dem Fall vermindert
werden, bei dem nur ein Ia-Element als Akzeptor zur Ausbil
dung einer p-Leitung dotiert wird. Man nimmt an, daß Se-Lö
cher durch Ia-Elemente wie Li erzeugt werden, welche Bindun
gen zu II-Elementen wie Zn im Gitter ausbilden.
Im Gegensatz hierzu unterdrückt die Codotierung von Vb-Ele
menten wie N und Ia-Elementen während der Gasphasenepitaxie
die Erzeugung von Spitzendefekten, da Se-Löcher durch dotier
te V-Elemente wie N ersetzt werden. Deshalb läßt sich ein
Kristallfilm vom p-Typ durch Gasphasenepitaxie mit sehr
niedriger Konzentration an Spitzendefekten selbst bei hoher
Konzentration an Verunreinigungen aufwachsen.
Durch diese Codotierung von Li und N kann Li, das gewöhn
lich mobil ist, eine Bindung zu N in benachbarter Position
im Kristallgitter ausbilden und wird dadurch immobil. Des
halb wird die Bewegung von Li unterdrückt, so daß stabile
Charakteristiken und eine lange Lebensdauer der lichtemit
tierenden Elemente erwartet werden können. Die epitaktische
Schicht 8 vom n-Typ und die epitaktische Schicht 10 vom p-Typ
können durch kontinuierliches epitaktisches Wachstum entwe
der unter Verwendung eines MOVPE- oder eines MBE-Geräts ge
bildet werden.
Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Ausführungsbei
spiele beschränkt, sondern erstreckt sich auch auf weitere
Ausführungsformen; beispielsweise kann bei der Schicht 9 aus
ZnS x Se1 - x vom p-Typ Na und K anstelle von Li als Akzeptor
sowie Phosphor und Arsen anstelle von N verwendet werden.
Ferner kann das Substrat 8, welches gemäß Fig. 3 GaAs vom n-
Typ ist, auch aus GaAs vom p-Typ bestehen. In diesem Fall
läßt man zuerst eine p-Schicht auf das p-Substrat aufwachsen
und hierauf dann eine n-Schicht unter Bildung eines blauen
Licht emittiertenden Elements, das ähnliche Charakteristiken
aufweist, wie das in der Figur dargestellte.
Bei den hier beschriebenen Ausführungsbeispielen wird der
x-Wert der Legierungszusammensetzung bei ZnS x SE1 - x mit 0,08
gewählt, um den Gitterkonstanten zu entsprechen, so daß das
emittierte Licht blau ist und die Quantenausbeute um den
Faktor 2 erhöht wird. Der die Zusammensetzung bestimmende
Index x kann jedoch je nach der gewünschten Farbe verändert
werden, d. h. je nach der gewünschte Wellenlänge des Lichtes,
und vorzugsweise wird das Substrat so gewählt, daß die Git
terkonstanten einander entsprechen. In diesem Fall sollte x
zwischen 0 < x < 1 liegen.
Als Ausgangsmaterialien zum Aufwachsen einer p-Schicht aus
ZnSe wurden Diethylzink (DEZn), Diethylselenid (DESe) und
Lithiumnitrid (Li3N) verwendet. Diese Stoffe wurden in der
Gasphase zu einer Reaktionskammer 5 (Fig. 1) mit Hilfe von
Wasserstoff als Trägergas transportiert. Bei Transportge
schwindigkeiten von 1 × 10-5 Mol/min für DEZn, 2 × 10-4 Mol/min
für DESe und 3 × 10-9 Mol/min für Li3N wurde eine 1 µm dicke
p-Schicht aus ZnSe mit einer Trägerkonzentration von
8,8 × 1017 cm-3 und einem spezifischen Widerstand von 0,19 Ωcm
epitaktisch auf einem GaAs-Substrat 8, welches auf einem
Graphitaufnahmeteil 7 montiert und auf 450°C erhitzt war,
abgeschieden.
Als Ausgangsmaterialien zur Bildung einer p-Schicht aus
ZnS x SE1 - x (x ≈ 0,08) wurden Diethylzink (DEZn), Diethylsele
nid (DESe), Diethylsulfid (DES) und Lithiumnitrid (Li3N)
verwendet. Das Wachstum wurde in gleicher Weise, wie in Bei
spiel 1 beschrieben, durchgeführt. Bei Transportgeschwindig
keiten von 1 × 10-5 Mol/min für DEZn, 2 × 10-4 Mol/min für DESe,
5 × 10-3 Mol/min für DES wurde 1 µm dicke p-Schicht aus
SnS x Se1 - x (x 0,08) mit einer Trägerkonzentration von
5,9 × 1016 cm-3 und einem spezifischen Widerstand von 0,5 Ωcm
auf einem GaAs-Substrat bei 450°C gebildet.
Mittels Molekularstrahlepitaxie wurde eine p-Schicht aus
ZnS x Se1-x (x ≈ 0,08) mit einer Trägerkonzentration von
4,5 × 1016 cm-3 und einem spezifischen Widerstand von 0,8 Ωcm
auf einem GaAs-Substrat bei 300°C gebildet. Die Konfigura
tion der Ausgangsmaterialien Zn, S, Se und Li3N in der Wachs
tumskammer ist schematisch in Fig. 2 abgebildet. Die Tempe
ratur der Ausgangsmaterialien Zn, S, Se und Li3N wurde auf
300°C, 310°C, 200°C bzw. 470°C während des Aufwachsens ge
halten.
Eine blaues Licht emittierende Diode mit einer Emissions
spitze bei 467 nm und einer äußeren Quantenausbeute von 0,8%
wurde mittels metallorganischer chemischer Dampfabscheidung
hergestellt. Die Diode bestand aus einer n-Schicht aus ZnSe
mit einer Trägerkonzentration von 5 × 1017 cm-3 und einer p-
Schicht aus ZnSe mit einer Trägerkonzentration von 1 × 1017 cm-3.
Die n- und p-Schichten ließ man nacheinander auf einem GaAs-
Substrat vom p-Typ aufwachsen. Dimethylzink (DMZn) und Di
ehtylselenid (DESe) wurden als Ausgangsmaterialien verwendet.
Trimethylaluminium (TEAl) und Li3N wurden als Dotierungsmit
tel vom n- und p-Typ verwendet. Typische Transportgeschwin
digkeiten von DMZn, DESe, TEAl und Li3N waren 1 × 10-5 Mol/min,
2 × 10-4 Mol/min, 1 × 10-8 Mol/min bzw. 3 × 10-8 Mol/min. Die
Wachstumstemperatur betrug 450°C.
Eine blaues Licht emittierende ZnSe-Diode der in Beispiel 4
beschriebenen Struktur wurde außerdem mittels Molekular
strahlepitaxie bei 300°C unter Verwendung von Zn, Se, Al
(Dotierungsmittel vom n-Typ) und Li3N (Dotierungsmittel vom
p-Typ) als Ausgangsmaterialien hergestellt. Die äußere Quan
tenausbeute betrug 0,2%. Die Hauptwellenlänge des Emissions
bandes wurde bei 467 nm ermittelt.
Claims (10)
1. Lichtemittierendes Element mit einem Halbleitersub
stratkristall und einer II-VI-Halbleiterschicht, welche eine
p-Leitung mit niedrigem spezifischem Widerstand aufweist und
welche aus der Gasphase auf dem Substratkristall abgeschie
den ist.
2. Lichtemittierendes Element nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Element eine Diode ist.
3. Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
das Element eine blaues Licht emittierende Diode in Form
einer Mehrschichtkonstruktion ist, welche aus einem Halblei
tersubstratkristall, II-VI Halbleiterschichten vom n-Typ mit
einem spezifischen Widerstand von 10-3 bis 103 Ωcm und II-VI-
Halbleiterschichten vom p-Typ mit einem spezifischen Wider
stand von 10-3 bis 103 Ωcm besteht, wobei alle Schichten
verschiedene Legierungszusammensetzungen aufweisen, die so
ausgewählt sind, daß die Gitterkonstanten zueinander passen,
und wobei alle Schichten aus der Gasphase auf dem Halblei
tersubstratkristall abgeschieden sind.
4. Element in Form einer blaues Licht emittierenden Diode
nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Substrat
kristall aus GaAs vom n-Typ besteht, die erste Schicht aus
II-VI-Halbleitern aus ZnSe vom n-Typ und die zweite Schicht
aus II-VI-Halbleitern aus ZnSe vom p-Typ besteht und daß
diese Schichten aus der Gasphase auf dem Substratkristall
abgeschieden sind.
5. Element in Form einer blaues Licht emittierenden Diode
nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Substrat
kristall aus GaAs vom p-Typ, die erste Schicht eines II-VI-
Halbleiters aus ZnSe vom p-Typ und die zweite Schicht eines
II-VI-Halbleiters aus ZnSe vom n-Typ besteht und daß die
Schichten aus der Gasphase auf dem Substratkristall abge
schieden sind.
6. Element in Form einer lichtemittierenden Diode nach
einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die
II-VI-Halbleiterschicht Akzeptoren in Form eines Ia-Elements
und/oder eines Vb-Elements des Periodensystems enthält.
7. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Ele
ments gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeich
net, daß II-VI-Halbleiterschichten, die eine Leitung vom p-
Typ mit niedrigem spezifischen Widerstand aufweisen, auf
einem Halbleitersubstrat aus der Gasphase abgeschieden wer
den, und daß Verunreinigungen aus Elementen der Gruppe Ia
und deren Verbindung während der Wachstumsstufe mit der
Bedingung eingeführt werden, daß das Flußverhältnis zwischen
den IIb-Elemenen und den VIb-Elementen des Periodensystems
zwischen 1 und 100 beträgt, um einen Grundkörper aus den
II-VI-Halbleiterkristallschichten zu bilden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, insbesondere zur Herstellung
einer lichtemittierenden Diode, dadurch gekennzeichnet, daß
zur Herstellung des Grundkörpers Zink aus der Gruppe der IIb-
Elemente, Selen und Schwefel aus der Gruppe der VI-Elemente
verwendet werden und daß Lithium, Natrium oder Kalium aus
der Gruppe der Ia-Elemente oder deren Verbindungen als Ver
unreinigungen eingeführt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8 zur Herstellung einer
blaues Licht emittierenden Diode, dadurch gekennzeichnet,
daß ein kontinuierliches Wachstum von II-VI-Halbleiterschich
ten vom n-Leitungstyp und von II-VI-Halbleiterschichten vom
p-Leitungstyp mit niedrigem spezifischem Widerstand aus der
Gasphase auf einem Halbleitersubstratkristall mit der glei
chen Gitterkonstante durchgeführt wird, wobei ein Flußver
hältnis zwischen den Elementen der Gruppen II und VI des Pe
riodensystems innerhalb des Bereichs zwischen 2 × 10-3 und 10
eingehalten wird und wobei ein metallorganisches Gas für die
Elemente der Gruppe II und gasförmiges Hydrid für die Ele
mente der Gruppe VI verwendet werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
Verunreinigungen aus den Elementen der Gruppe Ia und deren
Verbindungen während des Wachstums aus der Gasphase einge
führt werden.
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---|---|---|---|
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Publications (1)
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---|---|
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---|---|---|---|
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GB (1) | GB2204731A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19955280C1 (de) * | 1999-11-17 | 2001-06-28 | Univ Berlin Tech | Kontaktstruktur für ein elektrisch betriebenes II/VI-Halbleiterbauelement und Verfahren zu deren Herstellung |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE68929145T2 (de) * | 1988-08-15 | 2000-06-15 | Gertrude F Neumark | Dotierungsverfahren für Halbleiterkristalle mit grosser Bandlücke |
US5081632A (en) * | 1989-01-26 | 1992-01-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor emitting device |
JP2559492B2 (ja) * | 1989-07-05 | 1996-12-04 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP2588280B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1997-03-05 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
US5045897A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Santa Barbara Research Center | Quaternary II-VI materials for photonics |
EP0695006B1 (de) * | 1990-05-09 | 1998-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Herstellungsverfahren für eine aus Halbleiterverbindungen bestehende Laservorrichtung |
US6953703B2 (en) * | 1991-03-18 | 2005-10-11 | The Trustees Of Boston University | Method of making a semiconductor device with exposure of sapphire substrate to activated nitrogen |
US5633192A (en) * | 1991-03-18 | 1997-05-27 | Boston University | Method for epitaxially growing gallium nitride layers |
DE69229265T2 (de) * | 1991-03-18 | 1999-09-23 | Univ Boston | Verfahren zur herstellung und dotierung hochisolierender dünner schichten aus monokristallinem galliumnitrid |
US5227328A (en) * | 1991-04-03 | 1993-07-13 | North American Philips Corporation | Method of producing epitaxial layers of II-VI semiconductors with high acceptor concentrations |
WO1992021170A2 (en) * | 1991-05-15 | 1992-11-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Blue-green laser diode |
US5213998A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors |
US5273931A (en) * | 1992-06-04 | 1993-12-28 | North American Philips Corporation | Method of growing epitaxial layers of N-doped II-VI semiconductor compounds |
US5354708A (en) * | 1992-06-04 | 1994-10-11 | Taskar Nikhil R | Method of nitrogen doping of II-VI semiconductor compounds during epitaxial growth using an amine |
US5422902A (en) * | 1993-07-02 | 1995-06-06 | Philips Electronics North America Corporation | BeTe-ZnSe graded band gap ohmic contact to p-type ZnSe semiconductors |
JPH07240561A (ja) * | 1994-02-23 | 1995-09-12 | Hewlett Packard Co <Hp> | Ii−vi族系半導体レーザおよびその製造方法 |
US5442204A (en) * | 1994-05-12 | 1995-08-15 | Philips Electronics North America Corporation | III-V Semiconductor heterostructure contacting a P-type II-VI compound |
JPH08115877A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Sony Corp | 半導体エピタキシャル成長方法 |
US5604136A (en) * | 1995-05-26 | 1997-02-18 | National Science Council | Method of manufacturing light converter with amorphous-silicon pin heterojunction diode |
TW319916B (de) * | 1995-06-05 | 1997-11-11 | Hewlett Packard Co | |
CA2298491C (en) | 1997-07-25 | 2009-10-06 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
WO2000052796A1 (fr) | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Nichia Corporation | Element de laser semiconducteur au nitrure |
US6641933B1 (en) * | 1999-09-24 | 2003-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting EL display device |
TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
CN101937955A (zh) * | 2010-07-06 | 2011-01-05 | 浙江大学 | 一种Mg-K共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4066481A (en) * | 1974-11-11 | 1978-01-03 | Rockwell International Corporation | Metalorganic chemical vapor deposition of IVA-IVA compounds and composite |
SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
US4422888A (en) * | 1981-02-27 | 1983-12-27 | Xerox Corporation | Method for successfully depositing doped II-VI epitaxial layers by organometallic chemical vapor deposition |
DE3375590D1 (en) * | 1982-06-22 | 1988-03-10 | Hughes Aircraft Co | Low temperature process for depositing epitaxial layers |
US4487640A (en) * | 1983-02-22 | 1984-12-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for the preparation of epitaxial films of mercury cadmium telluride |
IL71193A (en) * | 1983-04-04 | 1987-10-30 | Hughes Aircraft Co | Diethylberyllium dopant source for mocvd grown epitaxial semiconductor layers |
EP0133342B1 (de) * | 1983-06-24 | 1989-11-29 | Nec Corporation | Halbleiterstruktur mit Übergitter hoher Trägerdichte |
JPS60215596A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機金属熱分解気相エピタキシヤル成長法 |
US4767494A (en) * | 1986-07-04 | 1988-08-30 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Preparation process of compound semiconductor |
JP2723227B2 (ja) * | 1986-09-26 | 1998-03-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-03-25 US US07/173,067 patent/US5068204A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-25 DE DE3810245A patent/DE3810245A1/de not_active Withdrawn
- 1988-03-28 FR FR8804025A patent/FR2613136A1/fr active Pending
- 1988-03-28 GB GB08807312A patent/GB2204731A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19955280C1 (de) * | 1999-11-17 | 2001-06-28 | Univ Berlin Tech | Kontaktstruktur für ein elektrisch betriebenes II/VI-Halbleiterbauelement und Verfahren zu deren Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8807312D0 (en) | 1988-04-27 |
US5068204A (en) | 1991-11-26 |
GB2204731A (en) | 1988-11-16 |
FR2613136A1 (fr) | 1988-09-30 |
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