DE3784664T2 - Schutzvorrichtung fuer einen loesch- und neuprogrammierbaren festwertspeicher. - Google Patents

Schutzvorrichtung fuer einen loesch- und neuprogrammierbaren festwertspeicher.

Info

Publication number
DE3784664T2
DE3784664T2 DE8787402858T DE3784664T DE3784664T2 DE 3784664 T2 DE3784664 T2 DE 3784664T2 DE 8787402858 T DE8787402858 T DE 8787402858T DE 3784664 T DE3784664 T DE 3784664T DE 3784664 T2 DE3784664 T2 DE 3784664T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
signal
cell
read
write
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8787402858T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3784664D1 (de
Inventor
Augustin Farrugia
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=9342120&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE3784664(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by SGS Thomson Microelectronics SA filed Critical SGS Thomson Microelectronics SA
Publication of DE3784664D1 publication Critical patent/DE3784664D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3784664T2 publication Critical patent/DE3784664T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/22Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/14Protection against unauthorised use of memory or access to memory
    • G06F12/1416Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights
    • G06F12/1425Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights the protection being physical, e.g. cell, word, block
    • G06F12/1433Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights the protection being physical, e.g. cell, word, block for a module or a part of a module
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/20Address safety or protection circuits, i.e. arrangements for preventing unauthorized or accidental access

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Storage Device Security (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Schutzvorrichtungen für einen lösch-und neuprogrammierbaren Festwertspeicher für integrierte Schaltungen.
  • Ein erster Typ lösch- und neuprogrammierbarer Festwertspeicher ist unter der Bezeichnung EPROM-Speicher bekannt. Es handelt sich um einen nichtflüchtigen Speicher, dessen Inhalt dadurch gelöscht werden kann, daß er ultravioletter Strahlung ausgesetzt wird. Ohne freiwilliges Löschen des Inhalts eines solchen Speichers ist es immer möglich, eine erste Programmierung zu überschreiben, jedoch hat dies im allgemeinen zur Folge, daß die beiden programmierungen überlagert werden, wodurch die Informationen endgültig verloren gehen.
  • Ein zweiter Typ lösch- und neuprogrammierbarer Festwertspeicher ist unter der Bezeichnung EEPROM-Speicher bekannt. In diesem Fall handelt es sich um nichtflüchtige Speicher, deren Inhalt elektrisch gelöscht werden kann, d. h. durch Anlegen vorgegebener Spannungsniveaus. Auch in diesem Fall ist es immer möglich, über eine erste Programmierung neu zu programmieren, jedoch hat auch dies zur Folge, daß alle Informationen verloren gehen.
  • Wenn derartige Speicher programmmiert sind, ist es nicht ohne Auslesen ihres Inhalts möglich, zu erfahren, ob sie tatsächlich programmiert worden sind.
  • Nun ist es zum Auslesen des Inhalts eines Speichers erforderlich, ihn mit einer Leseschaltung zu verbinden. Dieser Arbeitsvorgang ist lästig, jedoch erforderlich, wenn man nicht die Gefahr eingehen möchte, beim Vornehmen eines Speichers zu dessen Programmierung zwei programme zu überlagern, was als Folge zu Informationen führt, die keinen Sinn mehr haben, oder zu einem Verlust der zuerst gespeicherten Informationen.
  • Herkömmlicherweise werden EPROM- oder EEPROM-Speicher gegen jede Verfälschung ihres Inhalts dadurch geschützt, daß sie unverwendbar gemacht werden. Zu diesem Zweck wird am Ende der Programmierung des Speichers eine Programmierung eines Kontrollbits vorgenommen. Auf diese Weise wird dann, wenn der Speicher freiwillig oder unfreiwillig entprogrammiert wird, das Kontrollbit ebenfalls entprogrammiert. Da das Kontrollbit beim Lesen zur Adressierung verwendet wird, ist das Lesen des Speichers gesperrt. Das Vorhandensein des Kontrollbits verhindert demgemäß allein die Verwendung des Speichers, wenn dieser teilweise gelöscht wurde oder neu programmiert wurde. Ein derartiger Schutz ist nicht geeignet, um das Problem zu lösen, das sich stellt, wenn es sich darum handelt, eine nicht erwünschte Neuprogrammierung zu untersagen.
  • Die Erfindung schlägt vor, diesem Problem abzuhelfen. Das Dokument FR-A-2 471 004 schlägt eine Schutzvorrichtung vor, die die Merkmale des Oberbegriffs des Anspruchs 1 aufweist. Die vorliegende Erfindung schlägt eine Schutzvorrichtung für einen lösch- und neuprogrammierbaren Festwertspeicher vor, die alle Merkmale des Anspruchs 1 aufweist.
  • Weitere Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch Lesen der folgenden Beschreibung deutlich, die als nichtbegrenzendes Ausführungsbeispiel gegeben wird und im Hinblick auf die beigefügte Zeichnung erfolgt, die folgendes zeigt
  • - ein Schaltbild für die Ausbildung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform.
  • Der in der einzigen Figur dargestellte Speicher entspricht einem nichtflüchtigen Festwertspeicher, der entweder elektrisch oder durch Ultraviolettbestrahlung löschbar ist.
  • Die Programmierung dieses Speichers erfolgt auf für sich herkömmliche Weise, d. h. durch Anlegen vorbestimmter Spannungsniveaus an jede Zeile und jede Spalte in solcher Weise, daß der logische Zustand jeder durch einen mit einer Zeile und einer Spalte verbundenen MOS-Transistor gebildeten Speicherstelle modifiziert wird oder nicht modifiziert wird.
  • Die Programmierung des Speichers erfolgt mittels Zeilendecodierern 2 und Spaltendecodierern 3. Diese Decodierer erlauben es jeweils, die Zeilenadreßleitungen ADL und die Spaltenadreßleitungen ADC zu decodieren, und Daten O zu lesen oder Daten I einzuschreiben, abhängig vom Zustand eines Lese/Schreib-Signals R/W. Das Schreiben erfolgt auf den Empfang eines Freigabesignals WE hin.
  • Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird das Schreib freigabesignal WE nicht direkt an die Zeilen- und Spaltendecodierer gegeben. Dieses Signal wird an den Eingang eines UND- Gatters 4 gelegt. Das UND-Gatter 4 empfängt an einem anderen Eingang das Ausgangssignals eines Inverters 5. Der Inverter 5 empfängt das Signal, das den logischen Zustand "0" oder "1" einer Speicherzelle 6 entspricht, je nachdem, ob diese Zelle programmiert worden ist oder nicht. Die Speicherzelle 6 wird beim Empfang eines Befehls SFP für das Ende der Programmierung des Speichers 1 und der Schreibfreigabe WE programmiert. Die entsprechenden Signale SFP und WE werden jeweils an die Eingänge eines UND-Gatters 7 gelegt. Die zwei Bedingungen, die das Programmieren der Zelle 6 erlauben, werden, wenn sich diese Signale im Zustand 1 befinden, so verknüpft, daß der Ausgang des Gatters 7 es erlaubt, wenn ein Schreibbefehl W für die Zelle 6 erteilt wird, diese Zelle gemäß dem gewünschten Zustand zu programmieren.
  • Solange das Programmierendesignal SFP nicht angelegt wird, d. h., solange das Signal sich im Zustand 0 befindet, ist der Speicher 1 programmierbar. Wenn der Benutzer die Programmierung dieses Speichers beendet, weist er das Aussenden des Signals SFP an, dessen logischer Zustand das Ende der Programmierung anzeigt, und der logische Zustand des Schreibfreigabesignals WE wird beibehalten, um in die Zelle 6 einschreiben zu können, wobei diese beiden Signale am Eingang des UND-Gatters 7 empfangen werden. Der logische Ausgangspegel dieses Gatters erlaubt es dann, die Speicherzelle 6 zu programmieren, z. B. dadurch, daß sie vom logischen Zustand 0 in den logischen Zustand 1 überführt wird, wobei selbstverständlich ein Schreibbefehl ausgegeben wurde. Um den Befehl für Lesen-Schreiben zu erhalten, verwendet man den Befehl R/W des Speichers 1, invertiert durch ein Gatter 8.
  • Bei einem ersten Programmieren des Speichers 1 steht das Signal R/W z. B. auf 1, was einem Schreibbefehl für den Speicher 1 und einem Lesebefehl für die Zelle 6 entspricht. Das Schreibfreigabesignal WE befindet sich im Zustand 1. Der Inhalt der Zelle 6 wird gelesen, wobei der logische Wert dieses Inhalts z. B. 0 ist; das Ausgangssignal des Gatters 5 steht auf 1. Das Ausgangssignals des Gatters 4 steht auf 1; der Speicher 1 ist programmierbar.
  • Am Ende der Programmierung des Speichers 1 steht das Signal SFP auf 1, das Signal W steht auf 1 und das Signal R/W steht auf 0, was einem Schreibbefehl für die Zelle 6 entspricht. Der logische Programmierzustand der Zelle ist z. B. 1. Das Ausgangssignal des Gatters 5 steht auf 0. Das Gatter 4 verbietet jede Schreibfreigabe.
  • Während jedes versuchten Schreibens in den Speicher 1 nach dem Programmieren der Zelle 6 wird der Inhalt dieser Zelle systematisch gelesen, was jede Neuprogrammierung verhindert. Das UND-Gatter 4, das an einem seiner Eingänge das den logischen Zustand der Speicherzelle 6 wiedergebende Signal empfängt, verhindert nämlich unabhängig vom logischen Zustand des Schreibfreigabesignals WE im Speicher 1 jede Neuprogrammierung desselben. Der Speicher 1 ist dadurch gegen Neuprogrammierung geschützt, d. h. gegenüber einem Verwender, der nicht weiß, daß dieser Speicher bereits programmiert wurde. Selbstverständlich ist es immer möglich, einen solchen Speicher neu zu programmieren, im Fall eines EPROM-Speichers z. B. dadurch, daß ein Fenster vorgesehen wird, das ultraviolette Strahlung auf alle Speicherzellen fallen läßt, darunter auch auf die Schutzzelle 6 dieses Speichers 1.
  • Um das Lesen und das Beschreiben der einen Transistor mit potentialfreiem Gate aufweisenden Zelle 6 zuzulassen, sind die Gatter 7 und 8 so gewählt, daß sie einen unteren Pegel von 5 V oder einen oberen Pegel von 12 V ausgeben.

Claims (4)

1. Schutzvorrichtung für einen lösch- und neuprogrammierbaren Festwertspeicher (1), der Mittel zum Verhindern des Zugriffs auf den Speicher aufweist, welche Mittel ein logisches Gatter (4) aufweisen, das ein erstes Steuersignal, das dem logischen Zustand "0" oder "1" einer Steuervorrichtung entspricht, und ein zweites Signal erhält, wobei dieses Gatter seinerseits mit dem Eingang eines Decodierers (2, 3) für den Speicher (1) verbunden ist und das übertragen dieses zweiten Signals verhindert, wenn sich das Steuersignal in einem ersten logischen Zustand befindet, wobei die Steuervorrichtung ein Lese/Schreib-Steuersignal (R/W) für den Speicher, das zweite Signal und ein die für den Zugriff auf den Speicher notwendigen Bedingungen repräsentierendes Signal empfängt, wobei die Steuervorrichtung verifiziert, ob der Zugriff auf den Speicher möglich ist, wobei die Schutzvorrichtung dadurch gekennzeichnet ist, daß das die notwendigen Bedingungen repräsentierende Signal ein Signal SFP ist, das das Ende eines Programmiervorgangs des Speichers (1) anzeigt, daß das zweite Signal WE ein Schreibfreigabesignal für den Speicher anzeigt, daß die Steuervorrichtung eine nichtflüchtige Speicherzelle (6) aufweist, die das Steuersignal liefert, daß die Zelle bei Empfang der entsprechenden Signale SFB und WE programmiert wird, und daß die Zelle jedes Mal dann gelesen wird, wenn es erwünscht ist, Daten in den Speicher (1) einzuschreiben.
2. Schutzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das logische Gatter (4) eingangsseitig das Leseausgangssignal der Zelle (6) als Steuersignal und ein Schreibfreigabesignal (WE) für den Speicher (1) als zweites Signal empfängt, wobei das logische Gatter (4) die Übertragung des Schreibfreigabesignals für den Speicher (WE) sperrt, wenn sich die Zelle in dem ersten logischen Zustand befindet.
3. Schutzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Lese/Schreib-Steuersignal für die Zelle (6) zu dem Lese/Schreib-Steuersignal für den Speicher (R/W) invers ist, damit die Zelle (6) jedesmal dann ausgelesen wird, wenn es erwünscht ist, Daten in den Speicher (1) einzuschreiben.
4. Schutzvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie Mittel zum Ausgeben des Programmierendesignals (SFP) am Ende eines Vorgangs zum Einschreiben in den Speicher aufweist, und daß ein logisches Gatter (7) eingangsseitig dieses Programmierendesignal (SFP) und das Schreibfreigabesignal für den Speicher (WE) empfängt und auf den Empfang dieser zwei Signale hin einen Programmierbefehl für die nichtflüchtige Zelle (6) ausgibt.
DE8787402858T 1986-12-19 1987-12-15 Schutzvorrichtung fuer einen loesch- und neuprogrammierbaren festwertspeicher. Expired - Fee Related DE3784664T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8617887A FR2608803B1 (fr) 1986-12-19 1986-12-19 Dispositif de protection d'une memoire morte effacable et reprogrammable

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3784664D1 DE3784664D1 (de) 1993-04-15
DE3784664T2 true DE3784664T2 (de) 1993-06-17

Family

ID=9342120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8787402858T Expired - Fee Related DE3784664T2 (de) 1986-12-19 1987-12-15 Schutzvorrichtung fuer einen loesch- und neuprogrammierbaren festwertspeicher.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4849942A (de)
EP (1) EP0272977B1 (de)
JP (2) JP3073748B2 (de)
DE (1) DE3784664T2 (de)
FR (1) FR2608803B1 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931997A (en) * 1987-03-16 1990-06-05 Hitachi Ltd. Semiconductor memory having storage buffer to save control data during bulk erase
JPH0683228B2 (ja) * 1988-07-29 1994-10-19 ホーチキ株式会社 防災監視装置
US5293610A (en) * 1989-08-04 1994-03-08 Motorola, Inc. Memory system having two-level security system for enhanced protection against unauthorized access
CA2097308A1 (en) * 1991-10-01 1993-04-02 Terrie Frane Memory write protection method and apparatus
GB2318228B (en) * 1996-10-09 2000-08-09 Ericsson Telefon Ab L M Trimming circuit
FR2756410B1 (fr) * 1996-11-28 1999-01-15 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif de protection apres une ecriture de page d'une memoire electriquement programmable
US6184928B1 (en) 1997-04-30 2001-02-06 Eastman Kodak Company Method and apparatus for split shift register addressing
DE19835609C2 (de) * 1998-08-06 2000-06-08 Siemens Ag Programmgesteuerte Einheit
US6837425B2 (en) 2002-09-13 2005-01-04 Visa U.S.A. Inc. Compact protocol and solution for substantially offline messaging between portable consumer device and based device
DE102004046744B4 (de) 2004-09-27 2007-05-24 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur Übertragung von Pulvern und Pulverlacken auf Substrate und Verwendung zur Herstellung von Leiterplatten und Solarzellen

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2471004B1 (fr) * 1979-11-30 1985-09-13 Dassault Electronique Installation et dispositif de controle de l'acces a une memoire electronique
US4651323A (en) * 1983-11-14 1987-03-17 Tandem Computers Incorporated Fault protection flip flop
JPS60140449A (ja) * 1983-12-27 1985-07-25 Fujitsu Ltd メモリ保護方式
JPS61101856A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000231515A (ja) 2000-08-22
FR2608803A1 (fr) 1988-06-24
FR2608803B1 (fr) 1991-10-25
DE3784664D1 (de) 1993-04-15
EP0272977B1 (de) 1993-03-10
EP0272977A1 (de) 1988-06-29
JP3073748B2 (ja) 2000-08-07
US4849942A (en) 1989-07-18
JPS63165934A (ja) 1988-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60122045T2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE4302223C2 (de) Nicht-flüchtige Halbleiterspeichereinrichtung sowie Herstellungsverfahren dafür
DE69500143T2 (de) Schaltung zum Wählen von Redundanzspeicherbauelementen und diese enthaltende FLASH EEPROM
DE102004056088B4 (de) Speichersystem mit Flashspeicher
DE4233248C2 (de) Nicht-flüchtige Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zum blockweisen Löschen von Daten in einer nicht-flüchtigen Halbleiterspeichereinrichtung
DE19983565B4 (de) Interner Auffrisch-Modus für eine Flash-Speicherzellenmatrix
DE69401291T2 (de) Integrierte Schaltung für Speicherkarte und Verfahren zum Abzählen der Einheiten in einer Speicherkarte
EP0129054A1 (de) Schaltungsanordnung mit einem Datenspeicher und einer Ansteuereinheit zum Auslesen, Schreiben und Löschen des Speichers
EP0321727B1 (de) Verfahren und Schaltung zum manipuliergeschützten Entwerten von EE-PROM-Speichern
DE102006003260A1 (de) Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement mit Zellenkette
DE4035660A1 (de) Elektrisch programmierbare speichereinrichtung und verfahren zum zugreifen/programmieren von speicherzellen
DE69834011T2 (de) Statische Direktzugriffspeicherschaltungen
EP0195885B1 (de) Verfahren und Anordnung zum nichtflüchtigen Speichern des Zählerstandes einer elektronischen Zählschaltung
DE112010000955T5 (de) NAND-Flasharchitektur mit mehrstufiger Zeilendecodierung
DE69031648T2 (de) Programmierbare logische Vorrichtung
CH671837A5 (de)
DE3784664T2 (de) Schutzvorrichtung fuer einen loesch- und neuprogrammierbaren festwertspeicher.
DE10330057A1 (de) Neueinschreibsperrverfahren zum Bestimmen von Neueinschreibfreigabe/Sperre basierend auf dem Ergebnis einer Majoritätsentscheidung
DE60218009T2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE69218053T2 (de) Speicherkarte zur Zählung von Daten und Lesevorrichtung
EP0100772B1 (de) Elektrisch programmierbare Speichermatrix
DE69627318T2 (de) Mehrpegelige nichtflüchtige Speicheranordnung
DE69630228T2 (de) Flash-speichersystem mit reduzierten störungen und verfahren dazu
DE69833348T2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE60126800T2 (de) Burstread mit ausgangbasierter redundanz

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee