DE3723786C2 - - Google Patents
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- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
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- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/73—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung gemäß dem Oberbegriff des
Patentanspruchs. Eine solche Anordnung ist durch die JP 61-2 61 920 A, In:
Patents Abstracts of Japan, Sect. E, Vol. 11 (1987), No. 113 (E-497)
bekannt.
Die Erfindung bezweckt den Schutz von Insulated-Gate-Transistoren, Feld
effekt-Transistoren oder vergleichbaren, über ihre Gate-Zuleitung (Steuer
anschluß) ein- und abschaltbaren Leistungshalbleiterschaltern, wie sie häufig
in Stromrichtern und Leistungsstellern verwendet werden.
Bei der eingangs angegebenen bekannten Schaltungsanordnung erfolgt eine
Überstromerkennung mittels Überwachung des Halbleiterleistungsschalters
auf Entsättigung, die mit Hilfe eines ohmschen Spannungsteilers zwischen
dem Source- und dem Drainanschluß des Halbleiterleistungsschalters vor
genommen wird. Der lastseitige Anschluß dieser Überstromerkennung hat
zwei entscheidende Nachteile:
- a) Bei hoher Lastspannung nimmt der Spannungsteiler unverhältnismäßig
hohe Verlustleistung auf, da aus Gründen einer schnellen Überstromabschaltung
und einer geringen Störbeeinflussung des Auslösesignals
der Widerstand des Spannungsteilers nicht beliebig hochohmig gemacht
werden darf.
Bei Verwendung einer sonst üblichen Kollektor-Diode, die am geschalteten Hauptanschluß des Leistungshalbleiterschalters (meistens Kollektor bzw. Drain) angeschlossen wird, ergeben sich Probleme durch eine Störstrombeeinflussung des Ansteuerkreises. Dies gilt besonders für die modernen Transistormodule, die mit sehr hohen Spannungssteilheiten (<10 KV/µs) geschaltet werden. Des weiteren stellt die Notwendigkeit, eine Hochspannungsdiode im Ansteuerkreis installieren zu müssen, allein bereits einen bedeutenden Nachteil dar (ungünstiges Schaltungslayout). - b) Eine Kurzschlußsituation, die bereits zum Zeitpunkt des Einschaltens des Halbleiterleistungsschalters bestanden hagen kann, wird sehr spät erkannt, weil bei Entsättigungsüberwachungen immer erst der Zusammen bruch der Transistorhauptspannung abgewartet werden muß (mehrere µs Verzugszeit). Dieser Zusammenbruch tritt aber bei dem im Strom richterbetrieb häufigsten Fall der Laststromkommutierung von einer Rücklaufdiode erst nach dem vollständigen Sperren der Rücklauf diode, also zum Zeitpunkt des Kollektorstrommaximums, ein. Im Kurzschlußfall kann daher bereits ein sehr großer Kurzschlußstrom durch den Halbleiterleistungsschalter fließen und diesen gefährden.
Durch die JP 61-35 612 A, In: Patents Abstracts of Japan, Sect. E. Vol. 10
(1986), No. 192 (E-417) ist es bekannt, einen Leistungstransistor dadurch zu
schützen, daß eine einen Thyristor in seiner Schaltfunktion nachbildende
Reihenschaltung zweier Transistoren parallel zum Steuereingang des zu
schützenden Leistungstransistors vorgesehen ist, die im Überstromfall ge
zündet wird.
Bei dieser Schaltungsanordnung ist zur Überstromerkennung ein ohmscher
Widerstand im Emitterkreis des zu schützenden Leistungstransistors vor
gesehen. Dies hat mindestens ebenfalls zwei entscheidende Nachteile:
- a) Bei einem Leistungstransistor, der große Ströme führen soll, (z. B. <100 A), scheiden solche Lösungen von vornherein wegen der entstehenden hohen Verlustleistung im Meßwiderstand aus.
- b) Üblicherweise werden im Bereich von 10 A bis 600 A bzw. 500 V bis
1200 V bis auf wenige Spezialanwendungen fast ausschließlich
Transistorschalter in Modulbauform verwendet. Bei diesen Modulen
sind, zumal bei den großen Leistungseinheiten, immer beide Steuer
anschlüsse (Gate/Basis und Source/Emitter) aus Gründen geringer Stör
beeinflussung getrennt von den Leistungsanschlüssen (Drain/Kollektor
und Source/Emitter) herausgeführt.
Bei Verwendung solcher Transistormodule scheidet mithin diese Art der Überstromerkennung auch aus dem vorgenannten Grunde aus.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der eingangs
genannten Art anzugeben, die einfach zu realisieren ist, eine kurze Ansprech
dauer besitzt und verlustarm arbeitet.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe durch die im Kennzeichen des
Patentanspruchs aufgeführten Merkmale gelöst.
Durch die Anordnung gemäß der Erfindung wird damit vorteilhafterweise
ein Überstrom am Anstieg der Gate-Emitter-Spannung des Insulated-Gate-
Transistors bzw. des Feldeffekt-Transistors sofort erkannt. Der Kurzschlußstrom
kann schon im Anstieg abgeschaltet werden. Auch sind hierzu keine weiteren
Bauelemente nötig, die verlustbringend unmittelbar mit dem Lastkreis ver
bunden sind. Daher entfallen auch die zusätzlichen Verluste, Bauelemente
kosten und die Layout-Probleme, die konventionelle Überwachungseinrichtungen
verursachen. Außerdem entfallen die Störbeeinflussungsprobleme der Schaltungs
anordnung nach dem Stand der Technik, die entweder durch steile
Spannungsänderungen (Sättigungsüberwachung) oder durch steile Stromänderungen
(Shunt) entstehen. Vor allem im Bereich größerer Schaltleistungen (<100 A/<500 V)
werden diese Probleme sehr bedeutsam.
Die Anordnung nach der Erfindung ist sowohl in Ansteuerschaltung mit Im
pulsübertragern als auch solchen, die lastpotentialbehaftet sind (Opto-Koppler),
verwendbar.
Ferner wird durch den Einsatz der (Entkopplungs-) Diode, die nur im Ein
schaltsteuerkreis wirksam ist, die Impedanz in Richtung Steuerspannungsquelle
nahezu unendlich. Dadurch gelingt es auf einfache Weise, ohne Beeinträchtigung
des normalen Betriebsverhaltens der Ansteuerschaltung einen ausreichend hohen
Signalhub an den Steuerklemmen des Halbleiterleistungsschalters bei Überstrom
zu erhalten, bei dem durch Vergleich mit einem Referenzwert ein Überstrom
erkannt werden kann.
Die Anordnung gemäß der Erfindung wird im nachstehend beschriebenen
Ausführungsbeispiel anhand der Zeichnung näher erläutert.
Es zeigt die
Fig. 1 eine Schaltung gemäß der Erfindung, in der ein
Thyristor als Schutzbaustein verwendet wird, die
Fig. 2 eine weitere Schaltung gemäß der Erfindung, in
der die Thyristorfunktion gemäß Fig. 1 durch
die Reihenschaltung zweier Transistoren er
zielt wird.
In der Fig. 1 ist mit AST ein Ansteuerschaltwerk bezeichnet, das bei
einem Ein-Befehl eine positive Spannung +UGE (Klemme 1, 3) an die Gate-
Emitter-Strecke des Insulated-Gate-Transistors (IGT) T anlegt. In die
Leitung von der Klemme 1 zum Gate (G) ist eine Diode D mit zum Gate
gerichteter Durchlaßrichtung eingefügt. Zwischen Gate und Emitter des
Transistors T ist ein Thyristor TS geschaltet, dessen Anode am Gate
liegt. Zwischen Gate und der Steuerelektrode des Thyristors TS ist
eine Zenerdiode DS eingeführt mit kathodenseitigem Anschluß am Gate.
Vom Kollektor C fließt bei Anliegen einer Kollektor-Emitter-Spannung
im Ein-Zustand ein Strom iC zum Emitter. Im Falle eines Überstromes im
Transistor, der z. B. durch einen Kurzschluß im Lastkreis von T hervor
gerufen wird, erhöht sich die an den Steuerklemmen G-E des Transistors T
meßbare Spannung aufgrund von inneren Spannungsabfällen. Dies führt bei
geeigneter Wahl der Duchbruchspannung der Z-Diode DS zur Zündung des
Schutz-Thyristors (oder ähnlichen Bauelementen), wodurch die Steuer
strecke von T kurzgeschlossen wird und der Überstrom in T sofort ab
geschaltet wird und für die Dauer des Einschalt-Steuer-Befehles (E/A-
Befehl) auch abgeschaltet bleibt. Danach folgt der ohnehin normaler
weise vorgesehene Aus-Befehl durch UGE-0 (Klemmen 2, 3), wobei die
Leitung von der Klemme 2 direkt an das Gate des Transistors T führt.
Die Diode D ist notwendig zur Entkopplung der positiven Ansteuerspan
nung UGE von der durch den Einschaltbefehl eingeschalteten Spannung
(vgl. Fig. 2: dort eingezeichnete Spannung UH 1).
Der in Fig. 1 dargestellte Thyristor TS kann auch gemäß dem Ersatz
schaltbild eines Thyristors aus zwei Bipolar-Transistoren diskret auf
gebaut sein. Diese beiden Transistoren sind in der Fig. 2 mit T 1 (pnp)
und T 2 (npn) bezeichnet. Der Transistor T 1 ist mit seinem Kollektor
über einen Widerstand R 1 mit dem Gate des Thyristors T (gleiche Bezeich
nung wie in Fig. 1) angeschlossen. Der Kollektor des Transistors T 1
ist ferner über einen Widerstand R 2 mit seiner Basis und dem Kollektor
des Transistors T 2 verbunden. Der Emitter dieses Transistors führt
über eine Diode D 3 in Durchlaßrichtung auf den Emitter des Transistors T.
Diese Diode soll verhindern, daß der Transistor T 2 mit negativer Span
nung belastet wird.
An das Gate des Transistors T ist eine Zener-Diode D 1 mit Durchlaßrich
tung zum Gate angeschlossen. Sie führt anodenseitig über eine Diode D 2
entgegengesetzter Durchlaßrichtung auf die Basis des Transistors T 2 und
über einen Widerstand R 3 auf den Emitter des Transistors T.
Die bis jetzt beschriebene Schaltung ist in der Fig. 2, gestrichelt um
randet, mit S (selbsttätiger Überstromschutz) bezeichnet. Die Zener
diode D 1 entspricht der Zener-Diode D in Fig. 1; die Wirkung der Schutz
schaltung ergibt die bereits dargelegte Schutzwirkung gemäß Fig. 1.
Der Vorteil der beschriebenen Anordnung mit den beiden Transistoren T 1
und T 2 statt des Thyristors TS gemäß Fig. 1 liegt in ihrem schnellen
Schalten bei Auftreten eines Überstroms.
In der Fig. 2 ist außerdem die Ansteuerschaltung (hier gestrichelt um
randet und mit A bezeichnet) konkret dargestellt. Die Ansteuerschal
tung enthält zwei Spannungsquellen, nämlich Sp 1 und Sp 2.
Die Spannung der Spannungsquelle Sp 1 ist mit UH 1, die der Spannungs
quelle Sp 2 mit UH 2 bezeichnet. Der negative Pol der Spannungsquelle Sp 1
und der positive Pol der Spannungsquelle Sp 2 sind mit dem Emitter des
Transistors T verbunden.
Der positive Pol der Spannungsquelle Sp 1 ist über einen Schalter S 1,
eine außerhalb der Ansteuerschaltung A liegende Diode D 4 mit anoden
seitigem Anschluß an den Schalter S 1 und einem Widerstand RG mit dem
Gate des Transistors T verbunden. Wird der Schalter S 1 geschlossen
(Einschaltbefehl für den Transistor T) liegt also die Spannung UH 1
an der Gate-Emitter-Strecke des Transistors T 1.
Der negative Pol der Spannungsquelle Sp 2 liegt über einem Schalter S 2
und dem Widerstand RG am Gate des Transistors T. Wird der Schalter S 2
geschlossen (Ausschaltbefehl für den Transistor) liegt also die Span
nung UH 2 an der Gate-Emitter-Strecke des Transistors. Die genannten
Spannungen an dieser Strecke bleiben so lange bestehen, wie der ent
sprechende Schalter geschlossen ist. Die Wirkung der Diode D 4 ent
spricht der Wirkung der Diode D gemäß Fig. 1.
Claims (2)
- Anordnung zur selbsttätigen Überstromabschaltung eines Insulated-Gate- oder Feldeffekt-Transistors.
- - bei der von einer Ansteuerschaltung bei Vorliegen eines Einschaltbefehls für den Transistor eine positive Spannung, bei Vorliegen eines Aus schaltbefehls für den Transistor eine negative Spannung an die Gate-Emitter-Strecke gelegt wird,
- - bei der zwischen die Gate- und Emitter-Zuleitungen des Insulated-Gate- oder Feldeffekt-Transistors ein Thyristor mit anodenseitigem Anschluß an die Gate-Zuleitung (bzw. eine einen Thyristor in seiner Schalt funktion nachbildende Reihenschaltung zweier Transistoren mit Kollektor- Anschluß des ersten Transistors an die Gate-Zuleitung) ge schaltet ist,
- - und bei der eine Zener-Diode anodenseitig an die Steuerelektrode des Thyristors (bzw. an die Basis des zweiten Transistors der Transistor- Reihenschaltung) angeschlossen ist, die im Überstromfall die Zündung des Thyristors herbeiführt,
- dadurch gekennzeichnet, daß die Zener-Diode (DS in Fig. 1; D1 in Fig. 2) kathodenseitig unmittelbar an die Gate-Zuleitung des Insulated-Gate- oder Feldeffekt-Transistors (T) geschaltet ist und daß in die Gate-Zuleitung des Insulated-Gate- oder Feldeffekt- Transistors (T) eine Diode (D in Fig. 1; D4 in Fig. 2) mit kathodenseitigem Anschluß am Gate (G) geschaltet ist.
Priority Applications (1)
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DE19873723786 DE3723786A1 (de) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | Anordnung zur selbsttaetigen ueberstromabschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
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