DE3700789A1 - Einrichtung fuer akustische oberflaechenwellen - Google Patents
Einrichtung fuer akustische oberflaechenwellenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine Einrichtung
für akustische Oberflächenwellen (im folgenden als
SAW-Einrichtung abgekürzt (SAW = akustische Oberflächenwellen)).
Insbesondere betrifft die Erfindung eine SAW-Einrichtung,
die in der Lage ist, elektrische Signale von
hoher Leistung und/oder großer Amplitude zu handhaben.
Zur Zeit findet die SAW-Einrichtung einen weiten Bereich
der Verwendung und Anwendung und wird als SAW-Filter
verwendet, das zur Übertragung von hoher elektrischer
Leistung geeignet ist, oder als SAW-Resonator, in dem eine
Oberflächenwelle einer großen Amplitude kontinuierlich als
stehende Welle vorhanden ist. Die oben erwähnten SAW-Einrichtungen
leiden jedoch an den Nachteilen, daß Defekte
ähnlich zu Hügeln, Blasen oder ähnlichem wegen einer
Elektro-Wanderung, die in Al-metallisierten Elektroden in
Halbleiter-IC-Bauelementen stattfindet, in feinen Fingern
aus Aluminium (Al) erzeugt werden, die als SAW-Übertragungs/
Empfangs-Elektroden und Reflektorelektroden in
den SAW-Einrichtungen dienen, wie in "Thin Solid Films",
64, 9-15 (1979) (J. I. Latham et al), Seiten 9-14 und
"Transactions of The Institute Of Electronics Communication
Engineers of Japan", Band J67-C, Seiten 278-285
(März 1984) berichtet wird. Unter den Umständen erfahren
SAW-Resonatoren unerwünschte Phänomene, beispielsweise
Frequenzabweichung oder -verschiebung von der Resonanzfrequenz.
Auf der anderen Seite treten im Fall der SAW-Filter,
die für hohe Leistungsübertragung entworfen sind, oft
Fehler auf, so wie Kurzschluß, Leitungsbruch und ähnliches
wegen des Wachstums von Hügeln, wie in "1983 IEEE Ultrasonic
Symposium Proceedings", Seiten 83-86 (1983)
berichtet wird. Insbesondere die zweite erwähnte Literaturstelle
erläutert den Erzeugungsmechanismus eines
solchen Fehlers wie folgt: "Verformung in einer Substratoberfläche,
die durch die SAW erzeugt wird, induziert eine
innere Spannung in dem Al-Dünnfilm, der auf der Substratoberfläche
gebildet ist. Als ein Ergebnis davon wandert
die Al-kristalline Korngrenze in einen Bereich, wo die
Spannung einen Schwellwert überschreitet, was Anlaß zur
Schaffung der Blasen und Hügel gibt. Man nimmt an, daß die
Wanderung der Korngrenze solch einem Mechanismus zuzuschreiben
ist, wie man in dem thermischen Zyklus von ICs
erfahren hat, wie in IEEE Trans, Parts, Hybrids and
Packaging, Band PHP-7, Seiten 134-138, Sept. 1971
berichtet". Die obenerwähnte erste bis dritte Literaturstelle
offenbart, daß die Fehler wegen der Al-Wanderung
durch Zugabe eines kleinen Betrags (1 bis 4 Gew.%) von
Kupfer (Cu) zu Al gehandhabt werden können, das die Leiter
in den Halbleiter-ICs bildet, und daß dieses Verfahren
wirksam ist zur Unterdrückung der Wanderung.
Es wird jedoch bemerkt, daß keine der obenerwähnten ersten
bis dritten Literaturstellen einen Vorschlag offenbart,
der die Bildung von Elektroden der SAW-Einrichtung durch
Sprühen betrifft. Wenn die Frequenz höher wird, werden die
Verformungen wegen der SAW größer, selbst wenn die Leistung
zur Übertragung und die Amplitude unverändert bleiben.
Unter diesen Umständen kann in dem Fall des SAW-Resonators,
der zum Handhaben von Signalen von Frequenzen höher
als 300 MHz entworfen ist, so wie ein SAW-Filter, der in
einem Übertrager eines zellartigen Radiotelefonsystems
eines 800 MHz-Bands und ähnlichem verwendet wird, über
allem keine adäquate brauchbare Lebensdauer sichergestellt
werden wegen der Erscheinung der oben erwähnten Wanderung
im Betrieb mit hoher Leistung und/oder einer großen
Amplitude, selbst mit der Al-Elektrode, zu der Cu hinzugefügt
ist und die durch Vakuum-Aufdampfen oder EB-Aufdampfen
(= Elektronenstrahlaufdampfen) gebildet ist, was
in der ersten bis dritten Literaturstelle, die oben
aufgezählt sind, offenbart ist.
Es wird weiterhin bemerkt, daß die Bildung eines Al-Films,
der ein Additiv von Cu enthält, durch das Vakuum-Aufdampfen
oder das EB-Aufdampfen dazu neigt, die Härte des
Films zu vergrößern, was es schwierig macht, das Leitungsverbinden
zu verwenden, was ein weiterer Nachteil ist. Auf
der anderen Seite sind, wenn ein Trockenätzverfahren zum
Bilden der feinen Elektroden mit einer hohen Präzision zum
Zweck der Verbesserung der Hochfrequenzleistung angewendet
wird, die Elektroden empfänglich für Korrosion oder
ähnliche Verletzung (z. B. wegen dem Einschluß von Cl),
was Anlaß dazu gibt, daß die Ausbeute signifikant verschlechtert
wird.
Ein weiteres Verfahren des Unterdrückens der Elektro-
Wanderung ist in "Semiconductor World", Seiten 108-116
(Juli 1985) und anderen offenbart. Gemäß diesem Verfahren
wird der Kirstallkorndurchmesser des Metalls, aus dem der
abgeschiedene Film gemacht ist, vergrößert, um die Elektro-
Wanderung zu unterdrücken. Als eine spezielle Einrichtung
zum Vergrößern des Kristallkorndurchmessers in dem dünnen
Film werden ein Vakuumdampf-Aufdampfverfahren, das das
Widerstandsheizen benutzt, wie in der obenerwähnten
Transactions of The Institute of Electronics and Communication
Engineers of Japan offenbart, und ein
Vakuumdampf-Aufdampfverfahren verwendet, das einen Elektronenstrahl
benutzt.
In den bis jetzt bekannten Vakuumdampf-Aufdampfverfahren,
in denen das Widerstandsheizen bzw. der Elektronenstrahl
verwendet werden, wird jedoch die Konzentration eines
Additivs in jeder Aufdampfquelle oft nicht gleichförmig,
die mittleren Additiv-Konzentrationen sind unterschiedlich
zwischen den Produktionschargen und die Dampfdrücke und
Massen von einzelnen Elementen sind unterschiedlich
voneinander, was Variationen der Konzentration oder des
Inhaltes eines Additives in Filmen unter den einzelnen
Losen oder Produktionschargen verursacht. Als eine Folge
ist es unmöglich oder zumindest sehr schwierig eine
adäquat lange brauchbare Lebensdauer für die SAW-Einrichtung
sicherzustellen, die mit Al-Elektroden versehen ist,
denen Cu hinzugefügt ist, und die durch Dampfabscheidung
gebildet sind, der auf der Verwendung des Vakuum-Aufdampfens
oder des Elektronenstrahl-Aufdampfens basiert,
wenn die Einrichtung mit hoher Leistung (oder einer großen
Amplitude) bei hoher Frequenz betrieben wird, selbst in
dem Fall, daß die Leistung oder Amplitude unverändert
bleibt, wegen der Nichtgleichförmigkeit des Additivs.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine
SAW-Einrichtung zur Verfügung zu stellen, die bei einer
hohen Frequenz mit hoher Leistung (mit akustischen Oberflächenwellen
von großer Amplitude) betrieben werden kann.
Darüber hinaus soll eine SAW-Einrichtung zur Verfügung
gestellt werden, die die obenerwähnten Merkmale besitzt
und Elektroden hat, die geeignet sind, in einer feinen
Struktur oder einem feinen Muster für Hochfrequenzbetrieb
realisiert zu werden und die Anwendung eines Trockenätz-
und/oder Leitungsverbindungsverfahrens zu erleichtern.
Bisher wird Al durch das Vakuum-Aufdampfen, EB-(Elektronenstrahl)-
Aufdampfen oder ähnliches abgeschieden zum
Bilden eines Al-Films auf einem Substrat eines piezo-elektrischen
Materials zum Zweck des Formens von Elektroden
für eine SAW-Einrichtung. Im Gegensatz dazu sollte bemerkt
werden, daß die Verwendung eines Sprüh- bzw. Spritzverfahrens
zum Bilden des Al-Films bis jetzt niemals in
Betracht gezogen worden ist im Hinblick auf die großen
Kosten der Ausrüstung zum Durchführen des Sprühens bzw.
Spritzens und wegen des Fehlens des Erkennens der Vorteile,
die durch das Sprüh- bzw. Spritzverfahren zur
Verfügung gestellt werden, die in ausreichender Weise die
für die Sprüh- bzw. Spritzausrüstung erforderlichen Kosten
ausgleichen können.
Im Verlauf des Erreichens der vorliegenden Erfindung wurde
experimentell eine Prüfung durchgeführt auf die Steuerung
der Konzentration oder des Inhaltes eines Additivs in dem
Vakuum-Aufdampfverfahren und vergleichsweise dem Elektronenstrahl-
Aufdampfverfahren und ebenfalls auf die
Steuerung der Konzentration eines Additives in dem Sprühverfahren.
Die Ergebnisse der experimentellen Überprüfung
haben ergeben, daß die Additiv-Inhaltssteuerung durch das
Sprühverfahren ohne irgendeine merkbare Schwierigkeit
durchgeführt werden kann. Zusätzlich haben die Erfinder
der vorliegenden Erfindung Elektroden für eine Hochfrequenz-
SAW-Einrichtung gebildet durch Verwenden des Sprühverfahrens,
das allgemein als nachteilhaft betrachtet wird
in Bezug auf die Korngröße und die Hochleistungshandhabungsfähigkeit
verglichen mit denen, die durch das
Vakuum-Aufdampfverfahren und das EB-Aufdampfverfahren
gebildet sind, und die Einrichtungen getestet in Bezug auf
die Leistungshandhabungsfähigkeit, ungeachtet der allgemein
anerkannten Tatsache, daß die brauchbare Lebensdauer
der SAW-Einrichtung verlängert wird, wenn die Korngröße in
dem dünnen Film vergrößert wird im Licht der Al-Wanderung
im LSI-Verdrahten. Als Ergebnis ist überraschenderweise
herausgefunden worden, daß die Leistungshandhabungsfähigkeit
signifikant über die herkömmlichen Einrichtungen
hinaus verbessert werden kann, deren Elektroden durch das
Vakuum-Aufdampfverfahren oder das Elektronenstrahl-Aufdampfverfahren
gebildet sind.
Mit anderen Worten haben die Erfinder der vorliegenden
Erfindung zuerst die Tatsache aufgestellt und bestätigt,
daß ein dünner Legierungsfilm von gleichförmiger Zusammensetzung
mit hoher Reproduzierbarkeit realisiert werden
kann, wobei der Film eine vergrößerte Adhäsion zu einer
unterliegenden Schicht (oder einem Substrat) durch das
Sprühverfahren hat, und daß die Leistungshandhabungsfähigkeit
der Einrichtung durch Verwenden des Sprühverfahrens
in der Implementierung der SAW-Einrichtung bemerkenswert
verbessert werden kann.
Somit werden gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung
metallische Elektroden in einer SAW-Einrichtung durch ein
Sprühverfahren gebildet. Die metallischen Elektroden der
Einrichtung können typischerweise aus Aluminium (Al)
gemacht werden. Eine Zugabe von Kupfer (Cu) zu Al, um die
Elektroden durch das Sprühverfahren zu machen, ist wirksam
zum Unterdrücken der Wanderung der Korngrenzen darin. Da
durch die Anwendung des Sprühverfahrens verhindert werden
kann, daß Defekte, so wie Hügel und Blasen in den Elektroden
erscheinen, können Kennwerte der SAW-Einrichtung gegen
Verschlechterung geschützt werden, die von der Übertragung
einer hohen Leistung oder Anregung einer akustischen Welle
von großer Amplitude in der Form einer stehenden Welle
stammen.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung
kann Ti anstelle von Cu verwendet werden, als ein Element,
das zu dem metallischen Material für die Elektroden der
SAW-Einrichtung hinzugefügt wird, und das Sprühverfahren,
das ausgezeichnet ist in Bezug auf die Stabilität der
Zusammensetzung, wird anstelle des Vakuum- oder EB-Aufdampfverfahrens
verwendet. In der so realisierten SAW-Einrichtung
ist nachgewiesen worden, daß die Leistungshandhabungsfähigkeit
weit besser ist als in den herkömmlichen
SAW-Einrichtungen mit Elektroden, die aus Al
gebildet sind, dem Cu hinzugefügt wurde. Zusätzlich
konnten vorteilhafte einzigartige Effekte, die nicht von
der Anwendung auf die LSI erwartet werden konnten, bestätigt
werden im Hinblick auf verminderte Leistungsübertragungsverluste.
Verglichen mit dem Siedepunkt eines Chlorids CuCl3 von Cu
ist der des Chlorids TiCl4 von Ti niedrig. Folglich ist
Al, dem Ti hinzugefügt wurde, sehr geeignet für das
Trockenätzen. Weiterhin kann, da übermäßiges Anwachsen der
Filmhärte verhindert wird, das Leitungsverbinden erleichtert
werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung können SAW-Einrichtungen
vorgesehen werden, so wie SAW-Filter, SAW-Resonatoren und
ähnliches, bei denen eine Verschlechterung der Kennwerte
bei relativ hohen Anregungspegeln verhindert wird, und die
sich einer vergrößerten Zuverlässigkeit erfreuen.
Weiterhin kann gemäß der vorliegenden Erfindung ein
Elektrodenfeld und ein Reflektorelektrodenfeld vorgesehen
werden, die vorteilhafterweise zum Gebrauch in einer
SAW-Einrichtung geeignet sind, die in der Lage ist, hohe
Leistung mit hoher Zuverlässigkeit zu übertragen, und in
einem SAW-Resonator, in dem eine akustische Welle einer
großen Amplitude als stehende Welle vorhanden ist.
Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der
vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen
und aus der nachfolgenden Beschreibung von
Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung.
Darin zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, die eine SAW-Einrichtung
gemäß einer beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt,
Fig. 2 ein Diagramm zum graphischen Erläutern der
Ergebnisse eines beschleunigten Lebensdauertests,
der auf SAW-Einrichtungen gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung und der in Fig. 1 gezeigten
SAW-Einrichtung ausgeführt wurde,
Fig. 3 und
Fig. 4 jeweils eine perspektivische und eine Schnittansicht,
die eine SAW-Einrichtung zeigen, die in
der Form eines Zwei-Tor-SAW-Resonators gemäß
einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung realisiert ist,
Fig. 5 eine schematische Ansicht, die eine beispielhafte
Anordnung einer Gleichstrom-Sprühvorrichtung
zeigt, die beim Ausführen der vorliegenden
Erfindung verwendet werden kann,
Fig. 6 ein Kennwertdiagramm, das das Ergebnis eines
beschleunigten Lebensdauertests zeigt, der auf
der Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung und die in Fig. 3 und 4 gezeigte
SAW-Einrichtung durchgeführt wurde,
Fig. 7 und
Fig. 8 Diagramme zum Erläutern der Kennwerte von SAW-
Einrichtungen gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung und der in Fig. 3 und 4 gezeigten
SAW-Einrichtung und
Fig. 9 und
Fig. 10 Ansichten, die SAW-Einrichtungen gemäß einer
weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
zeigen.
Die Erfindung wird nun detailliert in Verbindung mit
bevorzugten und beispielhaften Ausführungsformen unter
Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung beschrieben.
Fig. 1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht einen
Ein-Tor-SAW-Resonator, auf den eine SAW-Einrichtung gemäß
einer Ausführungsform der Erfindung angewendet wird. In
der Fig. bezeichnet ein Bezugszeichen 1 ein piezo-elektrisches
SAW-Substrat, 2 bezeichnet einen Satz von verzahnten
Elektroden, die in einem kammartigen Muster
angeordnet sind, und Bezugszeichen 3 und 3′ bezeichnen
jeweils Reflektorelektroden.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 sind auf einer Oberfläche des
SAW-Substrates 1, das aus einem ST-geschnittenen Quarzkristall
gebildet ist, ein Satz von verzahnten kammähnlichen
Elektroden 2 angeordnet mit der Öffnung von 1000 µm
und 28 Fingerpaaren zum Übertragen oder Empfangen von
akustischen Oberflächenwellen. Übertragung von elektrischen
Signalen zu äußeren Schaltungen wird mit Hilfe
gewöhnlicher Buselektrodenteile der kammähnlichen Elektroden
bewirkt.
Weiterhin sind 750 Reflektorelektroden 3 und 3′ aus
metallischen Streifen, die gleichzeitig mit den kammähnlichen
Elektroden 2 gebildet sind, auf beiden Seiten der
letzteren angeordnet, um dabei einen Ein-Tor-SAW-Resonator
zu bilden. In der Version der in Fig. 1 gezeigten Einrichtung
können die Reflektorelektroden durch Schlitze gebildet
werden, die in dem Substrat 1 anstelle der metallischen
Streifen gebildet sind.
Es sollte hier erwähnt werden, daß der oben beschriebene
SAW-Resonator eine Resonanzfrequenz von 690 MHz und Q von
3000 hat.
Die kammähnlichen Elektroden 2 und die Reflektorelektroden
3 und 3′ des oben beschriebenen SAW-Resonators sind
jeweils mit einer Filmdicke von 0,1 µm realisiert und
gebildet durch Abscheiden eines reinen Al-Films durch
Verwenden eines Gleichstrom-Magnetron-Sprühsystem, welcher
Film nachfolgend fotogeätzt wird, um die Elektrodenmuster
zu bilden. Das Sprühsystem, wie verwendet, ist schematisch
in Fig. 5 gezeigt. Die Sprühbedingungen sind die folgenden.
Heiztemperatur von Substrat 1 200°C
Flußgewindigkeit des Ar-Gases 20 SCCM
Druck des Ar-Gases 1,2 Pa
Sprühleistung 0,6 kW.
Flußgewindigkeit des Ar-Gases 20 SCCM
Druck des Ar-Gases 1,2 Pa
Sprühleistung 0,6 kW.
Fig. 2 ist ein Kennwertdiagramm, das die Ergebnisse eines
beschleunigten Lebensdauertests erläutert, der auf der
oben beschriebenen SAW-Einrichtungen durchgeführt wurde,
vergleichenderweise mit den Ergebnissen des Tests, der auf
SAW-Resonatoren durchgeführt wurde, die kammähnliche Elektroden
und Reflektorelektroden haben, die durch ein
Elektronenstrahl-Aufdampfen gebildet wurden. Zusätzlich
erläutert Fig. 2 die Ergebnisse des Tests, der auf SAW-
Einrichtungen durchgeführt wurde, die kammähnliche Elektroden
und Reflektorelektroden haben, die aus Al gebildet
sind, dem Cu hinzugefügt wurde.
In Fig. 2 wird der Gehalt (Gew.%) des Elementes Cu, das
beim Bilden des Elektrodenfilms zu Al hinzugefügt wurde,
entlang der Abszisse aufgetragen, während die Zeit, bei
der sich die Resonanzfrequenz ändert, entlang der Ordinate
aufgetragen ist als Ausdruck der Ausfallzeit (TF) in
Stunden (Hr).
Der beschleunigte Lebensdauertest wurde durchgeführt unter
der Bedingung, daß die Umgebungstemperatur der SAW-Einrichtung
120°C und die Eingangsleistung 100 mW war.
In Fig. 2 stellt eine Kurve 4 die Ergebnisse des beschleunigten
Lebensdauertests dar, der auf den SAW-Einrichtungen
gemäß der Ausführungsform der Erfindung durchgeführt
wurde, in denen der Elektrodenfilm durch Verwendung
des Gleichstrom-Magnetron-Sprühsystems gebildet wurde, und
eine Kurve 5 stellt die Ergebnisse des beschleunigten
Lebensdauertests dar, der auf herkömmlichen SAW-Einrichtungen
durchgeführt wurde, die den Elektrodenfilm durch
das Elektronenstrahl-Aufdampfen gebildet haben, zum Zwecke
des Vergleichs.
Wie in Fig. 2 zu sehen ist, zeigt, wenn die kammähnlichen
Elektroden 2 und die Reflektorelektroden 3, 3′ ausschließlich
durch den Al-Film gebildet sind, d. h. wenn der
Gehalt des hinzugefügten Elementes Null ist (Gew.%), die
SAW-Einrichtung, die mit Hilfe des Gleichstrom-Magnetron-
Sprühsystems gebildet worden ist, eine einige Male längere
Ausfallzeit (TF) und höhere Leistungshandhabungsfähigkeiten
als die Einrichtung, die die Elektroden durch das
Elektronenstrahl-Aufdampfen gebildet hat.
Man kann weiter sehen, daß die SAW-Einrichtung, die die
Elektroden aus Al gebildet hat, dem Cu hinzugefügt wurde,
eine doppelt oder mehrmal längere Ausfallzeit (TF) und
höherer Leistungshandhabungsfähigkeit als die herkömmliche
SAW-Einrichtung zeigt.
Die Verbesserung der Leistungshandhabungsfähigkeit als ein
Ergebnis der Verwendung des Gleichstrom-Magnetron-Sprühsystems
gemäß der vorliegenden Erfindung kann erklärt
werden durch die Tatsache, daß der niedergeschlagene Film
von gleichförmig gemachter Qualität ist, was einen Grund
für die vergrößerte mechanische Festigkeit des neidergeschlagenen
Films liefert.
Die oben beschriebene Ausführungsform der Erfindung ist
auf einen Ein-Tor-SAW-Resonator gerichtet, der Elektroden
hat, die aus metallischen Streifen aus Al oder aus Al, dem
Cu zugefügt ist, gebildet sind. Die Erfindung ist jedoch
nicht auf das Additiv Cu beschränkt, sondern andere
Additive, so wie Ti, Zn, Mg, Fe, Ni, Cr, Ga, Ge, Sn, Pd
oder Ta können verwendet werden. Weiterhin kann die
Erfindung nicht nur auf den Ein-Tor-SAW-Resonator angewendet
werden, sondern ebenfalls auf einen Zwei-Tor-SAW-Resonator,
ein SAW-Filter für Hochleistungsübertragung oder
einen SAW-Übertrager/Empfänger zum Gebrauch als den
Resonator.
Weiterhin ist das SAW-Substrat, das verwendet werden kann,
nicht auf den ST-geschnittenen Quarzkristall beschränkt,
sondern andere Substrate, so wie LiNbO3, LiTaO3 und
ähnliche können verwendet werden. Daneben können Substrate
von verschiedenartigen Schnittflächenorientierungen
ebenfalls verwendet werden.
In den oben beschriebenen Ausführungsformen kann die
Leistungshandhabungsfähigkeit der SAW-Einrichtung vergrößert
werden ohne Notwendigkeit zum Addieren einer
großen Menge eines Additivelementes, so wie Cu, gemäß der
erläuterten Ausführungsform. Daneben kann, da das zu
addierende Element von kleiner Menge sein kann, die
Erscheinung eines Fehlers in dem Kontakt, der durch
Leitungsverbinden realisiert wird, verhindert werden. Auf
diese Art kann eine SAW-Einrichtung zur Verfügung gestellt
werden, die frei von den Nachteilen der herkömmlichen
SAW-Einrichtungen ist und die sich ausgezeichneter Funktion
und Leistung erfreuen kann.
Es folgt nun eine Beschreibung einer weiteren Ausführungsform
unter Bezugnahme auf Fig. 3 und 4, worin Fig. 4 einen
Querschnitt entlang der Linie IV-IV in Fig. 3 zeigt.
Unter Bezugnahme auf die Figuren bezeichnet ein Bezugszeichen
11 ein piezo-elektrisches SAW-Substrat, das aus
einem ST-geschnittenen Quarzkristall gebildet ist, auf dem
ein Paar von Übertragungs- und Empfangselektrodenfeldern
12 und 12′ angeordnet sind, wobei jedes Feld 28 Fingerpaare
aufweist, deren Öffnung 1000 µm zum gegenseitigen
Übertragen und Empfangen der akustischen Oberflächenwelle
ist. Die Elektroden sind mit Anschlußfeldern 13, 13′ durch
Buselektroden verbunden, während die Anschlußfelder 13,
13′ elektrisch mit Eingangs-/Ausgangs-Pins 14 und 14′
eines Fusses einer Gehäusepackung mittels Verbindungsleitungen
aus Al oder Au elektrisch verbunden sind. Die
Buselektroden, die auf der Massenseite der Übertragungs-/
Empfangselektroden gelegen sind, sind mit dem Fuß 16 der
Gehäusepackung durch die Erdungsverbindungsfelder geerdet.
Jedes der Elektrodenpaare 12 und 12′ weist einen Satz von
verzahnten kammähnlichen Fingerelektroden auf. Auf beiden
Seiten des zuvor erwähnten Paares von Übertragungs-/Empfangselektroden
12 und 12′ sind Reflektorelektroden 20 und 20′
angeordnet, die aus 750 metallischen Streifen zusammengesetzt
sind, um dabei einen Zwei-Tor-SAW-Resonator zu
bilden. In der Version dieser Ausführungsform können die
metallischen Streifen 20 ersetzt werden durch Schlitze,
die in dem Substrat 11 gebildet sind, die als die Reflektoren
dienen. Jede der zuvor erwähnten Übertragungs-/Empfangselektroden
12, 12′ und der Reflektorelektroden hat
eine Filmdicke von 0,1 µm. Der Zwei-Tor-SAW-Resonator, der
so realisiert ist, hat eine Resonanzfrequenz von 697 MHz
und Q ungefähr gleich 4000. Das Elektrodenmaterial ist Al,
dem 2 Gew.% Ti hinzugefügt ist. Der Al-Film, dem Ti
hinzugefügt ist, wurde abgeschieden durch ein Gleichstrom-
Magnetron-Sprühsystem, das am besten für diese Art des
metallischen Films unter verschiedenen Sprühverfahren
geeignet ist. Nach Abscheiden des Films wurde das
Elektrodenmuster durch ein Fotoätzverfahren gebildet. Fig.
5 zeigt schematisch beispielhaft eine Gleichstrom-Magnetron-
Sprühvorrichtung, die für die Herstellung der Zwei-
Tor-SAW-Einrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform
der Erfindung verwendet werden kann. Die Sprühbedingungen
können beispielsweise wie folgt ausgewählt werden:
Heiztemperatur von Substrat 11 200°C
Flußgeschwindigkeit des Ar-Gases 20 SCCM
Druck des Ar-Gases 1,2 Pa
Sprühleistung 0,6 kW.
Flußgeschwindigkeit des Ar-Gases 20 SCCM
Druck des Ar-Gases 1,2 Pa
Sprühleistung 0,6 kW.
Das Ergebnis des beschleunigten Tests, der auf den SAW-
Resonatoren gemäß der vorliegenden Ausführungsform durchgeführt
wurde, ist graphisch in Fig. 6 erläutert, im
Vergleich mit dem der Probe, die durch EB-Aufdampfen von
Al, dem Cu hinzugefügt wurde, hergestellt wurde. Der
Gehalt des hinzugefügten Elementes in dem Film ist entlang
der Abszisse in Gew.% aufgetragen, während die Ausfallzeit
(TF) entlang der Ordinate aufgetragen ist. Die Ausfallzeit
bezeichnet die Zeit, die verstreicht, bis sich die Resonanzfrequenz
ändert, wie in Fig. 2. Die Bedingungen für
den beschleunigten Lebensdauertest sind so gewählt, daß
die Temperatur 120°C und die Eingangsleistung 100 kW ist.
In Fig. 6 stellt eine Kurve 21 das Ergebnis des Experimentes
dar, das auf der Probe durchgeführt wurde, die durch
EB-Aufdampfen von Al realisiert wurde, dem Cu hinzugefügt
wurde, die zum Vergleich verwendet wird, während eine
Kurve 22 das Ergebnis des beschleunigten Lebensdauertests
darstellt, der auf den Resonatoren durchgeführt wurde, die
die Al-Elektroden, denen Ti hinzugefügt wurde, aufweisen,
die durch Sprühen gebildet sind. Wie man aus Fig. 6 sehen
kann, wird die Ausfallzeit des Resonators, der mit Al-Elektroden,
denen Ti hinzugefügt ist, versehen ist, die durch
Sprühen gebildet sind, auf das 10-fache oder mehr vergrößert
verglichen mit dem des Musters, wobei die
Leistungshandhabungsfähigkeit ebenfalls signifikant
vergrößert wird. In Fig. 6 stellt die Kurve 22 weiterhin
das Ergebnis des Tests dar, der auf die Einrichtungen
durchgeführt wurde, die Elektroden haben, die lediglich
aus Al ohne Zugabe von Ti gebildet sind. Wie zu sehen ist,
wird die Ausfallzeit (TF) dieser Einrichtung ebenfalls
vergrößert verglichen mit der Probe, welcher Zuwachs der
Anwendung des Sprühens für das Abscheiden des Elektrodenfilms
anstelle des EB-Aufdampfens oder des Vakuum-Aufdampfens
zuzuschreiben ist. Obwohl ein Vorteil einer
verminderten Streuung der Zusammensetzung unter den
Produktionschargen wegen der Verwendung des Sprühens
anfangs erwartet worden war, ist die vergrößerte
Leistungshandhabungsfähigkeit der letztlich unerwartete
Effekt. Es wird angenommen, daß die vergrößerte Leistungshandhabungsfähigkeit
erklärt wird durch die Tatsache, daß
die mechanische Festigkeit des Elektrodenfilms durch die
Anwendung des Sprühverfahrens vergrößert wird.
Zum Demonstrieren der Effekte des SAW-Resonators gemäß der
vorliegenden Ausführungsform zeigt Fig. 7 das Ergebnis des
beschleunigten Lebensdauertests mit der in dem Resonator
gespeicherten Energie entlang der Abszisse aufgetragen,
während die Ausfallzeit (TF) entlang der Ordinate aufgetragen
ist. Aus dieser Figur kann abgeschätzt werden, daß
der SAW-Resonator mit Elektroden, die aus Al gebildet
sind, denen 0,9 Gew.% Ti hinzugefügt ist (Wert bestimmt
durch Analyse des Films) im wesentlich die gleiche brauchbare
Lebensdauer haben kann wie die der Einrichtung, die
Elektroden hat, die durch EB-Aufdampfen gebildet sind,
selbst mit einer angelegten Leistung, die dreimal so hoch
ist, wie die auf letztere angelegte.
Ein weiterer Effekt der Einrichtung gemäß der vorliegenden
Ausführungsform ist in Fig. 8 erläutert, in dem der
Filmwiderstand entlang der Abszisse aufgetragen ist mit
dem Leistungsverlust, der beim Durchlaufen des Resonators
erzeugt wird, entlang der Ordinate aufgetragen. Man kann
sehen, daß der Leistungsverlust signifikant vermindert
wird in dem Fall des SAW-Resonators mit Al-Ti-Elektroden
gemäß der vorliegenden Ausführungsform, verglichen mit der
herkömmlichen Einrichtung mit Al-Cu-Elektroden mit dem
selben Widerstand. Diese Effekte, die der Anwendung des
Sprühens und dem Additiv zuzuschreiben sind, können
überhaupt nicht von dem Effekt erwartet werden, der sich
von der Zugabe von Ti zu der Metallisation von Al für LSI
ergibt. Sie sind vorteilhafte Effekte der SAW-Einrichtung,
die durch Anwendung des Sprühverfahrens und Zugabe des
Elementes erhalten werden, die durch die vorliegende
Erfindung gelehrt werden. Es wird angenommen, daß diese
Effekte nicht nur der vergrößerten mechanischen Festigkeit
und der vergrößerten Adhäsion des Filmes zuzuschreiben
sind, sondern ebenfalls der geeigneten Härte und den
Zugkennwerten des Films.
Der Gehalt des Additives Ti kann bis zu 2 Gew.% betragen
ohne jegliche Probleme für die praktische Anwendung der
SAW-Einrichtung in dem erlaubbaren Widerstandsbereich von
10 bis 11 µΩ cm. Es scheint, daß der Gehalt von 4 Gew.%
die erlaubbare obere Grenze des Widerstandes (ungefähr 20
µΩ cm) von dem Kennwertstandpunkt der SAW-Einrichtung
definiert.
Die oben beschriebene Ausführungsform der Erfindung ist
auf den Zwei-Tor-SAW-Resonator gerichtet, der die Reflektoren
aufweist, die jeweils aus metallischen Filmstreifen
zusammengesetzt sind. Es ist jedoch klar, daß das Additiv
nicht auf Ti beschränkt ist, sondern Zn, Mg, Fe, Ni, Cr,
Ga, Ge, Sn, Pd oder Ta in einer Menge von nicht größer als
4 Gew.% können ebenfalls wahlweise verwendet werden.
Weiterhin kann die Erfindung gleichermaßen angewendet
werden auf den Ein-Tor-SAW-Resonator zusätzlich zu dem
erläuterten Zwei-Tor-SAW-Resonator. Beispielsweise kann
die Erfindung wirkungsvoll auf ein SAW-Filter angewendet
werden, das geeignet ist, elektrische Leistung von einer
Vielzahl von parallelen Eingangselektroden 12 zu einer
Vielzahl von parallelen Ausgangselektroden 12′ zu übertragen,
wie in Fig. 9 gezeigt. Weiterhin kann die Erfindung
gleichermaßen auf einen Resonator angewendet werden,
der realisiert wird Verwenden von SAW-Übertragungs-/Empfangseinrichtungen,
so wie eine Multi-Stufen-Reihenstruktur,
die beispielhaft in Fig. 10 gezeigt ist. Darüber hinaus
kann die Erfindung wirkungsvoll sowohl auf ein SAW-Filter
für Hochleistungsübertragung als auch einen Resonator
angewendet werden, der durch Verwenden der SAW-Übertragungs-/
Empfangs-Einrichtungen realisiert ist. Die
Erfindung ist niemals auf den Gebrauch eines Substrates
beschränkt, das aus einem ST-geschnittenen Quarzkristall
hergestellt ist. Verschiedenartige andere Substrate, so
wie LiNbO3, LiTaO3 oder ähnliche können wahlweise verwendet
werden. Natürlich ist die Erfindung nicht auf
irgendeine besondere Schnittflächenorientierung beschränkt.
Gemäß den Ausführungsformen der Erfindung, die oben in
Verbindung mit Fig. 4 bis 10 beschrieben sind, können
SAW-Einrichtungen implementiert werden, die erleichtertes
Ätzen und Leitungsverbinden bei einer hohen Ausbeute
erlauben und doppelt oder mehr so hohe Leistungshandhabungsfähigkeiten
aufweisen verglichen mit den bis jetzt
bekannten Einrichtungen, die die Elektroden gebildet haben
aus Al, dem Cu hinzugefügt wurde, durch EB-Aufdampfen oder
Vakuum-Aufdampfen.
In allen oben beschriebenen Ausführungsformen können die
Sprühbedingungen beispielsweise wie folgt gesetzt werden:
Substrattemperatur Raumtemperatur bis 300°C
Sprühleistung 0,2 bis 1 kW
Druck von Ar-Gas 0,1 bis 10 Pa.
Sprühleistung 0,2 bis 1 kW
Druck von Ar-Gas 0,1 bis 10 Pa.
Claims (8)
1. Einrichtung für akustische Oberflächenwellen,
gekennzeichnet durch:
ein piezo-elektrisches Substrat (1; 11) und mindestens
einen Satz von verschachtelten Elektroden (2; 12; 12,
12′), die auf dem Substrat (1; 11) gebildet sind und
hauptsächlich aus einem Metall bestehen, wobei mindestens
ein Satz von Elektroden (2; 12; 12, 12′) ein
Ti-Additiv von aufweist.
2. Einrichtung für akustische Oberflächenwellen nach
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden
auf dem Substrat durch Sprühen gebildet sind.
3. Einrichtung für akustische Oberflächenwellen nach
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Al
ist.
4. Einrichtung für akustische Oberflächenwellen nach
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an
Ti in den Elektroden nicht größer als 4 Gew.% ist.
5. Einrichtung für akustische Oberflächenwellen gekennzeichnet
durch:
ein piezo-elektrisches Substrat (1; 11) und mindestens einen Satz von verschachtelten Elektroden (2; 12; 12, 12′), die auf dem Substrat gebildet sind und hauptsächlich aus einem Metall bestehen, wobei mindestens ein Satz von Elektroden ein Additiv aus einem anderen Metall enthält, das von der Gruppe ausgewählt ist, die aus Zn, Mg, Fe, Ni, Cr, Ga, Ge, Sn, Pd und Ta besteht.
ein piezo-elektrisches Substrat (1; 11) und mindestens einen Satz von verschachtelten Elektroden (2; 12; 12, 12′), die auf dem Substrat gebildet sind und hauptsächlich aus einem Metall bestehen, wobei mindestens ein Satz von Elektroden ein Additiv aus einem anderen Metall enthält, das von der Gruppe ausgewählt ist, die aus Zn, Mg, Fe, Ni, Cr, Ga, Ge, Sn, Pd und Ta besteht.
6. Einrichtung für akustische Oberflächenwellen gekennzeichnet
durch:
ein piezo-elektrisches Substrat (1; 11) und mindestens einen Satz von verschachtelten Elektroden (2; 12; 12, 12′), die auf dem Substrat gebildet sind und hauptsächlich aus einem Metall bestehen, in der die Bildung mindestens eines Satzes von Elektroden auf dem Substrat durch Sprühen ausgeführt wird.
ein piezo-elektrisches Substrat (1; 11) und mindestens einen Satz von verschachtelten Elektroden (2; 12; 12, 12′), die auf dem Substrat gebildet sind und hauptsächlich aus einem Metall bestehen, in der die Bildung mindestens eines Satzes von Elektroden auf dem Substrat durch Sprühen ausgeführt wird.
7. Einrichtung für akustische Oberflächenwellen nach
Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein
Satz von Elektroden ein Cu-Additiv aufweist.
8. Einrichtung für akustische Oberflächenwellen nach
Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein
Satz von Elektroden ein Additiv aus einem anderen
Metall aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus Zn, Mg, Fe, Ni, Cr, Ga, Ge, Sn, Pd und Ta
besteht.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61003428A JPH07107967B2 (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 弾性表面波装置 |
JP4613886A JPS62204611A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3700789A1 true DE3700789A1 (de) | 1987-07-16 |
DE3700789C2 DE3700789C2 (de) | 1995-12-14 |
Family
ID=26337000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3700789A Expired - Lifetime DE3700789C2 (de) | 1986-01-13 | 1987-01-13 | Akustisches Oberflächenwellen-Bauteil |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5144185A (de) |
DE (1) | DE3700789C2 (de) |
GB (1) | GB2186456B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989002675A1 (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Surface wave device with conversion structure for preventing undesirable reflected waves |
DE3917731A1 (de) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd | Elektronische festkoerpervorrichtung |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3379049B2 (ja) * | 1993-10-27 | 2003-02-17 | 富士通株式会社 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
JP3609423B2 (ja) * | 1995-09-21 | 2005-01-12 | Tdk株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JPH1174751A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
US6259185B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-07-10 | Cts Corporation | Metallization for high power handling in a surface acoustic wave device and method for providing same |
JP3725360B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2005-12-07 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP3568025B2 (ja) | 1999-05-14 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機装置 |
DE10007178A1 (de) * | 2000-02-17 | 2001-08-23 | Epcos Ag | Oberflächenwellenfilter mit Reaktanzelementen |
US7148610B2 (en) * | 2002-02-01 | 2006-12-12 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device |
US7002281B2 (en) * | 2003-07-16 | 2006-02-21 | Biode Inc. | Multi-reflective acoustic wave device |
JP3646116B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2005-05-11 | Tdk株式会社 | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
AU2007335239A1 (en) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Method of coating |
EP2625729B1 (de) * | 2010-10-05 | 2018-01-10 | Yeda Research and Development Co. Ltd. | Elektromechanische wirkung bei metalloxiden |
DE102012202727B4 (de) * | 2012-02-22 | 2015-07-02 | Vectron International Gmbh | Verfahren zur Verbindung eines ersten elektronischen Bauelements mit einem zweiten Bauelement |
CN107449955B (zh) * | 2017-07-11 | 2020-09-08 | 中国科学院声学研究所 | 一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4527082A (en) * | 1982-07-06 | 1985-07-02 | General Electric Company | Surface acoustic wave device from eutectic deposit |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3296692A (en) * | 1963-09-13 | 1967-01-10 | Bell Telephone Labor Inc | Thermocompression wire attachments to quartz crystals |
JPS4979797A (de) * | 1972-12-09 | 1974-08-01 | ||
JPS594310A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-11 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
JPH0773177B2 (ja) * | 1984-12-17 | 1995-08-02 | 株式会社東芝 | 弾性表面波共振子 |
JPS62272610A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-26 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
-
1987
- 1987-01-05 GB GB8700064A patent/GB2186456B/en not_active Expired
- 1987-01-13 DE DE3700789A patent/DE3700789C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-09 US US07/549,643 patent/US5144185A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4527082A (en) * | 1982-07-06 | 1985-07-02 | General Electric Company | Surface acoustic wave device from eutectic deposit |
Non-Patent Citations (7)
Title |
---|
EBATA,Y. et al: Metal-Migration of Aluminium Film on SAW Resonator,In:Electronics and Communications in Japan,Vol.67-C,No.11,1984, S.104-122 * |
GHATE,P.B. et al: The Effects of Temperature Cycling on Aluminium- Film Interconnections,In:IEEE Transaction on PartsHybrids and Packaging,Sept.1971,S.134-138 * |
GRABE,B. et al:Lifetime and Drift Velocity Analysis for Electromigration in Sputte- red Al Films,Multilayers and Alloys,In:Solid StateElectronics,Vol.26,No.10,PP 1023-1032,1983,7) * |
HOWARD,J.K. et al:Intermetallic compounds of Al and transitions metals:Effect of electromigration in 1-2-mum-wide lindes,In:J.Appl.Phys.49(7),July 1978,S.4083-4093 * |
KINOSHITA,Y. et al:High Power SAW Filter for Antenna Duplexer,In:Ultrasonics Sym- posium Proceedings,1983,S.83-86 * |
LATHAM,J.I. et al:Improved Metallization for Sur- face Acoustic Wave Devices,In:Thin Solid Films, 64(1979)9-15 * |
VAIDYA, S. et al: Electromigration in fine-line sputter-gun Al. In: J. Appl. Phys. 51 (8), DOLLAR * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989002675A1 (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Surface wave device with conversion structure for preventing undesirable reflected waves |
US5126706A (en) * | 1987-09-17 | 1992-06-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Surface wave arrangement with conversion structure for preventing undesirable reflected waves |
DE3917731A1 (de) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd | Elektronische festkoerpervorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8700064D0 (en) | 1987-02-11 |
GB2186456B (en) | 1989-11-08 |
GB2186456A (en) | 1987-08-12 |
DE3700789C2 (de) | 1995-12-14 |
US5144185A (en) | 1992-09-01 |
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