DE3685642T2 - Fluessigkristall-anzeigevorrichtung. - Google Patents

Fluessigkristall-anzeigevorrichtung.

Info

Publication number
DE3685642T2
DE3685642T2 DE8686117429T DE3685642T DE3685642T2 DE 3685642 T2 DE3685642 T2 DE 3685642T2 DE 8686117429 T DE8686117429 T DE 8686117429T DE 3685642 T DE3685642 T DE 3685642T DE 3685642 T2 DE3685642 T2 DE 3685642T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display device
polyimide resin
metal film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8686117429T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3685642D1 (de
Inventor
Mikio Kanazaki
Kiichirou Kubo
Shinobu Toma
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Consumer Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE3685642D1 publication Critical patent/DE3685642D1/de
Publication of DE3685642T2 publication Critical patent/DE3685642T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und insbesondere auf eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einer Flüssigkristallzelle und einem auf einem eines Paares von die Zelle bildenden Substraten montierten integrierten Halbleiterschaltungsplättchen.
  • Beim herkömmlichen Typ einer Fliissigkristall-Anzeigevorrichtung mit einem auf einem der eine Flüssigkristallanzeigezelle bildenden Substrate montierten integrierten Steuerschaltkreisplättchen hat die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung den Aufbau, bei dem Metallfilme zur elektrischen Verdrahtung auf einem der die Zelle bildenden Substrate gebildet und gemustert werden und ein integriertes Halbleitersteuerschaltkreisplättchen, das im folgenden als LSI-Plättchen bezeichnet wird, direkt auf dem gemusterten Metallfilm, wie in Fig. 1 gezeigt, verbunden wird. Die Flüssigkristallanzeigezelle 1 weist ein unteres Substrat 2 und ein oberes Substrat 4 auf, die beide aus transparentem Glas oder anderem gleichartigem Material bestehen, wobei transparente, elektrisch leitende Elektroden 9 und 10 auf deren inneren Oberflächen gebildet sind und wobei sie im wesentlichen parallel zueinander mit einem vorbestimmten Abstand, z. B. 5 bis 15 um, angeordnet und am Umfang mit einem Dichtungsteil 3, wie z. B. Glasfritte oder einem organischen Kleber, abgedichtet sind und dazwischen ein nematischer Flüssigkristall 11 laminiert ist. Vielschicht-Metallfilmverdrahtung 12, die eine Metallfilmschicht mit guter Benetzbarkeit für Lot hat, ist auf dem unteren Substrat 2 gebildet, und ein LSI-Plättchen 6 wird auf der Vielschicht-Metallfilmverdrahtung 12 mittels Lot 5 mechanisch und elektrisch verbunden, und das LSI- Plättchen 6 und die Vielschicht-Metallfilmverdrahtung 12 werden mit Epoxyharz 7 und Harz 8 zum Ausfüllen von Poren im Epoxyharz 7 zum Schutz gegen äußere Umgebungseinflüsse bedeckt.
  • Unter hochgradig feuchten Umgebungsbedingungen führte die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung des vorstehend erwähnten Typs manchmal zu Anzeigeausfällen wegen Unterbrechungen der Metallfilmverdrahtung infolge von Korrosion oder elektrochemischer Reaktion oder wegen Kurzschlüssen zwischen den Metallfilmverdrahtungen infolge von abgelösten Metallen unter Betriebsbedingungen, die sich durch Bildung eines Wasserfilms zwischen aneinander angrenzenden Metallfilmverdrahtungen infolge von Wasserabsorption durch die Harzüberzüge 7 und 8 und aus einer Loslösung der Harzüberzüge 7 und 8 vom Substrat 2 ergaben. Als eine Lösungfür das obige Problem wird vorgeschlagen, die Metallfilmverdrahtung 12 mit einem anorganischen Materialfilm in der oben erwähnten japanischen Patentanmeldung No. SHO 59-76480 zu bedecken. Dies sicherte eine Verläßlichkeit unter strengen Umgebungsbedingungen, erhöht jedoch die Zeit und die Kosten der Herstellung, wenn eine Aufstäubungstechnik angewendet wird.
    • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Demgemäß ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit hoher Verläßlichkeit unter strengen Umgebungsbedingungen und mit verringerten Herstellungskosten vorzusehen.
  • Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine kompakte und hoch verläßliche Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vorzusehen, bei der integrierte Steuerschaltkreise auf ihrem Substrat montiert sind.
  • Die oben erwähnten Aufgaben können durch die vorliegende Erfindung gelöst werden, die eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vorsieht, die umfaßt: obere und untere Substrate mit Elektroden an deren inneren Oberflächen, wobei mindestens eines dieser oberen und unteren Substrate einen ausgedehnteren Bereich besitzt, der sich über den Rand des anderen Substrats erstreckt, Flüssigkristallmaterial, das zwischen den oberen und unteren Substraten angeordnet ist, ein Dichtungsteil, das um den Umfang herum angeordnet ist und das Flüssigkristallmaterial einschließt, ein integriertes Steuerschaltkreisplättchen, das an der inneren Oberfläche dieses ausgedehnteren Bereiches montiert ist, Metallfilmverdrahtungen, die an der inneren Oberfläche des ausgedehnteren Bereiches gebildet sind und die über Lötmittel mit dem integrierten Steuerschaltkreisplättchen mechanisch und elektrisch verbunden sind, eine Beschichtung aus Polyimidharz, die die Metallfilmverdrahtungen bedeckt, und Harzbeschichtung, die zum Auffüllen von Löchern im Polyimidharz das Polyimidharz bedeckt und vor dem Härten geringe Viskosität aufweist.
  • Polyimidharz kann auf die Metallfilmverdrahtungen mit Aufwalztechniken aufgebracht werden, und daher ist dessen Verarbeitung einfach und wird in einer kurzen Zeit vollendet. Da Polyimidharz eine höhere Beständigkeit gegenüber Beeinträchtigung durch Hitze hat, verschlechtern nachfolgende Wärmebehandlungen zur Herstellung eines Flüssigkristallausrichtungsfilms auf Substraten und zum Abdichten der beiden Substrate zur Bildung einer Flüssigkristallzelle die Polyimidschutzbeschichtung nicht. Weiter wird ein anderes Harz niedriger Viskosität vor dem Aushärten über der Polyimidharzbeschichtung zum Ausfüllen von Löchern der Polyimidharzbeschichtung aufgebracht, wodurch die Verläßlichkeit der Metallfilmverdrahtungen gegenüber strengen Umgebungsbedingungen erheblich verbessert werden kann.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht einer Flüssigkristallanzeige bekannten Typs;
  • Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung.
    • NÄHERE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Die bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung, wobei gleiche Bezugsziffern für gleiche oder entsprechende Elemente angewandt werden.
  • Zunächst werden auf den inneren, sich gegenüberstehenden Seiten der beiden unteren und oberen Substrate 2 und 4 die transparenten Elektroden 9 bzw. 10 eines vorbestimmten Anzeigemusters vorgesehen, die aus Indiumoxid od. dgl. bestehen. Anschließend werden auf der Oberfläche des unteren Substrats 2 ein NiCr-Film mit guter Haftung am Glassubstrat, ein Cu-Film mit guter Benetzbarkeit für Lot und ein Cr- Film zur Vermeidung einer Oxidation dieses Cu-Films und zum Vermeiden einer Benetzung von Lot und mit Cu durch Aufdampfen in der genannten Reihenfolge zur Bildung eines Vielschichtmetallfilms laminiert, und der Vielschichtmetallfilm wird zu einem Verdrahtungsmuster zur Bildung von Metallfilmverdrahtungen 12 geätzt, die transparente Elektroden 9 mit Stellen auf dem unteren Substrat 2 verbinden, wo ein LSI-Plättchen 6 in einem nachfolgenden Schritt zu montieren ist. Dann wird ein hochgradig wärmebeständiges Polyimidharz mit der Temperatur thermischer Zersetzung über 300 ºC, z. B. lichtempfindliches wärmebeständiges Polyimidharz mit der thermischen Zersetzungstemperatur von 450 ºC und Eignung zum Ätzen dieser Muster, in diesem Ausführungsbeispiel (z. B. PL-1000, verfügbar von Hitachi Chemical Co., Ltd. oder UR3100, verfügbar von Toray Industries, Inc., Japan) Polyimid auf das untere Substrat 2 aufgebracht, und Löcher werden durch dieses geätzt, um das LSI-Plättchen 6 mit den Vielschichtmetallfilmverdrahtungen 12 durch Lot 5 mechanisch und elektrisch zu verbinden, was zur Verdrahtungsschutz-Polyimidbeschichtung 13 führt. Auf die Elektrodenseite der unteren und oberen Substrate 2, 4 wird Polyimidharz aufgebracht und auf 200 ºC bis 350 ºC erhitzt, um einen (nicht dargestellten) Flüssigkristallausrichtungsfilm zu bilden, wie in der japanischen Patentveröffentlichung No. SHO 58-55488 beschrieben ist.
  • Eine Flüssigkristallanzeigezelle 1 wird durch Aufbringen von Epoxyharz als ein Dichtungsteil 3 im wesentlichen völlig um den Umfang des oberen Substrats 4 mit einer (nicht dargestellten) Öffnung darin zum Einführen von Flüssigkristallmaterial in die Zelle 1 und Abdichten der Substrate 2 und 4 mit einem vorbestimmten Abstand von 5 bis 10 um zwischen den Elektroden 9 und 10 durch Aushärten des Epoxyharzes bei 180 ºC hergestellt. Ein Flüssigkristallmaterial 11 wird durch die Öffnung in die Flüssigkristallzelle 1 eingeführt, und die Öffnung wird mit einem Kleber abgedichtet. Durchgehende Löcher werden an den Stellen in der oberen Schicht, dem Cr-Film des Vielschichtmetallfilms 12 entsprechend den Stellen des Lots 5 zur Verbindung des LSI-Plättchens 6 geätzt, und das LSI-Plättchen 6 wird auf der vorbestimmten Stelle mittels Lots 5 verbunden, wodurch das LSI-Plättchen 6 mit den Vielschichtmetallfilmverdrahtungen 12 elektrisch verbunden wird. Plattchenschutzharz 17, das aus Epoxyharz besteht, wird völlig über dem LSI-Plättchen 6 zum Schutz des Plättchens 6 gegenüber Umgebungsbedingungen aufgebracht Dann wird, um mögliche Poren in der Polyimidharzbeschichtung 13 auszufüllen, Harz niedriger Viskosität unter 0,1 Pa.s (z. B. 0,05 Pa.s) vor dem Aushärten, z. B. Urethanharz (z. B. TF-1154, verfügbar von Hitachi Chemical Co., Ltd.) aufgebracht und bildet einen Schutzharzüberzug 18.
  • In diesem Ausführungsbeispiel besteht die Verdrahtungsschutzbeschichtung 13 aus hochgradig wärmebeständigem Polyimid, und daher beeinträchtigen im nachfolgenden Verfahren nach Aufbringung der Drahtschutzbeschichtung 13 Wärmebehandlungen zur Herstellung des Flüssigkristallausrichtungsfilms und zum Aushärten des Dichtungsteils 3 die Verdrahtungsschutzbeschichtung 13 nicht.
  • In den Verläßlichkeitstests wurde die Flüssigkristall- Anzeigevorrichtung dieses Ausführungsbeispiels mit 9 Volt, die durch die Flüssigkristallschicht für 1000 Stunden unter den Umgebungsbedingungen von 80 ºC und 90 % relativer Feuchtigkeit angelegt wurden, betrieben, und es traten keine Korrosion, wie z. B. Elektrolyse, in den Metallfilmverdrahtungen 12 und keine Ausfälle, wie z. B. Ablösung von Metallfilmverdrahtungen, nach 500 Zyklen des Temperaturzyklustests zwischen -40 ºC und 80 ºC auf.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel ergaben Vielschichtmetallfilmverdrahtungen, die aus Ni-Au anstelle der vorerwähnten Metallfilmverdrahtung bestanden, die gleichen Ergebnisse wie das vorstehende Ausführungsbeispiel.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Stabilität und Verläßlichkeit unter strengen Umgebungsbedingungen in einem Ausmaß zu verbessern, das mit denen mit einer aus SiO&sub2; bestehenden Schutzbeschichtung vergleichbar ist, und die Herstellungskosten durch Vereinfachung des Herstellungsverfahrens im Vergleich mit der SiO&sub2;-Schutzbeschichtung zu verringern.

Claims (5)

1. Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die umfaßt: obere und untere Substrate (4, 2) mit Elektroden (10, 9) an deren inneren Oberflächen, wobei mindestens eines (2) dieser oberen und unteren Substrate (4, 2) einen ausgedehnteren Bereich besitzt, der sich über den Rand des anderen Substrats (4) erstreckt, Flüssigkristallmaterial (11), das zwischen den oberen und unteren Substraten (4, 2) angeordnet ist, ein Dichtungsteil (3), das um den Umfang herum angeordnet ist und das Flüssigkristallmaterial (11) einschließt, einen integrierten Steuerschaltkreis (6), der an der inneren Oberfläche dieses ausgedehnteren Bereiches montiert ist, Metallfilmverdrahtung (12), die an der inneren Oberfläche des ausgedehnteren Bereiches gebildet ist und die über Lötmittel mit dem integrierten Steuerschaltkreis (6) mechanisch und elektrisch verbunden ist, gekennzeichnet durch eine Beschichtung aus Polyimidharz (13), die die Metallfilmverdrahtungen (12) bedeckt, und Harzbeschichtung (18), die zum Auffüllen von Löchern in der Polyimidharzbeschichtung (13) das Polyimidharz (13) bedeckt und vor dem Härten geringe Viskosität aufweist.
2. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die das Polyimidharz (13) bedeckende Harzbeschichtung (18) aus Urethanharz besteht.
3. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die das Polyimidharz (13) bedeckende Harzbeschichtung (18) vor dem Härten eine Viskosität unter 0,1 Pa.s besitzt.
4. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die die Metallfilmverdrahtungen (12) bedeckende Polyimidharzbeschichtung (13) eine Temperatur der thermischen Zersetzung über 300 ºC besitzt.
5. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Polyimidharzbeschichtung (13) aus lichtempfindlichem Polyimidharz besteht.
DE8686117429T 1985-12-25 1986-12-15 Fluessigkristall-anzeigevorrichtung. Expired - Fee Related DE3685642T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29055885A JPH0682765B2 (ja) 1985-12-25 1985-12-25 液晶表示素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3685642D1 DE3685642D1 (de) 1992-07-16
DE3685642T2 true DE3685642T2 (de) 1993-01-21

Family

ID=17757581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8686117429T Expired - Fee Related DE3685642T2 (de) 1985-12-25 1986-12-15 Fluessigkristall-anzeigevorrichtung.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4826297A (de)
EP (1) EP0226997B1 (de)
JP (1) JPH0682765B2 (de)
DE (1) DE3685642T2 (de)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0289026B1 (de) * 1987-05-01 1994-12-28 Canon Kabushiki Kaisha Verfahren zum Anschliessen eines externen Schaltkreises und Verpackungsstruktur
KR910006369B1 (ko) * 1987-10-27 1991-08-21 미쯔이도오아쯔가가꾸 가부시기가이샤 유지용기
JPH01145630A (ja) * 1987-12-02 1989-06-07 Hitachi Ltd 液晶表示素子
JP2534311B2 (ja) * 1988-04-04 1996-09-11 出光興産株式会社 液晶光学素子の製造方法
US5016986A (en) * 1988-04-12 1991-05-21 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having an improvement in insulating between conductors connected to electronic components
US5194934A (en) * 1988-07-27 1993-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mounting structure for a semiconductor chip having a buffer layer
US5593916A (en) * 1988-08-12 1997-01-14 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Processing of glass substrates using holding container and holding container
JPH02115825A (ja) * 1988-10-25 1990-04-27 Nec Corp 表示パネル
DE3910963A1 (de) * 1989-04-05 1990-10-11 Licentia Gmbh Schaltungsanordnung
JPH0310224A (ja) * 1989-06-07 1991-01-17 Sharp Corp 表示装置
DE69013984T2 (de) * 1989-06-09 1995-04-20 Sharp Kk Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
JP3009438B2 (ja) * 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH03125443A (ja) * 1989-10-09 1991-05-28 Sharp Corp 実装基板の電極及び該実装基板の電極を有する液晶表示装置
US5313102A (en) * 1989-12-22 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit device having a polyimide moisture barrier coating
JPH0490514A (ja) * 1990-08-02 1992-03-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
NL9001982A (nl) * 1990-09-10 1992-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Interconnectiestructuur.
FR2693005B1 (fr) * 1992-06-26 1995-03-31 Thomson Lcd Disposition d'encapsulation et de passivation de circuit pour écrans plats.
US6437846B1 (en) * 1993-03-15 2002-08-20 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device and electronic device including same
JP3184853B2 (ja) * 1993-06-24 2001-07-09 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6980275B1 (en) * 1993-09-20 2005-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US5517344A (en) * 1994-05-20 1996-05-14 Prime View Hk Limited System for protection of drive circuits formed on a substrate of a liquid crystal display
US6011607A (en) 1995-02-15 2000-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Active matrix display with sealing material
JPH09113922A (ja) * 1995-10-03 1997-05-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 液晶表示装置及びその製造方法
JPH09146108A (ja) 1995-11-17 1997-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその駆動方法
JP2798027B2 (ja) * 1995-11-29 1998-09-17 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3963974B2 (ja) * 1995-12-20 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置
JPH09297318A (ja) * 1996-03-06 1997-11-18 Seiko Epson Corp 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器
WO1998005999A1 (fr) * 1996-08-06 1998-02-12 Seiko Epson Corporation Affichage a cristaux liquides et materiel electronique l'utilisant
JP3788649B2 (ja) * 1996-11-22 2006-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH10186393A (ja) * 1996-12-19 1998-07-14 Shin Etsu Polymer Co Ltd 液晶表示パネルの表示検査用コネクタ及びその製造方法
JPH10268361A (ja) 1997-03-27 1998-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
DE19808986A1 (de) * 1998-03-03 1999-09-09 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit mehreren Halbleiterchips
GB9825314D0 (en) * 1998-11-20 1999-01-13 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix liquid crystal display devices
GB9827965D0 (en) * 1998-12-19 1999-02-10 Secr Defence Assembly of cells having spaced opposed substrates
JP3746925B2 (ja) 1999-08-27 2006-02-22 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP2002250911A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nec Corp 液晶モジュールと、液晶モジュールを用いたスイッチ構造
TW588204B (en) * 2002-03-14 2004-05-21 Wintek Corp Transparent conduction plate having low junction resistance and manufacturing method thereof
US8125601B2 (en) * 2003-01-08 2012-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Upper substrate and liquid crystal display device having the same
JP2005024626A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Casio Comput Co Ltd 表示装置の電子部品取付構造
JP2005311321A (ja) * 2004-03-22 2005-11-04 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法、並びに、該半導体装置を備えた液晶モジュールおよび半導体モジュール
TWI288267B (en) * 2004-09-03 2007-10-11 Innolux Display Corp Liquid crystal display panel and method of fabricating the circuit substrate of the liquid crystal display panel
JP2007025200A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示素子及びその製造方法
KR100673765B1 (ko) 2006-01-20 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US8038495B2 (en) 2006-01-20 2011-10-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
KR100635514B1 (ko) * 2006-01-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP4624309B2 (ja) * 2006-01-24 2011-02-02 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP4456092B2 (ja) 2006-01-24 2010-04-28 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR100671641B1 (ko) * 2006-01-25 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100685853B1 (ko) * 2006-01-25 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100688796B1 (ko) * 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제작 방법
US8164257B2 (en) * 2006-01-25 2012-04-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100688795B1 (ko) * 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100671647B1 (ko) * 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
JP4633674B2 (ja) 2006-01-26 2011-02-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR100732808B1 (ko) * 2006-01-26 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 제조방법
KR100671639B1 (ko) * 2006-01-27 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100688790B1 (ko) * 2006-01-27 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100732817B1 (ko) 2006-03-29 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP4715596B2 (ja) * 2006-03-31 2011-07-06 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
US8786582B2 (en) * 2009-10-27 2014-07-22 Sharp Kabushiki Kaisha Display panel and display apparatus
TWI527505B (zh) 2013-01-10 2016-03-21 元太科技工業股份有限公司 電路基板結構及其製造方法
KR102427672B1 (ko) * 2015-08-11 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5237744A (en) * 1975-09-19 1977-03-23 Seiko Epson Corp Electronic desk computer with liquid crystal display
JPS5273693A (en) * 1975-12-16 1977-06-20 Seiko Epson Corp Display device
JPS53147968A (en) * 1977-05-30 1978-12-23 Hitachi Ltd Thick film circuit board
JPS5694650A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Hitachi Ltd Resin-sealed semiconductor device
JPS56126945A (en) * 1980-03-10 1981-10-05 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPS5877250A (ja) * 1981-11-02 1983-05-10 Nec Corp 半導体装置
JPS5979555A (ja) * 1982-10-29 1984-05-08 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
US4653859A (en) * 1983-03-04 1987-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal optical modulating element having particular capacitance between lines and method for driving the same
JPS59230112A (ja) * 1983-06-13 1984-12-24 Hitachi Ltd 車載用電子表示式計器盤
JPS59231431A (ja) * 1983-06-14 1984-12-26 Tokyo Electric Co Ltd ロ−ドセル
US4640583A (en) * 1983-07-22 1987-02-03 Kabushiki Kaisha Seiko Epson Display panel having an inner and an outer seal and process for the production thereof
JPS60220317A (ja) * 1984-04-18 1985-11-05 Hitachi Ltd 液晶表示素子
JPS60238817A (ja) * 1984-05-12 1985-11-27 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
US4696994A (en) * 1984-12-14 1987-09-29 Ube Industries, Ltd. Transparent aromatic polyimide

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62150858A (ja) 1987-07-04
DE3685642D1 (de) 1992-07-16
EP0226997A3 (en) 1988-10-12
EP0226997B1 (de) 1992-06-10
JPH0682765B2 (ja) 1994-10-19
US4826297A (en) 1989-05-02
EP0226997A2 (de) 1987-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3685642T2 (de) Fluessigkristall-anzeigevorrichtung.
DE102005045661B4 (de) Mikroelektronischer Bauelementchip und Herstellungsverfahren, Packung und LCD-Vorrichtung
DE3105981C2 (de) Flüssigkristallanzeigeeinrichtung
DE3331624C2 (de) Halbleiteranordnung mit Schutzmetalleinrichtung
DE10045043B4 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4242408C2 (de) Verfahren zum Verbinden eines Schaltkreissubstrates mit einem Halbleiterteil
DE69015100T2 (de) Elektroden auf einem Montagesubstrat und Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die dieses enthält.
DE102006012322A1 (de) Substrat für eine elektronische Einheit und Verfahren zu deren Herstellung, elektronische Einheit und Verfahren zu deren Herstellung
DE102018118116B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitfähigen Substrats und einer Anzeigevorrichtung
DE19952175B4 (de) Flüssigkristallanzeige und Verfahren zur Herstellung einer Hybriddichtung
EP1324389B1 (de) Halbleiterbauelement im Chip-Format und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69205854T2 (de) Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
DE69020009T2 (de) Verfahren zum Herstellen von Verbindungselektroden.
DE3824008A1 (de) Elektronische schaltung sowie verfahren zu deren herstellung
DE4133598C2 (de) Anordnung mit einem auf einem Substrat oberflächenmontierten Chip mit einer integrierten Schaltung und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0391024B1 (de) Schaltungsanordnung für Anzeigevorrichtung
DE102012100231B4 (de) Halbleiterchip
EP0279432B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer stromlos abgeschiedenen, lötbaren Metallschicht
DE19828386A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Ausbildung von Löterhebungen
DE2548060C2 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10250634B4 (de) Halbleiterstruktur mit nachgiebigem Zwischenverbindungselement und Verfahren zu deren Herstellung
DE69011940T2 (de) Verfahren und Anordnung zur Leitungsverbindung für eine Anzeigevorrichtung.
DE19535989C3 (de) Chipmodul
DE3136198A1 (de) &#34;elektronische duennschichtschaltung&#34;
WO1983001344A1 (en) Thin layered electronic circuit and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee